1、三極管的主要參數1、共射電流放大系數 和B在共射極放大電路中，若交流輸入信號為零，則管子各極間的電壓和 電流都是直流量，此時的集電極電流 IC 和基極電流 IB 的比就 是 ， 稱為共射直流電流放大系數。當共射極放大電路有交流信號輸入時，因交流信號的作用，必然會 引起IB的變化，相應的也會引起IC的變化，兩電流變化量的比稱 為共射交流電流放大系數B，即二坐見(5-6)上述兩個電流放大系數了和卩的含義雖然不同，但工作在輸出 特性曲線放大區平坦部分的三極管，兩者的差異極小，可做近似相等 處理，故在今后應用時，通常不加區分，直接互相替代使用。由于制造工藝的分散性，同一型號三極管的卩值差異較大。常用

2、的小功率三極管，卩值一般為20100。卩過小，管子的電流放大 作用小，卩過大，管子工作的穩定性差，一般選用卩在4080之 間的管子較為合適。2、極間反向飽和電流I和ICBO CEO集電結反向飽和電流I是指發射極開路，集電結加反向電CBO壓時測得的集電極電流。常溫下，硅管的I在nA (10-9)的量級，CBO通常可忽略。集電極-發射極反向電流 I 是指基極開路時，集電極與發CEO射極之間的反向電流，即穿透電流，穿透電流的大小受溫度的影響較大，穿透電流小的管子熱穩定性好。3、極限參數(1)集電極最大允許電流ICM晶體管的集電極電流I在相當大的范圍內卩值基本保持不變，C但當I的數值大到一定程度時，電

3、流放大系數卩值將下降。使卩明 顯減少的 I 即為 I 。為了使三極管在放大電路中能正常工作， I 不C CM C應超過 I 。CM(2 )集電極最大允許功耗P晶體管工作時、集電極電流在集電結上將產生熱量，產生熱量所消耗的功率就是集電極的功耗P，即CMP =IU（5-7）CM C CE功耗與三極管的結溫有關，結溫又與環境溫度、管子是否有散熱 器等條件相關。根據5-7 式可在輸出特性曲線上作出三極管的允許功 耗線，如圖5-8 所示。功耗線的左下方為安全工作區，右上方為過損 耗區。手冊上給出的P值是在常溫下25C時測得的。硅管集電結的上 CM限溫度為150C左右,鍺管為70C左右，使用時應注意不要超

4、過此值， 否則管子將損壞。（3 ）反向擊穿電壓UBR（CEO）反向擊穿電壓U是指基極開路時，加在集電極與發射極之間BR（CEO ）的最大允許電壓。使用中如果管子兩端的電壓UU,集電極電CE BR（CEO ）流I將急劇增大，這種現象稱為擊穿。管子擊穿將造成三極管永久性C的損壞。三極管電路在電源E的值選得過大時，有可能會出現，當管C子截止時， U U導致三極管擊穿而損壞的現象。一般情況下，CE BR（CEO ）三極管電路的電源電壓E應小于1/2 U 。CBR（CEO ）4、溫度對三極管參數的影響幾乎所有的三極管參數都與溫度有關，因此不容忽視。溫度對下 列的三個參數影響最大。(1)對卩的影響：三極管的卩隨溫度的升高將增大，溫度每上升lC,卩值約增大0.51 %，其結果是在相同的I情況下，集電極電流I隨溫度上升BC而增大。(2 )對反向飽和電流I的影響：CEOI是由少數載流子漂移運動形成的，它與環境溫度關系很大,1CEO C隨溫度上升會急劇增加。溫度上升10C, I將增加一倍。由于硅EO CEO管的I很小，所以，溫度對硅管I的影響不大。CEO CEO對發射結電壓u的影響：be和二極管的正向特性一樣，溫度上升1C, u將下降