1、第2章 存儲器 2.1 2.1 存儲器基礎存儲器基礎 存儲器是用來存儲程序和數據的重要部件。 在存儲器中存儲數據的基本單位是存儲單元，在按字節（B）編址的計算機中，每個存儲單元由8個二進制位（1個字節）組成，占用一個地址編碼，CPU對存儲器進行信息的寫入和讀出就以字節（或字節的倍數）作為最基本的單位。 2.1.1 存儲器的分類 2.1.2 半導體存儲器的性能指標 存儲容量芯片容量=存儲單元數每單元位數1.例如，存儲容量為1284的存儲芯片表示它有128個存儲單元，每個存儲單元只能存儲4位二進制信息。2.存取時間 存取時間是指存數的寫操作和取數的讀操作所占用的時間，一般以ns為單位。存儲器芯片出

2、售時一般要給出典型的存取時間或最大時間。例如某芯片外殼上標注的型號為2732A-20，表示該芯片的存取時間為20ns。3.功耗功耗可用每塊芯片總功率來表示，單位為mW/芯片，也可用每個存儲單元所耗的功率，單位為W/單元。4. 可靠性一般用平均無故障時間來描述，目前一般在105106之間。2.1.3 半導體存儲器的特點 1. RAM的特點1）靜態RAM的特點 一般用6個MOS管構成的觸發器作為基本存儲元，存放一位（b）二進制信息 集成度低于動態RAM，適合做小容量的存儲器 不需要刷新，易于用電池作備用電源，以解決斷電后繼續保存信息的問題 功耗低于雙極型RAM，但高于動態RAM2）動態RAM的特點

3、 一般采用單管作基本存儲單元，依靠寄生電容存儲電荷來存儲信息 集成度高，適合做大容量的存儲器 需要定時刷新，通常刷新間隔為2ms 功耗較靜態RAM低，位價格也較便宜2. ROM的分類及特點1）掩膜式ROM 用廠家定做的掩膜對存儲器進行編程，一旦制造完畢，內容固定不能改變。 適合批量生產，但不適合科學及工程研發2）一次可編程式的PROM 允許用戶一次性寫入，再也不可更改。因此，不適合于研發。3）可擦寫式的EPROM 允許用戶多次寫入信息。寫入操作由專用設備完成，但寫入之前必須先擦除原來寫入的信息。 按照擦除方式的不同，又可分為紫外光擦除的UVEPROM和電擦除的EEPROM 寫入時電壓要求較高（

4、一般為2025V），寫入速度較慢而不能像RAM那樣作隨機存取存儲器使用 2.2 隨機存取存儲器 隨機存取存儲器（Random Access Memory）: 隨時讀取已存放在其各個存儲單元中的數據，而且還能夠隨時寫入新的信息。 RAM通常可以按存儲原理的不同分為靜態RAM（SRAM，Static Random Access Memory）和動態RAM（DRAM，Dynamic Random Access Memory)。2.2.1 RAM的基本結構 地址寄存器和譯碼器 字線和存儲單元的總數是相等的，它與地址線條數的關系是：W=2n 其中，W為字線數，n為地址線條數。 采用兩個方向譯碼的結構，如

5、圖2-3所示。若n=10，p=6，則總計為26+24=80條字線，比單譯碼器結構210條字線要少很多。2存儲陣列 存儲陣列是存儲器的主體，實質上是由基本存儲位元組成的集合體，每個基本存儲位元存儲1位二進制信息。 3三態雙向緩沖器 三態雙向緩沖器用于將存儲器連接在總線上，實現與CPU讀/寫兩個方向的數據緩沖。 4控制電路 控制電路通過控制引腳R/W和/CE（Card Enable）接收CPU送來的控制信號，經過組合變換后對地址寄存器、存儲陣列和三態雙向緩沖器等進行控制。 2.2.2 靜態RAM基本存儲電路 2.2.3 動態RAM基本存儲電路 2.2.4 RAM舉例 1. 62256 SRAM芯片

6、 62256是一種32K8位的高集成度的SRAM，采用單一+5V電源供電，雙列直插式28引腳封裝，其芯片引腳排列如圖2-6所示。圖2-6 6264/62128/62256引腳分配62256的內部結構如圖2-7所示。表2-1 62256工作方式選擇表 24164 DRAM芯片 DRAM集成度較高，對于同樣的引腳數，其單片容量往往比SRAM高。內部存儲單元按矩陣形式排列成存儲體，通常采用行、列地址復合選擇尋址法。 圖2-9 4164芯片的行列地址多路轉換2.3 只讀存儲器 只讀存儲器簡稱為ROM。ROM中的信息，通常是在脫機狀態下或在特殊環境下寫入的，故把ROM的寫信息又稱為編程。ROM的另一特點

7、是它所存儲的內容在斷電時不會消失，稱為非易失性存儲器儲器。 ROM按照存儲原理的不同，又可以分為掩膜的ROM，一次編程PROM和可擦除可編程EPROM。2.3.1 ROM的基本結構 主要由地址寄存器、地址譯碼器、存儲陣列、輸出緩沖器等部件組成，如下圖2-10所示。 圖2-10 單向譯碼的ROM芯片內部結構圖2.3.2 掩模ROM原理 圖2-12 328熔絲式PROM原理圖2.3.3 PROM原理 2.3.4 EPROM原理 EPROM可以分為兩種，一種是“用紫外線擦除的EPROM”，簡稱為UVEPROM（Ultra Violet EPROM），另一種是“用電擦除的EPROM”，簡稱為EEPRO

8、M（Electrically EPROM）或E2PROM。 1. UVEPROM UVEPROM的基本存儲位元主要由一只浮置柵雪崩注入式MOS管（簡稱為FAMOS，Floating gate Avalanche injection MOS）構成。其中，FAMOS管可以分為P溝道和N溝道FAMOS管兩種，下面以P溝道FAMOS管為例來介紹其工作原理。 2. E2PROM E2PROM是一種不用從電路板上拔下，而在線直接用電信號進行擦除和寫入的EPROM芯片。 E2PROM可以分為片擦除和字節擦除兩種方式 。2.3.5 ROM舉例 表2-2 27系列常用的EPROM存儲器27256的主要操作方式有

9、編程、校驗、讀出、維持、編程禁止等，如表2-3所列。 圖2-14 27256內部結構和引腳分配表 2-3 27256的工作方式選擇表2.3.6 閃速存儲器 閃速存儲器（Flash Memory）簡稱Flash，是一種新型的半導體存儲器，具有可靠的非易失性、電擦除性及低成本等優點。Flash的擦除功能可以迅速清除整個存儲器的所有內容，速度是E2PROM的10倍以上，故稱為閃速存儲器。它的制造特別經濟，可以被擦除和重新編程幾十萬次而不會失效，廣泛應用于需要實施代碼或數據更新的嵌入式系統中。2.4 一般CPU與存儲器的連接及擴展 存儲器無論是RAM還是ROM，都是通過地址總線、數據總線以及若干條控制

10、總線與CPU連接。 2.4.1 連接中應考慮的問題 1）存儲器芯片類型的選擇2） 工作速度匹配3）MCS-51對存儲容量的要求2.4.2 存儲器位數的擴展 位擴展時，存儲器芯片與CPU的連接比較簡答，主要是以下兩點： 每個芯片的地址線An-1 A0、/CS、/WE各自連在一起后，和CPU（總線）各同名端分別相連； 每個芯片的數據輸出線各自獨立，即每片一位（或若干位）單獨引出，如果芯片的數據輸入和輸出是分開設置的，還需將兩個引腳合并在一起，連到CPU（總線）的相應數據線圖2-15 4K8位2141芯片組2.4.3 存儲器字數的擴展 由地址信號選擇芯片的過程就稱為“片選”。通過片選，能將存儲器芯片

11、與所確定的地址空間聯系起來，即將芯片中的存儲單元與實際地址一一對應，這樣才能通過尋址對存儲單元進行讀寫。 線選法 這種方法直接使用CPU地址中某一位高位地址線作為存儲器芯片的片選信號，其優點是連接簡單 圖2-16 線選法擴展存儲單元2全譯碼法全譯碼法的特點是使用CPU的全部高位地址線參與譯碼器譯碼后作為存儲芯片的片選信號。例如，用4片2764（8K8位）存儲芯片采用全譯碼法組成32K8位存儲器芯片組，其中片內地址線13條，為A12A0，片選地址3條全部加到一個3-8譯碼器上，如下圖所示。3部分譯碼法 部分譯碼法是指用CPU的部分高位地址線參與譯碼后作為存儲芯片的片選信號。它是線選法與全譯碼法的

12、一個折中，一方面可以簡化譯碼器的設計，另一方面有較強的存儲器容量擴展能力和連續的存儲器范圍。 為了確定每片芯片的地址范圍，懸空沒用到的高位地址（A15、A14）可假設為“0”，這樣確定出來的地址與線選法中的一樣，都稱為“基本地址” 。2.4.4 存儲器字數和位數的擴展 實際存儲器往往需要字和位同時擴充，此時按照先位擴展后字擴展的順序來完成。 例如，用1K1位芯片構成2K8位的儲存器，就要用16片拼裝而成。每8片作為一組，產生8位數據輸入輸出，按照相同功能的控制線都并聯在一起的原則，進行位擴展。位擴展后可以將每一組看成單獨的一片芯片，按照字擴展的連接方案來設計出具體的連接圖。2.4.5 CPU與ROM和RAM芯片的連接 只需要將CPU的地址輸出線與ROM的地址輸入線相連，CPU的數據輸入線與ROM的數據輸出線相連。控制線的連接