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學院學院姓名學號任課老師選課號/座位號第第頁共10頁第第9頁共10頁解：(1解：(1)由圖示的C-V曲線可得：C0=Ci=22pF,Cmin=8.16pF所以，SiO2的厚度為：1As1As￡

d二^-r0C01.6x10-7x8.85x10-12x3.922x10-12二2.5x10-7(m)二250nm⑵由于金屬和半導體功函數(shù)的差別，而引起半導體中的電子的電勢能相對于金屬提高的數(shù)值為：qVms=Ws-WAl，則因此引起的平帶電壓■sV'=-V=忙廠Ws=—0.1V■sFBmsq計算界面固定電荷密度時應該從負偏壓的C-V曲線確定VFb，即曲線(1)，此時移動電荷已經(jīng)到Al和SiO2的界面，所以，固定電荷密度為:CN=一(V—V)fcAqmsFB1(-0.1+9.8)22(-0.1+9.8)1.6x10-7x1.6x10-19=8.29x10i5(m-2)=8.29x109(cm-2)⑶計算可移動電荷密度，由正負溫偏處理后的AV來計算,FB

密封線以內(nèi)答題無效CAV=—0FBAqx[-9.8-(x[-9.8-(-17)]1.6x10-7x1.6x10-19?6.2x1

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