標準解讀

《GB/T 26066-2010 硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法》是一項國家標準，主要針對半導體行業(yè)中硅晶片表面淺腐蝕坑的檢測提供了一套標準化的方法。該標準適用于評估硅晶片在制造過程中可能形成的微小缺陷，特別是那些通過化學或物理手段產(chǎn)生的淺表層損傷點。它對于提高硅材料質(zhì)量、確保半導體器件性能具有重要意義。

根據(jù)此標準，首先定義了“淺腐蝕坑”的概念及其對硅晶片潛在影響的重要性。接著詳細描述了進行此類檢測所需的各種條件，包括但不限于實驗環(huán)境（如溫度、濕度）、設備要求（例如顯微鏡類型）以及樣品準備步驟等。此外，還規(guī)定了如何正確地采集圖像數(shù)據(jù)，并基于這些圖像來識別和量化淺腐蝕坑特征的具體程序。

標準中提出了一系列具體的測量技術與分析方法，比如使用光學顯微鏡、掃描電子顯微鏡(SEM)或者其他高分辨率成像工具來進行觀察；同時也指出了在不同情況下選擇合適檢測手段的原則。為了保證結(jié)果的一致性和可比性，《GB/T 26066-2010》還特別強調(diào)了數(shù)據(jù)記錄格式及報告編寫規(guī)范，要求所有相關信息均需準確無誤地被記錄下來，以便于后續(xù)分析與交流。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2011-01-10 頒布
  • 2011-10-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T26066—2010

硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法

Practiceforshallowetchpitdetectiononsilicon

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法

GB/T26066—2010

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京復興門外三里河北街號

16

郵政編碼

:100045

網(wǎng)址

:

服務熱線

/p>

年月第一版

20116

*

書號

:155066·1-42668

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T26066—2010

前言

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位洛陽單晶硅有限責任公司

:。

本標準主要起草人田素霞張靜雯王文衛(wèi)周濤

:、、、。

Ⅰ

GB/T26066—2010

硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法

1范圍

本標準規(guī)定了用熱氧化和化學擇優(yōu)腐蝕技術檢驗拋光片或外延片表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢

測方法

。

本標準適用于檢測或晶向的型或型拋光片或外延片電阻率大于

<111><100>pn,0.001Ω·cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

拋光片或外延片的某些缺陷經(jīng)過熱氧化和擇優(yōu)腐蝕后通過顯微鏡觀察顯示出淺腐蝕坑并用圖表

,

確定和記錄腐蝕坑的程度

。

5意義和用途

51高密度腐蝕坑4個2表明硅晶片上有金屬沾污其對半導體器件加工過程是有害的

.(>10/cm),。

52本測試方法的目的是用于來料驗收和過程控制

.。

6干擾因素

61腐蝕過程中產(chǎn)生的氣泡和腐蝕前不適當?shù)那逑幢砻鏁绊懹^測結(jié)果

.。

62腐蝕液使用量不夠會影響觀測效果

.。

63擇優(yōu)腐蝕過程中嚴重的硅片沾污可阻止型硅淺腐蝕坑的形成或使其模糊

.p(<0.2Ω·cm)。

64氧化環(huán)境沾污嚴重會增加淺腐蝕坑的密度

.。

7儀器設備

71高強度窄束光源照度大于的鎢燈絲距光源位置光束直徑

.:16klx(1500fc),100mm20mm~

40mm。

72氫氟酸防護裝備氟塑料聚乙烯或聚丙烯燒杯量筒鑷子眼罩圍裙手套和防護套袖

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