1、半導體材料碼字較快,題目有問題自行修改一、緒論1、如何區分半導體、金屬和絕緣體2、半導體材料的五大特征，每個特征的基本含義負電阻溫度系數：隨著溫度的升高,電阻值下降。光電導效應：指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象.整流效應：某些硫化物的電導3、半導體有哪些主要的分類方式二、半導體材料基本特性1、本征半導體、P型、N型半導體2、PN 結、阻擋層、空間電荷區、耗盡層Pn 結：通過擴散作用，將 p 型和 n 型半導體制作在一塊半導體基片上，交界面產生的空間電荷區就是pn 結空間電荷區：在pn結中，由于電子的擴散運動和內電廠導致的漂移運動，使pn結中間部位產生的一個很薄的電荷區3、價帶、導

2、帶、禁帶、允帶、滿帶4、多子、少子5、直接躍遷與間接躍遷直接躍遷：價帶的電子躍遷到導帶時，只要求能量的改變，而電子的準動量不變化 間接躍遷：價帶的（完整 word 版）半導體材料（純題目） 電子躍遷到導帶時，不僅要求電子能量改變，準動量也要變化6、電導率、遷移率7、霍爾效應8、與光作用的形式三、元素半導體1、作為半導體，列舉硅的兩個主要應用領域2、硅和鍺（zhe）是直接帶隙還是間接帶隙3、如何得到 N 型和 P 型的硅4、根據結晶特點，硅可以分為哪幾類5、最常用的高純化學提純方法是什么,及其工藝流程6、硅物理提純的原理是什么。（其中涉及的各種概念,如結晶驅動力、分凝系數、固溶體、正常固溶）7、

3、多晶硅如何制備8、單晶硅生長方法有哪些,其中最主流的方法是什么9、與硅相比,鍺主要有哪些特點10、鍺的應用四、化合物半導體1、111一 V族化合物中，被研究最多的是什么GaAs GaP2、寬帶隙半導體主要有哪幾種化合物ZnO Sic GaN AlN3、砷化鎵晶體結構、物理特性、優勢及應用閃鋅礦結構，熔點1238度 密度5.32g/cm3，工作效率和速度快 具有更寬的溫度特性 具有良好的抗輻 射能力, 應用：發光二極管無線通訊4、ZnO, SiC, GaN單晶生長中各自難度是什么ZnO熔點高，有強烈的極性析晶特性，高溫易揮發。SiC沒有熔點，在1800度升華為氣態，C在Si熔體 的溶解度非常小。

4、GaN熔點高達2700度，但在1000度會分解用提拉法和熔鹽法很難生長。5、ZnO半導體最重要的特性是什么能帶隙和激子束縛能較大，帶邊發射在紫外區，非常適合作為白光LED的激發光源材料6、ZnO的生長方法有哪些助熔劑法 水熱法 氣相傳輸法坩堝下降法7、SiC和GaN各自的特性，舉例說明其應用SiC禁帶寬度大，高臨界電廠，高熱導率，高電子遷移速度，抗輻射，熱穩性定好 應用：高頻率功率器件, 大功率器件，高溫器件 GaN 高頻特性，高溫特性，電子漂移飽和速度高介電常數小，熱導性好，耐酸耐堿難 腐蝕 應用：GaN基藍光LED GaN基藍光LD，紫外探測器8、SiC和GaN各采用什么方法生長SiC： PVT法GaN：氫化物氣相外延法，高壓溶液法，液相助熔劑法五、太陽能電池制備工藝簡介1、太陽能電池的工作原理是什么晶片收光后，pn結中N型半導體的空穴往P型移動，而P型中的電子往N型區移動，從而形成從N型區到 P 型區的電流，從而形成電勢差，形成了電流2、太陽能電池的基本制備工藝流程去除損傷層，表面絨面化，發射區擴散，邊緣結刻蝕，PECVD沉積SiN,絲網印刷正背面電極漿料，共燒形成金屬接觸,電池片測試3、畫出單晶硅太陽能電池結構示意圖4、為什么要進行表面絨化處理絨面具有