標準解讀

《GB/T 29851-2013 光伏電池用硅材料中B、Al受主雜質含量的二次離子質譜測量方法》是一項國家標準,旨在規范光伏電池生產過程中所使用的硅材料內硼(B)和鋁(Al)兩種主要受主型雜質元素含量的測定方法。該標準詳細描述了如何使用二次離子質譜技術(SIMS, Secondary Ion Mass Spectrometry)對這些雜質進行精確測量。

根據此標準,首先需要準備待測樣品,并確保其表面清潔無污染,以便獲得準確可靠的測試結果。接下來,通過特定條件下的離子束轟擊樣品表面,使得樣品中的原子或分子被激發出來形成二次離子。然后,利用質譜儀分析這些二次離子的質量與電荷比值,從而識別并定量分析出其中含有的硼和鋁雜質的具體濃度。

整個過程包括但不限于樣品制備、儀器校準、數據采集以及結果處理等多個步驟,每一步都有明確的操作指南和技術要求,以保證測量結果的一致性和可比性。此外,還特別強調了實驗環境控制的重要性,比如溫度、濕度等因素都可能影響到最終的數據準確性。


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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2013-11-12 頒布
  • 2014-04-15 實施
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GB/T 29851-2013光伏電池用硅材料中B、Al受主雜質含量的二次離子質譜測量方法_第1頁
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文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T29851—2013

光伏電池用硅材料中BAl受主雜質

含量的二次離子質譜測量方法

Testmethodformeasuringboronandaluminiuminsiliconmaterialsusedfor

photovoltaicapplicationsbysecondaryionmassspectrometry

2013-11-12發布2014-04-15實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

光伏電池用硅材料中BAl受主雜質

含量的二次離子質譜測量方法

GB/T29851—2013

*

中國標準出版社出版發行

北京市朝陽區和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

/p>

年月第一版

20141

*

書號

:155066·1-48021

版權專有侵權必究

GB/T29851—2013

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位信息產業專用材料質量監督檢驗中心中國電子技術標準化研究院國家電子功

:、、

能與輔助材料質量監督檢驗中心天津市環歐半導體材料技術有限公司

、。

本標準主要起草人何友琴馬農農王東雪何秀坤裴會川馮亞彬張雪囡

:、、、、、、。

GB/T29851—2013

光伏電池用硅材料中BAl受主雜質

含量的二次離子質譜測量方法

1范圍

本標準規定了用二次離子質譜儀測定光伏電池用硅材料中硼和鋁含量的方法

(SIMS)。

本標準適用于光伏電池用硅材料中受主雜質硼和鋁含量的定量分析其中硼和鋁的濃度均大于

,

133其他受主雜質的測量也可參照本標準

1×10atoms/cm。。

2方法原理

在高真空條件下氧離子源產生的一次離子經過加速純化聚焦后轟擊樣品表面濺射出多種粒

,,、、,,

子將其中的離子即二次離子引出通過質譜儀將不同荷質比的離子分開記錄并計算樣品中硼鋁分

,(),,、

別與硅的二次離子強度比++++然后利用其相對靈敏度因子進行定量

(B)/(Si)、(Al)/(Si),。

3干擾因素

31樣品表面吸附的硼和鋁會干擾樣品中硼和鋁的測量

.。

32從儀器樣品室吸附到樣品表面的硼和鋁會干擾樣品中硼和鋁的測量

.SIMS。

33在樣品架窗口范圍內的樣品表面應平整以保證每個樣品移動到分析位置時其表面與離子收集

.,,

光學系統的傾斜度不變否則測量的準確度和精度會降低

,。

34測量的準確度和精度隨著樣品表面粗糙度的增大而顯著降低可通過對樣品表面進行化學機械拋

.,

光予以消除

35標準樣品中硼和鋁分布不均勻會影響測量精度

.。

36標準樣品中硼和鋁標稱濃度的偏差會導致測量結果的偏差

.。

37因儀器不同或者同一儀器的狀態不同檢測限可能不同

.,。

38因為二次離子質譜分析是破壞性的試驗所以應進行取樣且所取樣品應能代表該批硅料的性質

.,,。

本標準未規定統一的取樣方法因為大多數合適的取樣計劃根據樣品情況不同而有區別為了達到仲

,。

裁目的取樣計劃應在測試之前得到測試雙方的認可

,。

4儀器及設備

41扇形磁場二次離子質譜儀

.

儀器需要裝備氧一次離子源能檢測正二次離子的電子倍增器和法拉第杯檢測器質量分辨率應優

,,

1500。

42液氮或者液氦冷卻低溫板

.

如果分析室的真空度大于-6應用液氮或者液氦冷卻的低溫板環繞分析室中的樣品架

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