1、1第二章 電子(Zi)基礎知識第三章(Zhang) 手機基礎知識第四章 手機單元電路 第五章 手機原理圖分析第六章 手機故障分析 第七章 軟件儀的使用 第八章 崗前培訓總目錄第一章 手機發展及基站第一頁，共三百三十四頁。2電子元件基(Ji)礎知識第二(Er)節 電 阻第三節 電 容第四節 電 感第五節 變壓器第六節 二極管第七節 三 極 管第八節 場效應管第九節 集成電路第十節 常見門電路第一節 電子概念第十一節 霍爾元件第二頁，共三百三十四頁。3電子基(Ji)本概念 1、 電(Dian) 壓 3、 電 阻 4、 歐姆定律 5、 頻 率 2、電 流 6、 電 波第三頁，共三百三十四頁。4手機的

2、(De)發展史手機的(De)發展史簡介第四頁，共三百三十四頁。5手機的發展史(Shi)（歷程）、中國手機發(Fa)展歷程大致可以分為:1995模擬手機時代(大哥大1G：只有通話功能）GSM時代（:支持短信）2.5G時代（支持上網：下載速率:9.6kbps56kbps ）3G時代：下載速度2Mbps 可視電話，網絡下載、網絡游戲、網絡電視等2.75G時代（支持:下載速度384kbps）UCWEB瀏覽網頁軟件8kbps=1kb/s第五頁，共三百三十四頁。63G網絡運營(Ying)商移動通訊網絡運(Yun)營商中國移動：TDSCDMA新中國聯通：WCDMA中國電信：CDMA2000中國移動的TD-H

3、SDPA速率是:下載2.8Mbps，上傳384kbps，中國聯通的WCDMA速率是:下載14.4Mbps，上傳5.76Mbps，中國電信的CDMA2000的速率是:下載3.1Mbps，上傳1.8Mbps。實際下載速度=理論帶寬/82009年3G元年第六頁，共三百三十四頁。7移(Yi)動臺與基站移動臺與基(Ji)站第七頁，共三百三十四頁。8一、GSM移動通信的定義及特(Te)點1、定義：GSM移動通(Tong)信又稱蜂窩移動通(Tong)信或小區移動通(Tong)信。2、特點：a：采用蜂窩小區覆蓋和小功率發射。小區的形狀，一般為六邊形，一個小區一個基站，一個基 站包括多個收、發信機。b：采用頻率

4、復用，可提高頻率利用率，增加系統容量。c：采用多波段復用和越區切換d：與有線網絡的完美互聯。頻段切換：隨時可以切換小區切換：一般發生在小區邊緣3、GSM手機的頻段劃分：850MHZ、900MHz、1800MHz、1900MHz5、雙模手機與雙卡雙待手機的區別e：GSM網絡干擾：同頻干擾、鄰頻干擾、帶外干擾4、單頻、雙頻、三頻、四頻之間的區別第八頁，共三百三十四頁。9網絡(Luo)結構1二、GSM網絡組成 BTS：基站 BSC：基站控制器 MS：移動臺 MTSO：移動電話交(Jiao)換中心 PSTN：公共電話交換網 MS座機電話1、網絡組成框圖移動通信終端設備（手機）SIM卡：身分識別卡（模塊

5、）第九頁，共三百三十四頁。10網絡結(Jie)構22、移(Yi)動臺呼叫座機第十頁，共三百三十四頁。11第一(Yi)款手機（）三、第一款(Kuan)手機第一款揭蓋式手機：摩托羅拉8900第一款進入中國大陸的GSM手機：愛立信GH337第一款可編鈴聲的手機：愛立信GH398第十一頁，共三百三十四頁。12第一款手(Shou)機（）第(Di)一款無天線手機：漢諾佳CH9771 第一款內置游戲的手機：諾基亞變色龍6110 第一款雙顯示屏的手機：三星SGH-A288第十二頁，共三百三十四頁。13第一(Yi)款手機（）第(Di)一款雙頻手機：諾基亞6150第一款三頻手機：摩托羅拉L2000 第一款全中文手

6、機：摩托羅拉CD928+第十三頁，共三百三十四頁。14第一款(Kuan)手機（）第一款整(Zheng)合MP3音樂功能/帶有移動存儲器的手機：西門子6688第一款內置內置藍牙功能的手機：愛立信T39mc第一款WAP手機：諾基亞7110第十四頁，共三百三十四頁。15電子基本概(Gai)念（電壓）1、電 壓： 同一電路中兩點之(Zhi)間存在的電位差就叫電壓。 在電路中，電壓常用U表示。A：電壓的單位 用伏特或字母“V”表示， 1V=1000mV，1mV=1000uV。 直流電:用（DC或V）表示，電壓的大小方向固定不變交流電:用（AC或V）表示，電壓的大小方向隨時間而變化B：分類C：測量：用萬用

7、表電壓檔，黑筆接地，紅筆去測某點電壓，電壓表并聯在電路上。第十五頁，共三百三十四頁。16電子基本(Ben)概念（電流）2、電 流： 在電壓的作用下電荷的定(Ding)向移動形成電流。 電路中，電流常用I表示。a：電流的單位：用“安培”或字母“A”表示1A=1000mA,1mA=1000uAb：分類： 在直流電壓的作用下，產生的電流叫直流，用A表示。 在交流電壓的作用下，產生的電流叫交流，用A表示。c：測量：用萬用表電流檔，把電流表串聯在電路中，要選擇電流表合適的量程。這樣可以防止電流過大而損壞電流表。 第十六頁，共三百三十四頁。17電子基(Ji)本概念（電阻）3、電 阻： a：定義：電流流過導

8、體時所受到的阻力叫做電阻。 （水流經過水管時受到的阻力叫水阻）電阻常用R表示。 b：電阻的單位 用“歐姆”或希(Xi)臘字母“”歐米伽 表示 1k=1000 1M=103K1000000。 c：導體本身固有的電阻大小： 與導體的材料有關，截面積成反比和長度成正比。 第十七頁，共三百三十四頁。18電(Dian)子基本概念（歐姆定律）4、歐姆定律： a:定義 流過導體中的電流“I”與導體兩端的電壓“U”成正比，與導體的電阻”R”成反比，這個(Ge)規律叫做歐姆定律。 b：計算方法：如果知道電壓、電流、電阻三個量中的兩個，就可以根據歐姆定律求出第三個量，即 IURRUIURIIURC：功率計算公式P

9、UIIPU單位：瓦特，用“W”表示第十八頁，共三百三十四頁。19電子(Zi)基本概念（頻率）5、頻 率 ： a：定義 交流電在1s(秒)內完成周期（T）性變化的次數叫做頻率，常用 （ f）表示。 b：單位：赫茲（Hz），也常用千赫（kHz）或兆赫（MHz）做單位。 1kHz=1000Hz，1GHz103MHz=106KHz=109Hz。 c：計算方法：f= d：常見頻率信號：交流市電的頻率是50Hz， 手機(Ji)實時時鐘的頻率是：32.768KHz, 主時鐘：13M、19.5M、26M、19.2M、19.68M、38.4M等。1T例：1T/S1Hz 1T/ms1000Hz 1T/us1MHz

10、 32T/ms32KHz 13T/us13MHz第十九頁，共三百三十四頁。20電子基本(Ben)概念（電波）6、電波： 當電感線圈中有高頻電流通過時，在(Zai)其周圍將產生同樣頻率的電場和磁場。這種交替變化的電場和磁場叫電磁波。電波在(Zai)空中的傳播速度與光速相同。 電波的頻率與波長存在以下關系： 由此可見，電波的波長由頻率決定，頻率越高，其波長越短。移動電話頻率高，波長短，所以天線可以做的很短。(艾塔)3108（光速）mf(頻率)手機采用高頻電波傳輸語音信號的原因：A、傳播速度快 b、不易受干擾 c、穿透能力強 第二十頁，共三百三十四頁。21電阻(Zu)器電阻(Zu)器第二十一頁，共三

11、百三十四頁。22（電阻(Zu)：定義、符號）1、定義： 在日常維修中，通常所說的“電阻”實際上是電阻器。也就是人(Ren)為在電流回路中加入阻礙電流流動的器件。用字母 “R”表示 ，單位“歐姆” 或用字符“”表示 2 、原理符號：R1201.5KR120：代表編號/位號 1.5K：代表阻值國標歐美標第二十二頁，共三百三十四頁。23(電阻：分(Fen)類1)3、電阻的(De)分類： 可調電阻 固定電阻 線繞電阻 水泥電阻 碳膜電阻 瓷片電阻 直標電阻：阻值標示在電阻表面 A、按結構分B、按材料分C、按阻值標示方式分四道色環（普通)五道色環（精密）色環電阻：用顏色來表示大小第二十三頁，共三百三十四

12、頁。24(電阻：分類2及串聯(Lian)計算方法) D、按特性(Xing)分普通電阻 壓敏電阻VR: 對加在兩端的電壓比較敏感，正常情況下阻值為無窮大，當兩端電壓高于其額定值時，電阻擊穿導通，把高電壓放掉。用于鍵盤及尾插保護電路防止靜電干擾。特殊電阻保險電阻FUSE：當內部電流超過額定值時，將瞬間熔斷。用于充電及供電回路熱敏電阻RT：阻值隨溫度而改變，用于電池溫度檢測電路手機一般用正溫度系數的熱敏電阻，即電阻的大小隨溫度的升高而增大。還有負溫度系數，電阻的大小隨溫度的升高而增小。第二十四頁，共三百三十四頁。25電阻的串(Chuan)聯計算4、電(Dian)阻的串聯和并聯計算 A、串聯計算I總I

13、R1=IR2R總R1+R2U總UR1+UR2ABR1 10KR2 10KR總3VR總10K10K20KI總 0.15mAU總R總3V20KUR1=I總R10.1510K1.5VUR2=I總R20.1510K1.5V電阻越串越大電阻串聯限流分壓電阻越大分得的電壓越高=-U總R總第二十五頁，共三百三十四頁。26（電阻：并聯計算方(Fang)法）B 、電阻的(De)并聯計算 R1R2R總 = = =R1+R2 10K10K10K+10K20K 100K電阻并聯分流電阻越并越小 R2 10KAABR總 R1 10K在電路板上測量某一電阻時，所測得的阻值比它的標稱值要小5、 電阻的作用：供電、限流、分壓

14、、分流 5K 第二十六頁，共三百三十四頁。27（電阻外(Wai)觀）6、SMD貼片電阻的外觀識別:中(Zhong)間黑色，側面白色,兩端為銀白色（焊點）。（少數表面為綠色或藍色，一般為0歐姆電阻，是廠家預留的測試點。）第二十七頁，共三百三十四頁。28（電(Dian)阻：貼片電(Dian)阻的阻值標示）7、大功率貼片電阻（SMD）的阻值標(Biao)示（直標(Biao)電阻） 000 R22 101 K 100 103 10400.221010010K100K保險電阻 1R01前2位表示有效數字 第3位表示有效數字后面0的個數或10的次方數。0.22：常用于NOKIA 手機充電電流檢測電阻 10

15、0K排阻：常用于國產機，電池電量檢測電路R:表示小數點的位置0：常用于供電電路 K保險電阻：常用于充電電路 104 1R0第二十八頁，共三百三十四頁。29電阻的好(Hao)壞判定9、電阻的好壞判定（用萬用表電阻檔/歐姆檔） A 開路：阻值遠大于正常值，變為無窮大 “”。 B 短(Duan)路：壓敏電阻損壞后阻值一般變為“0”或很小。 C 變值：阻值比正常值增大或減小（大于誤差范圍）。8、貼片封裝規格與對應功率（手機常用為0402/0603） 0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是 1/4W、 1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、 25

16、12是1W。 第二十九頁，共三百三十四頁。30（色環電阻標(Biao)示） B220 10-1 22 誤差0.1第1至3色環為有效讀數第4色環為有效數字后面有效0的個數 或10的次方數第5色環為誤差值紅(Hong) 紅(Hong)金 金紅 紅 黑 金 紫第1至2色環為有效讀數第3色環為有效數字后面有效0的個數 或10的次方數第4色環為誤差值A2210-12.2 誤差5(A)普通(B)精密10、色環電阻阻顏色對應數字及10的次方數第三十頁，共三百三十四頁。31電(Dian)容器電(Dian)容器第三十一頁，共三百三十四頁。32（電容：定義、符(Fu)號、單位）1、電容器的結構定義（顧名思義，電容

17、器就是“儲存電荷的容器”。 ） 由兩塊金屬板平行而不接觸的靠在一起，中間用絕緣物（固體、氣(Qi)體或液體）隔開，分別引出兩個電極，然后封裝在一起就構成了一個電容器。一般簡稱為電容。常用字母“C”表示2、電路圖符號 3、容量單位 基本單位:法拉（F） 常用電容器的容量往往比1法拉小得多 ，常用以下單位 1法拉（F）= 103毫法（mF）106微法（F） = 109納法（nF）= 1012皮法(pF） 電容容量的大小與兩極板的相對面積成正比，與兩極板的相對間距成反比。無極性電解電容鉭電容有極性第三十二頁，共三百三十四頁。33電容的串并聯(Lian)計算4、電容的并(Bing)聯計算C總C1C21

18、00100200Pf電容并聯容量增大與電阻的串聯計算方法相同第三十三頁，共三百三十四頁。34電容(Rong)的串聯計算 C1C2C總 = = = 50Pf C1+C2 100100100+100200 100005、電容的串(Chuan)聯計算電容串聯容量減小與電阻的并聯計算方法相同第三十四頁，共三百三十四頁。35（電容：作用及分(Fen)類1）6、電容(Rong)的分類 B按材料分A按結構分C 按標稱的方式分固定電容紙介電容可調電容數字電容直標電容瓷片電容電解電容鉭電容數字電容：227C/220UF前兩位表示有效讀數為：22第三位表示有效讀數后面有效“0”的個數最后一個字母表示耐壓值，具體如

19、右：A：10V F：2.5VC：16V V：35VD：20V T：50VE：25V第三十五頁，共三百三十四頁。36分(Fen)類2D： 按極性(Xing)分類7、外觀：無極性：容量小,一般用于信號耦合及高頻電路。有極性：容量大，一般用于電源電路及功放供電濾波。表面為全紅/黃色，有尖的一端為正極。一端黃色/黑色，另一端對應為紅色/白色標記一端為正極a：無極性：一般為棕色b：有極性：第三十六頁，共三百三十四頁。37（電(Dian)容：特性）8、電容的特性（1）充放電特性 (2) 容抗公式： 信號通過電容時所(Suo)受到的阻力叫容抗。 從公式可以得出：電容通交流隔直流，通高頻阻低頻K1K2電池C1

20、RfzXC2fc1 ：3.14 f：信號頻率 c：電容容量電容兩端的電壓不能突變，是一個慢慢壘積的過程，像手機電池充放電一樣。充電放電 當K1閉合，K2打開時，電池正極電壓向C1充電，產生上正下負的電動勢，隨著時間的變化，電容兩端電壓慢慢升高，最后達到與電池電壓相同，電池停止向電容充電。 當K1斷開，K2閉合時，電容上儲存的電荷經K2向負載電阻（Rf）放電，隨著時間的變化，電容兩端的電壓慢慢下降，直到放電結束。第三十七頁，共三百三十四頁。38（電容(Rong)：測量及判定）9、測量及好壞的判定（1）數字萬用表:用“蜂鳴檔”測電容兩端 無極性：不通即為好（顯示為“1”） 有極性：瞬間相通（顯示“

21、0”，同時蜂鳴器發出報警音），隨后變為不通（顯示“1”）即為好。（2）指針萬用表用R1K檔測電容兩端 無極性：表針向右擺動幅度小，隨后回到無窮大“” 有極性: 表針向右擺動幅度大，而(Er)且慢慢回到左端（ “”）位置，即為好。10、電容損壞一般為：容量變小、失效、擊穿短路等。第三十八頁，共三百三十四頁。39電容(Rong)的作用11、電容(Rong)作用及判定a：濾波：一般用于電源電路，電容其中一端接地。b：旁路：一般用于音頻信號回路，電容的其中一端接地。c：耦合：一般用于信號回路，電容兩端都不接地。d：振蕩升壓：用于本振及升壓電路。e：選頻：用于信號回路。第三十九頁，共三百三十四頁。40電

22、(Dian)感器電(Dian)感器第四十頁，共三百三十四頁。41（電感：定義(Yi)、單位、作用、分類）1、結構定義：把一根絕緣導線在塑料棒或其它骨架上繞幾圈就 做成了一個電感。用“L”表示，符(Fu)號2 、電感量的單位： 亨利用“H”表示（電感量的大小表示電感線圈儲存磁能的能力）1H=103mH=106uH=109nH 1H=103mH 1mH=103uH 1uH=103nH 電感量的大小與線圈的匝數成正比，與匝間距成反比。A按結構分B:按材料分：空芯（瓷芯）電感(高頻)鐵芯電感（硅鋼片：低頻）磁芯電感（鐵氧體：中頻）固定電感可調電感（中周）3、電感的分類第四十一頁，共三百三十四頁。42電

23、感實(Shi)物圖第四十二頁，共三百三十四頁。43電感(Gan)器第四十三頁，共三百三十四頁。44電感(Gan)的特性4、 電感的特性： a電磁/磁電特性：當在線圈(Quan)內通入交變的電流時，在線圈(Quan)周圍將產生交變的磁場，當線圈(Quan)置入交變的磁場中時，將切割磁力線，在線圈(Quan)兩端產生感生電動勢。 b自感 ：當線圈內電流突然增大或減小時，在線圈兩端將產生一個感生電動勢來阻止電流的變化，稱此現象為自感（電感內部電流不能突變）。 c互感/耦合 ：當在初級線圈中通入交變的信號電流時，（根據電磁/磁電特性）次級線圈感應出相同的信號電壓叫互感。5、 電感的串并聯計算： 與電阻

24、相同，即：越串越大，越并越小。6、 電感的感抗：XL=2fL 信號通過電感時所受到的阻力叫感抗 電感通直流阻交流 通低頻阻高頻7、 電感的作用：耦合、濾波、振蕩、升壓第四十四頁，共三百三十四頁。45電感的識(Shi)別及判定8、電感的識別：兩端銀白色，中間黑，側面(Mian)黑，(少數表面是一半白色，另一半是灰色，一般用于射頻選頻電路) 。與電阻不同就是，電阻側面是白色，電感是黑色，且電感比電阻體積大，厚。 9、電感的好壞判別：用二極管檔測電感兩端，在磁芯沒有損壞的情況下，兩端相通，顯示數字很小或為“0”，即為好。第四十五頁，共三百三十四頁。46變壓器(Qi)結構原理1、組成：由初(Chu)級

25、線圈、次級線圈、鐵芯(瓷芯) 、骨架等組成。2、原理圖 單次級繞組+-+-表示同相端第四十六頁，共三百三十四頁。47雙繞組變壓(Ya)器雙次級(Ji)繞組+-+-+-+-+-+-第四十七頁，共三百三十四頁。48變壓器（耦(Ou)合器）3、變壓器的工作原理 當初級線圈中(Zhong)有交變的電流通過時，將會在初級線圈兩端產生交變的磁場和感生電動勢，次級線圈也被感應出相應的感生電動勢（互感特性）。 即電能（信號）通過初級線圈轉化成磁能（信號），次級線圈又把磁能轉化成了電能（信號）。4、按輸出電壓分類A耦合變壓器：初級與次級線圈匝數比相同，初級線圈兩端電壓于次級電壓相等。B升壓變壓器：次級線圈匝數多

26、于初級線圈，次級電壓高于初級。C降壓變壓器：次級線圈匝數少于初級線圈，次級電壓低于初級。交流信號的傳輸方式有三種：電容耦合、變壓器耦合、直接耦合。第四十八頁，共三百三十四頁。49外(Wai)觀第四十九頁，共三百三十四頁。50二(Er)極管二極(Ji)管第五十頁，共三百三十四頁。51半導體與二極管(Guan)定義 1、半導體的定義：介于絕緣體和導體之間的物體叫半導體 如：硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵等。2 二極管的結構：把一塊P型半導體和一塊N型半導體有機結合在一起,經過工藝加工引(Yin)出兩個電極就形成一個二極管。常用字母：D 或 V表示 符號：P區N區PN結P極N極阻礙層正極負極pN第五

27、十一頁，共三百三十四頁。52二(Er)極管的特性3、二極管的工作特性：單向導電性在二極管兩端加正向偏壓（在二極管的正極（P極）加高電壓，負極（N極）加低電壓），PN結（阻礙層）消失(Shi)，電流從正極流向負極，即二極管導通，反偏截止。4、二極管的導通電壓普通發光管:1.5V高亮度發光管:2.8V紅外發光管:2.8V發光二極管：普通二極管：鍺管：導通性好0.150.4v硅管：穩定性好0.50.8v（飽合導通后，兩端電壓差（降）為0.3V）（飽合導通后，兩端電壓差（降）為0.6V）第五十二頁，共三百三十四頁。53二(Er)極管的分類5 二(Er)極管的分類a穩壓二極管（又稱保護二極管/齊納二極管

28、）工作在反偏狀態，利用其反向擊穿特性。用于電源及充電電路，當加在其兩端的電壓高于其額定穩壓值時，二極管反向擊穿，把穩壓管兩端的電壓穩定在一個固定值。當電壓恢復到標準時，穩壓管反向截止。b發光二極管工作在正向偏置狀態，當在其兩端加合適的電壓時，發光管導通，發光。用于指示燈及照明電路（在發光二極管內摻入不同的雜質，將會發出不同顏色的光）c變容二極管容量很小，一般為030PF工作在反向偏置狀態，當改變其兩端的反向偏壓大小時，可改變其結電容的大小。主要用于本振電路。LED第五十三頁，共三百三十四頁。54d光(Guang)電二極管工作在正偏狀態，利用光線的強弱來控制二極管的導通或截止。用于攝像閃光燈(D

29、eng)自動控制及鍵盤燈(Deng)自動控制。e普通二極管工作在正偏狀態，利用其單向導電性。用于整流及鉗位電路第五十四頁，共三百三十四頁。55二極(Ji)管實物圖第五十五頁，共三百三十四頁。56二極(Ji)管的外觀7、SMD二極(Ji)管的外觀：兩端有引腳，表面為全黑色，其中有不明顯豎條標記的一端為負極。8、二極管的作用： 整流 穩壓 開關 發光9、二極管的好壞判別：用數字萬用表二極管檔，測二極管兩端：開路：正反向阻值顯示為“1”擊穿：正反向阻值很小或為“0”a正常：正向阻值（紅筆接正極，黑筆接負極）鍺管在150400左右硅管在 500800左右反向阻值（紅筆接負極，黑筆接正極） ：鍺管和硅管

30、相同顯示為“1”。b損壞：第五十六頁，共三百三十四頁。57半波整流電(Dian)路a、半波整流電(Dian)路及波形圖（用于手機功率采樣電(Dian)路）9、二極管整流電路工作原理： 當正半周信號到來時，線圈兩端產生上下的感生電動勢，二極管處于正偏導通輸出，經負載電阻到線圈下端構成電流回路。 當負半周信號到來時，線圈兩端產生上負下正的感生電動勢，二極管處于反偏截止，不能構成電流回路。第五十七頁，共三百三十四頁。58全波整(Zheng)流電路b、全(Quan)波整流 正半周時D1導通，負半周時D2導通，從而整流出整個全波形。第五十八頁，共三百三十四頁。59橋式(Shi)整流電路3、全波橋式整流(

31、Liu)電路下圖為簡化圖c1c1經電容濾波后，輸出直流，且電壓為交流信號的峰值。電壓第五十九頁，共三百三十四頁。60二(Er)極管保護電路M4、二極管保(Bao)護電路續流二極管第六十頁，共三百三十四頁。61三極(Ji)管三極(Ji)管第六十一頁，共三百三十四頁。62三(San)極管定義1、三極管的結構定義：把三塊不同的半導體組合成兩個 PN結，引出 三個電極就形成了一個三極管。 (電流控(Kong)制元件：用一個小的基極電流去控(Kong)制一個大的集電極電流變化) 用字母：BG Q V表示NPN型三極管PNP型三極管ecbNPPbec集電結bceNPN發射結cbe集電區基區發射區集電極基極

32、發射極箭頭所代表的意義：標示有箭頭的一極為發射極箭頭向外表示為NPN型、向內為PNP型箭頭方向表示三極管內部電流的方向二個結：發射結和集電結。無論是NPN型或是PNP型的三極管,它們均包含三個區: 發射區、基區和集電區,三個電極：發射極（e)、基極(b)和集電極(c)。2、三極管的分類： a、按類型分第六十二頁，共三百三十四頁。63三極(Ji)管作用及電流關系b、按(An)材料分Ie=Ib+IcIc=IbUb：基極對地電壓Ue：發射極對地電壓Uc:集電極對地電壓Uce:三極管管壓降，即c極與e極之間的電壓差Ib：流過b極的電流Ube:b極與e極之間的電壓差Ic：流過c極的電流Ie:流過e極的電

33、流Ic3、三極管：三個電極之間的電壓電流關系硅：一般做成NPN三極管，用于放大電路鍺：一般做成PNP型，用于電源及開關控制電路 :三極管放大倍數c、按功率分：小、中、大功率，功率越大，外型體積就越大。d、按頻率分：低、中、高頻。（高頻：指三極管可以放大高頻信號，可以代換低 頻管，但不可用低頻管代高頻管，否則會產生頻率飽合而失真）第六十三頁，共三百三十四頁。64三極(Ji)管的實物圖及原理符號5、三極管的外觀及(Ji)腳位識別b1b2c1e1e2c2123456ebc普通三極管eebc雙射極三極管三極管組件或ICppN共負極二極管6、三極管好壞測量判別 三極管的管型及管腳的判別口訣 a、 三顛倒

34、，找基極：首先假設一只腳為b極，先用紅筆接b極，用黑筆分別去測另外兩個極，直到都有阻值顯示時，紅筆所接為b極 ，或者用黑筆接基極，紅筆分別去測另外兩個極，直到都有阻值顯示時，黑筆所接為b極 。 b、 PN 結，定管型：當用紅筆接基極，測得另外兩極與基極的正向阻值在500800左右，判定為（硅材料）NPN型，黑筆接基極，紅筆測時，顯示在150400左右時，判定為（鍺材料）PNP型。 c、 順箭頭，數字大 ：所測兩個極的正向阻值，稍大的一極為發射極。 d、 測不出，動嘴巴 ：如果兩阻值相差不明顯時，可在三極管上方加熱，更容易區分。 e、當三極管c e之間正反向阻值很小時，說明該三極管已擊穿損壞。第

35、六十四頁，共三百三十四頁。65三極管(Guan)（截止區）(1) 截止狀態(關狀態) 當be.5V, 三極管工作在截止區，Ib=0 Ic=0,C極E極之間斷開。（此時C極和E極之間相當于串了一個無窮(Qiong)大的電阻）一般將b的區域稱為截止區, 其實b時, 并不等于零, 而是等于穿透電流ICEO（一般為幾uA到幾十uA）。8、三極管的三種工作狀態： 截止：三極管C E極之間斷開，內部沒有Ic電流。 飽和：三極管c e極之間相通，內部IC電流達到最大。 放大：三極管c e極之間相當于接了一個可調電阻，且阻值大小受基 極電流控制，此時IC電流受Ib電流控制。7、三極管的作用： 放大 開關 振蕩

36、第六十五頁，共三百三十四頁。66三極管（飽(Bao)和區）B (2) 飽和狀態。 當Ube0.7V，三極管集電極電流達到最大，基本上不隨基極電流b的增大而變化, 這種現象稱為飽和，此時三極管c e之間內阻很小，相當于直接相連。如果把三極管看作一個開關的話，此時相當于”開“或“閉合”狀態。 三極管飽和時的管壓降用CES表示。在深度飽和時, 小功率管管壓降通常小于.V。 三極管工(Gong)作在飽和區時, 發射結和集電結都處于正向偏置狀態。第六十六頁，共三百三十四頁。67三極管(Guan)（放大區）(3) 放大狀態 當在三極管的發射結加正向偏置, 集電結加反向偏置,且反偏大于正偏。UcUbUe。對

37、于三極管, 0.7Vbe.5V時,工作在放大區。 當b一定時, c的值基本上不隨ce而變化。 在這個區域內,當基極電流發生微小的變化量b時, 相(Xiang)應的集電極電流將產生較大的變化量c, 此時二者的關系 cb 該式體現了三極管的電流放大作用。 :表示變量第六十七頁，共三百三十四頁。68共發射極放大電(Dian)路UUceIcA: 共發射極放(Fang)大電路共發射極電路：從三極管的基極和發射極之間輸入，而從集電極和發射極之間輸出。又稱：反相器/倒相器。看電路圖時，在三極管的輸入，輸出端串有耦合電容時，該三極管為放大管（且放大的是交流信號）若在輸入輸出端串接電阻，一般工作在開關狀態（放大

38、的是直流信號）tR1：基極上偏置電阻R2：基極下偏置電阻R3：集電極負載電阻C1 c2：信號耦合電容Q1：信號放大管8、三極管的基本放大電路第六十八頁，共三百三十四頁。69共集電極(Ji)放大電路B:共(Gong)集電極放大電路共集電極電路：則以集電極作為輸入、輸出的公共端，因為它的輸出信號是從發射極引出的，且輸出波形與輸入波形變化一致，所以又稱為射極跟隨器。UUceIcUe用于NOKIA 3250第六十九頁，共三百三十四頁。70共基極(Ji)放大電路C 、共基(Ji)極放大電路共基極電路:從發射極輸入，集電極輸出，則以基極作為輸入、輸出的公共端。第七十頁，共三百三十四頁。71三極管反(Fan

39、)饋電路9、三極管的偏置及反饋電路A：反饋的定義：把信號從輸出端取出一部份，經過某種途徑返回到輸入端的過程叫反饋。B：分類 a電壓并聯負反饋：從輸出端（集電極）取出信號電壓加到輸入端，使輸出信號變弱(Ruo)。 (用于放大電路,作用是穩定其工作點，防止飽和失真) b電壓并聯正反饋，從后級取出信號電壓加到輸入端，使輸出信號變強。（用于振蕩電路，通過反饋形成自激振蕩） c電流串聯負反饋：從發射極取出加到輸入端，使輸出信號變弱。(用于放大電路)第七十一頁，共三百三十四頁。72電路類(Lei)型b、電流串聯負反饋偏置(Zhi)電路a、電壓并聯負反饋偏置電路C：電路類型如下C3：旁路電容:為輸入輸出的交

40、流信號提供綠色通道。Re:發射極電流串聯負反饋電阻，作用是穩定放大電路的靜態工作電流RfbRfb:為基極供電偏置電阻及電壓并聯負反饋電阻第七十二頁，共三百三十四頁。73場效應(Ying)管場(Chang)效應管第七十三頁，共三百三十四頁。74場效(Xiao)應管定義、結構11、 定義：在一塊半(Ban)導體上分別制造兩個區域經過 工藝加工引出三個電極就形成一個場效應管。(電壓控制元件)2、結構與符號N 溝道 JFET(結型）P 溝道 JFET (結型）柵極漏極源極第七十四頁，共三百三十四頁。75效應管的分類(Lei)符號2、分類：場效應管分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵(Zha)場效應管(

41、IGFET)，即目前最常用的是CMOS管。結 型絕緣柵型增強型耗盡型P溝道N溝道N溝道P溝道N溝道：一般用于放大電路，作為放大管,用于手機前端低噪聲放大器（LNA），及MIC內部放大。P溝道：一般用于電源電路，工作在開關狀態第七十五頁，共三百三十四頁。76場效(Xiao)應管的符號柵(Zha)極柵極漏極源極第七十六頁，共三百三十四頁。77靜態(Tai)工作點與偏置電路自給(Gei)偏壓電路 3、 靜態工作點與偏置電路 第七十七頁，共三百三十四頁。78效應管的工作(Zuo)原理4、絕緣柵場效(Xiao)應管的工作原理 P溝道：當柵極為低電平，D、S任一極為高電平時，該管即可導通，電流方向取決于何

42、極為高電平。例：D極為高電平，電流從D極流向S極。 N溝道：當柵極為高電平， D、S任一極為高電平時，該管即可導通，電流方向取決于何極為高電平。例：D極為高電平，電流從D極流向S極。 工作條件只有柵極電壓不同，其它完全相同。即：當P溝道柵極為低電平，N溝道柵極為高電平，D、S任一極為高電平時，該管即可導通，電流方向取決于何極為高電平。與三極管的工作相似：NPN三極管基極為高電平，PNP三極管基極為低電平時，即可導通。第七十八頁，共三百三十四頁。79三極管與場效應(Ying)管的區別三極管與(Yu)場效應管的區別：1、三極管為電流控制元件,控制端需要消耗電能； 場效應管為電壓控制元件，控制端不需

43、要消耗電能。2、場效管比三極管輸入阻抗大，靈敏度高。3、場效應管比三極管放大能力強。4、絕緣柵型場效應管D S 極之間電流方向靈活；三極管內電流方向固定不變（NPN型，電流從集電極流向發射極；PNP型，電流從發射極流向集電極。）第七十九頁，共三百三十四頁。80集成電(Dian)路集成電(Dian)路第八十頁，共三百三十四頁。81集成電路（定(Ding)義）1、定義：把多個元件或多個電路集成在一塊晶片上，封裝在一起，引出各種功能腳，去完成一項或多項功能的(De)電路集合，稱集成電路。簡稱：“IC”。（又叫：集成塊、芯片等 ）2、根據環境及用途分為多種封裝型式，手機最常用的有以下幾種：A：sop封

44、裝：這種封裝的集成電路引腳均分布在兩邊，其引腳數目多在28個以下。 主要用于老手機中的：電子開關、功放、功控、 電源（ADP3402 ADP3404 ADP3408）等. 第八十一頁，共三百三十四頁。82標記(Ji)點標(Biao)記點標記點腳序：以標記點處為起點，逆時針數、。第八十二頁，共三百三十四頁。83DIP封(Feng)裝B：DIP封裝：雙列直插式，主要用于(Yu)其它家用電器或充電器等。如下圖：腳序：以缺口處為起點，逆時針數。缺口1234514231第八十三頁，共三百三十四頁。84QFP封(Feng)裝C：QFP封裝：引腳分(Fen)布在四周，一般用于老機型的：cpu 、射頻等。第八

45、十四頁，共三百三十四頁。85LCCC封(Feng)裝D：LCCC封裝：無引腳封裝，與QFP封裝型式相似，引腳更短，更節約空間。該封裝用途也很廣，如MT6305（電(Dian)源） MT6129（射頻） RF3146（功放） PCF50603（電源）等。第八十五頁，共三百三十四頁。86BGA封(Feng)裝E：BGA封裝：又叫柵格陳列封裝，引腳分(Fen)布在芯片下面。也是目前用的最多的一種封裝型式。如：MT6226（CPU）、TWL3014（電源）、UAA6353（射頻）等。第八十六頁，共三百三十四頁。87BGA腳(Jiao)位圖主板腳(Jiao)位圖芯片腳位圖其中：i、o、Q、S、X、Z (

46、跳過)不數。BCDE。第八十七頁，共三百三十四頁。88門(Men)電路門(Men)電路第八十八頁，共三百三十四頁。89與(Yu)門一(Yi)、常用門電路1、與門：兩輸入端與輸出端為相乘關系有0出0全1出1在數字電路中，“1”代表高電平，“0”代表低電平in1in2out第八十九頁，共三百三十四頁。90或(Huo)門2、或門：兩輸入端與輸出端為相加關(Guan)系有1出1全0出0 當輸入端有一個高電平時，即可輸出一個高電平 當輸入端兩個都為低電平時，將輸出一個低電平第九十頁，共三百三十四頁。91非(Fei)門3、非(Fei)門：輸入端與輸出端為反相關系有0出1有1出0 當輸入端為高電平時，將輸出

47、一個低電平 當輸入端為低電平時，將輸出一個高電平第九十一頁，共三百三十四頁。92與非(Fei)門4、與非門：輸出結果與與門電路(Lu)相反有0出1全1出0第九十二頁，共三百三十四頁。93或(Huo)非門5、或非門：輸入(Ru)端與輸出端關系為：有1出0 全0出1第九十三頁，共三百三十四頁。94三態(Tai)門6、三態門(Men)：輸出有三種狀態，高電平，低電平，高阻態1#為高電平時，2輸出高電平1#為低電平時，2輸出低電平3#為低電平時，2為高阻狀態，相當輸出端與U1斷開，從而減小對其它電路的影響，主要用于總線控制電路中。123U1123U2I2C總線第九十四頁，共三百三十四頁。95霍爾元(Y

48、uan)件霍爾元(Yuan)件第九十五頁，共三百三十四頁。96霍爾元(Yuan)件1、作用：用于翻(Fan)蓋及滑蓋檢測2、別名：又叫磁控開關3、原理方框圖(右圖)4、工作原理a、當磁鐵靠近霍爾元件時，將感應出微弱的霍爾電壓，經U1放大后，輸出一個高電平，使Q1導通，輸出低電平去CPU，CPU檢測到低電平，判定為合蓋狀態，控制電路掛斷電話、關閉屏燈及鍵盤燈等。b、當磁鐵離開霍爾元件時，將感應不出霍爾電壓，經U1放大后，輸出一個低電平，使Q1截止，輸出高電平去CPU，CPU檢測到高電平，判定為開蓋狀態，控制電路接通電話、打開屏燈及鍵盤燈等。霍爾組件內部方框圖去CPUVDD第九十六頁，共三百三十四

49、頁。97霍(Huo)爾元件5、好壞的(De)判定用一個磁鐵去靠近霍爾元件，看屏燈是否熄滅，即可判定其好環屏燈熄滅：即可判定其為良品。否：檢查供電及上拉電阻是否正常正常：霍爾組件損壞磁鐵干簧管6、霍爾元件損壞后會出現：開關蓋無反應，不開機，打不出電話（自動掉 線）故障。7、其它磁控開關第九十七頁，共三百三十四頁。98手機(Ji)基礎知識第九十八頁，共三百三十四頁。99手(Shou)機基礎知識 第(Di)四節 頻段劃分及調制第一節 SIM卡第二節 運營商與網絡第三節 手機平臺簡介第九十九頁，共三百三十四頁。100SIM卡(Ka)SIM卡(Ka)第一百頁，共三百三十四頁。101SIM卡(Ka)（概念

50、）1、概念： SIM卡：是客戶識別模塊，也稱為智能卡、用戶身份識別卡、儲值卡。內含單片機（cpu）、存儲器等，存儲了移動(Dong)電話客戶的信息（電話號碼、加密的密鑰等內容），可供GSM網絡客戶進行身份鑒別，防止了并機和通話被竊聽行為.（有大卡和小卡之分）第一百零一頁，共三百三十四頁。102SIM卡（容(Rong)量）2、SIM卡的存儲容量 SIM卡容量有8K、16K、32K、64K，其中16K以上的 大容量的SIM卡統稱為多功能STK卡。例如：8kB的存儲容量，可供儲存以下內容：(1) 100組電話號碼及其對(Dui)應的姓名文字。 (2) 15組短信息(Short Message)。 (

51、3) 5組以上最近撥出的號碼。 (4) 4位SIM卡密碼(PIN：0000或1234)。 1個字符1bit（字節）1個漢字2bit1kbit1024 bit1Mbit1024Kbit1Gbit1024Mbit第一百零二頁，共三百三十四頁。103SIM卡（密(Mi)碼1）3、SIM卡的密碼 a、PIN碼：是指SIM卡的密碼，存在于SIM卡中，其出廠值為1234或0000。激活PIN碼后，每次開機要輸入PIN碼才能登錄網絡。 b、PUK碼：是用來解PIN碼的萬能鑰匙，共8位。用戶是不知道PUK碼的，只有到營業廳由工作人員操作（有些在買儲值卡已經標在卡的背面了，還可以通過客服電話索取）當PIN碼輸錯

52、(Cuo)3次后，SIM卡會自動上鎖，此時只有通過輸入PUK才能解鎖。PUK碼輸錯10次后，SIM卡會自動啟動自毀程序。 C、PIN2碼： 也是SIM卡的密碼，它跟網絡的計費（如儲值卡的計費、扣費等）有 關。在設置固定號碼撥號和通話費率（需要網絡支持）時需要PIN2碼。第一百零三頁，共三百三十四頁。104通話設(She)置5、通話設(She)置 a.發送本機號碼網絡預設發送號碼隱藏號碼中國移動打不出所有電話及短信息發不出，但可接聽電話，接收短信。中國聯通可正常撥打所有電話，不受影響，號碼也正常顯示。d、用戶服務密碼： 一般標示在儲值卡上（全球通、動感地帶6位數字；神州行、大眾卡8位數字），用電

53、話或網絡辦理業務時用到此密碼。（如：賬單查詢，開通業務，掛失補卡等。）第一百零四頁，共三百三十四頁。105手機運營(Ying)商與網絡移動電(Dian)話運營商與網絡第一百零五頁，共三百三十四頁。106移動通訊運營(Ying)商與網絡1、中國移(Yi)動：全球通、動感地帶、神州行、大眾卡號段：134、 135、 136、 137、 138、 139、 150、151、 152、 157 、158 、159、147、187、188（3G） 。2、中國聯通：全球通、 up新勢力、如意通、世界風、公話卡號段： 130、131、132、153、155、156、185、186. 3、中國電信：號段：市話

54、通（與座機相同）、 133（CDMA）、 180、189.第一百零六頁，共三百三十四頁。107手機平臺(Tai)簡介手(Shou)機平臺簡介第一百零七頁，共三百三十四頁。108手機平臺（軟(Ruan)件平臺1）手機軟件平臺（即智能機手機操(Cao)作系統）：1、Palm OS操作系統 （奔邁 ）： Palm OS在PDA市場占有主導地位。使用Palm OS操作系統的三星智能手機SPH-i500 SGH I530SGH I530第一百零八頁，共三百三十四頁。109Symbian系(Xi)統2、Symbian系統 （塞班）： Symbian是一個實時性、多任務的純32位操作系統，具有功耗低、內存占

55、用少等特點，非常適合(He)手機等移動設備使用，經過不斷完善，可以支持GPRS、藍牙、以及3G技術。分多個版本：S40、S60（1、2、3、4、5版）等 。主要用于NOKIA手機。5310第一百零九頁，共三百三十四頁。110Windows MObile系(Xi)統3、Windows MObile系統 Windows Mobile 5.0（舊版:功能差）Windows Mobile 6.0Windows Mobile 6.5多普達及其它國產智能機大多采用此系統(與電腦windows操作系統兼容性(Xing)最好)4、Linux系統 ： Linux系統是一個源代碼開放的操作系統，目前已經有很多版本

56、流行。但尚未得到較廣泛的支持。主要用于MOTO手機 。第一百一十頁，共三百三十四頁。111手機(Ji)平臺（硬件平臺）1、MTK：臺灣聯發科技有限公司2、展訊（SPD）：上海展訊通信有限公司3、飛利浦（PHILIPS）：荷蘭菲利浦電子公司 4、英飛凌（Infineon或PMB）：德國英飛凌科技股份公司5、skyworks：美國思佳訊（科勝訊）公司6、AD：美國模擬公司7、AGERE ：美國杰爾8、TI：美國德州儀器9、高通（MSM）：美國高通（針對CDMA、3G芯片）10、愛(Ai)立信 ：瑞典11、摩托羅拉：美國12、諾基亞：芬蘭硬件芯片平臺（以cpu芯片為準）國產及雜牌常用的八大平臺第一百

57、一十一頁，共三百三十四頁。112手機平(Ping)臺（軟件平(Ping)臺2）第一百一十二頁，共三百三十四頁。113手機智能芯片供應商：高通、博通和TI、聯(Lian)發科MTK及海思科技（華為）等。智能手機大供應商：諾基亞、RIM、蘋果、宏達電宏達電（臺灣）和RIM(加拿大:黑莓手機制造商)的智能型手機為采用高通的芯片；諾基亞、摩托羅拉和Palm Pre（奔邁）則采用TI的芯片；蘋果iPhone則采用英飛凌的芯片。 第一百一十三頁，共三百三十四頁。114手機頻段劃分(Fen)及調制手機頻段劃分及調(Diao)制第一百一十四頁，共三百三十四頁。115手機(Ji)的頻率劃分1、手機(Ji)頻率的

58、劃分：GSM 900MHZRX 925-960MHZ 下行頻率TX 880-915MHZ 上行頻率DCS 1800MHZRX 1805-1880MHZTX 1710-1785MHZRX 1930-1990MHZTX 1850-1910MHZPCS 1900MHZ下行：表示基站發出手機接收上行：表示手機發出基站接收RX：表示手機接收TX：表示手機發射G網第一百一十五頁，共三百三十四頁。1163G中國移(Yi)動：TX：18801900 RX：20102025中(Zhong)國聯通：TX：19401955 RX：21302145中國電信：TX：19201935 RX：21102125CDMATX：

59、824-849MHz RX：869-894MHz(TD-SCDMA)(WCDMA)(CDMA2000)第一百一十六頁，共三百三十四頁。117手機常用術(Shu)語2、手機調制(Zhi)專業術語（以900M為例）RX：925-960MHZ TX：880-915MHZa：雙工間隔: 45MHz (用接收最高頻率減發射最高頻率 )b: 工作帶寬: 35MHz (用接收或發射的最高頻率減最低頻率)c：載頻間隔：0.2MHz （200KHz）(每個信道所占的帶寬)d: 載波(信道)數量：174個 (用工作帶寬除以載頻間隔得出)以1800M為例 RX：1805-1880MHZ TX：1710-1785MH

60、Za：雙工間隔:b: 工作帶寬:c：載頻間隔：0.2MHzd: 載波(信道)數量：95MHz75MHz374個第一百一十七頁，共三百三十四頁。118手機的(De)多址調制（FDMA）3、手機最基本的三種調制方式A、頻分多址（FDMA): (以900M為例）按載頻間隔為0.2M計算，可把35M的帶寬平均分成174份，每份為一個載波（供1人使用），即：在同一個小(Xiao)區內可同時容納174人同時通話。35M925MHz960MHz925.2925.4925.6925.81信道2信道3信道. . . . . .174信道(一個小區的覆蓋范圍是:5Km235Km2）（用于早期的模擬機：大哥大（磚頭