實(shí)驗(yàn)二單結(jié)晶體管觸發(fā)電路實(shí)驗(yàn)第一頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日第二頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日一、 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1)熟悉單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的工作原理及電路中各元件的作用。(2)掌握單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的調(diào)試步驟和方法。第三頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日二、實(shí)驗(yàn)所需掛件及附件序號(hào)型號(hào)備注1TKDD-1電源控制屏該控制屏包含“三相電源輸出”等幾個(gè)模塊。2DK05晶閘管觸發(fā)電路該掛件包含“單結(jié)晶體管觸發(fā)電路”等模塊。3雙蹤示波器YB4328第四頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日三、實(shí)驗(yàn)線路及原理第五頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日四、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容(1)單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的調(diào)試。(2)單結(jié)晶體管觸發(fā)電路各點(diǎn)電壓波形的觀察。第六頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日五、預(yù)習(xí)要求閱讀本教材1-3節(jié)及電力電子技術(shù)教材中有關(guān)單結(jié)晶體管的內(nèi)容，弄清單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的工作原理。第七頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日單結(jié)晶體管觸發(fā)電路一、

單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)及工作原理1.結(jié)構(gòu)B2第二基極B1N歐姆接觸接觸電阻P發(fā)射極E第一基極PN結(jié)N型硅片(a)示意圖單結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖及其表示符號(hào)(b)符號(hào)B2EB1第八頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日2.單結(jié)晶體管的測(cè)試方法以國(guó)產(chǎn)BT33為例來(lái)說(shuō)明測(cè)試方法。①判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極e的方法：將萬(wàn)用表置于RX100擋或RXlk擋，用黑表筆接其中的一個(gè)極，紅表筆接另外兩極，當(dāng)出現(xiàn)兩次低電阻時(shí)，則黑表筆接的就是單結(jié)晶體管的發(fā)射極。②單結(jié)晶體管b1和b2的判斷方法：將萬(wàn)用表置于RX100擋或RXlk擋，用黑表筆接發(fā)射極，紅表筆接另外兩極，兩次測(cè)量中，電阻大的一次，紅表筆接的就是b1極。但對(duì)于個(gè)別單結(jié)晶體管的e-bl之間的正向電阻值較小，測(cè)量時(shí)不一定準(zhǔn)確，僅供參考。第九頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日3.工作原理

UE<

UBB+UD=UP時(shí)PN結(jié)反偏，IE很小；PN結(jié)正向?qū)?IE迅速增加。UE

UP時(shí)

–

分壓比(0.5~0.9)UP

–

峰點(diǎn)電壓UD–

PN結(jié)正向?qū)▔航礏2B1UBBEUE+_+_RP+_+_等效電路RB1RB2AUBBEUE+_RP+_+_B2B1測(cè)量單結(jié)晶體管的實(shí)驗(yàn)電路由圖可求得第十頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日4.單結(jié)晶體管的伏安特性UV、IV(谷點(diǎn)電壓、電流):維持單結(jié)管導(dǎo)通的最小電壓、電流。

UP(峰點(diǎn)電壓)：

單結(jié)管由截止變導(dǎo)通

所需發(fā)射極電壓。IpIVoIEUEUP峰點(diǎn)電壓UV谷點(diǎn)電壓V負(fù)阻區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)負(fù)阻區(qū)：UE>UP后，大量空穴注入基區(qū)，致使IE增加、UE反而下降，出現(xiàn)負(fù)阻。P第十一頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日（1）UE<UP時(shí)單結(jié)管截止；UE>UP時(shí)單結(jié)管導(dǎo)通，UE<UV時(shí)恢復(fù)截止。單結(jié)晶體管的特點(diǎn)B2EB1（2）單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓UP與外加固定電壓UBB及分壓比

有關(guān)，外加電壓UBB或分壓比不同，則峰點(diǎn)電壓UP不同。（3）不同單結(jié)晶體管的谷點(diǎn)電壓UV和谷點(diǎn)電流IV都不一樣。谷點(diǎn)電壓大約在2~5V之間。常選用稍大一些，UV稍小的單結(jié)晶體管，以增大輸出脈沖幅度和移相范圍。第十二頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日二、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路1.振蕩電路單結(jié)晶體管弛張振蕩電路單結(jié)晶體管振蕩電路利用單結(jié)管的負(fù)阻特性及RC電路的充放電特性組成頻率可調(diào)的振蕩電路。ugR2R1RUucE+C+__+_50100k3000.47F第十三頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日ugR2R1RUuCE+C+__+_50100k3000.47F2.

振蕩過(guò)程分析設(shè)通電前uC=0。接通電源U,電容C經(jīng)電阻R充電。電容電壓uC逐漸升高。

當(dāng)uC

UP時(shí),單結(jié)管導(dǎo)通,電容C放電,R1上得到一脈沖電壓。UpUvUp-UDuCtugt電容放電至uC

Uv時(shí)，單結(jié)管重新關(guān)斷，使ug0。(a)(b)第十四頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日注意：R值不能選的太小，否則單結(jié)管不能關(guān)斷，電路亦不能振蕩。upuv(c)電壓波形uCttugOO第十五頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日主電路觸發(fā)電路u1+RLR1R2RPCRuZT1D1D2T2u2+–uC++–RuL+ug+u+三、單結(jié)管觸發(fā)的半控橋式整流電路1.電路第十六頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日2.工作原理(1)整流削波U2M削波UZRu2+–+–uo+–uZ整流U2MtOZtOtO第十七頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日(2)觸發(fā)電路UP-UDR1R2RPCuc+Rug+uZ+ttUvUpRLT1D1D2T2uL+(3)輸出電壓uLOOUZtOtO第十八頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日問(wèn)題討論1.單結(jié)管觸發(fā)的可控整流電路中，主電路和觸發(fā)電路為什么接在同一個(gè)變壓器上？

目的：保證主電路和觸發(fā)電路的電源電壓同時(shí)過(guò)零(即兩者同步)，使電容在每半個(gè)周期均從零開(kāi)始充電，從而保證每半個(gè)周期的第一個(gè)觸發(fā)脈沖出現(xiàn)的時(shí)刻相同(即角一樣)以使輸出平均電壓不變。2.觸發(fā)電路中，整流后為什么加穩(wěn)壓管？

穩(wěn)壓管的作用：是將整流后的電壓變成梯形(即削波)，使單結(jié)管兩端電壓穩(wěn)定在穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值上，從而保證單結(jié)管產(chǎn)生的脈沖幅度和每半個(gè)周期產(chǎn)生第一脈沖的時(shí)間，不受交流電源電壓變化的影響。第十九頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日3.一系列觸發(fā)脈沖中，為什么只有第一個(gè)起作用？如何改變控制角？根據(jù)晶閘管的特性，它一旦觸發(fā)導(dǎo)通，在陽(yáng)極電壓足夠大的條件下，即使去掉觸發(fā)信號(hào)，仍能維持導(dǎo)通狀態(tài)。因此，每半個(gè)周期中只有第一個(gè)觸發(fā)脈沖起作用。改變充電時(shí)間常數(shù)即可改變控制角。控制角變化的范圍稱為移相范圍。4.電壓的調(diào)節(jié)R

電容充電速度變慢uL第二十頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日六、思考題(1)單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的振蕩頻率與電路中C1的數(shù)值有什么關(guān)系?(2)單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的移相范圍能否達(dá)到180°?第二十一頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日七、實(shí)驗(yàn)方法(1)單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的觀測(cè)將TKDD-1電源控制屏的電源選擇開(kāi)關(guān)打到“直流調(diào)速”側(cè),使輸出線電壓為200V（不能打到“交流調(diào)速”側(cè)工作，因?yàn)镈K05的正常工作電源電壓為220V10%，而“交流調(diào)速”側(cè)輸出的線電壓為240V。）第二十二頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日七、實(shí)驗(yàn)方法(1)單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的觀測(cè)如果輸入電壓超出其標(biāo)準(zhǔn)工作范圍，掛件的使用壽命將減少，甚至?xí)?dǎo)致掛件的損壞。按下“啟動(dòng)”按鈕，打開(kāi)DK05電源開(kāi)關(guān)，這時(shí)掛件中所有的觸發(fā)電路都開(kāi)始工作，用雙蹤示波器觀察單結(jié)晶體管觸發(fā)電路，第二十三頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日七、實(shí)驗(yàn)方法(1)單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的觀測(cè)經(jīng)半波整流后“1”點(diǎn)的波形，經(jīng)穩(wěn)壓管削波得到“2”點(diǎn)的波形，調(diào)節(jié)移相電位器RP1，觀察“4”點(diǎn)鋸齒波的周期變化及“5”點(diǎn)的觸發(fā)脈沖波形；最后觀測(cè)輸出的“G、K”觸發(fā)電壓波形，其能否在30°～170°范圍內(nèi)移相?第二十四頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日七、實(shí)驗(yàn)方法(2)單結(jié)晶體管觸發(fā)電路各點(diǎn)波形的記錄當(dāng)α＝30o、60o、90o、120o時(shí)，將單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的各觀測(cè)點(diǎn)波形描繪下來(lái)，并與圖2-2的各波形進(jìn)行比較。第二十五頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日第二十六頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日第二十七頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日第二十八頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日七、實(shí)驗(yàn)方法

AC60TP1TP2TP3TP4TP5幅值(V度(ms)10691080.0015第二十九頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日第三十頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日有效值為60V的正弦交流電;最大值2Χ60≈170V+85V;-85V5V/DIV;Χ10；3.4DIV頻率：50Hz；周期：20ms5ms/DIV;4DIV第三十一頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日八、實(shí)驗(yàn)報(bào)告畫(huà)出α=60°時(shí)，單結(jié)晶體管觸發(fā)電路各點(diǎn)輸出的波形及其幅值。第三十二頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日九、注意事項(xiàng)雙蹤示波器有兩個(gè)探頭，可同時(shí)觀測(cè)兩路信號(hào)，但這兩探頭的地線都與示波器的外殼相連，所以兩個(gè)探頭的地線不能同時(shí)接在同一電路的不同電位的兩個(gè)點(diǎn)上，否則這兩點(diǎn)會(huì)通過(guò)示波器外殼發(fā)生電氣短路。為此，為了保證測(cè)量的順利進(jìn)行，可將其中一根探頭的地線取下或外包絕緣，只使用其中一路的地線，這樣從根本上解決了這個(gè)問(wèn)題。當(dāng)需要同時(shí)觀察兩個(gè)信號(hào)時(shí)，必須在被測(cè)電路上找到這兩個(gè)信號(hào)的公共點(diǎn)，將探頭的地線接于此處，探頭各接至被測(cè)信號(hào)，只有這樣才能在示波器上同時(shí)觀察到兩個(gè)信號(hào)，而不發(fā)生意外。第三十三頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日九、注意事項(xiàng)(2)由于脈沖“G”、“K”輸出端有電容影響，故觀察輸出脈沖電壓波形時(shí)，需將輸出端“G”和“K”分別接到晶閘管的門(mén)極和陰極（或者也可用約100Ω左右阻值的電阻接到“G”、“K”兩端，來(lái)模擬晶閘管門(mén)極與陰極的阻值），否則，無(wú)法觀察到正確的脈沖波形。第三十四頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日2.觸發(fā)電路中，整流后為什么加穩(wěn)壓管？穩(wěn)壓管的作用是：將整流后的電壓變成梯形（即削波），使單結(jié)管兩端電壓穩(wěn)定在穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值上，從而保證單結(jié)管產(chǎn)生的脈沖幅度和每半個(gè)周期產(chǎn)生第一脈沖的時(shí)間，不受交流電源電壓變化的影響。UZR1R2RPCuccdeDZbudbUPUVueb第三十五頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日觸發(fā)脈沖移相范圍的計(jì)算f—電源電壓的頻率R2R1aRPCucu2RbcdeDZudet第三十六頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日結(jié)束,謝謝!!!第三十七頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日1.6

電力電子器件器件的驅(qū)動(dòng)1.6.1電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述1.6.2晶閘管的觸發(fā)電路1.6.3典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路第三十八頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日1.6.1電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述使電力電子器件工作在較理想的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，減小開(kāi)關(guān)損耗。對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。一些保護(hù)措施也往往設(shè)在驅(qū)動(dòng)電路中，或通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)。驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù)：按控制目標(biāo)的要求施加開(kāi)通或關(guān)斷的信號(hào)。對(duì)半控型器件只需提供開(kāi)通控制信號(hào)。對(duì)全控型器件則既要提供開(kāi)通控制信號(hào)，又要提供關(guān)斷控制信號(hào)。驅(qū)動(dòng)電路——主電路與控制電路之間的接口第三十九頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日1.6.1電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述

驅(qū)動(dòng)電路還要提供控制電路與主電路之間的電氣隔離環(huán)節(jié)，一般采用光隔離或磁隔離。

光隔離一般采用光耦合器

磁隔離的元件通常是脈沖變壓器圖1-25光耦合器的類(lèi)型及接法a)普通型b)高速型c)高傳輸比型第四十頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日1.6.1電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述按照驅(qū)動(dòng)信號(hào)的性質(zhì)分，可分為電流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型。驅(qū)動(dòng)電路具體形式可為分立元件的，但目前的趨勢(shì)是采用專用集成驅(qū)動(dòng)電路。雙列直插式集成電路及將光耦隔離電路也集成在內(nèi)的混合集成電路。為達(dá)到參數(shù)最佳配合，首選所用器件生產(chǎn)廠家專門(mén)開(kāi)發(fā)的集成驅(qū)動(dòng)電路。分類(lèi)第四十一頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日1.6.2晶閘管的觸發(fā)電路作用：產(chǎn)生符合要求的門(mén)極觸發(fā)脈沖，保證晶閘管在需要的時(shí)刻由阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。晶閘管觸發(fā)電路應(yīng)滿足下列要求：脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管可靠導(dǎo)通。觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度。不超過(guò)門(mén)極電壓、電流和功率定額，且在可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)。有良好的抗干擾性能、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離。tIIMt1t2t3t4圖1-26理想的晶閘管觸發(fā)脈沖電流波形t1~t2脈沖前沿上升時(shí)間（<1s）t1~t3強(qiáng)脈寬度IM強(qiáng)脈沖幅值（3IGT~5IGT）t1~t4脈沖寬度I脈沖平頂幅值（1.5IGT~2IGT）晶閘管的觸發(fā)電路第四十二頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日1.6.2晶閘管的觸發(fā)電路V1、V2構(gòu)成脈沖放大環(huán)節(jié)。脈沖變壓器TM和附屬電路構(gòu)成脈沖輸出環(huán)節(jié)。

V1、V2導(dǎo)通時(shí)，通過(guò)脈沖變壓器向晶閘管的門(mén)極和陰極之間輸出觸發(fā)脈沖。圖1-27常見(jiàn)的晶閘管觸發(fā)電路常見(jiàn)的晶閘管觸發(fā)電路第四十三頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日

典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路(1)GTOGTO的開(kāi)通控制與普通晶閘管相似。GTO關(guān)斷控制需施加負(fù)門(mén)極電流。圖1-28推薦的GTO門(mén)極電壓電流波形OttOuGiG1)

電流驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路正的門(mén)極電流5V的負(fù)偏壓GTO驅(qū)動(dòng)電路通常包括開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電路、關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路和門(mén)極反偏電路三部分，可分為脈沖變壓器耦合式和直接耦合式兩種類(lèi)型。第四十四頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日

典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路直接耦合式驅(qū)動(dòng)電路可避免電路內(nèi)部的相互干擾和寄生振蕩，可得到較陡的脈沖前沿。目前應(yīng)用較廣，但其功耗大，效率較低。圖1-29典型的直接耦合式GTO驅(qū)動(dòng)電路第四十五頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日

典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電流應(yīng)使GTR處于準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài)，使之不進(jìn)入放大區(qū)和深飽和區(qū)。關(guān)斷GTR時(shí)，施加一定的負(fù)基極電流有利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗。關(guān)斷后同樣應(yīng)在基射極之間施加一定幅值（6V左右）的負(fù)偏壓。tOib

圖1-30理想的GTR基極驅(qū)動(dòng)電流波形(2)GTR第四十六頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日

典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路GTR的一種驅(qū)動(dòng)電路，包括電氣隔離和晶體管放大電路兩部分。圖1-31

GTR的一種驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)GTR的集成驅(qū)動(dòng)電路中，THOMSON公司的UAA4002和三菱公司的M57215BL較為常見(jiàn)。第四十七頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日

典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路電力MOSFET和IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)型器件。為快速建立驅(qū)動(dòng)電壓，要求驅(qū)動(dòng)電路輸出電阻小。使MOSFET開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)電壓一般10~15V，使IGBT開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)電壓一般15~20V。關(guān)斷時(shí)施加一定幅值的負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓（一般取-5~-15V）有利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗。在柵極串入一只低值電阻可以減小寄生振蕩。2)電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路第四十八頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日

典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路(1)電力MOSFET的一種驅(qū)動(dòng)電路：電氣隔離和晶體管放大電路兩部分圖1-32電力MOSFET的一種驅(qū)動(dòng)電路專為驅(qū)動(dòng)電力MOSFET而設(shè)計(jì)的混合集成電路有三菱公司的M57918L，其輸入信號(hào)電流幅值為16mA，輸出最大脈沖電流為+2A和-3A，輸出驅(qū)動(dòng)電壓+15V和-10V。

第四十九頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日

典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路(2)IGBT的驅(qū)動(dòng)圖1-33

M57962L型IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理和接線圖常用的有三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）。

多采用專用的混合集成驅(qū)動(dòng)器。第五十頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日1.7電力電子器件器件的保護(hù)1.7.1過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)電壓保護(hù)1.7.2過(guò)電流保護(hù)1.7.3緩沖電路第五十一頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日1.7.1過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)電壓保護(hù)外因過(guò)電壓：主要來(lái)自雷擊和系統(tǒng)操作過(guò)程等外因操作過(guò)電壓：由分閘、合閘等開(kāi)關(guān)操作引起雷擊過(guò)電壓：由雷擊引起內(nèi)因過(guò)電壓：主要來(lái)自電力電子裝置內(nèi)部器件的開(kāi)關(guān)過(guò)程換相過(guò)電壓：晶閘管或與全控型器件反并聯(lián)的二極管在換相結(jié)束后，反向電流急劇減小，會(huì)由線路電感在器件兩端感應(yīng)出過(guò)電壓。關(guān)斷過(guò)電壓：全控型器件關(guān)斷時(shí)，正向電流迅速降低而由線路電感在器件兩端感應(yīng)出的過(guò)電壓。電力電子裝置可能的過(guò)電壓——外因過(guò)電壓和內(nèi)因過(guò)電壓第五十二頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日1.7.1過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)電壓保護(hù)過(guò)電壓保護(hù)措施圖1-34過(guò)電壓抑制措施及配置位置F避雷器D變壓器靜電屏蔽層C靜電感應(yīng)過(guò)電壓抑制電容RC1閥側(cè)浪涌過(guò)電壓抑制用RC電路RC2閥側(cè)浪涌過(guò)電壓抑制用反向阻斷式RC電路RV壓敏電阻過(guò)電壓抑制器RC3閥器件換相過(guò)電壓抑制用RC電路RC4直流側(cè)RC抑制電路RCD閥器件關(guān)斷過(guò)電壓抑制用RCD電路電力電子裝置可視具體情況只采用其中的幾種。其中RC3和RCD為抑制內(nèi)因過(guò)電壓的措施，屬于緩沖電路范疇。第五十三頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日1.7.2過(guò)電流保護(hù)過(guò)電流——過(guò)載和短路兩種情況保護(hù)措施負(fù)載觸發(fā)電路開(kāi)關(guān)電路過(guò)電流繼電器交流斷路器動(dòng)作電流整定值短路器電流檢測(cè)電子保護(hù)電路快速熔斷器變流器直流快速斷路器電流互感器變壓器同時(shí)采用幾種過(guò)電流保護(hù)措施，提高可靠性和合理性。電子電路作為第一保護(hù)措施，快熔僅作為短路時(shí)的部分區(qū)段的保護(hù)，直流快速斷路器整定在電子電路動(dòng)作之后實(shí)現(xiàn)保護(hù)，過(guò)電流繼電器整定在過(guò)載時(shí)動(dòng)作。圖1-37過(guò)電流保護(hù)措施及配置位置第五十四頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日1.7.2過(guò)電流保護(hù)全保護(hù)：過(guò)載、短路均由快熔進(jìn)行保護(hù)，適用于小功率裝置或器件裕度較大的場(chǎng)合。短路保護(hù)：快熔只在短路電流較大的區(qū)域起保護(hù)作用。對(duì)重要的且易發(fā)生短路的晶閘管設(shè)備，或全控型器件，需采用電子電路進(jìn)行過(guò)電流保護(hù)。常在全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)置過(guò)電流保護(hù)環(huán)節(jié)，響應(yīng)最快。快熔對(duì)器件的保護(hù)方式：全保護(hù)和短路保護(hù)兩種第五十五頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日

緩沖電路關(guān)斷緩沖電路（du/dt抑制電路）——吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓，抑制du/dt，減小關(guān)斷損耗。開(kāi)通緩沖電路（di/dt抑制電路）——抑制器件開(kāi)通時(shí)的電流過(guò)沖和di/dt，減小器件的開(kāi)通損耗。復(fù)合緩沖電路——關(guān)斷緩沖電路和開(kāi)通緩沖電路的結(jié)合。按能量的去向分類(lèi)法：耗能式緩沖電路和饋能式緩沖電路（無(wú)損吸收電路）。通常將緩沖電路專指關(guān)斷緩沖電路，將開(kāi)通緩沖電路叫做di/dt抑制電路。緩沖電路(SnubberCircuit)

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又稱吸收電路，抑制器件的內(nèi)因過(guò)電壓、du/dt、過(guò)電流和di/dt，減小器件的開(kāi)關(guān)損耗。第五十六頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日b)tuCEiCOdidt抑制電路無(wú)時(shí)didt抑制電路有時(shí)有緩沖電路時(shí)無(wú)緩沖電路時(shí)uCEiC

緩沖電路緩沖電路作用分析無(wú)緩沖電路：有緩沖電路：圖1-38

di/dt抑制電路和充放電型RCD緩沖電路及波形a)電路b)波形ADCB無(wú)緩沖電路有緩沖電路uCEiCO

圖1-39關(guān)斷時(shí)的負(fù)載線第五十七頁(yè)，共六十三頁(yè)，2022年，8月28日

緩沖電路充放電型RCD緩沖電路，適用于中等容量的場(chǎng)合。圖1-38

di/dt抑制電路和充放電型RCD緩沖電路及波形a)電路其中RC緩沖電路主要用于小容量器件，而放電阻止型RCD緩沖電路用于中或大容