1、第5章放大電路的頻率響應(yīng)自測題一、選擇正確答案填入空內(nèi)。1測試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化，可以得到它的頻率響應(yīng)，條件是A 。A. 輸入電壓幅值不變，改變頻率B. 輸入電壓頻率不變，改變幅值2放大電路在高頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是B ，而低頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是A 。3當(dāng)信號頻率等于放大電路的fL或fH時，放大倍數(shù)的值約下降到中頻時的B 。A. 0.5 倍；B. 0.7 倍；C. 0.9 倍即增益下降A(chǔ) 。A. 3dBB. 4dB;C. 5dB對于單管共射放大電路，當(dāng)f=fL時，Uo與Ui相位關(guān)系是C 。A . + 45° B. -90°C. -

2、135°當(dāng)f=fH時，Uo與Ui相位關(guān)系是C 。A . - 45°B. - 135°C. -225°二、電路如 所示。：Vcc=12V;晶體管的 Cu=4pF, fr=50MHz , rbb' 100 , o= 80。試求解：1中頻電壓放大倍數(shù) AUsm ; 2 C ; 3 fL和和;4畫出波特圖。解：(1)靜態(tài)及動態(tài)的分析估算：Ibq VcC UEQ 22.6 A; Ieq (1 )Ibq 1.8mA RbUceq Vcc IcqRc 3V ；rb'e (11.17k1 EQgmIeq估算CfT26mV(1)1.27kIEQ69.2mA

3、/V ；0 ；;2 rb'b(CC )(3)求解上限、R 仏 / RbRRi Rsrb'e2rb'e fT1.27kgmRc)178214pF ；C (1 gmRc)C下限截止頻率:Rrb'e/( rb'bRs/Rb)2 RC175kHz ；在中頻段的增益:頻率特性曲線如 所示。1602pFrb'e(b'bRs)56720lg Asm.2 (Rs45dB °、某放大電路的波特圖如所示，填空:|代m(l)電路的中頻電壓增益 20lg(60 )dB, Aum (R)C103 ) °14Hz °(2)電路的下限頻率

4、 fL( 10 )Hz,上限頻率 怙 (10 ) kHz °(3)電路的電壓放大倍數(shù)的表達式(A -(1103100 jf% j jf 107)(1 j201g|Al/dBOG40200-20dB/1I 倍顧圖 T5.3說明：該放大電路的中頻放大倍數(shù)可能為“+ ，也可能為“-習(xí)題在所示電路中，晶體管的rbb、C、C , Rrbe。填空：除要求填寫表達式的之外，其余各空填入增大、 根本不變、 減小。1在空載情況下，下限頻率的表達式fL2 (RsRb rbe)C1。當(dāng)Rs減小時,fL將；當(dāng)帶上負載電阻后，fL將。在空載情況下，假設(shè)b-e間等效電容為C，貝U上限頻率的表達式fH (2 rb

5、'e(rbb，RbRs)C；當(dāng)Rs為零時，fH將；當(dāng)Rb減小時,gm解：設(shè)電路為根本共射放大電路或根本共源放大電路。Au323.2 jf(1 10)(1 1-jf 105)2.5 105)解：觀察波特圖可知，中頻電壓增益為40dB，即中頻放大倍數(shù)為-100 ;下限截止頻率為1Hz和10Hz,上限截止頻率為 250kHz。故電路 代的表達式為:A 100f 110(1 )(1 y(1 j jf jf某電路的幅頻特性如所示，試問：電路組成；3當(dāng)f =104Hz時，附加相移為多少?1該電路的耦合方式；2該電路由幾級放大 當(dāng) f =105Hz時，附加相移又約為多少？ 4當(dāng)f =104Hz時，4

6、50 31350 ；當(dāng) f =105Hz 時，90o 3270o。4該電路的A -103;上限頻率為fH 5.2kHz1.V3某電路電壓放大倍數(shù):Au10jf該電路的上限頻率 fH為多少?解：1因為下限截止頻率為 0,所以電路為直接耦合電路；2因為在高頻段幅頻特性為-60dB/十倍頻，所以電路為三級放大電路;(1 j(1 怎)(1 j試求解：1Aum ? fL ？fH2畫出波特圖。解：1變換電壓放大倍數(shù)的表達式，求出Am、fL和fH 。10jf/ a(1 扁)(1 j5二 Aum100 ; fL 10Hz ；fH 10 Hz。(2)波特圖如所示。加址HI ZdB- 20(HV十偌赫6Q兩級共射

7、放大電路的電壓放大倍數(shù)200 jf(1 jf)(1 j104)(1 E5)(1) Aum(2) 畫出波特圖。解：變換電壓放大倍數(shù)的表達式，求出Aum、f L 和 f H °Au(1 j200 jf103 jfj 104)(1 jR(1 j5)(1 玄4)(1 j2.5 105)Aum 103 ；l 5 Hz ；4fH 10 Hz。(2)波特圖如 所示。電路如圖P所示。：晶體管的伙rbb、C均相等，所有電容的容量均相等，靜態(tài)時所有電路中晶體管的發(fā)射極電流Ieq均相等。定性分析各電路，將結(jié)論填入空內(nèi)。(b)R.ik"loo kn(C)/?. - 匚(d)圖 P5.7(1) 低頻

8、特性最差即下限頻率最高的電路是(a )。(2) 低頻特性最好即下限頻率最低的電路是(c )。高頻特性最差即上限頻率最低的電路是(c )。在圖P5.7(b)所示電路中，假設(shè)要求Ci與C2所在回路的時間常數(shù)相等，且rbe = lkQ,那么G ： C2 = ?假設(shè)Ci與C2所在回路的時間常數(shù)均為 25ms ,那么Ci、C2各為多少？下限頻率fL =?解：(1)求解C1 :C2因為Ci (Rs Ri) C2 (Rc Rl)將電阻值代入上式，求出： Ci :C2 5:1(2)求解Ci、C2的容量和下限頻率C112.5 FRs RC22.5 FRcRl6.4Hz ；fL 1.1 一 2怕 10Hz在圖P5

9、.7 (a)所示電路中，假設(shè) Ce突然開路，那么中頻電壓放大倍數(shù)Ausm、fH和fL各產(chǎn)生什么變化是增大、減小、還是根本不變？為什么？解：Ausm將減小。因為在同樣幅值的 Ui作用下，*將減小，J隨之減小，Uo必 然減小。fL減小。因為少了一個影響低頻特性的電容。fH增大。因為C'會因電壓放大倍數(shù)數(shù)值的減小而大大減小，所以雖然C'所在回路的等效電阻有所增大，但時間常數(shù)仍會減小很多，故fH增大。電路如所示， Cgs Cgd 5pF,gm 5mS,C1 C2 Cs 10 F。試求fH、fL各約為多少，并寫出Aus的表達式。解：fH、fL和AUs的表達式分析如下:AusmRRRs(g

10、mR')gmRL12.4116Hz2 fsCsCgsCgs(1gmRL)Cgdgs72 pF2 (RgRs)Cgs 2 RsC；L 1.1MHzgsAUs12j(1嚅)(1 j1.1106)在(a)所示電路中，Rg 2M ,尺Rl 10k, C 10 F ;場效應(yīng)管的Cgs Cgd 4 pF , gm 4mS。試畫出電路的波特圖，并標出有關(guān)數(shù)據(jù)。解: AumgmRL20,20lg Aum 26dBCgsCgs(1gmRL)Cgd 88pFfL10.796 Hz2 (RdRl)CfH11-904 Hz2RgCgs其波特圖參考一個兩級放大電路各級電壓放大倍數(shù)分別為:Au2UoUi22jf(

11、1 j50)(1 j(1) 寫出該放大電路的電壓放大倍數(shù)的表達式;(2) 求出該電路的fL和fH各約為多少；(3)畫出該電路的波特圖。解：(1)電壓放大倍數(shù)的表達式:AuAil Au250f 2(1 jj50)(1 怎s)210 IO1 _/ItTK?vfL和fH分別為：fL 50 Hz ；.丄 1fH 1.V 2 105 fH 64.3kHz(3) 根據(jù)電壓放大倍數(shù)的表達式可知，中頻電壓放大倍數(shù)為104，增益為80dB。波特圖如所示。電路如所示。試定性分析以下問題，并簡述理由。(1)哪一個電容決定電路的下限頻率；假設(shè)T1和T2靜態(tài)時發(fā)射極電流相等，且 rbb'和C'相等，那么

12、哪一級的上限頻率低。解：(1)決定電路下限頻率的是Ce ,因為它所在回路的等效電阻最小。(2)因為R2/ R3/ Rt R1 / Rs , C2所在回路的時間常數(shù)大于C所在回路的時間常數(shù)，所以第二級的上限頻率低。補充1在圖P5.7(a)所示電路中，假設(shè) 3= 100 ,be =1kQ, Ci = C2= Ce=100 口 F，那么下限頻率fL=?Ce所解：由于所有電容容量相同，而 Ce所在回路等效電阻最小，所以下限頻率決定于在回路的時間常數(shù)。Re哇rbeRs12080 Hz2 RCe補充2在(d)所示電路中，晶體管的rbb 100 , rbe 1k ,靜態(tài)電流IeqC'800pF，Rs 2k ，Rb 500k， Rc 3.3k，C 10 F。2 mA,解：求解fL : fL12 R R)C5.3Hz2 (Rs rbe