1、第第2 2章章第第1 1章章第第3 3章章返回返回第第6 6章章第第8 8章章第第1010章章第第7 7章章第第0 0章章第第1章章 常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件1.2 1.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 1.4 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管1.3 晶體三極管晶體三極管 1.5 本章小結(jié)本章小結(jié)返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 第第1章章 常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件1.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 1.1.3 PN結(jié)結(jié)1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)

2、半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 第一章第一章 常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件 重點(diǎn)：重點(diǎn)：從使用的角度出發(fā)掌握從使用的角度出發(fā)掌握半導(dǎo)體二半導(dǎo)體二極管極管、三極管（晶體管）三極管（晶體管）和和場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管的的外部外部特性和主要參數(shù)特性和主要參數(shù)。1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體器件是近代電子學(xué)的重要組成部分半導(dǎo)體器件是近代電子學(xué)的重要組成部分，由于半導(dǎo)體器件具有，由于半導(dǎo)體器件具有體積小體積小，重量輕重量輕，耗電耗電少少，壽命長(zhǎng)壽命長(zhǎng)，工作可靠工作可靠等突出優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛等突出優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用。特別是集成電路的出現(xiàn)使電子裝置在的應(yīng)用

3、。特別是集成電路的出現(xiàn)使電子裝置在微型化和可靠方面向前推進(jìn)了一大步。微型化和可靠方面向前推進(jìn)了一大步。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 在研究半導(dǎo)體的特性和電路之前，我們?cè)谘芯堪雽?dǎo)體的特性和電路之前，我們先對(duì)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)作一簡(jiǎn)要的復(fù)習(xí)。先對(duì)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)作一簡(jiǎn)要的復(fù)習(xí)。 1.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體一、半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵一、半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵 導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體 導(dǎo)體：導(dǎo)體：容易傳導(dǎo)電流的物質(zhì)。容易傳導(dǎo)電流的物質(zhì)。( (銅，鋁等銅，鋁等) )電阻率電阻率：1010-6-61010-8-8mm 絕緣體：絕緣體：幾乎不傳導(dǎo)電流

4、的物質(zhì)幾乎不傳導(dǎo)電流的物質(zhì) ( (橡皮，陶瓷，塑料等橡皮，陶瓷，塑料等) )。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 電阻率電阻率：10101212 10 101616m m 很大。很大。 半導(dǎo)體：半導(dǎo)體：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體、絕緣體兩導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體、絕緣體兩者之間，常用的者之間，常用的硅：硅：Si、鍺：鍺：Ge。 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵價(jià)電子價(jià)電子硅原子結(jié)構(gòu)硅原子結(jié)構(gòu)最外層電子稱(chēng)最外層電子稱(chēng)價(jià)電子價(jià)電子鍺原子也是鍺原子也是 4 價(jià)元素價(jià)元素4 價(jià)元素的原子常常價(jià)元素的原子常常用用+ 4 電荷的正離子和周電荷的正離子和周?chē)鷩?4個(gè)價(jià)電子表示。個(gè)價(jià)電

5、子表示。( (a) )硅的原子結(jié)構(gòu)圖硅的原子結(jié)構(gòu)圖 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 在硅或鍺的單晶體結(jié)構(gòu)中，原子在空間排在硅或鍺的單晶體結(jié)構(gòu)中，原子在空間排列成很規(guī)律的空間點(diǎn)陣（稱(chēng)為晶格）。由于晶列成很規(guī)律的空間點(diǎn)陣（稱(chēng)為晶格）。由于晶體中原子之間的距離很近，價(jià)電子不僅受到所體中原子之間的距離很近，價(jià)電子不僅受到所屬原子核的作用，而且還受到相鄰原子核的吸屬原子核的作用，而且還受到相鄰原子核的吸引，使得一個(gè)價(jià)電子為相鄰原子核所共有，形引，使得一個(gè)價(jià)電子為相鄰原子核所共有，形成成共價(jià)鍵共價(jià)鍵。共有：共有：一會(huì)兒繞著我轉(zhuǎn)，一會(huì)兒繞著它轉(zhuǎn)。一會(huì)兒繞著我轉(zhuǎn)，一會(huì)兒繞著它轉(zhuǎn)。

6、(a) 硅晶體的空間排列硅晶體的空間排列 (b) 共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 將硅或鍺材將硅或鍺材料提純便形成單料提純便形成單晶體，它的原子晶體，它的原子結(jié)構(gòu)為共價(jià)鍵結(jié)結(jié)構(gòu)為共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。構(gòu)。+4+4+4+4+4+4+4+4+4共共價(jià)價(jià)鍵鍵價(jià)價(jià)電電子子當(dāng)溫度當(dāng)溫度 T = 0 K 時(shí)，半導(dǎo)體不導(dǎo)電時(shí)，半導(dǎo)體不導(dǎo)電，如同絕緣體。，如同絕緣體。圖圖 1.1.1 本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖本征半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖本征半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體：完全純凈，結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。完全純凈，結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。純凈：純凈：晶體中只有晶體中只有Si一種

7、原子。一種原子。結(jié)構(gòu)完整：結(jié)構(gòu)完整：結(jié)構(gòu)為四面體沒(méi)有缺陷。結(jié)構(gòu)為四面體沒(méi)有缺陷。 無(wú)雜質(zhì)無(wú)雜質(zhì)穩(wěn)定的穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) +4+4+4+4+4+4+4+4+4圖圖 1.1.2 本征半導(dǎo)體中的本征半導(dǎo)體中的 自由電子和空穴自由電子和空穴自由電子自由電子空穴空穴 若若 T ，將有少，將有少數(shù)價(jià)電子克服共價(jià)鍵數(shù)價(jià)電子克服共價(jià)鍵的束縛成為的束縛成為自由電子自由電子，在原來(lái)的共價(jià)鍵中，在原來(lái)的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位留下一個(gè)空位空空穴。穴。(這種現(xiàn)象稱(chēng)為本這種現(xiàn)象稱(chēng)為本征激發(fā)或熱激發(fā)）征激發(fā)或熱激發(fā)）T 自由電子自由電子和和空穴空穴使使本征半導(dǎo)體具有導(dǎo)本

8、征半導(dǎo)體具有導(dǎo)電能力，但很微弱。電能力，但很微弱。空穴可看成帶正空穴可看成帶正電的載流子。電的載流子。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體晶體中的共價(jià)鍵具有很強(qiáng)的結(jié)合半導(dǎo)體晶體中的共價(jià)鍵具有很強(qiáng)的結(jié)合力，在熱學(xué)零度力，在熱學(xué)零度(-273.16=0K)時(shí)，價(jià)電子時(shí)，價(jià)電子沒(méi)有能力脫離共價(jià)鍵的束縛，沒(méi)有能力脫離共價(jià)鍵的束縛，晶體中沒(méi)有自晶體中沒(méi)有自由電子由電子，半導(dǎo)體是不能導(dǎo)電的。當(dāng)高于絕對(duì)，半導(dǎo)體是不能導(dǎo)電的。當(dāng)高于絕對(duì)零度零度( (00K) )，如室溫下，如室溫下(27=3000K)，少數(shù)少數(shù)價(jià)電子價(jià)電子因熱激發(fā)而獲得足夠的能量，因而因熱激發(fā)而獲得足夠的能量，

9、因而能能脫離共價(jià)鍵的束縛成為脫離共價(jià)鍵的束縛成為自由電子，自由電子，同時(shí)在原同時(shí)在原來(lái)的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位來(lái)的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位，稱(chēng)為，稱(chēng)為“空穴空穴”，如圖，如圖1.1.2所示。所示。二、本征半導(dǎo)體中的載流子二、本征半導(dǎo)體中的載流子載流子：載流子：能運(yùn)載電荷的粒子。能運(yùn)載電荷的粒子。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 蹦出多少自由電子，就有多少空穴。蹦出多少自由電子，就有多少空穴。 自由電子在電場(chǎng)的作用下，定向移動(dòng)形自由電子在電場(chǎng)的作用下，定向移動(dòng)形成的電流稱(chēng)為成的電流稱(chēng)為漂移電流漂移電流。 兩種載流子：兩種載流子：自由電子自由電子( (帶負(fù)電荷帶負(fù)電荷) )，

10、空空穴穴( (帶正電荷帶正電荷) )。 在電場(chǎng)的作用下，電子形成在電場(chǎng)的作用下，電子形成電子電流電子電流，空穴形成空穴形成空穴電流空穴電流。雖然兩種載流子的運(yùn)動(dòng)。雖然兩種載流子的運(yùn)動(dòng)方向相反，但因它們所帶的電荷極性也相反方向相反，但因它們所帶的電荷極性也相反，所以，所以?xún)煞N電流的實(shí)際方向是相同的，它們兩種電流的實(shí)際方向是相同的，它們的和即是半導(dǎo)體中的電流。的和即是半導(dǎo)體中的電流。 半導(dǎo)體導(dǎo)電靠半導(dǎo)體導(dǎo)電靠自由電子自由電子和和空穴空穴，這就是半，這就是半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)，也是半導(dǎo)體的特殊性質(zhì)。導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)，也是半導(dǎo)體的特殊性質(zhì)。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 三、本

11、征載流子的濃度三、本征載流子的濃度 半導(dǎo)體在熱（或光照等）作用下產(chǎn)生半導(dǎo)體在熱（或光照等）作用下產(chǎn)生電電子、空穴對(duì)子、空穴對(duì)，這種現(xiàn)象稱(chēng)為，這種現(xiàn)象稱(chēng)為本征激發(fā)本征激發(fā)。 在運(yùn)動(dòng)中在運(yùn)動(dòng)中, ,電子如果電子如果“跳進(jìn)跳進(jìn)”空穴空穴, ,重新重新被共價(jià)鍵束縛起來(lái)，電子和空穴就會(huì)成對(duì)消被共價(jià)鍵束縛起來(lái)，電子和空穴就會(huì)成對(duì)消失，這種現(xiàn)象稱(chēng)為失，這種現(xiàn)象稱(chēng)為復(fù)合。復(fù)合。 一定的溫度下，一定的溫度下，電子、空穴對(duì)的產(chǎn)生電子、空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合都在不停地進(jìn)和復(fù)合都在不停地進(jìn)行，最終處于一種平行，最終處于一種平衡狀態(tài)，使半導(dǎo)體中衡狀態(tài)，使半導(dǎo)體中載流子的濃度一定。載流子的濃度一定。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1

12、章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) eTkpn2KTE321iiGO本征載流子的濃度為：本征載流子的濃度為：ni、pi分別表示電子和空穴的濃度分別表示電子和空穴的濃度(個(gè)個(gè)/cm3)。下標(biāo)下標(biāo)i表示相應(yīng)的本征載流子濃度。表示相應(yīng)的本征載流子濃度。T為熱力學(xué)溫度為熱力學(xué)溫度(K)；k為玻耳茲曼常數(shù)為玻耳茲曼常數(shù)(8.6310-5ev/k)； EGO為熱力學(xué)零度時(shí)破壞共價(jià)鍵所需要的為熱力學(xué)零度時(shí)破壞共價(jià)鍵所需要的能量，又稱(chēng)為能量，又稱(chēng)為禁帶寬度禁帶寬度，k1是是與半導(dǎo)體材料有與半導(dǎo)體材料有關(guān)的常數(shù)。關(guān)的常數(shù)。本征半導(dǎo)體的特點(diǎn)本征半導(dǎo)體的特點(diǎn): :自由電子數(shù)自由電子數(shù)= =空穴數(shù)。溫度越高空穴數(shù)。溫

13、度越高, ,數(shù)量越多。數(shù)量越多。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 1. 半導(dǎo)體中兩種載流子半導(dǎo)體中兩種載流子帶負(fù)電的帶負(fù)電的自由電子自由電子帶正電的帶正電的空穴空穴 2. 本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴總是本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)，稱(chēng)為成對(duì)出現(xiàn)，稱(chēng)為 電子電子- 空穴對(duì)。空穴對(duì)。3. 本征半導(dǎo)體中本征半導(dǎo)體中自由電子自由電子和和空穴空穴的濃度用的濃度用 ni 和和 pi 表示，顯然表示，顯然 ni = pi 。4. 由于物質(zhì)的運(yùn)動(dòng)，自由電子和空穴不由于物質(zhì)的運(yùn)動(dòng)，自由電子和空穴不斷的產(chǎn)生又不斷的復(fù)合。斷的產(chǎn)生又不斷的復(fù)合。在一定的溫度下，在一定的溫度下

14、，產(chǎn)生與復(fù)合運(yùn)動(dòng)會(huì)達(dá)到平衡，載流子的濃度產(chǎn)生與復(fù)合運(yùn)動(dòng)會(huì)達(dá)到平衡，載流子的濃度就一定了。就一定了。5. 載流子的濃度與溫度密切相關(guān)，它隨著載流子的濃度與溫度密切相關(guān)，它隨著溫度的升高，基本按指數(shù)規(guī)律增加。溫度的升高，基本按指數(shù)規(guī)律增加。小結(jié)：小結(jié)： 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體雖然有自由電子和空穴兩種本征半導(dǎo)體雖然有自由電子和空穴兩種載流子載流子, ,但由于數(shù)量極少但由于數(shù)量極少, ,導(dǎo)電能力很低。如導(dǎo)電能力很低。如果在其中摻入微量的雜質(zhì)果在其中摻入微量的雜質(zhì)( (某種元素某種元素) )就會(huì)使就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生

15、顯著變化。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。 摻入的雜質(zhì)主要是三價(jià)或五價(jià)元素。摻摻入的雜質(zhì)主要是三價(jià)或五價(jià)元素。摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱(chēng)為入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 一、一、N N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 （Negative） 本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入五價(jià)元素本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入五價(jià)元素( (磷磷, ,銻銻) )后后, ,雜質(zhì)原子就替代了晶格中某些硅原子的位雜質(zhì)原子就替代了晶格中某些硅原子的位置置, ,它的五個(gè)價(jià)電子中有四個(gè)和周?chē)墓柙奈鍌€(gè)價(jià)電子中有四個(gè)和周?chē)墓柙咏Y(jié)成共價(jià)鍵

16、，多余的一個(gè)價(jià)電子處在共子結(jié)成共價(jià)鍵，多余的一個(gè)價(jià)電子處在共價(jià)鍵之外，如圖價(jià)鍵之外，如圖1.1.3所示。雜質(zhì)原子對(duì)這所示。雜質(zhì)原子對(duì)這個(gè)多余的價(jià)電子束縛力較弱，在室溫下就個(gè)多余的價(jià)電子束縛力較弱，在室溫下就可以被激發(fā)成為自由電子，同時(shí)雜質(zhì)原子可以被激發(fā)成為自由電子，同時(shí)雜質(zhì)原子可以提供電子，故稱(chēng)為可以提供電子，故稱(chēng)為施主原子施主原子。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 自由電子自由電子圖圖1.1.3 N N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體5磷（磷（P）多數(shù)載流子多數(shù)載流子一、一、N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 （Negative） 雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。

17、摻入雜質(zhì)越多，多子濃度越高，電。摻入雜質(zhì)越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電性可控。導(dǎo)電性越強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電性可控。 自由電子導(dǎo)電自由電子導(dǎo)電是這種半導(dǎo)體的主是這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，故稱(chēng)要導(dǎo)電方式，故稱(chēng)為為電子型半導(dǎo)體。電子型半導(dǎo)體。自由電子帶負(fù)電自由電子帶負(fù)電, ,英文英文Negative( (負(fù)負(fù)) )的字頭是的字頭是N, ,所以又所以又叫叫N 型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 自由電子數(shù)自由電子數(shù)空穴數(shù)空穴數(shù)自由電子自由電子: :多數(shù)載流子多數(shù)載流子( (多子多子) )空穴空穴: :少數(shù)載流子少數(shù)載流子( (少子少子) )N型半導(dǎo)體的符

18、號(hào)型半導(dǎo)體的符號(hào): : 三種帶電粒子三種帶電粒子: :自由電子自由電子( (多子多子) ), ,空穴空穴( (少少子子) ), ,正離子正離子，帶電不導(dǎo)電，背景，不動(dòng)，象，帶電不導(dǎo)電，背景，不動(dòng)，象話劇后面的背景。話劇后面的背景。二、二、P型半導(dǎo)體（型半導(dǎo)體（ Positive） 在硅或鍺的晶體中摻入微量的三價(jià)元素在硅或鍺的晶體中摻入微量的三價(jià)元素( (銦銦、硼、硼) )后，雜質(zhì)原子的三個(gè)價(jià)電子與周?chē)墓柙螅s質(zhì)原子的三個(gè)價(jià)電子與周?chē)墓柙有纬晒矁r(jià)鍵時(shí)出現(xiàn)一個(gè)空穴，如圖子形成共價(jià)鍵時(shí)出現(xiàn)一個(gè)空穴，如圖1.1.4所示。所示。 在室溫下在室溫下, ,這些空穴能吸引鄰近的價(jià)電子這些空穴能吸引鄰近

19、的價(jià)電子來(lái)填充來(lái)填充, ,使雜質(zhì)原子變成帶負(fù)電荷的離子，這使雜質(zhì)原子變成帶負(fù)電荷的離子，這些雜質(zhì)原子因能吸收電子被稱(chēng)為些雜質(zhì)原子因能吸收電子被稱(chēng)為受主原子受主原子。圖圖1.1.4 P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體3硼（硼（B）多數(shù)載流子多數(shù)載流子 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入雜質(zhì)越型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入雜質(zhì)越多，空穴濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，多，空穴濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，空穴數(shù)空穴數(shù)自由電子數(shù)自由電子數(shù) 這種以空穴導(dǎo)電作為主要導(dǎo)電方式的半導(dǎo)這種以空穴導(dǎo)電作為主要導(dǎo)電方式的半導(dǎo)體稱(chēng)為體稱(chēng)為空穴型半導(dǎo)體。空穴型半導(dǎo)體。空穴帶正電，英文空穴帶正電

20、，英文Positive(正正)的字頭是的字頭是P，又稱(chēng)為，又稱(chēng)為P型型半導(dǎo)體半導(dǎo)體。自由電子自由電子: :少數(shù)載流子少數(shù)載流子( (少子少子) )空穴空穴: :多多數(shù)載流子數(shù)載流子( (多多子子) )P P型半導(dǎo)體的符號(hào)型半導(dǎo)體的符號(hào): : 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能三、雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多子是由雜質(zhì)原子提在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多子是由雜質(zhì)原子提供的，而由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度則因與供的，而由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度則因與多子復(fù)合機(jī)會(huì)的增多而大大減少。多子復(fù)合機(jī)會(huì)的增多而大大減少。舉例舉例: :本征半導(dǎo)體中本征半導(dǎo)體中問(wèn)問(wèn):

21、 :若有若有1 1萬(wàn)個(gè)自由電子萬(wàn)個(gè)自由電子, ,有多少個(gè)空穴有多少個(gè)空穴? ? 問(wèn)問(wèn): :若加若加100100萬(wàn)個(gè)磷原子萬(wàn)個(gè)磷原子, ,有多少自由電子、有多少自由電子、空穴空穴? ?答答: :1 1萬(wàn)個(gè)空穴。萬(wàn)個(gè)空穴。答答: :不到不到101101萬(wàn)個(gè)自由電子。萬(wàn)個(gè)自由電子。 因?yàn)樽杂呻娮雍涂昭ㄟ€要復(fù)合因?yàn)樽杂呻娮雍涂昭ㄟ€要復(fù)合, ,這時(shí)空穴這時(shí)空穴就不是就不是1 1萬(wàn)個(gè)萬(wàn)個(gè), ,只有只有100100個(gè)，個(gè)，10104 410104 4=10=106 610102 2。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 在半導(dǎo)體中兩種載流子的濃度的乘積是在半導(dǎo)體中兩種載流子的濃度的乘

22、積是恒定值恒定值, ,與摻雜程度無(wú)關(guān)。與摻雜程度無(wú)關(guān)。Pn = Pini= Pi2= ni2雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子越多雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子越多, ,則少子就越少。則少子就越少。結(jié)論結(jié)論: :多子、少子都參加導(dǎo)電。多子、少子都參加導(dǎo)電。 多數(shù)載流子的數(shù)量取決于所摻雜質(zhì)的多多數(shù)載流子的數(shù)量取決于所摻雜質(zhì)的多少，與溫度基本無(wú)關(guān)。少，與溫度基本無(wú)關(guān)。 少數(shù)載流子的數(shù)量取決于少數(shù)載流子的數(shù)量取決于溫度溫度, ,溫度升高溫度升高, ,少數(shù)載流子呈指數(shù)上升。少數(shù)載流子呈指數(shù)上升。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 1.1.3 PN結(jié)結(jié) 在一塊完整的硅片上在一塊完整的硅片上, ,用不同的摻雜工

23、藝用不同的摻雜工藝使其一邊形成使其一邊形成N型半導(dǎo)體，另一邊形成型半導(dǎo)體，另一邊形成P型半導(dǎo)型半導(dǎo)體，那么在兩種半導(dǎo)體的交界面附近就形成了體，那么在兩種半導(dǎo)體的交界面附近就形成了PN結(jié)，結(jié)，PN結(jié)是結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。一、一、PN結(jié)的形成結(jié)的形成 P型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，由于交界面兩側(cè)多子和少子的濃度有很大的由于交界面兩側(cè)多子和少子的濃度有很大的差別，差別，N區(qū)的電子必然向區(qū)的電子必然向P區(qū)運(yùn)動(dòng)，區(qū)運(yùn)動(dòng)，這種這種由于由于濃度濃度差差引起的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為引起的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體

24、基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) PN 結(jié)中載流子的運(yùn)動(dòng)結(jié)中載流子的運(yùn)動(dòng)1. 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)2. 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形 成 空 間 電形 成 空 間 電荷區(qū)荷區(qū)電子和空電子和空穴濃度差形成穴濃度差形成多數(shù)載流子的多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。 PN 結(jié)，結(jié)，耗盡層。耗盡層。PN耗盡層耗盡層空間電空間電 荷區(qū)荷區(qū)PN圖圖1.1.5 PN結(jié)的形成結(jié)的形成 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 3. 空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)PN空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)Uho空間電荷區(qū)正負(fù)離子之間電位差空間電荷區(qū)正負(fù)離子之間電位差 Uho 電位壁壘電位壁壘； 內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)；內(nèi)電場(chǎng)

25、阻止多子的；內(nèi)電場(chǎng)阻止多子的擴(kuò)散擴(kuò)散 阻擋層阻擋層。4. 漂移運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)有內(nèi)電場(chǎng)有利 于 少 子 運(yùn)利 于 少 子 運(yùn)動(dòng)動(dòng)漂移。漂移。 少子的運(yùn)少子的運(yùn)動(dòng)與多子運(yùn)動(dòng)動(dòng)與多子運(yùn)動(dòng)方向相反方向相反 阻擋層阻擋層 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 5. 擴(kuò)散與漂移的動(dòng)態(tài)平衡擴(kuò)散與漂移的動(dòng)態(tài)平衡 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)增大，擴(kuò)散電流逐擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)增大，擴(kuò)散電流逐漸減小；漸減小； 隨著內(nèi)電場(chǎng)的增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)逐漸增加；隨著內(nèi)電場(chǎng)的增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)逐漸增加；當(dāng)擴(kuò)散電流與漂移電流相等時(shí)，當(dāng)擴(kuò)散電流與漂移電流相等時(shí)，PN 結(jié)總的電流結(jié)總的電流等于零，空間電荷區(qū)的寬度達(dá)到穩(wěn)定

26、。等于零，空間電荷區(qū)的寬度達(dá)到穩(wěn)定。對(duì)稱(chēng)結(jié)：對(duì)稱(chēng)結(jié)：正離正離子區(qū)寬度子區(qū)寬度=負(fù)離負(fù)離子區(qū)寬度子區(qū)寬度即即擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。不對(duì)稱(chēng)結(jié)：書(shū)不對(duì)稱(chēng)結(jié)：書(shū)P14PNPN結(jié)結(jié) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 二、二、PNPN結(jié)的特性結(jié)的特性1.1.單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?P P區(qū)接電源正極，區(qū)接電源正極，N N區(qū)接電源負(fù)極區(qū)接電源負(fù)極( (正向正向偏置偏置) )。外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)相反，擴(kuò)散與漂移運(yùn)外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)相反，擴(kuò)散與漂移運(yùn)動(dòng)的平衡被破壞，外電場(chǎng)驅(qū)使動(dòng)的平衡被破壞，外電場(chǎng)驅(qū)使P P區(qū)的空穴進(jìn)入?yún)^(qū)的空穴進(jìn)入空間電荷區(qū)，抵消一部分空

27、間電荷，于是整空間電荷區(qū)，抵消一部分空間電荷，于是整個(gè)空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場(chǎng)被削弱個(gè)空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場(chǎng)被削弱，多子的多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加強(qiáng), ,形成較大的擴(kuò)散電流，形成較大的擴(kuò)散電流，PNPN結(jié)導(dǎo)結(jié)導(dǎo)通，這時(shí)通，這時(shí)PNPN結(jié)呈現(xiàn)的電阻很低，叫結(jié)呈現(xiàn)的電阻很低，叫“正向電正向電阻阻”。如圖。如圖1.1.6所示。所示。(1)外加正向電壓外加正向電壓(正向偏置正向偏置) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 二、二、PNPN結(jié)的特性結(jié)的特性1.1.單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?P P區(qū)接電源正極，區(qū)接電源正極，N N區(qū)接電源負(fù)極區(qū)接電源負(fù)極( (正向正向偏置偏置) )。(

28、1) 外加正向電壓外加正向電壓(正向偏置正向偏置)圖圖1.1.6 PN PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) (2)(2)外加反向電壓外加反向電壓( (反向偏置反向偏置) ) P P區(qū)接電源的負(fù)極區(qū)接電源的負(fù)極,N,N區(qū)接電源正極區(qū)接電源正極( (稱(chēng)反稱(chēng)反向偏置向偏置) )。 外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)一致，加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)，外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)一致，加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)，也破壞了擴(kuò)散與漂移也破壞了擴(kuò)散與漂移運(yùn)動(dòng)的平衡，外電場(chǎng)運(yùn)動(dòng)的平衡，外電場(chǎng)使空間電荷區(qū)兩側(cè)的使空間電荷區(qū)兩側(cè)的空穴和自由電子移走空穴和自由電子移走，使得空間電荷區(qū)變，使得空間電荷區(qū)變寬，內(nèi)電場(chǎng)

29、加強(qiáng)，擴(kuò)寬，內(nèi)電場(chǎng)加強(qiáng)，擴(kuò)散很困難，但是散很困難，但是促使促使圖圖1.1.7 PN PN結(jié)加反向電壓時(shí)截止結(jié)加反向電壓時(shí)截止 結(jié)論結(jié)論: :PNPN結(jié)加正向電壓時(shí)結(jié)加正向電壓時(shí)，PNPN結(jié)變窄結(jié)變窄，正正向電阻很低向電阻很低，正向電流大正向電流大，PNPN結(jié)導(dǎo)通結(jié)導(dǎo)通。PNPN結(jié)結(jié)加反向電壓時(shí)加反向電壓時(shí)，PNPN結(jié)變寬，結(jié)變寬，反向電阻很大反向電阻很大，PNPN結(jié)截止結(jié)截止。這種特性稱(chēng)為。這種特性稱(chēng)為單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦浴?模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 少子漂移，在回路中形成反向電流，因少子的少子漂移，在回路中形成反向電流，因少子的濃度很低，并在溫度一定時(shí)少子的

30、濃度不變，濃度很低，并在溫度一定時(shí)少子的濃度不變，所以反向電流不僅很小，它基本上不隨外加電所以反向電流不僅很小，它基本上不隨外加電壓增大而增加，故稱(chēng)為反向飽和電流，用壓增大而增加，故稱(chēng)為反向飽和電流，用Is表表示，此時(shí)示，此時(shí)PNPN結(jié)截止，如圖結(jié)截止，如圖1.1.7所示。所示。 PN結(jié)兩端的電壓結(jié)兩端的電壓U和通過(guò)和通過(guò)PN結(jié)的電流結(jié)的電流I之之間間的關(guān)系為：的關(guān)系為：1)e(IIUUST26mV11600300C101.6k300kJ101.38qkTU1923T IS S為反向飽和電流為反向飽和電流，UT=kt/q 溫度電壓當(dāng)溫度電壓當(dāng)量量，k k為玻耳茲曼常數(shù)為玻耳茲曼常數(shù)，T T為熱

31、力學(xué)溫度為熱力學(xué)溫度，q q為為電子的基本電量電子的基本電量。在常溫。在常溫2727o oC=300C=300o oK K時(shí)：時(shí)： 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 2.PN2.PN結(jié)方程結(jié)方程3.PN3.PN結(jié)的伏安特性曲線結(jié)的伏安特性曲線(1)(1)正向特性正向特性圖圖1.1.10 PN PN結(jié)的伏安特性結(jié)的伏安特性 正向偏置時(shí)正向偏置時(shí), ,只要只要UUT幾倍以上幾倍以上, , , ,即即I隨隨U按指數(shù)規(guī)律變化；按指數(shù)規(guī)律變化；PN結(jié)的伏安特性結(jié)的伏安特性曲線如圖曲線如圖1.1.10所示。所示。eIIUUST 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第

32、第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) VGVSei1 . 0:5 . 0:死區(qū) 電區(qū) ：VVGVVSei2 . 03 . 01 . 0:7 . 08 . 06 . 0:取取取取正向?qū)妷海赫驅(qū)妷海?I大，大，U小看作小看作U=0=0，U不變，這時(shí)的電不變，這時(shí)的電壓值叫壓值叫正向?qū)妷骸Ｕ驅(qū)妷骸?2)(2)反向特性反向特性 書(shū)書(shū)P P1616 反向偏置時(shí)，只要反向偏置時(shí)，只要U大大于于UT幾倍以上，幾倍以上，I-IS，其，其死區(qū)電壓死區(qū)電壓正正向向特特性性反向特性反向特性擊擊穿穿電電壓壓 加反向電壓后加反向電壓后, ,反向電流開(kāi)始增加，隨反向電流開(kāi)始增加，隨后飽和基本恒定，反

33、向飽和電流后飽和基本恒定，反向飽和電流Is s與反向電壓與反向電壓無(wú)關(guān)，很小。無(wú)關(guān)，很小。越越小小質(zhì)質(zhì)量量越越好好級(jí)級(jí)級(jí)級(jí)AAGAnASIeiS10:10:69 反向飽和電流由少數(shù)載流子產(chǎn)生反向飽和電流由少數(shù)載流子產(chǎn)生, ,少數(shù)載少數(shù)載流子取決于溫度流子取決于溫度, ,所以所以Is s的大小取決于溫度的大小取決于溫度, ,Is s隨溫度呈指數(shù)規(guī)律上升。隨溫度呈指數(shù)規(guī)律上升。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 中負(fù)號(hào)表示為反向電流。中負(fù)號(hào)表示為反向電流。三、三、PNPN結(jié)的擊穿結(jié)的擊穿 反向電壓增大到某一數(shù)值反向電壓增大到某一數(shù)值UBR后后, ,反向電反向電流會(huì)急劇增加

34、流會(huì)急劇增加, ,這種現(xiàn)象稱(chēng)為這種現(xiàn)象稱(chēng)為反向擊穿反向擊穿。去去掉掉反反向向電電壓壓仍仍能能使使用用允允許許耗耗散散功功率率較較低低齊齊納納擊擊穿穿較較高高雪雪崩崩擊擊穿穿可可逆逆電電擊擊穿穿允允許許耗耗散散功功率率不不可可逆逆熱熱擊擊穿穿反反向向擊擊穿穿,: )(: )(VIUUVIBBBRBRBB 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 原因原因: :制造工藝、制造工藝、PN結(jié)寬度、摻雜濃度不同等。結(jié)寬度、摻雜濃度不同等。 對(duì)硅材料的對(duì)硅材料的PN結(jié)，反向擊穿電壓在結(jié)，反向擊穿電壓在7V以以上的為雪崩擊穿；上的為雪崩擊穿；4V以下的為齊納擊穿，在以下的為齊納擊穿，在4V

35、7V間的擊穿，則兩種情況都有。間的擊穿，則兩種情況都有。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) PN結(jié)除了單向?qū)щ娦酝猓€有一定的電結(jié)除了單向?qū)щ娦酝猓€有一定的電容效應(yīng)，按產(chǎn)生的原因不同可分為容效應(yīng)，按產(chǎn)生的原因不同可分為勢(shì)壘電容勢(shì)壘電容和和擴(kuò)散電容擴(kuò)散電容。電容特點(diǎn)電容特點(diǎn): :容納電荷，充、放電。容納電荷，充、放電。1.1.壘勢(shì)電容壘勢(shì)電容C Cb b四、四、PNPN結(jié)的電容效應(yīng)結(jié)的電容效應(yīng)Cb b為幾皮法至一、二百皮法。為幾皮法至一、二百皮法。反偏：反偏：Cb b作用明顯。作用明顯。 PN結(jié)外加電壓變化時(shí)，空間電荷區(qū)的寬結(jié)外加電壓變化時(shí)，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化

36、，有電荷的積累和釋放的過(guò)程，度將發(fā)生變化，有電荷的積累和釋放的過(guò)程，與電容的充放電相同，其等效電容稱(chēng)為勢(shì)壘與電容的充放電相同，其等效電容稱(chēng)為勢(shì)壘電容電容Cb b。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 勢(shì)壘電容示意圖勢(shì)壘電容示意圖擴(kuò)散電容示意圖擴(kuò)散電容示意圖Cj j= =Cb b+ +Cd d 。正偏。正偏: :Cj jCd d 反偏反偏: :Cj jCb b 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 返回返回 在在PN結(jié)的等效電路中結(jié)的等效電路中Cb b和和Cd d是并聯(lián)的，是并聯(lián)的，PN結(jié)結(jié)的結(jié)電容的結(jié)電容: : Cb b、Cd d一般都很小，結(jié)面積

37、小的為一般都很小，結(jié)面積小的為1pf左左右，結(jié)面積大的為幾十至幾百右，結(jié)面積大的為幾十至幾百pf，當(dāng)工作頻，當(dāng)工作頻率很高時(shí)，就要考慮結(jié)電容的作用。率很高時(shí)，就要考慮結(jié)電容的作用。 2.2.擴(kuò)散電容擴(kuò)散電容Cd Cd dI擴(kuò)擴(kuò) 正偏：正偏：Cd d大，作用明顯。大，作用明顯。 PN結(jié)外加的正向電壓變化時(shí)，在擴(kuò)散過(guò)結(jié)外加的正向電壓變化時(shí)，在擴(kuò)散過(guò)程中載流子的濃度及其梯度均有變化，也有程中載流子的濃度及其梯度均有變化，也有電荷的積累和釋放的過(guò)程，其等效電容稱(chēng)為電荷的積累和釋放的過(guò)程，其等效電容稱(chēng)為擴(kuò)散電容擴(kuò)散電容Cd d。 結(jié)電容不是常量！若結(jié)電容不是常量！若PN結(jié)外加電壓頻率結(jié)外加電壓頻率高到一

38、定程度，則失去單向?qū)щ娦裕「叩揭欢ǔ潭龋瑒t失去單向?qū)щ娦裕?模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 1.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管1.2.1 半導(dǎo)體二極管的幾種常見(jiàn)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管的幾種常見(jiàn)結(jié)構(gòu)1.2.4 二極管的等效電路二極管的等效電路1.2.5 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管1.2.2 二極管的伏安特性二極管的伏安特性1.2.3 二極管的主要參數(shù)二極管的主要參數(shù) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 將將PNPN結(jié)封裝，引出兩個(gè)電極，結(jié)封裝，引出兩個(gè)電極，就構(gòu)成了二極管。就構(gòu)成了二極管。點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型: ( (鍺管多鍺管多) )結(jié)面積小，結(jié)電容小結(jié)面積小

39、，結(jié)電容小故結(jié)允許的電流小故結(jié)允許的電流小適用于高頻適用于高頻( (幾百兆赫幾百兆赫) )面接觸型面接觸型: ( (硅管多硅管多) )結(jié)面積大，結(jié)電容大結(jié)面積大，結(jié)電容大故結(jié)允許的電流大故結(jié)允許的電流大最高工作頻率低最高工作頻率低平面型：平面型：結(jié)面積可小、可大結(jié)面積可小、可大小的工作頻率高小的工作頻率高大的結(jié)允許的電流大大的結(jié)允許的電流大 1.2.1 半導(dǎo)體二極管的幾種常見(jiàn)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管的幾種常見(jiàn)結(jié)構(gòu)圖圖1.2.1 二極管的幾種外形二極管的幾種外形圖圖1.2.2 二極管的幾種常見(jiàn)結(jié)構(gòu)二極管的幾種常見(jiàn)結(jié)構(gòu) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體二極管圖片半導(dǎo)體二極

40、管圖片 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體二極管圖片半導(dǎo)體二極管圖片 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體二極管圖片半導(dǎo)體二極管圖片 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體二極管圖片半導(dǎo)體二極管圖片 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管:(:(鍺管多鍺管多) )二極管的結(jié)構(gòu)示意圖二極管的結(jié)構(gòu)示意圖(a)(a)點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型 PNPN結(jié)結(jié)面積小，結(jié)面積小，結(jié)電容小，用電容小，用于檢波和變于檢波和變頻等高頻電頻等高頻電路。路。1.2.1 半導(dǎo)體二極管的幾種

41、常見(jiàn)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體二極管的幾種常見(jiàn)結(jié)構(gòu) 用途用途: :主要應(yīng)用于小電流主要應(yīng)用于小電流的的整流整流和和高頻時(shí)的檢波高頻時(shí)的檢波、混頻混頻等。等。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 2 面接觸型二極管面接觸型二極管( (硅管多硅管多) ) PN結(jié)面積大，結(jié)面積大，用于工頻大電流整用于工頻大電流整流電路。流電路。(b)(b)面接觸型面接觸型 用途用途:只能在較低的只能在較低的頻率工作，一般僅做整頻率工作，一般僅做整流管。流管。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 4 二極管的代表符號(hào)二極管的代表符號(hào)(d) 代代表表符符號(hào)號(hào)k 陰陰極極陽(yáng)陽(yáng)極極 aD3

42、平面型二極管平面型二極管(c)(c)平面型平面型陰陰極極引引線線陽(yáng)陽(yáng)極極引引線線PNP 型型支支持持襯襯底底 用途用途:適適用于在脈沖數(shù)字用于在脈沖數(shù)字電路中做開(kāi)關(guān)管。電路中做開(kāi)關(guān)管。 往往用于集往往用于集成電路制造工藝成電路制造工藝中。中。PN 結(jié)面積結(jié)面積可大可小，用于可大可小，用于高頻整流和開(kāi)關(guān)高頻整流和開(kāi)關(guān)電路中。電路中。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 材料材料開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓導(dǎo)通電壓導(dǎo)通電壓反向飽和電流反向飽和電流硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下以下鍺鍺Ge0.1V0.10.3V幾十幾十A)(ufi 開(kāi)啟開(kāi)啟電壓電壓反向飽反向飽和電流和電流反向擊反

43、向擊穿電壓穿電壓mV)26( ) 1e (TSTUIiUu常常溫溫下下溫度的溫度的電壓當(dāng)量電壓當(dāng)量導(dǎo)通電壓：導(dǎo)通電壓：硅管硅管，取取0.7V，鍺管鍺管，取取0.2V。 1.2.2 二極管的伏安特性二極管的伏安特性 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 從二極管的伏安特性可以反映出：從二極管的伏安特性可以反映出：。，則，則若反向電壓若反向電壓；，則，則若正向電壓若正向電壓STSTTeIiUuIiUuUu1)(eIiTUuS2.2.伏安特性受溫度影響伏安特性受溫度影響T（）在電流不變情況下管壓降在電流不變情況下管壓降u 反向飽和電流反向飽和電流IS，U(BR) T（）正向特性

44、左移，反向特性下移正向特性左移，反向特性下移正向特性為正向特性為指數(shù)曲線指數(shù)曲線反向特性為橫軸的平行線反向特性為橫軸的平行線1. 單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦詧D圖1.2.3 二極管的伏安特性二極管的伏安特性 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 二極管的特性對(duì)溫度很敏感二極管的特性對(duì)溫度很敏感, ,隨溫度升高隨溫度升高正向特性曲線向左移正向特性曲線向左移, ,反向特性曲線向下移反向特性曲線向下移，變化的規(guī)律是變化的規(guī)律是: :在室溫附近在室溫附近, ,溫度每升高溫度每升高1,1,正向壓降減小正向壓降減小2 22.5mV2.5mV；溫度每升高；溫度每升高10,10,反反向電流約增大

45、一倍。向電流約增大一倍。AICAICAICCmvdTUdSSS40:45;20:35;10:25/)5 . 22( 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 1.2.3 二極管的主要參數(shù)及注意事項(xiàng)二極管的主要參數(shù)及注意事項(xiàng) 器件的參數(shù)是其特性的定量描述器件的參數(shù)是其特性的定量描述, ,是我們是我們正確使用和合理選擇器件的依據(jù)。正確使用和合理選擇器件的依據(jù)。一、二極管的主要參數(shù)一、二極管的主要參數(shù)1.1.最大整流電流最大整流電流IF 指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)允許通過(guò)的最大正向指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)允許通過(guò)的最大正向平均電流。平均電流。 二極管在工作時(shí)二極管在工作時(shí), ,電流的方向不變電流

46、的方向不變, ,但大但大小小是變的是變的,所以取平均值。所以取平均值。 如如: :整流時(shí)二極管電流的波形整流時(shí)二極管電流的波形 ， ，超過(guò)就壞了。手冊(cè)：，超過(guò)就壞了。手冊(cè)：IF=50mA=50mA，大好。，大好。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 反向工作電壓反向工作電壓UR 指二極管在使用時(shí)所允許加的最大反向指二極管在使用時(shí)所允許加的最大反向電壓。通常取反向擊穿電壓的一半作為電壓。通常取反向擊穿電壓的一半作為UR。反向電流反向電流IR 指二極管未擊穿時(shí)的反向電流值。此值指二極管未擊穿時(shí)的反向電流值。此值越小，二極管的單向?qū)щ娦栽胶谩Ｊ謨?cè)上一越小，二極管的單向?qū)щ娦栽?/p>

47、好。手冊(cè)上一般用反向飽和電流般用反向飽和電流Is。最高工作頻率最高工作頻率fM 主要由主要由PNPN結(jié)的結(jié)電容大小決定，超過(guò)此值結(jié)的結(jié)電容大小決定，超過(guò)此值，二極管的單向?qū)щ娦詫⒉荒芎芎玫捏w現(xiàn)。，二極管的單向?qū)щ娦詫⒉荒芎芎玫捏w現(xiàn)。 2.2.手冊(cè)上的參數(shù)是在一定的測(cè)試條件下手冊(cè)上的參數(shù)是在一定的測(cè)試條件下測(cè)得的，應(yīng)用時(shí)應(yīng)注意這些條件，若條件改測(cè)得的，應(yīng)用時(shí)應(yīng)注意這些條件，若條件改變，相應(yīng)的參數(shù)值也會(huì)發(fā)生變化。變，相應(yīng)的參數(shù)值也會(huì)發(fā)生變化。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 二、注意事項(xiàng)二、注意事項(xiàng) 1.1.由于制造工藝的限制，即使是同一型由于制造工藝的限制，即使是同一

48、型號(hào)的管子，參數(shù)的分散性也很大，一模一樣號(hào)的管子，參數(shù)的分散性也很大，一模一樣的管子很難找，同一個(gè)爐里燒出來(lái)也都不一的管子很難找，同一個(gè)爐里燒出來(lái)也都不一樣，手冊(cè)上往往是給出參數(shù)的范圍。樣，手冊(cè)上往往是給出參數(shù)的范圍。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 三、二極管的選擇三、二極管的選擇選擇二極管的幾條基本原則：選擇二極管的幾條基本原則： 要求正向?qū)妷旱蜁r(shí)選鍺管；要求要求正向?qū)妷旱蜁r(shí)選鍺管；要求反向電流小時(shí)選硅管。反向電流小時(shí)選硅管。 要求導(dǎo)通電流大時(shí)選平面型；要求工要求導(dǎo)通電流大時(shí)選平面型；要求工作頻率高時(shí)選點(diǎn)接觸型。作頻率高時(shí)選點(diǎn)接觸型。 要求反向擊穿電壓高

49、時(shí)選硅管。要求反向擊穿電壓高時(shí)選硅管。 要求耐高溫時(shí)選硅管。要求耐高溫時(shí)選硅管。 ( (Si：150；Ge：75) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體二極管的型號(hào)：半導(dǎo)體二極管的型號(hào)：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名舉例如下：+-二極管符號(hào)：二極管符號(hào)： 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 小結(jié)小結(jié)：二、二、PNPN結(jié)的特性結(jié)的特性一、一、PN結(jié)的形成結(jié)的形成 結(jié)論結(jié)論: :PNPN結(jié)加正向電壓時(shí)結(jié)加正向電壓時(shí)，PNPN結(jié)變窄結(jié)變窄，正向正向電阻很低電阻很低，正向電流大正向電流大，PNPN結(jié)導(dǎo)通結(jié)導(dǎo)通

50、。PNPN結(jié)加反結(jié)加反向電壓時(shí)向電壓時(shí)，PNPN結(jié)變寬，結(jié)變寬，反向電阻很大反向電阻很大，PNPN結(jié)截結(jié)截止止。這種特性稱(chēng)為。這種特性稱(chēng)為單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦浴?1)e(TSUUII PN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦?PN結(jié)的方程結(jié)的方程四、四、PNPN結(jié)的電容效應(yīng)結(jié)的電容效應(yīng)3.PN3.PN結(jié)的伏安特性曲線結(jié)的伏安特性曲線三、三、PNPN結(jié)的擊穿結(jié)的擊穿 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 1. 將伏安特性折線化將伏安特性折線化理想理想二極管二極管近似分析近似分析中最常用中最常用理想開(kāi)關(guān)理想開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通時(shí) UD0截止時(shí)截止時(shí) I0導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通時(shí)UDUon截止時(shí)截止時(shí)

51、I0導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通時(shí)i與與u成成線性關(guān)系線性關(guān)系應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路！應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路！ 1.2.4 二極管的等效電路二極管的等效電路圖圖1.2.4 由伏安特性折線化得到的等效電路由伏安特性折線化得到的等效電路（a a）理想二極管（）理想二極管（b b）正向?qū)〞r(shí)端電壓為常量）正向?qū)〞r(shí)端電壓為常量（c c）正向?qū)〞r(shí)端電壓與電流成線性關(guān)系）正向?qū)〞r(shí)端電壓與電流成線性關(guān)系 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) DTDDdIUiur根根據(jù)據(jù)電電流流方方程程，Q越高，越高，rd越小。越小。 當(dāng)二極管在靜態(tài)基礎(chǔ)上有一動(dòng)態(tài)信號(hào)作用當(dāng)二極管在靜態(tài)基礎(chǔ)上有一

52、動(dòng)態(tài)信號(hào)作用時(shí)，則可將二極管等效為一個(gè)電阻，稱(chēng)為動(dòng)態(tài)時(shí)，則可將二極管等效為一個(gè)電阻，稱(chēng)為動(dòng)態(tài)電阻，也就是微變等效電路。電阻，也就是微變等效電路。ui=0時(shí)直流電源作用時(shí)直流電源作用小信號(hào)作用小信號(hào)作用靜態(tài)電流靜態(tài)電流2. 2. 微變等效電路微變等效電路 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) UIUIuIuiuirUUuuTDTSDSDDDDde/d1)e(ddd1TDTDIUrDTd即即 式中的式中的ID是指該固定電流的數(shù)值。可以是指該固定電流的數(shù)值。可以看出，看出，ID不同不同時(shí)曲線的斜率不同，微變等效時(shí)曲線的斜率不同，微變等效電阻也不同。電阻也不同。這個(gè)等效電路只適用

53、于二極管這個(gè)等效電路只適用于二極管正向?qū)ㄇ倚盘?hào)變化幅值小的情況。正向?qū)ㄇ倚盘?hào)變化幅值小的情況。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 定性分析：定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止否則，正向管壓降否則，正向管壓降硅：硅：0.7V鍺鍺：0.2V分析方法：將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端分析方法：將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低或所加電壓電位的高低或所加電壓UD的正負(fù)。的正負(fù)。若若 U陽(yáng)陽(yáng) U陰陰或或 UD為正，二極管導(dǎo)通（正向偏置）為正，二極管導(dǎo)通（正向偏置）若若 U陽(yáng)陽(yáng) U陰陰 ，二極管導(dǎo)通，若忽略管壓降，二極管可看作二極管導(dǎo)通，若忽略

54、管壓降，二極管可看作短路，短路，UAB = 6V。 實(shí)際上，實(shí)際上， UAB低于低于6V一個(gè)管壓降，一個(gè)管壓降，為為6.3或或6.7V 解：解：取取B 點(diǎn)作點(diǎn)作為參考點(diǎn)，斷開(kāi)二為參考點(diǎn)，斷開(kāi)二極管，分析二極管極管，分析二極管陽(yáng)極和陰極的電位。陽(yáng)極和陰極的電位。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 例例4:4: 電路如圖，求：電路如圖，求：UAB 若忽略二極管正若忽略二極管正向壓降，二極管向壓降，二極管VD2可看作短路，可看作短路，UAB = 0 V ，VD1截止。截止。 取取 B 點(diǎn)作點(diǎn)作參考點(diǎn)參考點(diǎn)，VD1 陽(yáng)陽(yáng) =6 V，VD2 陽(yáng)陽(yáng) =0 V ，VD1 陰陰 =

55、VD2 陰陰 = -12V ，由于，由于VD2 陽(yáng)陽(yáng)電壓高，因此電壓高，因此VD2導(dǎo)通。導(dǎo)通。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) ui 8V 二極管導(dǎo)通，可看作短路二極管導(dǎo)通，可看作短路 uo = 8V ui 8V 二極管截止，可看作開(kāi)路二極管截止，可看作開(kāi)路 uo = ui已知：已知： 二極管是理想的，試二極管是理想的，試畫(huà)出畫(huà)出 uo 波形。波形。V sin18tui u2t 18V參考點(diǎn)參考點(diǎn)8V例例5 5二極管的用途：二極管的用途： 整流、檢波、限整流、檢波、限幅、箝位、開(kāi)關(guān)、幅、箝位、開(kāi)關(guān)、 元元器件保護(hù)、溫度補(bǔ)償器件保護(hù)、溫度補(bǔ)償?shù)取５取?模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

56、 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) |ui |0.7V時(shí)，時(shí)， D1、D2中有一個(gè)導(dǎo)通，所以中有一個(gè)導(dǎo)通，所以u(píng)o = UD = 0.7VD1D2R+_+_uouiD2D10.7V-0.7Vuoui例例6：UD= 0.7V如圖所示：如圖所示： 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 1.1.伏安特性伏安特性進(jìn)入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流進(jìn)入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流不至于損壞的最大電流不至于損壞的最大電流 由一個(gè)由一個(gè)PNPN結(jié)組成，反向結(jié)組成，反向擊穿后在一定擊穿后在一定的電流范圍內(nèi)的電流范圍內(nèi)端電壓基本不端電壓基本不變，為穩(wěn)定電變，為穩(wěn)定電壓。壓。2.2.主要參數(shù)主要參數(shù)穩(wěn)定電壓穩(wěn)

57、定電壓UZ、穩(wěn)定電流、穩(wěn)定電流IZ最大功耗最大功耗PZM IZM UZ，動(dòng)態(tài)電阻動(dòng)態(tài)電阻rzUZ /IZ圖圖1.2.10 穩(wěn)壓管的伏安特性和等效電路穩(wěn)壓管的伏安特性和等效電路 1.2.5 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 指穩(wěn)壓管中的電流為規(guī)定電流時(shí)，穩(wěn)壓指穩(wěn)壓管中的電流為規(guī)定電流時(shí)，穩(wěn)壓管兩端的電壓值。即穩(wěn)壓管的反向擊穿電壓管兩端的電壓值。即穩(wěn)壓管的反向擊穿電壓。 穩(wěn)定電壓不是一點(diǎn)不變，變化很小，可穩(wěn)定電壓不是一點(diǎn)不變，變化很小，可看作不變。看作不變。2CW14型穩(wěn)壓管的在型穩(wěn)壓管的在67.5V之間之間(測(cè)試電流為測(cè)試電流為10mA)。1.1.穩(wěn)定電壓

58、穩(wěn)定電壓Uz2.2.穩(wěn)壓電流穩(wěn)壓電流IZ（工作點(diǎn)）（工作點(diǎn)） 是穩(wěn)壓管正常工作時(shí)的參考電流值。電是穩(wěn)壓管正常工作時(shí)的參考電流值。電流低于此值時(shí)，穩(wěn)壓效果略差；高于此值時(shí)流低于此值時(shí)，穩(wěn)壓效果略差；高于此值時(shí)，只要不超過(guò)額定功耗都可以正常工作，且，只要不超過(guò)額定功耗都可以正常工作，且電流越電流越大，穩(wěn)壓效果越好，但管子的功耗要大，穩(wěn)壓效果越好，但管子的功耗要增加。增加。 2CW21C：IZ=30mA。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) rZ Z越小，穩(wěn)壓性能就越好，越小，穩(wěn)壓性能就越好，rZ Z隨工作電流不隨工作電流不同而變化，電流越大，同而變化，電流越

59、大，rZ Z越小。越小。2CW7C型穩(wěn)壓型穩(wěn)壓管：管：IZ Z= =5mA時(shí)，時(shí)，rZ Z=18=18，IZ Z= =10mA時(shí)，時(shí)，rZ Z= =8，IZ Z= =20mA時(shí)，時(shí)，rZ Z= =2，rZ Z：幾：幾幾十幾十。 4.4.動(dòng)態(tài)電阻動(dòng)態(tài)電阻r rz z 是穩(wěn)壓管兩端的電壓和通過(guò)穩(wěn)壓管的電是穩(wěn)壓管兩端的電壓和通過(guò)穩(wěn)壓管的電流兩者變化量之比。流兩者變化量之比。3.3.額定功耗額定功耗P PZMZM 它是由管子允許溫升所決定的參數(shù)，其它是由管子允許溫升所決定的參數(shù)，其數(shù)值為穩(wěn)定電壓數(shù)值為穩(wěn)定電壓UZ和允許的最大電流和允許的最大電流IZM的乘的乘積。積。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)

60、體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 5.5.溫度參數(shù)溫度參數(shù) 是說(shuō)明穩(wěn)定電壓值受溫度影響的參數(shù)，是說(shuō)明穩(wěn)定電壓值受溫度影響的參數(shù)，其數(shù)值為溫度每升高其數(shù)值為溫度每升高11時(shí)的穩(wěn)定電壓值的相時(shí)的穩(wěn)定電壓值的相對(duì)變化量。對(duì)變化量。T1TzzzzUUUUUZ4V時(shí)，時(shí)，7V時(shí)，時(shí)，0，正溫度系數(shù)（雪崩擊穿）。，正溫度系數(shù)（雪崩擊穿）。4VUZ3V,D2導(dǎo)通導(dǎo)通VUO323702. -2.3VIB即即有電流有電流放大放大； iC基本上不受基本上不受uCE的控制，的控制，uCE升高升高，iC基本不變，基本不變，具有恒流特性具有恒流特性。 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第1章章 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 2.2.放大區(qū)：