第五章

晶體管電路基礎5.1半導體的基礎知識5.1.1半導體二極管半導體的導電特性半導體的導電性介于導體和絕緣體之間。如硅和鍺。導體的導電性能具有的特點：（1）導電能力受溫度和光照的影響大，即具有熱敏性和光敏性。（2）導電能力可通過摻入微量雜質而提高幾十萬乃至幾百萬倍純凈的半導體以共價鍵的形式形成晶體結構，即每個原子最外層的四個電子分別和相鄰的四個原子所共有，這樣使每個原子都處于較為穩定的狀態共價鍵中的價電子在溫度升高或受到光照獲得一定能量后，即可掙脫原子核的束縛，成為自由電子。同時在共價鍵中留下一個空位，稱為空穴。失去電子即有空穴的原子是帶正電的。自由電子和空穴都稱為載流子。載流子數目就越多，導電性能會越好。在硅（或鍺）中摻入硼：硼原子最外層只有三個電子，所以硼原子（B）在與周圍四個硅原子（Si）組成共價鍵時，就缺少一個價電子而出現一個空穴。稱為空穴半導體或P型半導體多數載流子：空穴少數載流子：自由電子在硅（或鍺）中摻入磷：因磷原子最外層有五個電子，則在與相鄰硅原子組成共價鍵時，就多一個價電子，原子核對這個電子的束縛很弱，所以常溫下就可以成為自由電子。稱電子半導體，也叫N型半導體多數載流子：自由電子少數載流子：空穴PN結的形成在一塊半導體晶片上，采用一定工藝，在其兩邊分別形成P型和N型半導體，則在交界面就形成PN結。空間電荷區中多數載流子已擴散復合掉了的，所以PN結又稱耗盡區或稱阻擋層。PN結的單向導電性（1）PN結外加正向電壓外加電場與內電場方向相反，內電場受到削弱，相當于空間電荷區變窄，擴散與漂移運動的平衡被打破，多數載流子的擴散運動增強，形成了較大的擴散電流（正向電流），即這時PN結呈現出較低的電阻，又稱導通狀態。即外加電壓正端接P區，負端接N區（2）PN結外加反向電壓即外加電壓正端接N區，負端接P區外電場與內電場方向相同，內電場受到增強，空間電荷區變寬。擴散更難進行，少數載流子的漂移運動加強。由于少數載流子的數量很少，反向電流不大，即PN結呈現出很高的電阻，又稱截止狀態。即PN結外加正向電壓時PN結導通，正向電流較大；外加反向電壓時PN結截止，反向電流很小。結論PN結具有單向導電性半導體二極管的基本結構將PN結加上兩個電極引線和管殼封裝起來，就成為一個半導體二極管。從P區引出的端稱為陽極（正極），從N區引出的端稱為陰極（負極）。電路符號點接觸型多為鍺管，其PN結面積小，不能通過大電流，但高頻性能好。面接觸型多為硅管，其PN結面積大，能通過大電流，一般用作整流。半導體二極管的伏安特性曲線（1）正向特性外加正向電壓很小，不足以克服PN結內電場時，正向電流幾乎為零，這一段稱為“死區”。正向電壓超過一定數值后，內電場被克服，二極管導通，電流隨電壓增大而迅速上升。鍺管的死區電壓約為0.2V，硅管約0.5V。鍺管的導通壓降約為0.3V，硅管約0.7V（2）反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，反向電流很小，二極管處于截止狀態。當外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為擊穿。使二極管產生擊穿的反向電壓稱為反向擊穿電壓U(BR)

注意：二極管被擊穿時，失去單向導電性。若發生擊穿后，二極管電流急劇增大引起過熱，則原來的性能就不能再恢復、二極管就損壞了。二極管的主要參數（1）最大整流電流

IOM

二極管長時間使用時所允許流過的最大正向平均電流。電流超過此值時，會使管子過熱而導致損壞。（2）反向工作峰值電壓URWM

保證二極管不被反向擊穿而規定的最大反向工作電壓一般URWM取反向擊穿電壓U(BR)的一半或三分之二（3）反向電流IR

二極管未被擊穿時，流過二極管的反向電流此值越小，單向導電性越好。鍺管的反向電流比硅管大。溫度增高，反向電流變大。二極管的電路模型（1）理想二極管電路模型把二極管看成是一個由其端電壓控制的自動開關，并忽略二極管的死區電壓、正向電壓、反向電流等，即當時，二極管截止，相當于開關斷開，并且漏電流為零。當時，二極管導通，相當于開關閉合，并且開關電壓為零。（2）考慮正向電壓的二極管電路模型（3）考慮正向伏安特性曲線斜率的電路模型動態電阻穩壓二極管穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管符號穩壓管的擊穿電壓比普通二極管低得多（幾到幾十伏），且反向擊穿的特性曲線比較陡。伏安特性因其反向擊穿特性比較陡，當電流在很大范圍內變動時，其兩端電壓幾乎不變，即具有穩壓作用。穩壓管正常工作于反向擊穿區穩壓管的主要參數1.穩定電壓UZ

穩壓管在正常工作情況下兩端的電壓，即穩壓管的反向擊穿電壓。2.穩定電流IZ和最大穩定電流IZMIZ是穩壓管在反向擊穿區工作時能保持較好穩壓性能的最小電流參考值，電流低于IZ時穩壓性能將變差。穩壓管的反向電流不能超過最大穩定電流IZM，否則將燒壞。穩壓管正常工作時其電流應為IZ～IZM。3.最大允許耗散功率PZM

管子不致過熱損壞的最大功率損耗4.動態電阻rZ

穩壓管端電壓的變化量與相應的電流變化量之比，即rZ越小，穩壓管的反向擊穿特性曲線越陡，穩壓性能越好。5.電壓溫度系數αU

是說明穩壓值受溫度變化影響的系數，數值上等于溫度每升高1oC時穩定電壓的相對變化量。一般地，穩壓值低于6V的穩壓管，其αU是負的；高于6V的穩壓管其αU是正的；而在6V左右的管子，穩壓值受溫度影響就比較小。例

在圖示電路中，穩壓管的參數是：UZ=10V，IZ=10mA，IZM=29mA。選擇500Ω，1/8W的電阻R作限流電阻是否合適？為什么？解但即：所選限流電阻R的阻值合適、但額定功率太小，會燒壞電阻。應選500Ω、1/4W的電阻較合適。

5.1.2雙極型晶體三極管雙極型晶體三極管的基本結構NPN型PNP型內部結構特點：1.基區非常薄，且摻雜濃度很低；2.發射區的摻雜濃度很高。晶體管電流分配及放大原理實驗電路電路采用NPN型，按照圖中接法，VB﹥VE，發射結加正向電壓（正向偏置）；如果滿足EC﹥EB，則VC﹥VB，即集電結加反向電壓（反向偏置）。實驗電路的測量數據IB/mA00.020.040.060.080.10IC/mA0.0010.701.502.303.103.95IE/mA0.0010.721.542.363.184.05結論：1.符合基爾霍夫電流定律（KCL），即2.IC和IE比IB大得多。3.晶體管要起到放大作用，必須使發射結正偏、集電結反偏。如果，也沒有電流放大作用。載流子運動（1）發射區向基區擴散自由電子（2）自由電子在基區擴散與復合（3）集電區收集從發射區擴散過來的自由電子電流分配共射直流電流放大系數共射交流電流放大系數晶體管的特性曲線實驗電路1.輸入特性曲線和二極管的伏安特性一樣，也有死區。硅管的死區電壓為0.5V，鍺管為0.1V。UCE為常數時，IB與UBE與IB之間的關系曲線2.輸出特性曲線IB為常數時，IC與UCE之間的關系曲線即輸出特性曲線分成三個工作區：（1）放大區——曲線近似與橫軸平行的中間部分放大區時，其發射結正向偏置，集電結反向偏置。（2）截止區——IB=0曲線以下的狹窄區域IB=0，IC≈0晶體管工作于截止區時，發射結和集電結均應處于反向偏置。（3）飽和區——虛線左側的區域有UCE<UBE，即VC<VB

晶體管工作于飽和區時，發射結和集電結均應處于正向偏置。晶體管的主要參數1.共射極電流放大系數、

當晶體管工作在飽和或截止區時，不成立，也不再是常數。2.集-基極反向飽和電流ICBO

ICBO是當發射極開路（IE=0）時由于集電結反偏，集電區和基區中少數載流子的漂移運動所形成的電流。ICBO愈小愈好3.集-射極穿透電流ICEO

ICEO是基極開路（IB=0）、發射結正偏和集電結反偏時的集電極電流。又稱穿透電流。4.集電極最大允許電流ICM

在使用晶體管時，若IC>ICM，管子不一定損壞，但值將大為降低。5.集-射極擊穿電壓U(BR)CEO

基極開路時，加在集電極和發射極之間的最大允許電壓。6.集電極最大允許耗散功率PCM

當晶體管因受熱而引起的參數變化不超過允許值時，集電極所消耗的最大功率晶體管的安全工作區5.1.3場效應晶體管場效應管按其結構可分為結型和絕緣柵絕緣柵型又分增強型和耗盡型按其導電溝道又有N溝道和P溝道兩種N溝道增強型絕緣柵場效應管（簡稱增強型NMOS管）基本結構符號工作原理當uGS=0時，對uDS來說總有一個PN結是反向偏置的，漏、源兩區之間不存在可導電的溝道，故漏極電流iD=0。當uGS>0時，就在柵極與P型硅片之間的二氧化硅介質中產生一個垂直的電場，由于二氧化硅層很薄，電場很強。強電場吸引硅片和N型區中的自由電子，形成一個電子薄層，這個薄層成為漏極與源極之間的導電溝道，稱為N型溝道uGS越大，N型溝道越厚，溝道電阻越小，iD越大。由此可利用uGS對iD進行控制，而柵極上幾乎不取電流。將襯底換成N型硅，在上面形成兩個P型區，就可制成P溝道MOS管（3）特性曲線轉移特性在uDS一定的條件下，iD與uGS之間的關系曲線：N溝道增強型絕緣柵場效應管的轉移特性

對增強型N溝道MOS管，在uGS>UGS(th)范圍內，IDO是uGS=2UGS(th)時的iD值。輸出特性又稱漏極特性，是在uGS一定的條件下，iD與uDS的關系曲線：N溝道增強型絕緣柵場效應管的輸出特性輸出特性分為可變電阻區、恒流區和夾斷區三個區域uGS>UGS(th)時N溝道增強型絕緣柵場效應管導電溝道隨uDS的變化情況：

uDS<uGS–uGS(th)

uDS=uGS–uGS(th)

uDS>uGS–uGS(th)

2.N溝道耗盡型絕緣柵場效應管（耗盡型NMOS管）基本結構符號轉移特性曲線輸出特性曲線IDSS是uGS＝0時的iD值。3.P溝道絕緣柵場效應管（PMOS管）增強型PMOS耗盡型PMOS場效應管的主要參數直流參數(1)開啟電壓UGS(th)

在uDS固定時，使iD大于零所需的最小值。UGS(th)是增強型MOS管的參數(2)夾斷電壓UGS(off)

在uDS固定時，iD為規定的微小電流（如5μA）時的在uGS

。是耗盡型MOS管的參數。(3)飽和漏極電流IDSS是耗盡型管子的參數，是指當uGS

＝0時的漏極電流。(4)直流輸入電阻RGS(DS)

是柵源電壓和柵極電流的比值交流參數(1)低頻跨導gm當uDS為某固定值時，iD的微小變化量與引起它變化的uGS的微小變化量的比值，即若iD的單位是毫安（mA），uGS的單位是伏（V），則gm的單位是毫西門子（mS）。(2)極間電容場效應管的三個電極之間均存在電容效應，它們是柵源電容CGS，柵漏電容CGD以及漏源電容CDS。一般CGS和CGD為1～3pF，CDS約為0.1～1pF。(3)低頻噪聲系數NF

噪聲系數NF表征了噪聲所產生的影響，其值(單位dB)越小越好。極限參數(1)最大漏極電流IDM管子正常工作時允許的最大漏極電流。(2)漏源擊穿電壓U(BR)DS

管子進入恒流區后、在uDS增大過程中，使iD急劇增大產生雪崩擊穿時的uDS值。(3)柵源擊穿電壓U(BR)GS

使MOS管的絕緣層擊穿的電壓(4)最大耗散功率PDM

場效應管與普通晶體管的比較稱比較項目雙極型晶體管場效應管載流子兩種不同極性的載流子（自由電子和空穴）同時參與導電，故稱雙極型晶體管只有一種極性的載流子（自由電子或空穴）參與導電，故稱單極型晶體管溫度穩定性較差好控制方式電流控制電壓控制主要類型NPN和PNP兩種N溝道和P溝道兩種放大參數β＝20～200gm=1～20mS輸入電阻102～104Ω107～1014Ω輸出電阻rce很高rds很高制造工藝較復雜簡單、成本低對應電極基極－柵極，發射極－源極，集電極－漏極5.2二極管應用電路5.2.1整流電路整流電路的作用就是利用二極管的單向導電性，將交流電轉變成單向脈動（方向不變，大小變化）的直流電。整流電路可分為單相整流電路和三相整流電路單相整流電路又有半波整流、全波整流、橋式整流等。單相半波整流電路在u2正半周，a點電位高于b點電位，二極管因正向偏置而導通。在u2負半周，a點電位低于b點電位，二極管截止，忽略反向飽和電流，RL上沒有電流流過，即iO=0，則輸出電壓uO=0。反向電壓的最大值:單相半波整流電壓的平均值（直流分量）為流過二極管D和負載電阻RL的整流電流平均值為整流二極管反向截止時所承受的最高反向電壓UDRM為例

已知RL=80，要求負載電壓平均值UO=100V，求：（1）交流電壓u2的有效值U2；（2）負載電流平均值IO；（3）二極管電流平均值ID及二極管承受的最高反向電壓UDRM，并選擇二極管的型號。解查手冊可知，可選用2CZ12G(3A，600V)。單相橋式整流電路a點電位高于b點電位，D1、D3導通，D2、D4截止。u2為正半周時很顯然，D2和D4所加最高反向電壓均為u2的幅值，即。在u2為負半周時a點電位低于b點電位，D2、D4導通，D1、D3截止。很顯然，D1和D3所加最高反向電壓均為u2的幅值，即。整流電壓的平均值:負載電阻RL上流過的電流平均值為流經每個二極管的電流為負載電流的一半，即

流過變壓器副邊的電流仍為正弦電流，有效值為二極管所承受的最高反向電壓是u2的峰值電壓，即例

已知RL=80，要求負載電壓平均值UO=110V，交流電源電壓為220V，試選用整流二極管和整流變壓器。解考慮到變壓器副繞組和二極管上的壓降，取變壓器副邊電壓大約高出10％，即變壓器副邊電流有效值：

變壓器的容量

所以可選用BK300(300VA)，220/134V的變壓器。因此可選用2CZ11C(1A，300V)作整流二極管。變壓器的變比為5.2.2限幅電路二極管截止二極管導通例

D1、D2為理想二極管，試畫出范圍內的電壓傳輸特性曲線。解D1管截止，D2管導通。D1管截止，D2管截止。D1管導通，D2管截止。5.2.3或門電路或門電路是數字邏輯門電路的一種，實現邏輯“或”功能。或門電路狀態表電路實現邏輯“或”的功能：

5.3雙極型晶體管放大電路5.3.1晶體管放大電路的組成和工作原理單管共發射極放大電路的組成V擔負著能量控制作用（放大作用）。EB和RB給晶體管發射結提供適當的正向偏置電壓UBE和偏置電流IB。EC和RC給晶體管提供適當的管壓UCE，使UCE>UBE，以保證管子集電結反向偏置。信號源（es、Rs）提供待放大的交流信號ui。電路中有交流、又有直流，晶體管各電壓、電流都是由直流和交流合成的全量。直流量用大寫字母大寫下標表示。其中IB、IC

、UCE稱為靜態工作點。交流量用小寫字母小寫下標表示。如ib、ic

、uce等。全量用小寫字母大寫下標表示，如iB、iC

、uCE。交流放大電路中電壓和電流的符號名稱直流分量（靜態值）交流分量合成全量的瞬時值瞬時值有效值晶體管基極電流集電極電流發射極電流IBICIEibicieIbIcIeiB(=IB+ib)iC(=IC+ic)iE(=IE+ie)基-射極電壓集-射極電壓UBEUCEubeuceUbeUceuBE(=UBE+ube)uCE

(=UCE+uce)放大電路輸入電壓—uiUi—輸出電壓—uoUo—使用單電源工作原理設置合適靜態工作點的必要性5.3.2放大電路的分析放大電路分析靜態分析：放大電路沒有輸入信號時的工作狀態動態分析：有輸入信號時的工作狀態。直流通路畫直流通路的原則是：1.電容相當于開路，電感線圈相當于短路（忽略線圈電阻）；2.信號源不起作用，按零值處理，只保留其內阻。直流通路是在直流電源作用下直流電流流經的通路交流通路交流通路是在輸入交流信號的作用下，交流信號流經的通路。畫交流通路的原則：1.容量大的電容（如耦合電容），容抗小，對交流信號可視為短路；2.對直流電壓源，一般忽略其內阻，按恒壓源處理、即其交流分量為零，相當于短路。放大電路的靜態分析估算法直流通路例電路中UCC=12V，RC=4kΩ，RB=300k，RL=6kΩ，=37.5，試求電路的靜態工作點。解注意：在分析之初曾假設晶體管處于放大狀態，最后還需要用估算的結果進行檢驗。如果基極電流大于0，說明晶體管沒有進入截止區；如果UCE>0.5V則說明晶體管沒有進入飽和區；排除了截止、飽和兩種情況，即說明晶體管工作于放大區。圖解法由上例估算知則直流負載線與特性曲線的交點Q就是電路的靜態工作點。作直流負載線由放大電路的動態分析動態分析是在時計算放大電路的電壓放大倍數、輸入電阻和輸出電阻等技術參數，動態分析應該用放大電路的交流通路。動態分析微變等效電路法圖解法微變等效電路法晶體管的微變等效電路放大電路的微變等效電路把交流通路中的晶體管用其微變等效電路代替，就得到放大電路的微變等效電路。電壓放大倍數電壓放大倍數是輸出電壓與輸入電壓的變化量之比。輸入電壓

輸出電壓

則放大電路的電壓放大倍數為不接RL時：輸入電阻輸出電阻輸出電阻rO即是戴維南等效內阻例

試求電路的電壓放大倍數、輸入電阻及輸出電阻（已知rbb’=200）。解微變等效電路圖解法過Q點作一條斜率為的直線，即得到放大電路的交流負載線。非線性失真如果靜態工作點設置不合適，或輸入信號幅度過大，將導致晶體管的工作范圍超出其特性曲線上的線性區而進入非線性區，從而使輸入和輸出信號的波形形狀不能完全相同（失真），這種情況稱為非線性失真。若工作點偏高時，晶體管易進入飽和區，引起飽和失真。

若工作點偏低，晶體管易進入截止區，引起截止失真。最大不失真輸出電壓5.3.3靜態工作點穩定電路靜態工作點不但決定了放大電路是否會產生失真，而且還影響著放大電路的電壓放大倍數、輸入電阻等動態參數。當環境溫度升高時，β和ICEO均會增大，而UBE會下降（當IB不變時），最終導致集電極電流IC增大，從而使晶體管的整個輸出特性曲線向上平移。分壓式偏置放大電路穩定靜態工作點的原理直流通路若選取適當的RB1、RB2，使則基極電位與晶體管的參數無關取VB>>UBE，則不受溫度影響分壓式偏置電路穩定靜態工作點的過程可表示如下：靜態分析直流通路用戴維南定理來分析動態分析沒有旁路電容CE降低了

5.3.4射極輸出器靜態分析直流通路動態分析交流通路微變等效電路電壓放大倍數微變等效電路輸入電阻輸出電阻用“加壓求流”法計算射極輸出器的特點：輸入、輸出電壓同相電壓放大倍數略小于1輸入電阻大輸出電阻小例

有一信號源，es=4sintV，Rs=3k。（1）信號源直接帶RL=2k的負載，如圖a，求輸出電壓uo。（2）信號源經過射極輸出器接RL=2k負載，如圖b，求輸出電壓uo。（設rbe=0.9k）a)b)解（1）信號源直接帶負載時信號大部分降在內阻上，信號沒有被負載充分利用。（2）經射極輸出器接負載時可見，由于射極輸出器輸入電阻大，信號在內阻上的壓降損失很小，信號源的電動勢幾乎都加在負載上。5.3.5功率放大器功率放大電路的特點1.功率放大電路中的晶體管為使輸出功率盡可能大，晶體管的集電極電流、管壓降、集電極耗散功率最大時均接近晶體管的極限參數。因此，要特別注意功放管極限參數的選擇，以保證管子安全工作。2.功率放大電路的分析方法用圖解法分析功放電路的靜態和動態工作情況。3.功率放大電路的主要技術指標（1）最大輸出功率POM輸出功率最大輸出功率POM是在電路參數確定的情況下負載上可能獲得的最大交流功率。（2）轉換效率η功率放大電路的最大輸出功率POM和電源所提供的直流功率PE之比稱為轉換效率。功率放大電路的基本要求：

1）在不失真的前提下盡可能地輸出較大的功率。2）具有較高的效率。放大電路有三種工作狀態：甲類工作狀態乙類工作狀態甲乙類工作狀態甲類乙類甲乙類雙電源的互補對稱功率放大電路（OCL電路）當ui正半周時，V1發射結正偏，V1導通，電流iL1經V1流向RL，RL上得到一個正半周的輸出電壓。此時V2管的發射結處于反向偏置，V2管截止。當ui為負半周時，情況與正半周相反，V1管截止，V2管導通，電流iL2經V2管流向負載RL，在RL上得到一個負半周的輸出電壓。V1、V2管交替導通，相互補足。電路由兩個射極輸出器組成，所以它還具有輸入電阻高和輸出電阻低的特點。由于沒有靜態偏置，當輸入信號ui低于晶體管的死區電壓時，V1、V2管都截止，RL上無電流流過，出現一段零值區（），稱為交越失真。為了消除交越失真，可用一定的電路建立合適的靜態工作點，使兩管均工作在臨界導通和微導通狀態，避開死區段，即工作在甲乙類狀態。由于每個管只工作半個周期，故其靜態工作點可下移至IC0，V1、V2管的靜態功耗約為零，因而使效率提高，并使放大電路有較大的動態范圍。一個管的輸出電流平均值一個電源提供的功率為雙電源共提供的功率為最大效率為復合管當輸出功率較大時，難以選配這對不同類型的晶體管，且大功率管的β值均較小。在互補對稱功率放大電路中，要求配有一對特性對稱的NPN型PNP型功率管。小功率NPN型和PNP型管的配對較容易即復合管的類型與第一個晶體管（即V1）相同單電源的互補對稱功率放大電路（OTL電路）在靜態時，通過調整RB1的阻值，使K點的電位為EC/2，則電容C2的充電電壓。ui的正半周V1管導通，V2管截止，電流由V1管經C2流向負載，同時向C2充電，充電至EC/2。在ui的負半周，V1管截止，V2管導通，已充電至EC/2的C2起著電源的作用，通過V2向負載RL放電。5.4場效應晶體管放大電路5.4.1場效應晶體管放大電路靜態工作點的設置及分析自給偏壓偏置電路靜態時，柵極電流為零，故柵極電位VG為零；源極電位VS=IDRS，所以分壓式偏置電路例

已知UDD=20V，RD=RS=10kΩ，RG1=200kΩ，RG2=51kΩ，RG=1MΩ，管子的參數IDSS=4mA，UGS(off)=–4V。試估算電路的靜態工作點。解5.4.2場效應晶體管放大電路的動態分析場效應管的微變等效電路gm為場效應管的跨導rDS稱為場效應管漏、源極之間的等效電阻。共源極放大電路的動態分析微變等效電路例

圖a電路中已知gm=0.8mS，RL=10kΩ。（1）試用微變等效電路法估算放大電路的電壓放大倍數、輸入電阻和輸出電阻；（2）為改善放大電路的工作性能，把電路中的源極電阻（10kΩ）分成兩部分，其中（0.5kΩ）不并接旁路電容，（9.5kΩ）并接旁路電容，如圖b。求此時的電壓放大倍數。a)b)解（1）圖a的微變等效電路圖b的微變等效電路(2)共漏極放大電路的動態分析微變等效電路。用“加壓求流”法求輸出電阻例

已知UDD=20V，RS=10kΩ，RG1=1MΩ，RG2=3MΩ，RG=100MΩ，gm=1.8mS，RL=10kΩ。試估算電路的電壓放大倍數、輸入電阻和輸出電阻。解5.5多級放大電路多級電壓放大電路的方框圖兩個單級放大電路之間的聯接方式稱為耦合，實現耦合的電路稱為耦合電路。耦合方式主要有阻容耦合、變壓器耦合、直接耦合、光電耦合等。5.5.1阻容耦合放大電路各級的直流電路互不相通，各級之間靜態工作點互不影響，同單級。對n級電壓放大電路：例已知UCC=12V，RB1=30kΩ，RB2=15kΩ，R’B1=20kΩ，R’B2=10kΩ，RC2=2.5kΩ，RE1=3kΩ，RE2=2kΩ，RL=5kΩ，C1=C2=C3=5F，CE1=CE2=100F，1=2=40，rbb’=200Ω。求放大電路的靜態值和電壓放大倍數、輸入電阻、輸出電阻。信號源內阻忽略不計。解求靜態值：電路的微變等效電路放大電路的頻率特性幅頻特性相頻特性上、下限頻率之差為放大電路的通頻帶BW（又稱帶寬），即BW=fH

–fL在中頻段，由于耦合電容和旁路電容的容量較大（幾十至幾百μF），對中頻段信號來說，其容抗很小，可視為短路。晶體管極間電容容量很小（最多幾十pF），對中頻段信號的容抗很大，可視作開路。因此，在中頻段可以不考慮電容的影響。在低頻段，由于信號頻率較低，晶體管極間電容更可視作開路而忽略。而耦合電容、旁路電容容抗增大不能忽略，造成電路放大倍數下降。在高頻段，由于信號頻率較高，耦合電容和旁路電容均可視為短路。而晶體管極間電容容抗減小不能忽略，極間電容上的分流，也造成電路電壓放大倍數的下降。5.5.2直接耦合放大電路特殊問題:1.前后級靜態工作點相互影響:2.零點漂移問題：例已知：RB1=3.3kΩ，RB2=1105kΩ，RC1=11kΩ，RC2=1kΩ，穩壓管的工作電壓UZ=4V,β1＝β2＝50，UCC＝24V，試計算各級靜態工作點。如果溫度升高，使IC1增加1％，試計算靜態輸出電壓Uo的變化。解設靜態時UBE1=UBE2=0.6VUCE1=UBE2+UZ=4.6V靜態時的輸出電壓為

當IC1增加1％時

此時輸出電壓將變為

比原來升高了1V，約升高了7.4%。5.5.3差動放大電路電路兩側元件對稱，即V1、V2兩管型號和參數均相同，利用對稱性原理，抑制零點漂移。共模信號輸入兩個輸入信號大小相等，極性相同，即在共模信號作用下，由于對稱性，有所以差動放大電路對共模信號的抑制能力就是對零點漂移的抑制能力。差模信號輸入兩個信號大小相等而極性相反，即在差模信號作用下，有比較信號輸入對任何一組比較信號，總可以分解為一個共模信號和一個差模信號的組合。對于任意輸入:ui1,

ui2共模分量:差模分量:典型差動放大電路發射極電阻RE的作用RE有電流負反饋作用，可穩定靜態工作點，即有抑制零漂的作用，稱為共模反饋電阻。RE越大，對零點漂移抑制的效果越好。RE對共模信號有抑制作用，對差模信號不起作用。發射極負電源EE的作用加入了負電源EE是為了降低發射極電位。可調電位器RP的作用由于電路不可能完全對稱，零輸入信號時，兩個管子的靜態值會稍有差別，使輸出電壓不一定為零。這時可以通過調整電位器RP使兩管的靜態電流相同，達到雙端輸出時uo=