標準解讀

《GB/T 26065-2010 硅單晶拋光試驗片規范》是由中國國家標準化管理委員會發布的一項國家標準，主要針對硅單晶拋光試驗片的生產和質量控制。該標準詳細規定了硅單晶拋光片的技術要求、測試方法、檢驗規則以及包裝、標志、運輸和貯存等方面的內容。

在技術要求方面，標準明確了硅單晶拋光片的基本尺寸規格，包括直徑、厚度等參數，并對表面平整度、粗糙度提出了具體的要求。此外，還涉及到了電阻率范圍、摻雜類型（P型或N型）的選擇等電學性能指標。對于特定應用領域，如微電子行業中的使用，這些參數尤為重要。

關于測試方法，《GB/T 26065-2010》提供了詳細的指導，涵蓋了幾何尺寸測量、表面形貌分析、電導率測定等多個方面。通過采用適當的儀器設備和技術手段，確保能夠準確地評價樣品是否符合規定的各項性能指標。

檢驗規則部分，則是圍繞如何進行批次抽樣檢查而設立的一系列準則。它定義了合格判定條件、不合格品處理流程等內容，旨在保證出廠產品的整體質量水平。

最后，在包裝、標志、運輸及貯存章節中，標準給出了建議性的指南。比如，推薦使用何種材料進行封裝以保護產品免受物理損傷；標識信息應包含哪些關鍵要素以便于識別與追溯；以及在不同環境條件下如何妥善保存硅單晶拋光片以延長其使用壽命等。

該標準為硅單晶拋光片的生產者、使用者及相關檢測機構提供了一個統一的標準依據，有助于提高產品質量一致性，促進相關產業健康發展。


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....

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  • 現行
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  • 2011-01-10 頒布
  • 2011-10-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T26065—2010

硅單晶拋光試驗片規范

Specificationforpolishedtestsiliconwafers

2011-01-10發布2011-10-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T26065—2010

前言

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位寧波立立電子股份有限公司杭州海納半導體有限公司

:、。

本標準主要起草人宮龍飛何良恩許峰黃笑容劉培東王飛堯

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T26065—2010

硅單晶拋光試驗片規范

1范圍

11本標準規定了半導體器件制備中用作檢驗和工藝控制的硅單晶試驗片的技術要求

.。

12本標準涵蓋尺寸規格結晶取向及表面缺陷等特性要求本標準涉及了所有

.、。50.8mm~300mm

標準直徑的硅拋光試驗片技術要求

。

13對于更高要求的硅單晶拋光片規格如顆粒測試硅片光刻分辨率試驗用硅片以及金屬離子監控

.,:、

片等參見硅單晶優質拋光片規范

,SEMI24《》。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法

GB/T1554

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

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GB/T6619

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GB/T6621

硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T6624

硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T11073

硅單晶拋光片

GB/T12964

硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片參考面結晶學取向射線測試方法

GB/T13388X

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導體材料術語

GB/T14264

硅片邊緣輪廓檢驗方法

YS/T26

硅單晶優質拋光片規范

SEMI24

表面金屬含量測量

ASTMF1526

3術語和定義

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