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鍍膜機簡介迪通恒業科技聯合出品1真空鍍膜機的結構真空鍍膜機的結構抽真空系統電氣系統鍍膜室機械泵油擴散泵真空鍍膜方式離子鍍膜蒸發鍍膜濺射鍍膜物理方法沉積薄膜2蒸發鍍膜(法拉第，1857)加熱方式：電阻法電子束高頻感應3離子鍍膜(麥托克斯,1963)將氣體的輝光放電、等離子體技術與真空蒸發鍍膜結合起來真空蒸發與陰極濺射技術的結合

5濺射鍍膜(1870年)輝光放電是濺射技術的基礎。輝光放電：真空度為10-1~10-2Torr，兩電極間加高壓，產生輝光放電。電流電壓之間不是線性關系，不服從歐姆定律。67濺射與蒸鍍法的原理及特性比較

濺射法蒸鍍法沉積氣相的產生過程1.離子轟擊和碰撞動量轉移機制2.較高的濺射原子能量（230eV）3.稍低的沉積速率4.濺射原子的運動具方向性5.可保證合金成分，但有的化合物有分解傾向6.靶材純度隨材料種類而變化1.原子的熱蒸發機制2.低的原子動能（溫度1200K時約為0.1eV）3.較高的蒸發速率4.蒸發原子的運動具方向性5.蒸發時會發生元素的貧化或富集，部分化合物有分解傾向6.蒸發源純度可較高9濺射與蒸鍍法的原理及特性比較

濺射法蒸鍍法氣相過程工作壓力稍高原子的平均自由程小于靶與襯底間距，原子沉積前要經過多次碰撞1.高真空環境2.蒸發原子不經碰撞直接在襯底上沉積薄膜的沉積過程1.沉積原子具有較高能量2.沉積過程會引入部分氣體雜質1.沉積原子能量較低2.氣體雜質含量低10濺射鍍膜的特點總結相對于真空鍍膜，濺射鍍膜具有如下特點：對于任何待鍍材料，只要能作成靶材，就可實現濺射；濺射所獲得的薄膜與基片結合較好；濺射所獲得的薄膜純度好，致密性好；濺射工藝可重復性好，膜厚可控制，同時可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；缺點是：沉積速率低，基片會受到等離子體的輻照等作用而產生溫升。11一般濺射方法的兩大缺點：濺射沉積薄膜的速率較低濺射所需的氣壓較高，否則放電現象不易維持兩者導致污染幾率增加，濺射效率低磁控濺射方法解決的辦法：磁控濺射13磁控濺射自從20世紀70年代初磁控濺射技術誕生以來，磁控濺射技術在高速率沉積金屬、半導體和介電薄膜方面已取得了巨大進步。與真空蒸發、傳統濺射鍍膜相比，磁控濺射除了可以在較低壓強下得到較高的沉積率以外，它也可以在較低的基片溫度下獲得高質量薄膜。14磁控濺射磁控濺射的原理示意圖15存在的問題：不能實現強磁性材料的低溫高速濺射用絕緣材料的靶會使基板溫度上升靶子的利用率低(1

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