犐犆犛７１．０４０．４０

犌０４

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜２２５７２—２００８／犐犛犗２０３４１：２００３

表面化學分析二次離子質譜

用多δ層參考物質

評估深度分辨參數的方法

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（ＩＳＯ２０３４１：２００３，ＩＤＴ）

２００８１２１１發布２００９１００１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

表面化學分析二次離子質譜

用多δ層參考物質

評估深度分辨參數的方法

ＧＢ／Ｔ２２５７２—２００８／ＩＳＯ２０３４１：２００３

中國標準出版社出版發行

北京復興門外三里河北街１６號

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２００９年３月第一版２００９年３月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３５７６２

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書

犌犅／犜２２５７２—２００８／犐犛犗２０３４１：２００３

前言

本標準等同采用ＩＳＯ２０３４１：２００３《表面化學分析———二次離子質譜———用多δ層參考物質評估深

度分辨參數的方法》。

為便于使用，本標準對ＩＳＯ２０３４１：２００３做了下列編輯性修改：

———刪除了原國際標準的前言部分；

———將本國際標準改為本標準。

本標準的附錄Ａ為規范性附錄。

本標準由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口。

本標準負責起草單位：信息產業部專用材料質量監督檢驗中心。

本標準主要起草人：馬農農、何友琴、何秀坤。

Ⅰ

書

犌犅／犜２２５７２—２００８／犐犛犗２０３４１：２００３

引言

深度分辨是二次離子質譜（ＳＩＭＳ）深度剖析的一個重要參數。然而，在ＳＩＭＳ分析中，影響濺射深

度剖析結果的因素很多，包括離子束誘導的混合和偏析、電荷驅動的擴散、基體效應、弧坑形狀和表面微

形貌等。只有了解并盡量降低以上因素的影響，才能得到最佳的深度分辨。

獲取最佳的深度分辨通常要求特定的分析條件，包括超低的一次離子束能量、掠入射、旋轉樣品、低

溫冷卻樣品等，所有這些條件在常規的ＳＩＭＳ分析中都很難滿足。此外，對每一種樣品所要求的最佳分

析參數可能很不相同。進而，各種儀器因素，如弧坑的形狀、離子束的同一性、弧坑邊沿效應的消除、質

量干擾、記憶效應、殘氣效應等，也會影響深度分辨的各個方面。

因此，在常規的ＳＩＭＳ分析條件下，難以直接評估深度分辨。本標準闡述了前沿衰變長度、后沿衰

變長度和高斯展寬的概念，提出了每個參數的測量步驟。多δ層參考物質就可用于評估在常規ＳＩＭＳ

分析條件下的深度分辨參數。

Ⅱ

犌犅／犜２２５７２—２００８／犐犛犗２０３４１：２００３

表面化學分析二次離子質譜

用多δ層參考物質

評估深度分辨參數的方法

１范圍

本標準詳細說明了在ＳＩＭＳ深度剖析中，用多δ層參考物質評估前沿衰變長度、后沿衰變長度和高

斯展寬三個深度分辨參數的步驟。

由于樣品表面的物理和化學態受一次入射離子影響而不穩定，本標準不適用于近表面區域的δ層。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ２２４６１表面化學分析詞匯（ＧＢ／Ｔ２２４６１—２００８，ＩＳＯ１８１１５：２００１，ＩＤＴ）

３符號

犃Ｌ，犃Ｔ比例因子。

犅，犆比例系數。

犐（狕）隨深度的二次離子強度。

狕深度。

狕０表觀峰的深度。

λＬ