標準解讀
《GB/T 249-2017 半導體分立器件型號命名方法》與《GB/T 249-1989》相比，在內容上進行了多方面的調整和補充，以適應技術發展及市場需求的變化。主要變更包括但不限于以下幾點：
首先，《GB/T 249-2017》對半導體分立器件的分類進行了更新，增加了新型號類別，并對原有類別進行了細化或重新定義，以便更準確地反映當前市場上存在的各種類型產品。
其次，在命名規則方面，《GB/T 249-2017》引入了更為詳細且靈活的規定。例如，對于特定功能、封裝形式或是特殊應用條件下的器件，新版標準提供了更加具體而全面的標識方式，使得通過型號即可快速獲取到關于該器件的關鍵信息。
再者，《GB/T 249-2017》還加強了對外觀標記的要求，明確了如何在物理實體上正確標注型號及其他必要信息，這對于提高生產制造過程中的一致性以及后續使用維護都有積極意義。
此外，《GB/T 249-2017》也考慮到了國際接軌的需求，在某些條款設置上參考了國際通行做法，旨在促進國內半導體行業與全球市場的更好融合。
最后，新版本還特別強調了對環境保護的關注，鼓勵采用綠色材料和技術，這反映了當今社會對企業社會責任的新要求。
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- 現行
- 正在執行有效
- 2017-05-12 頒布
- 2017-12-01 實施
文檔簡介
ICS3108001
L40..
中華人民共和國國家標準
GB/T249—2017
代替
GB/T249—1989
半導體分立器件型號命名方法
Theruleoftypedesignationfordiscretesemiconductordevices
2017-05-12發布2017-12-01實施
中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布
中國國家標準化管理委員會
GB/T249—2017
前言
本標準按照給出的規則起草
GB/T1.1—2009。
本標準代替半導體分立器件型號命名方法與相比主要技
GB/T249—1989《》,GB/T249—1989
術變化如下
:
混頻管和檢波管分別命名見年版的
———(3.1,19893.1);
二極管第二部分增加了符號代表化合物或合金材料見
———E,(3.1);
增加了噪聲管和限幅管的命名見
———(3.1);
增加了晶體管陣列的命名見
———(3.2);
由代表整流管陣列改為代表二極管陣列見年版的
———“ZL”(3.2,19893.2);
增加了肖特基二極管的命名見
———(3.2);
增加了觸發二極管的命名見
———(3.2)。
本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出
。
本標準由全國半導體器件標準化技術委員會歸口
(SAC/TC78)。
本標準起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所
:。
本標準主要起草人陳海蓉崔波李麗霞
:、、。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為
:
———GB/T249—1964、GB/T249—1974、GB/T249—1989。
Ⅰ
GB/T249—2017
半導體分立器件型號命名方法
1范圍
本標準規定了半導體分立器件型號命名方法的組成原則組成部分的符號及其意義
、。
本標準適用于各種半導體分立器件
。
2型號組成原則
21半導體分立器件的型號五個組成部分的基本意義如下
.:
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分
用漢語拼音字母表示規格號
用阿拉伯數字表示登記順序號
用漢語拼音字母表示器件的類別
用漢語拼音字母表示器件的材料和極性
用阿拉伯數字表示器件的電極數目
22半導體分立器件的型號一般由第一部分到第五部分組成也可以由第三部分到第五部分組成
.,。
3型號組成部分的符號及其意義
31由第一部分到第五部分組成的器件型號的符號及其意義見表
.1。
表1由第一部分到第五部分組成的器件型號的符號及其意義
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分
用阿拉伯數字表用阿拉伯用漢語拼音
用漢語拼音字母表示
示器件的電極數用漢語拼音字母表示器件的類別數字表示字母表示
器件的材料和極性
目登記順序號規格號
符號意義符號意義符號意義
二極管型鍺材料小信號管
2AN,P
型鍺材料混頻管
BP,H
型硅材料檢波管
CN,V
型硅材料電壓調整管和電壓基準管
DP,W
化合物或合金變容管
EC
材料整流管
Z
三極管型鍺材料整流堆
3APNP,L
型鍺材料
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