.硅片線痕、ttv的分析分類：線痕按表現形式分為雜質線痕、劃傷線痕、密布線痕、錯位線痕、邊緣線痕等。各種線痕產生的原因如下：1、雜質線痕：由多晶硅錠內雜質引起，在切片過程中無法完全去除，導致硅片上產生相關線痕。表現形式：(1)線痕上有可見黑點，即雜質點。無可見雜質黑點，但相鄰兩硅片線痕成對，即一片中凹入，一片凸起，并處同一位置。以上兩種特征都有。一般情況下，雜質線痕比其它線痕有較周的線弓。改善方法：(1)改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測手段。改善切片工藝，米用粗砂、粗線、降低臺速、提周線速等。其它相關：硅錠雜質除會產生雜質線痕外，還會導致切片過程中出現“切不動”現象。如未及時發現處理，可導致斷線而產生更大的損失。2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結塊引起。切割過程中，SIC顆粒"卡"在鋼線與硅片之間，無法溢出，造成線痕。表現形式：包括整條線痕和半截線痕，內凹，線痕發亮，較其它線痕更加窄細。改善方法：(1)針對大顆粒SIC(2.5~3D50),加強IQC檢測；使用部門對同一批次SIC先進行試用，然后再進行正常使用。導致砂漿結塊的原因有：砂漿攪拌時間不夠；SIC水分含量超標，砂漿配制前沒有進行烘烤；PEG水分含量超標(重量百分比V0.5%);SIC成分中游離C(<0.03%)以及v2Tm微粉超標。其它相關：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韌性等，各項性能對于切片都有很大的影響。3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統問題，造成硅片上出現密集線痕區域。表現形式：(1)硅片整面密集線痕。硅片出線口端半片面積密集線痕。硅片部分區域貫穿硅片密集線痕。部分不規則區域密集線痕。硅塊頭部區域密布線痕。改善方法：(1)硅片整面密集線痕，原因為砂漿本身切割能力嚴重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對性解決。硅片出線口端半片面積密集線痕。原因為砂漿切割能力不夠，回收砂漿易出現此類情況，通過改善回收工藝解決。硅片部分區域貫穿硅片密集線痕。原因為切片機臺內砂漿循環系統問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時用美工刀將噴嘴內贓物劃向兩邊。部分不規則區域密集線痕。原因為多晶硅錠硬度不均勻，部分區域硬度過高。改善鑄錠工藝解決此問題。硅塊頭部區域密布線痕。切片機內引流桿問題。4、錯位線痕：由于切片機液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產生的線痕。改善方法：規范粘膠操作，加強切片前檢查工作，定期清洗機床。5、邊緣線痕：由于硅塊倒角處余膠未清理干凈而導致的線痕。表現形式：一般出現在靠近粘膠面一側的倒角處，貫穿整片硅片。改善方法：規范粘膠操作，加強檢查和監督。二、TTV仃otalThicknessVarietyTTV不良，都是由于各種問題導致線網抖動而產生的硅片不良，包括設備精度問題、工作臺問題、導輪問題、導向條粘膠問題等。1、設備精度：導輪徑向跳動V40人m,軸向跳動＜20人m。改善方法：校準設備。2、工作臺問題：工作臺的不穩定性會導致大量TTV不良的產生。改善方法：維修工作臺。3、導輪問題：因導輪問題而產生的TTV不良，一般出現在新導輪和導輪磨損很大的時候。改善方法：更換導輪。4、導向條粘膠問題：當導向條下的膠水涂抹不均勻，出現部分空隙，在空隙位置的硅片，易出現TTV不良問題。改善方法：規范粘膠操作。三、臺階臺階的出現，是由切片過程中的鋼線跳線引起，而導致鋼線跳線的原因，包括設備、工藝、物料等各方面的問題，部分如下：1、砂漿問題：砂漿內含雜質過多，沒有經過充分過濾，造成鋼線跳線。改善方法：規范砂漿配制、更換，延長切片的熱機時間和次數。2、硅塊雜質問題：硅塊的大顆粒雜質會引起跳線而產生臺階。改善方法：改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測手段。3、單晶停機、切起工藝問題：單晶相對多晶