ICS77.040.01H17中華人民共和國國家標準GB/T11068-2006代替GB/T11068—1989砷化家外延層載流子濃度電容-電壓測量方法Galliumarsenideepitaxiallayer-Determinationofcarrierconcentrationvoltage-capacitancemethod2006-07-18發(fā)布2006-11-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局愛布中國國家標準化管理委員會

GB/T11068-2006本標準是對GB/T11068—1989《砷化家外延層載流子濃度電容-電壓測量方法》的修訂。本標準在原標準基礎上.參考DIN50439《電容-電壓法和汞探針測定半導體單品材料摻雜劑的濃度部面分布》編制的。本標準與原標準相比主要變動如下：-原標準規(guī)定,在制作高阻襯底樣品的歐姆電極時，要在氮氣保護及400℃下合金化5min,而經(jīng)驗表明,在350℃～450℃的溫度下合金化.都可得到好的歐姆接觸電極·故將此項要求改為在350C～400℃及氮氣保護下.合金化5min～10min；取消了原標準對環(huán)境的要求，因為在通常的實驗室條件下.所用儀器和測試方法本身對環(huán)境溫度和濕度并不十分敏感.特別是成套儀器。但由于載流子濃度與溫度有關.故應在測量報告中標明測量時的環(huán)境溫度；簡化了原標準關于電容儀校準的文字表述本標準自實施之日起代替GB/T11068—1989.本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口。本標準起草單位：北京有色金屬研究總院。本標準主要起草人：王彤涵。本標準由全國有色金屬標準化技術委員會負責解釋。本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：-GB/T11068-1989。

GB/T11068-2006砷化家外延層載流子濃度電容-電壓測量方法1范圍本標準規(guī)定了砷化鏢外延層載流子濃度電容-電壓測量方法.適用于砷化家外延層基體材料中載流子濃度的測量。測量范圍：1×10.cm-a～5×10！cm-a2術語和定義下列術語和定義適用于本標準2擊穿電壓breakdownvoltage當反向偏壓增加到某一值時,肖特基結就失去阻擋作用,反向電流迅速增大時的電壓值22接觸面積Contactarca汞探針與試樣表面的有效接觸面積。23剪壘電容barriercapacitance半導體內(nèi)垂直于接觸面的空間電荷區(qū)的電容。勢壘寬度barrierwvidth起勢全作用的空間電荷區(qū)的線性寬度。2.5載流子濃度縱向分布ongitudinaldistributionofcarrierconcentration自半導體表面向體內(nèi)垂直方向上載流子濃度與深度的對應關系。3原理汞探針與砷化鏢表面接觸形成肖特基勢壘.當反向偏壓增大時,勢壘區(qū)向砷化家內(nèi)部擴展。用高頻小訊號測量某一反向偏壓下的勢全電容C(F)及由反向偏壓增量V(V)引起的勢壘電容增量C（F).根據(jù)公式(1)和公式(2)可計算出勢壘擴展深度（X)和其相應的載流子濃度N（X）N（X）=ceoeA式中：