ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T12965—2018

代替

GB/T12965—2005

硅單晶切割片和研磨片

Monocrystallinesiliconascutwafersandlappedwafers

2018-09-17發布2019-06-01實施

國家市場監督管理總局發布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965—2018

*

中國標準出版社出版發行

北京市朝陽區和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20189

*

書號

:155066·1-61467

版權專有侵權必究

GB/T12965—2018

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅單晶切割片和研磨片與相比除編輯性

GB/T12965—2005《》,GB/T12965—2005,

修改外主要技術內容變化如下

:

范圍中將本標準適用于由直拉懸浮區熔和中子嬗變摻雜硅單晶經切割雙面研磨制備的圓

———“、、

形硅片改為本標準適用于由直拉法懸浮區熔法包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜制備的直

”“、()

徑不大于的圓形硅單晶切割片和研磨片見第章年版的第章

200mm”(1,20051);

規范性引用文件中刪除了增加了

———GB/T1552、GB/T1554、GB/T12964,GB/T1551、

見第章

GB/T6619、GB/T26067、GB/T29507、GB/T32279、GB/T32280、YS/T28(2,2005

年版的第章

2);

刪除了具體術語內容改為界定的術語及定義適用于本文件見第章

———,“GB/T14264”(3,2005

年版的第章

3);

刪除了按照硅單晶生長方法進行的分類增加了硅片按表面取向分為常用的

———,“{100}、{111}、

三種見年版的

{110}”(4.2.2,20054.1);

將物理性能參數和晶體完整性合并改為理化性能見年版的

———“”“”“”(5.1,20055.1、5.3);

增加了電學性能見

———“”(5.2);

修訂了硅片的直徑允許偏差修訂了

———50.8mm、125mm、150mm,100mm、125mm、150mm

直徑切割片的厚度修訂了和直徑硅片的翹曲度要求見表年版的

,150mm200mm(1,2005

表

1);

增加了硅片彎曲度的要求見表

———(5.31);

增加了主參考面直徑和切口尺寸示意圖見圖

———(1);

修訂硅片的表面取向為硅片的表面取向有常用的為見

———“{100}、{110}、{111},{100}、{111}”(

年版的

5.4.1,20055.4.1);

增加了未包含的其他晶向要求由供需雙方協商確定

———“,”(5.4.3);

刪除了硅片是否制作參考面由用戶決定和硅片主副參考面取向及位置應符合表及

———“,”“、2

表的規定見年版的

1”(20055.4.3、5.4.4);

增加了直徑不大于硅片主副參考面位置的示意圖見圖

———150mm、(2);

修訂了邊緣輪廓的要求見年版的

———(5.6,20055.7);

刪除了硅片每個崩邊的周長不大于的規定經倒角的研磨片對崩邊的要求由

———2mm,“≤

修訂為無并將崩邊徑向延伸尺寸的要求單列為表見表年版的

0.3mm”“”,4(5.7.14,2005

5.6.1);

增加了電阻率厚度和總厚度變化翹曲度的另一種實驗方法并明確了仲裁方法見

———、、,(6.2、6.5、

年版的

6.7,20056.2、6.11、6.12);

修訂了硅片主參考面直徑的測量方法見年版的

———(6.8,20056.7);

硅片切口尺寸的測量由供需雙方確定修訂為切口尺寸的測量按的規定進行

———“”“GB/T26067”

見年版的

(6.9,20056.8);

修訂了檢驗項目改為必檢項目和供需雙方協商檢驗的項目見年版的

———,(7.3.1、7.3.2,20057.3);

刪除了破壞性檢驗項目的取樣規定見年版的

———(20057.4.2);

增加了訂貨單或合同內容見第章

———()(9)。

Ⅰ

GB/T12965—2018

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研半導體材料有限公司浙江海納半導體有限公司上海合晶硅材料有限公司

:、、、

浙江金瑞泓科技股份有限公司天津市環歐半導體材料技術有限公司浙江省硅材料質量檢驗中心

、、。

本標準主要起草人孫燕盧立延樓春蘭徐新華張海英張雪囡潘金平劉卓

:、、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為

:

———GB/T12965—1991、GB/T12965—1996、GB/T12965—2005。

Ⅱ

GB/T12965—2018

硅單晶切割片和研磨片

1范圍

本標準規定了硅單晶切割片和研磨片簡稱硅片的牌號及分類要求試驗方法檢驗規則標志

()、、、、、

包裝運輸貯存質量證明書和訂貨單或合同內容

、、、()。

本標準適用于由直拉法懸浮區熔法包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜制備的直徑不大于

、()200mm

的圓形硅單晶切割片和研磨片產品主要用于制作晶體管整流器件等或進一步加工成拋光片

。、,。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620