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1.8 IIVI族化合物半導體的能帶結構二元化合物的能帶結構 ZnS(六角晶）; ZnTe, ZnSe（NaCl,面心立方）導帶電子的極大和極小處于k=0 價帶在布里淵區中心是簡并的，具有個重空穴帶輕空穴帶，還有一個由自旋軌道耦合而分裂出來的第三個能帶。 CdTe:導帶極小值6， 價帶 8，分裂的 7位于k=0 HgTe:導帶極小值6位于價帶 8以下。Eg0稱之為：半金屬或零帶隙。 導帶極小值6位于價帶 8以下。Eg0, 能帶類于CdTe.2. 混合晶體的能帶結構CdTe HgTe: Hg1-x CdxTe x的變化能帶有半金屬向半導體轉變。作業：1.自我復習：a.金剛石型結構 ； b.共有化運動,允帶，禁帶；c.自由電子能譜，簡約的布里淵區，波矢為簡約波矢；d.金剛石第一布里淵區；e.導體，半導體、絕緣體的能帶 ；f.有效質量與能帶勢場，外力-電子的加速度；g.本征半導體的導電機構；h.空穴回旋共振與有效質量；i.硅和鍺的導帶價帶結構；j.間接帶隙半導體，半金屬或零帶隙，窄帶半導體。

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