7/7半導體器件(附答案)第一章、半導體器件（附答案）

一、選擇題

1．PN結加正向電壓時，空間電荷區將________

A.變窄

B.基本不變

C.變寬

2．設二極管的端電壓為u，則二極管的電流方程是________

A.B.C.

3．穩壓管的穩壓是其工作在________

A.正向導通

B.反向截止

C.反向擊穿區

4．VUGS0=時，能夠工作在恒流區的場效應管有________

A.結型場效應管

B.增強型MOS管

C.耗盡型MOS管

5．對PN結增加反向電壓時，參與導電的是________

A.多數載流子

B.少數載流子

C.既有多數載流子又有少數載流子

6．當溫度增加時，本征半導體中的自由電子和空穴的數量_____

A.增加

B.減少

C.不變

7．用萬用表的R×100Ω檔和R×1KΩ檔分別測量一個正常二極管的正向電阻，兩次測

量結果______

A.相同

B.第一次測量植比第二次大

C.第一次測量植比第二次小

8．面接觸型二極管適用于____

A.高頻檢波電路

B.工頻整流電路

9．下列型號的二極管中可用于檢波電路的鍺二極管是：____

A.2CZ11

B.2CP10

C.2CW11

D.2AP6

10．當溫度為20℃時測得某二極管的在路電壓為VUD7.0=。若其他參數不變，當溫度上

升到40℃，則DU的大小將____

A.等于0.7V

B.大于0.7V

C.小于0.7V

11．當兩個穩壓值不同的穩壓二極管用不同的方式串聯起來，可組成的穩壓值有_____

A.兩種

B.三種

C.四種

12．在圖中，穩壓管1WV和2WV的穩壓值分別為6V和7V，且工作在穩壓狀態，由此可知輸

出電壓OU為_____

A.6V

B.7V

C.0V

D.1V

13．將一只穩壓管和一只普通二極管串聯后，可得到的穩壓值是（）

A.兩種

B.三種

C.四種

14．在雜質半導體中，多數載流子的濃度主要取決于__（1）__，而少數載流子的濃度與__

（2）__有很大關系。

（1）A.溫度B.摻雜工藝C.雜質濃度D.晶體缺陷

（2）A.溫度B.摻雜工藝C.雜質濃度D.晶體缺陷

15．當PN結外加正向電壓時，擴散電流__（1）__漂移電流，耗盡層__（2）__，當PN結

外加反向電壓時，擴散電流__（3）__漂移電流，耗盡層__（4）__。

（1）A.大于B.小于C.等于D.變寬E.變窄F.不變

（2）A.大于B.小于C.等于D.變寬E.變窄F.不變

（3）A.大于B.小于C.等于D.變寬E.變窄F.不變

（4）A.大于B.小于C.等于D.變寬E.變窄F.不變

16．甲、乙、丙三個二極管的正、反向特性如表1.6所示，你認為哪一個二極管的性能最

好？

A.甲

B.乙

C.丙

17.一個硅二極管在正向電壓VUD6.0=時，正向電流mAID10=。若DU增大到0.66V

（即增加10%），則電流DI________

A.約為11mA（也增加10%）

B.約為20mA（增大1倍）

C.約為100mA（增大到原先的10倍）

D.仍為10mA（基本不變）

18.在如下圖所示的電路中，當電源V1=5V時，測得I=1mA。若把電源電壓調整V1=10V，

則電流的大小將V1=5V是________。

A.I=2mA

B.I〈2mA

C.I〉2mA

21.在P型半導體中，多數載流子是_（1）_，在N型半導體中，多數載流子是_（2）

（1）A.正離子B.自由電子C.負離子D.空穴

（1）A.正離子B.自由電子C.負離子D.空穴

23.本征半導體溫度升高以后，自由電子和空穴的變化情況是________。

A.自由電子數目增加，空穴數目不變

B.空穴數目增加，自由電子數目不變

C.自由電子和空穴數目等量增加

24.N型半導體__（1）__，P型半導體__（2）__。

（1）A.帶正電B.帶負電C.呈電中性

（2）A.帶正電B.帶負電C.呈電中性

26.PN結外加反向電壓時，其內電場________。

A.減弱

B.不變

C.增強

27.PN結在外加正向電壓的作用下，擴散電流_______漂移電流。

A.大于

B.小于

C.等于

28.在本征半導體中加入__（1）__元素可形成N型半導體，加入__（2）__元素可形成P型半導體。

（1）A.五價B.四價C.三價

（2）A.五價B.四價C.三價

29.當溫度升高時，二極管的反向飽和電流將_________

A.增大

B.不變

C.減小

30.工作在放大區的某三極管，如果當BI從12μA增大22μA時，CI從1mA變為2mA，那么它的β約為__________

A.83

B.91

C.100

31.硅二極管上外加正向電壓很低時，正向電流幾乎為零，只有在外加電壓達到約_____V時，正向電流才明顯增加，這個電壓稱為硅二極管的死區電壓。與硅二極管一樣，只有在鍺三極管上外加正向電壓達到約_____V時，正向電流才明顯增加。這個電壓稱為鍺二極管的死區電壓。

（1）A.0.7VB.0.2VC.0.5VD.0.3V

（2）A.0.7VB.0.2VC.0.5VD.0.3V

二、判斷題(正確的選“Y”，錯誤的選“N”)

1.P型半導體可通過在純凈半導體中摻入五價磷元素而獲得。（Y）（N）

2.在N型半導體中，摻入高濃度的三價雜質改型為P型半導體。（Y）（N）

3.P型半導體帶正電，N型半導體帶負電。（Y）（N）

4.PN結內的擴散電流是載流子在電場作用下形成的。（Y）（N）

5.漂移電流是少數載流子在內電場作用下形成的。（Y）（N）

6.由于PN結交界面兩邊存在電位差，所以，當把PN結兩端短路時就有電流流過。（Y）（N）

7.PN結方程可以描述PN結的正向、特性和反向特性，也可以描述PN結的反向擊穿特性。（Y）（N）

8．N型半導體的多數載流子是電子，因此N型半導體帶負電。（Y）（N）

11．在外電場作用下，半導體中同時出現電子電流和空穴電流。（Y）（N）

12．當外加反向電壓增加時，PN結的結電容將會增大。（Y）（N）

13．通常的BJT管在集電極和發射極互換使用時，仍有較大的電流放大作用。（Y）（N）

14．通常的JEFT管在漏極和源極互換使用時，仍有正常的放大作用。（Y）（N）

15．當環境溫度升高時，本征半導體中自由電子的數量增加，而空穴的數量基本不變。（Y）（N）

16．當環境溫度升高時，本征半導體中空穴和自由電子的數量都增加，且它們增加的數量相等。（Y）（N）

17．P型半導體中的多數載流子都是空穴，因此，P型半導體帶正電。（Y）（N）

18．PN結中的空間電荷區是由帶電的正，負離子形成的，因而它的電阻率很高。（Y）（N）

19．半導體二極管是根據PN結單向導電的特性制成。因此，半導體二極管也具有單向導電性。（Y）（N）

21．當二極管兩端加正向電壓時，二極管中有很大的正向電流通過。這個正向電流是由P型和N型半導體中多數載流子的擴散運動產生的。（Y）（N）

22．用萬用表判斷二極管的極性，若測得二極管的電阻很小，那么，與萬用表的紅表筆相接的電極是二極管的負極，與黑表筆相接的是二極管的正極。（Y）（N）

24．用萬用表歐姆擋測量二極管的正相電阻，用R×1檔測出的電阻值和用R×100擋測出的電阻值不相同，說明這個二極管的性能不穩定。（Y）（N）

25．漂移電流是少數載流子形成的。（Y）（N）

26．當晶體二極管加反向電壓時，將有很小的反向電流通過，這個反向電流是由P型和N型半導體中少數載流子的漂移運動產生的。（Y）（N）

27.普通二極管反向擊穿后立即損壞，因為擊穿都是不可逆的。（Y）（N）

28.正偏時二極管的動態內阻隨著流過二極管的正向電流的增加而減小。（Y）（N）

29.發光二極管內部仍有一個PN結，因而他同普通二極管一樣導通后的正向壓降為0.3V或0.7V。（Y）（N）

30.發光二極管的發光顏色是由采用的半導體的材料決定的。（Y）（N）

31.穩壓二極管只要加上反向電壓就能起到穩壓作用。（Y）（N）

32.整流二極管一般都采用面接觸型或平面型硅二極管。（Y）（N）

33.硅二極管存在一個結電容，這僅是由引腳和殼體形成的。（Y）（N）

34.P型半導體可以通過在本征半導體中摻入五價磷元素而得到。（Y）（N）

35.N型半導體可以通過在本征半導體正摻入三價銦元素而得到。（Y）（N）

36.N型半導體中，摻入高濃度的三價元素，可以改變為P型半導體。（Y）（N）37．漂移電流是在內電場作用先形成的。（Y）（N）

38．導體的價電子易于脫離原子核的束縛而在晶格中運動。（Y）（N）

39．導體中的空穴的移動是借助于相鄰價電子于空穴復合而移動的。（Y）（N）

40．施主雜質成為離子后是正離子。（Y）（N）

41．受主雜質成為離子后是負離子。（Y）（N）

43．極管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，還可以描述二極管的擊穿特性。（Y）（N）

題目系太原電力高等專科學校精品課程—電子技術基礎

4/wljx/jpkc/dzjs/exam/md01.asp

其中缺少題號的題目是與已有的題目重復，故沒有寫出。答案是本人參考各資料整理，旨在學習交流，如有錯誤，敬請指正。liuyj_chuxi@http://./doc/04801bd280eb6294dd886c96.html

答案：

選擇題：

1~5.ACCAB6~10.ACBDC

第9題中，2表示二極管，三極管則為3，A、B表示材料鍺，C、D表示材料硅，A、C表示N型，P表示普通，W表示穩壓，Z表示整流，后面阿拉伯數字表示序號。

11~15.CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D

11題中兩個穩壓管D1和D2，穩定電壓分別是V1和V2，正向導通電壓都是0.7V，當D1和D2都反接即工作在穩壓狀態時，穩定電壓為V1+V2，若都正接即導通狀態時，穩定電壓為07V+0.7V＝1.4V，若一個反接一個正接，則為V1+0.7V或V2+0.7V，所以共有4個穩壓值。

13題中，穩壓管D1和普通二極管D2，D1的穩定電壓是V1，二者的正向導通電壓都是0.7V，

當二者都反接時，則輸出電壓為輸入電壓；若D1反接，D2正接，則穩壓值為V1+0.7V，當二者都正接，則穩壓值為0.7+0.7＝1.4V，若D1正接，D2反接，則輸出仍為輸入電壓。故只有兩種穩壓值。

16.B17.C18.C

17題中，正向電流與正向電壓的關系為第2題C中的公式，電流隨電壓按指數形式增加。18題中，原題無圖，故從別的資料中找到的一幅圖，序號不相對應。

21.（1）D（2）B23.C24.（1）C（2）C

26.C27.A28.（1）A（2）C29.A30.C

31.（1）C（2）B

一般典型值鍺管VVon3.0=，VVth1.0=，硅管VVon7.0=，VVth5.0=

此處選項只有0.2V，故第（2）選B。

判斷題：

1~5.NYNYY6~8.NNN

11.N12.N13.N14.N15.N

11題與選擇題第5題類似，對PN結加正向電壓，擴散運動大于漂移運動，PN結內的電流便由起支配地位的擴散電流所決定；對PN結加反向電壓，漂移運動大于擴散運動，PN結內的電流便由起支配地位的漂移電流所決定。

12題中PN結的結電容是勢壘電容和擴散電容的總效果，結電容的大小除了與本身結構和工藝有關外，還與外加電壓有關。當PN結處于正向偏置時，正向電阻很小，結電容較大，主要取決于擴散電容；當PN結處于反向偏置時，反向電阻很大，結電容較小，主要取決于勢壘電容。當反向電壓增加時，PN結厚度增大，PN結厚度跟勢壘電容的關系，類似平板電容器跟極間距離成反比的關系。故PN結的結電容應該是減小。

16.Y17.N18.N19.Y

18題半導體的電導率很高，但摻入微量雜質后，電阻率會發生很大的變化，導電能力可增加幾十萬乃至幾百萬倍。

21.Y22.N24.N25.Y

26~30.YNYNY

29題中

二極管的管壓降：硅二極管（不發光類型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V,發光二極管正向管壓降為隨不同發光顏色而不同。

1.直插超亮發光二極管壓降

主要有三種顏色，然而三種發光二極管的壓降都不相同，具體壓降參考值如下：紅色發光二極管的壓降為2