1、一、選擇填空（10分，每題2分）本征半導體是指的半導體。不含雜質與缺陷電子密度與空穴密度相等電阻率最高電子密度與本征載流子密度相等砷化鎵的導帶極值位于布里淵區。中心方向近邊界處方向近邊界處方向近邊界處公式卩=qT/m*中的T是載流子的。渡越時間壽命平均自由時間擴散系數半導體中載流子擴散系數的大小決定于其中的。復合機構散射機構能帶機構晶體結構在光電轉換過程中，硅（Si）材料一般不如砷化鎵（GaAs）量子效率高，因其。禁帶較窄禁帶是間接躍遷型禁帶較寬禁帶是直接躍遷型1.電子在晶體中的共有化運動指的是。電子在晶體中各點出現的幾率相同電子在晶體元胞中各點出現的幾率相同電子在晶體各元胞對應點出現的幾率相

2、同D.電子在晶體各元胞對應點有相同位相3.若某半導體導帶中發現電子的幾率為零，則該半導體必定。不含施主雜質不含受主雜質不含任何雜質處于絕對零度5.重空穴指的是。質量較大的原子組成的半導體中的空穴B價帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴C價帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴自旋一軌道耦合分裂出來的能帶上的空穴在進入太空的空間實驗室中生長的砷化鎵通常具有很高的載流子遷移率，這是因為的緣故。無雜質污染受較強宇宙射線照射晶體生長完整性好化學配比合理10.下列情況下，室溫下功函數最大者為含硼lX10i5/cm3的硅含磷lX10i6/cm3的硅含硼lX10i5/cm3，含磷lX10i6/cm3的硅純凈硅二、解釋

3、下列概念（10分，每題2分）1、空穴2、非平衡載流子3、費米能級4、遷移率5、霍耳效應2、淺能級雜質3、聲子4、遷移率5、光電導三、回答問題(共20分，每題10分)1、由同一種元素的原子組成的二維晶體，如圖所示。畫出布拉菲格子；畫出兩種不同形式的原胞，并指出每個原胞中含的原子數。2、畫出半導體Si的能帶結構示意圖，并簡述其晶體結構的特點。三、回答問題(共20分，每題10分)1、由三種元素的原子組成的二維晶體，如圖所示。畫出布拉菲格子。畫出兩種不同形式的原胞，并指出每個原胞中含的原子數。2、畫出半導體GaAs的晶體結構示意圖，并簡述其能帶結構的特點。0X四、證明題（20分）試用一維非均勻摻雜（摻

4、雜濃度隨x的增加而下降），非簡并p型半導體模型導出愛因斯坦關系式：DkTP=0卩q五、計算題（20分）用適當頻率的光照射摻雜濃度N=1.0X10i5/cm3的n型Si片，在晶片中均勻產生非平衡載流子，產生率G=5X10i9/cm3s,空穴壽命T=1s,設無表面復合，求：（1）光照開始后：非平衡空穴濃度隨時間t變化的規律；（2）光照達到穩定態后，晶片中非平衡載流子濃度和導電率。（室溫時，硅的電子和空穴遷移率卩=1350cm2/（Vs）,卩=500cm2/（Vs）nP四、計算題（20分）證明當卩工卩，且載流子濃度np時，半導體材料的電導率最小，并求b的表達式。min五、計算題（20分）光照如圖所示

5、n型半導體樣品，假設光被均勻吸收，電子-空穴對的產生率為G（小注入），試在下列兩種情況下分別求出穩態的非平衡空穴濃度分布。（1）不考慮表面復合；（2）在x=0的表面的表面復合速度為S。六、計算題（20分）由金屬-SiO-P型硅組成得MOS結構，當外加電壓使半導體表面少數載流子濃度n與內部多數載流子濃度p相等時作為臨界強反型條件。（1）試證明臨界強反型時，半導體表面勢c2kTN甘亠E-EV=2V=0Ina，其中V=ifsBqnBqi（2）畫出臨界強反型時半導體的能帶圖，標明相關符號，并把反型、耗盡、中性區各部分用豎線分開，用文字指明。六、計算題(20分)試說明在室溫下，某半導體的電子濃度n二nJ匕，時，其電導率a為最n小值。式中n是本征載流子濃度，卩、卩分別為電子和空穴的遷移率。試求上