《電磁兼容設計概主講教師：陳恒: ：第三EMI噪聲?EMI噪聲源?自然干?人為干EMI噪聲源干擾功能：有意干擾；無意干耦合方式：傳導干擾；輻射干時域特征：連續干擾；瞬態干干擾來源：自然干自然干來 系的電磁噪聲：射電 來自大氣雷的電生交變磁場，感應電壓可高達上雷電的雷擊形式：直擊雷、感應 直接雷擊示意雷雷云對大地放電產生的云層之間放電產生的電空中電磁場在導線上產地雷感應雷擊示雷電的破壞作 雷電流變化梯度大，有的可達10KA/μs 雷電的破壞形在雷暴活動區域內，雷云直接通過、就會火災和，而感應到正在聯機的導線上就會對設備產生破壞性。感應雷：靜電感 雷擊浪雷擊電源電源浪涌并不僅源于雷擊，當電力系統出現短信號系統信號系統浪涌電壓的主要來源是感應雷擊、物體(如線)受到這些干擾信號的影電流

人為干依據干擾源的物理性質進依據CISPR對干擾源設備的類依據不同的噪聲物理或電化學過程元器件的固有放電電磁波輻射半導體器件開關過程引起物理或電化學過程原電池電解摩擦電導線移動造成的原電池 (最易被腐蝕 3 69.不銹鋼（未鈍化10.鉛錫焊141115121613鈍化17.銅-鎳合21.不銹鋼(鈍化18.221920.鎳(鈍化第五組232425陰(不易腐蝕電解噪聲，摩擦及導線移動造成的兩塊相同的金屬相互接觸，當接觸面間存造成金屬腐蝕和損害，特別在大功率電力電子裝置中，流過大電流的接線排，設備工作環境通常比較

避免電纜過度的彎曲或采用特殊的化學處理，使絕緣介質上建立電荷的可能性大大強烈機械的裝置依據不同的噪聲物理或電化學過程元器件的固有放電電磁波輻射半導體器件開關過程引起元器件的固有噪熱噪源于電阻發 的電子 ，是一種隨即的白噪聲散粒噪電流流過勢壘而產生的噪聲，主要存在于電子管和半導器件接觸噪爆裂噪存在于半導體二極管和集成電路中，起因于半導體器－Ｎ結中的金屬雜質造成依據不同的噪聲物理或電化學過程元器件的固有放電電磁波輻射半導體器件開關過程引起放電電暈放電噪聲(高壓線放電輝光弧光靜電放電輝光放電和弧光一個大氣壓的空氣中氣體放電的全伏一安特性 OA:暗電流 CD:正常輝光放電AC:暈放電 DE:異常輝光放電 F:弧光放電 輝光放（Glow弧光放

弧光放電起弧示受熱陽汽弧光放電，轉換在1ns內產

接觸距

電子受熱陰靜電放流動的空氣當然能產電子親合力序空人的皮石玻云人的頭尼毛皮鉛絲鋁紙棉木鋼封硬橡

聚脂薄環氧玻黃銅聚苯乙聚丙聚賽璐．Orlon聚乙聚丙聚乙烯基塑硅四氟乙靜電感應

o o ++++++

50-100

100

50

500-10的靜電放電模靜電的電人體活動靜電電位RH(10—RH(65—67從墊有聚氨基甲酸的工作椅上站RH:Relative常見半導體器件的靜電放電易損電壓參器件類型對靜電放電的易損電壓參考值（肖特基二極管300∽2500肖特基TTL1000∽2500雙極晶體管BJT300∽7000ECL500∽1500可控硅(SCR)680∽1000JFET140∽7000MOSFET100∽200CMOS250∽3000GaAsFET100∽300EPROM100依據不同的噪聲物理或電化學過程元器件的固有放電電磁波輻射半導體器件開關過程引起電磁波輻射噪 等各種發射 依據不同的噪聲物理或電化學過程元器件的固有放電電磁波輻射半導體器件開關過程引起半導體器件開關過程和變流電路引起的（1）

SCR、GTO、BJT、在開、關過程中造成的噪聲 （典型例子是開關電源大功率整流電路造成的功率半導體器件開關過程造成的電磁tt-tt-t-t兩種1200V，150A大功率二極管不同正向電流下的反向SCR的開關過程造成0.1

t GTO（a）GTO開通時電流電壓波 1200V，150A 在不同串聯柵極電阻時開通波整流電路造成的諧波干擾~~（a）典型的電容濾波單相（b）網側電流、電壓波帶電容濾波的單相橋典型的三相全橋可控整流電路造成~~~ ~~~主電路原

輸入電壓產生凹槽畸 技術的各種電力電子電路造成的電磁噪單個脈沖參數相同的三種脈沖列 高頻開關電源造初次級分布

電磁波輻射

電磁波輻

放大放大

+分布電共模噪分電

依據干擾源的物理性質進依據CISPR對干擾源設備的類干擾源設備的工科醫（射頻）設工業設備用于科學研究的高壓電力 絕緣子 放接觸不良處的電力牽引內燃機點火聲音和電視廣本振頻率的高低隨的工作頻段不同而不同。除