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實驗一真空蒸發和磁控濺射薄 抽真 六、思考 1、真空蒸發薄膜原抽真空后處在同一溫度下的殘余氣體分子（（原子cm一般可以取平均自由程10L， r2 得 r)2n為殘余氣體分子的密度r’為殘余氣體分子半徑，r為蒸發膜料分子的半徑，p為殘余氣體的壓強，k為常數。樣： 常要把膜料加熱到使其平衡蒸氣壓達到幾帕以lgp A、B是和材料有關的常數，可 10 p Pa；u為摩爾質量；T為蒸發溫度(K)2、磁控1.

濺射原理—反常輝光放電0.1Torr高壓，惰性氣體被激發，有少量 離生成Ar離子向陰極加速并轟擊，產生二次電子二次電子反向加速，與Ar原子碰撞電離Ar Ar和二次電子產生等離子zOyxzOyx如圖，xoy面是靶材（陰極。磁控濺射是在濺射區加了EB2式中e和m分別為電子的電量和質量。電子的運動軌跡如圖2所示。1有效提高了濺射效率電子以輪擺線的形式沿著靶材的表面前進極大的延長了電子的行程增加了電子和氣體分子的碰撞幾率提高了電離的效率增加等離子體的密度，高密度的等離子體被約束在靶面附近正離子能有效的轟擊靶面極大地增加濺射效率。2降低襯底溫度3提高淀3所示，一組磁鐵放置于靶后型的磁場強度為幾百。在濺射3濺射靶，安裝于一個真空法蘭上。圖5則顯示了改靶工作時表面出現的輝光。5446察密封橡膠圈是否完全置于凹；達1pa真空度所需時間；如圖，最左上方示數9.7Pa為點偶規示數，無法讀數。因儀器故障所限，步驟8中電離10Pa的恒定氣壓； 打開直流濺射電源，調節濺射電流，到達額定功率(電壓：～600V,電流：0.3~0.5A),觀空腔中起輝狀況，開始鍍膜；（5min）到150 C后關閉氬氣；抽真空

由于樣品之前已經鍍過顏色較深的類金（膜所在160材料飽和蒸汽壓與加熱溫度之間的關系為lg B，其中p可以由電離規測得TA=11.79，B=1.594×103TA、由于電離規讀數故障，我們無法得到飽和蒸汽壓p的值。1Pa1Pa1Pa是電離規與熱偶規測量范1PaPt4min10-2Pa。切實證明電離材料飽和蒸汽壓與加熱溫度之間的關系為lg B，其中p可以由電

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