1、SFSF6 6氣體絕緣全封閉組合電器（氣體絕緣全封閉組合電器（GISGIS）技術技術第一章 概述氣體絕緣全封閉組合電器(GIS)，英文全稱Gas Insulater Switchgear。GIS設備由斷路器、母線、隔離開關、電流互感器、電壓互感器、避雷器、套管等七種電器元件組合而成。以SF6氣體作為絕緣介質，電場結構采用同軸圓柱體間隙的稍不均勻電場。常規變電站電氣設備采用空氣絕緣、電場結構為棒-板組成的極不均勻電場GIS設備的所有帶電部分被金屬外殼所包圍，其材料為鋁合金、不銹鋼或無磁鑄鋼。并采用銅母線接地，內部充有一定壓力的SF6氣體。GIS設備的特點與常規設備比，GIS設備占地面積少GIS設

2、備的特點GIS設備不受環境影響運行安全可靠、維護工作量少、檢修周期長 由于SF6氣體絕緣性能、滅弧性能均優于空氣，斷路器開斷能力高，觸頭燒傷輕微，故維修周期長、故障率低。施工工期短GIS設備沒有無線電干擾和噪聲干擾 第二章 SF6氣體的性質u第一節 SF6氣體的基本性質 SF6氣體是世界上目前最優良的絕緣介質和滅弧介質。它無色、無味、無嗅、無毒、不燃燒；在常溫常壓下，化學性能穩定；與傳統絕緣油相比，其絕緣性能和滅弧性能都要好得多。 SF6分子量較大，為146，是氮氣的5.2倍；在溫度為20，氣壓為101.325kPa下密度為6.16kg/m3，空氣的5.1倍。 SF6氣體在常溫甚至較高溫度下，

3、一般不會發生化學反應，電氣設備的最高允許溫度在150時，SF6氣態穩定。SF6氣體本身的分解溫度為500；在銅和鋁中，溫度達到200以上，才開始慢慢發生化學反應。但與其他金屬不發生劇烈化學反應。 SF6氣體的熱傳導性較差，導熱系數僅為空氣的2/3。氣體的傳熱效應并不單純靠傳導作用，還有對流。對流傳熱的能力與分子比熱有關，而SF6分子的比熱是空氣的3.4倍。導體在SF6氣體的表面散熱效果，是在空氣中的2.5倍。 SF6氣體是負電性氣體。SF6氣體在-40 T80，P0.8MPa范圍內氣態占優勢，如果20 時的充氣壓力為0 . 75MPa（相當于斷路器中常用的工作氣壓）,則對應的液化溫度約為25，

4、如果20時的充氣壓力為0 .45MPa ，則對應的液化溫度為一40，可見一般不存在液化問題，在高寒地區，需考慮采取措施，如加熱、采用SF6-N2混合氣體。氣體理想狀態方程：P=RrT P為氣體壓力、R為氣體常數、r為密度、T為溫度當SF6氣體的密度保持不變。氣體的溫度增加，其壓力升高；當SF6氣體的溫度保持溫度：密度上升，壓力隨著上升；密度下降，壓力也下降；當氣體的壓力保持不變，溫度上升，則氣體的密度下降。第二節 氣體狀態參數第三節 SF6氣體分解物的毒 性和其他性質SF6氣體本身是無毒的，但由于它比空氣重，所以會沉積在低洼地區（如電纜溝），使人缺氧窒息；在高溫小電流電弧作用下，SF6會分解一

5、些低氟化合物，這些分解物又和電極材料、水分、氧氣等進一步反應生成有毒性的其他化合物。影響SF6分解過程的主要因素 電弧能量的影響； 電極材料的影響； 水分的影響 氧氣的影響 設備中絕緣 材料的影響電弧作用下SF6分解物的性質 電氣設備開斷時產生電弧，在其作用下，SF6氣體主要有下列分解物，其性質如下： 四氟化硫（SF4） 在常溫下為無色氣體。有類似氧化硫的刺激味； 有毒性：SF4對肺有侵害作用，影響呼吸系統；其毒性與光氣（二氯化碳基）相當。2. 氟化硫（S2F2） 常溫下無色有嗅味的氣體； 有毒性：為有毒的刺激性氣體，對呼吸系統破壞作用較大。3. 二氟化硫（SF2） 化學性能極不穩定，受熱后更

6、加活潑，易水解，生產S、SO和HF； 有毒。4. 十氟化硫（S2F10） 常溫常壓下為無色易揮發的液體，化學性能極其穩定； 有毒：為劇毒物質，主要影響呼吸系統5. 氟化亞硫酰（SOF2） 無色氣體，有刺激性，化學性能穩定，在高溫下仍不活潑； 有毒：可致肺水腫病，能使動物窒息而死。6. 二氟化硫酰（ SO2F2 ） 無嗅無色氣體，化學上極其穩定； 有毒：能導致動物痙攣的有毒氣體7. 四氟化亞硫酰（SOF4） 無色氣體，有刺激性； 有毒：對人的肺部有侵害作用。第四節 GIS設備中的水分GIS設備中水分的來源 GIS設備在制造、運輸、安裝、檢修過程中可能接觸水分，將水分浸入到設備的各個元件里去； G

7、IS設備的絕緣件帶有0.1%0.5%ppmv的水分。在運行中，慢慢向外釋放； GIS設備中的吸附劑本身就含有水分； SF6氣體中含有水分，在新氣一般都進行干燥處理，使其含水量在規程規定的范圍內。水分對GIS設備的危害性 水分引起設備化學腐蝕； 水分對電氣設備絕緣件的危害。GIS中水分的控制 嚴格控制新氣的含水量，使其滿足國家標準； 改善GIS設備密封材料的含水量，嚴格遵守安裝密封環的工藝規程；3. 在GIS設備中放置吸附劑，并具備下列條件： 吸附劑放置低溫環境中，提高其吸水能力 吸附劑應有良好的戲份SF6分解物的能力 吸附劑與SF6氣體分解物反應時，不得產生二次有害物質 吸附劑在工作時，不粉化

8、、不潮解。4. GIS設備盡量使用室內式布置，可以控制室內的溫度、濕度，減少產生水分的機會，避免灰塵和其他雜質侵入到設備里去。雖然GIS設備室要增加一些土建投資，但對減少故障，改善GIS設備的運行條件是大有好處的，其運行的經濟效果遠大于土建投資。第五節 GIS設備中的吸附劑吸附劑的性能 SF6氣體中的水分、有毒氣體都可以用吸附劑來吸收，在GIS氣室里放置適量的吸附劑，可以減少水分和毒氣，從而保證運行人員的安全。吸附劑的材料 用作吸附劑的材料有活性炭、活性氧化鋁、分子篩等。活性炭 能吸收的分解物SOF2、SO2、SF5OCF3，對SOF4 、SO2F2也有一定的吸附能力，吸附S2F10O的性能最

9、強，對SO2F2的吸附效果差，對其總的評價是吸附能力最強，但選擇性差。由于活性炭吸附SF6氣體的能力也很強，所以不能用于GIS設備；2、活性氧化鋁（Al2O3） 能吸收的分解物SOF2、 SO2F2 、 S2F10O 、SO2、SOF4等分解物，但對 S2F10O 、SO2等不能定量吸附，有較好的選擇性。對 SO2F2的吸附能力差。它不吸收SF6氣體，所以是GIS設備較理想的吸附劑；第六節 SF6氣體的絕緣特性SF6氣體高電氣強度的原因 F是鹵族元素中負電性最強的，因此SF6分子具有很強的負電性，容易吸附電子成為負離子，阻礙放電的形成和發展； SF6分子的直徑比氧、氮分子的要大，使得電子在SF

10、6氣體中的平均自由行程縮短，不易積累能量；而SF6的電離電位又比氧、氮分子的大，因而減少了電子碰撞電離的可能性； 電子與SF6分子相遇時，還會因極化等過程增加能量損失，減弱其碰撞電離的能力。在不同電場下氣體擊穿特性 在空氣間隙中，由于電子碰撞產生的自由電子越來越多，當大量的正負離子的密度大致相當時，則在間隙中形成等離子體，它具有良好的導電性能，待等離子充斥整個間隙后，間隙則完全喪失絕緣性能，成為良導體，這一現象成為擊穿。間隙一旦擊穿，外界的游離因素可以取消，而由本身產生游離維持能量，這一過程叫做自持放電。OA段電流隨電壓升高而升高；AB段電流趨于穩定BC段出現碰撞電離C點出現自持放電。1. 均

11、壓電場下氣體擊穿特性 在均勻電場中，一旦電場間隙轉入自持放電，間隙就被擊穿。 在均勻電場中，空氣的擊穿場強約為30kV/cm。2. 極不均勻電場下氣體擊穿特性 在電場中一極是平板，另一極是棒電極，則形成棒-板電極，構成極不均勻電場。當電壓加于棒-板電極時，棒電極附近的電場很強，距棒一定距離后，電場急劇下降。這時，棒電極及其周圍的氣體已到達自持放電，而在其周圍發生電暈，稱為電暈放電，此時的電壓稱為電暈起始電壓；隨著間隙電壓升高，電暈不斷發展，直到間隙被擊穿。 極性效應 棒-板電極的擊穿電壓與施加電壓的極性有關。當棒電極為正時，電暈的起始電壓較高，而擊穿電壓較低；棒電極為負時，電暈起始電壓較低而擊

12、穿電壓較高，因此負棒正板的擊穿電壓要比正棒負板的擊穿電壓高。 3. 稍不均勻電場下氣體擊穿特性 在稍不均勻電場中，氣體擊穿前，也將在電場最大的電極上先產生電暈，但不能形成穩定的電暈放電。因為電場強度隨距離的增加降低不多。故一旦發生電暈放電，很快會導致間隙擊穿，電暈的起始電壓就是擊穿電壓。 稍不均勻電場也有極性效應，正極性擊穿電壓高于負極性。 稍不均勻電場的擊穿場強介于均勻電場和不均勻電場之間，其值與電場的均勻程度有很大關系。因此在安裝GIS設備時不能破壞電場的均勻性，如所有的均壓罩都應裝好，位置正確。均壓罩稍有歪斜就會影響電場的均勻性，擊穿電壓就會降低許多。SF6氣體的擊穿特性 SF6氣體的擊

13、穿過程與空氣相似，所不同的是SF6氣體是鹵族元素，具有較強的負電性，易吸收自由電子形成負離子。 由于離子在SF6氣體中的平均自由行程比電子短。因而獲得的能量也小。另一方面它和分子碰撞時，又容易將原來積累起來的能量損失掉。因此離子要積累足夠的能量的可能性也很小。故此離子的游離能力遠不如電子。因此在氣體放電中，負離子起阻礙放電形成的作用。 在均勻電場中，SF6氣體在0.1MPa下的擊穿場強約為88.5kV/cm，幾乎是空氣的三倍。 在極不均勻電場中，SF6氣體的擊穿： 工頻擊穿電壓隨氣壓的變化曲線存在“駝峰”現象；1.駝峰區段內的雷電擊穿電壓明顯低于靜態擊穿電壓。 原因：與空間電荷的運動有關。由于

14、空間電荷對棒極的屏蔽作用會使擊穿電壓提高，但在雷電沖擊電壓作用下，空間電荷來不及移動到有利位置，故其擊穿電壓低于靜態擊穿電壓。又氣壓提高時，空間電荷擴散得慢，因此在氣壓超過0.10.2MPa時，屏蔽作用減弱，工頻擊穿電壓也會下降。第七節 SF6氣體擊穿電壓 的影響因素電場均勻性對擊穿電壓的影響 電子數量增加速度的影響 在極不均勻電場中，當電場強度不斷增大時，SF6氣體中的帶電質點的增長速度較空氣大得多，因此電暈起始電壓提高不多。 SF6氣體的自屏蔽效應的影響 與空氣相比，SF6氣體分子的空間電荷熱運動速度低，使得棒極周圍的空間電荷密集，而不易向往擴散，未形成有效的均勻電荷層，因此其自屏蔽效應不

15、如空氣好。從而使得SF6氣體的 擊穿電壓與起暈電壓比較接近。 SF6氣體在不均勻電場中的擊穿電壓，要比均勻電場低得多，比空氣擊穿電壓的降低速度還要大，甚至接近。電極間隙對擊穿電壓的影響 在均勻電場中，空氣和SF6氣體的擊穿電壓都隨間隙的增大而升高。不過SF6氣體的擊穿電壓比空氣要大3倍。 在稍不均勻的電場中SF6氣體的擊穿電壓和電極間的間隙呈明顯飽和現象。 在極不均勻電場中，SF6氣體的擊穿電壓隨間隙距離的增大而出現飽和現象，其數值和空氣接近。SF6氣體擊穿電壓與電極間隙的關系SF6氣體壓力對擊穿電壓的影響 提高SF6氣體的壓力，可以提高間隙的絕緣強度。因為壓力升高后，減少了電子的平均自由行程

16、，使得電子在二次碰撞之間所積累的動能減少，從而減少電離。因此氣體的壓力增加后，間隙中的擊穿電壓也隨之升高，到壓力增高到一定程度后，擊穿電壓出現飽和現象。曲線未達到飽和時，間隙距離一定，壓力越高，擊穿電壓越高；擊穿電壓一定時，壓力越大，間隙距離就可以越小。電極表面狀態對SF6氣體擊穿電壓的影響 在均勻電場和稍不均勻電場中，空氣的擊穿電壓與電極表面的狀態和材料關系不大。但在高氣壓下，電極表面粗糙、有雜質、塵埃等，都將使擊穿電壓降低。這是因為電極表面產生強場放射的緣故。 電極表面粗糙度的影響 電極表面越粗糙，強場放射作用就越強，間隙擊穿電壓就越低。且正極性擊穿電壓比負極性降低幅度要大。 面積效應的影

17、響 定義：電極面積越大，出現降低擊穿電壓的概率就越多，其擊穿電壓就會降低。 電極表面越光滑，氣壓越高，其面積效應就越大。電極面積增大到一定程度后，面積效應就不再明顯。 電極材料的影響 試驗表明：電極材料對GIS設備的擊穿電壓無明顯影響。 導電粒子的影響 GIS設備中，導電粒子的存在，會明顯降低間隙擊穿電壓。 間隙擊穿電壓與導電粒子的形狀、大小和電壓波形有關。 工頻電壓下，在0.3mm長度的銅線時，擊穿電壓就開始明顯下降。其降低程度與導體的長度成正比，而與導體的材料無關。 電極的凈化 在間隙間電極施加一定時間電壓，利用間隙放電產生的能量將GIS設備內部的金屬微粒、導體毛刺等燒毀的過程。第八節 S

18、F6氣體中沿固體介 質表面的放電沿面放電的特性： 放電總是發生在沿著固體介質表面，且放電電壓比存空氣間隙的放電電壓壓低。 原因： 固體介質與電極接觸不良，存在間隙 在電場作用下，小間隙首先放電，產生的帶電粒子沿著固體介質的表面移動，使沿有電場發生畸變，降低了沿面閃絡電壓。 沿面電位分布不均勻。 由于固體介質表面水分的影響，水膜中的 離子受電場的驅動積聚在電極附近表面，導致沿面電位分布不均勻，電場發生畸變，使得沿面閃絡電壓降低。 固體介質表面具有一定的粗糙度 由于固體介質表面不是絕對光滑，使表面電場分布發生畸變。介質表面的凸凹處可以看成是空氣介質和固體介質的串聯。而空氣間隙的絕緣強度低，容易發生

19、放電，導致沿面閃絡電壓降低。影響絕緣表面閃絡電壓的因素： 絕緣表面的電場分布的影響 絕緣子的電場應盡量均勻分布，否則即使增加絕緣子的沿面距離，閃絡電壓也增加不了多少。另外絕緣子與導體的結合部分，由于材料不同，其膨脹系數也就不一樣，因此在兩個固體的合面處，必然會產生氣隙，從而降低閃絡電壓。 氣壓對閃絡電壓的影響d為導體與固體絕緣子之間的氣隙。純SF6氣體的閃絡電壓最高，固體絕緣子的閃絡電壓小于SF6氣體。氣隙越小，閃絡電壓越高。 絕緣子表面狀況對閃絡電壓的影響 絕緣子有灰塵、微粒存在，會降低其閃絡電壓，增加其分散性。 影響絕緣子表面狀況的因素： GIS設備在運行中，SF6氣體產生的分解物（SF4

20、、SOF2、SO2F2），對絕緣子和其填充劑SIO2產生化學反應，變成SIF4，使絕緣子收到侵蝕而劣化。 電弧放電產生的高溫，會使絕緣材料揮發，而生產金屬氟化物，例如CuF2，它在干燥狀態下是絕緣體，但遇水附在絕緣子表面，就會降低絕緣子的絕緣強度。 SF6氣體中水分對絕緣子閃絡電壓的影響 SF6氣體中的水分除了使固體絕緣子的絕緣降低外，還會因溫度的變化，驟熱驟冷在絕緣子表面凝結為露水，大大降低絕緣子表面的閃絡電壓。第九節 SF6氣體的滅弧性能SF6氣體的滅弧性能 優良的熱特性： SF6氣體電弧在弧芯區，溫度高、具有高電導率和低導熱率。弧焰區，溫度低，有很高的導熱率。因此電弧在弧芯和弧焰區的交界

21、處，溫度降低很快，導致電弧的電壓低，功率小。亦即滅弧所需的能量小。相同氣壓下，由于SF6氣體中電弧的電壓梯度只有空氣的1/3，所以SF6氣體中電弧的輸入功率少，在與空氣相同的散熱條件下，在SF6氣體中電弧更易熄滅，絕緣恢復更快，且不易重燃。 SF6氣體的電弧柱，能在電流接近于零時，還能維持高溫結構使弧柱保持其截面小的狀態，電弧的能量就小，電流過零時電弧不會造成電流折斷，在開斷感性小電流時不會產生高的截流過電壓，使得電流過零后，介質絕緣強度迅速恢復。 SF6氣體有負電性。負離子運動速度慢，與正離子復合成中性分子的概率高于自由電子，可以降低電弧的導電率，使得SF6氣體的滅弧性能比空氣好。GIS快速

22、暫態過電壓（VFTO）下的擊穿 GIS中開關操作會產生快速暫態過電壓，可能導致GIS和鄰近設備的絕緣事故。VFTO的特點： 1. 波前時間短，一般為520ns。因為壓縮的強負電性氣體的擊穿場強高，所以擊穿瞬間間隙由絕緣狀態向導通狀態的躍遷時間極短，形成極陡的波前 2.主要為高頻電壓分量，振蕩頻率：0.110 MHz。因為GIS的尺寸較常規敞開式配電裝置小得多，過電壓在GIS中的折反射所需的時間很短。 3.過電壓幅值低，其值很少超過最大相電壓的2倍。因為過電壓幅值與開關觸頭間電弧重燃特性有關，也與被開斷母線上殘余電荷產生的電壓值有關。VFTO引起絕緣事故的原因 操作隔離開關引起觸頭間發生放電時，

23、由于擊穿通道有分支，使放電通道與外殼間電場分布發生畸變，在過電壓作用下觸頭間擊穿通道與外殼發生擊穿。 在VFTO電壓作用下，由于波前時間短，空間電荷屏蔽效應很差，導致擊穿電壓很低。第三章 GIS設備的結構總體結構 GIS設備的所有帶電部分都被金屬外殼所包圍，其中母線多由鋁合金管制成，母線兩端插入到觸頭座里。母線可以是三相共筒的，也可以使分離的。母線表面要求光潔度高。由環氧樹脂澆注的盆型絕緣子或母線絕緣子支撐 、 為隔離開關，用于隔斷主電路。 GIS設備的電場是稍不均勻場，兩級要做成同軸圓柱體結構。為此GIS隔離開關不能和常規隔離開關一樣做成刀閘式的，而要做成動、靜觸頭頭部是圓柱體，能互相插入式

24、的結構。 為帶有手動或電動操作機構的接地隔離開關，可裝于斷口的一側或兩側。將主回路直接接地。 這兩種普通隔離開關不能切斷主電流，只能切斷電容電流和電感電流。 為快速接地隔離開關，具有閉合短路電流的能力。當母線筒里的導體對外殼短路時，要迅速將此短路引起的電弧熄滅，否則會引起GIS外殼發生爆炸，為此，可用快速接地隔離開關迅速直接接地，通過繼電保護裝置將斷路器跳閘，切斷故障電流，使電弧熄滅，保護設備不致損傷過大。快速接地隔離開關通常安裝在進線側。 為斷路器，它在開斷時會產生電弧，而其內部的SF6氣體能很快熄弧，但同時也會分解產生對人體有害的低氟化物，所以需要裝設吸附劑。其布置方式有立式和臥式兩種，根

25、據GIS電壓而定。 為測量主回路電流的電流互感器，鐵芯做成環型，二次繞組繞在環型鐵芯上，用環氧樹脂澆注在一起； 為測量主回路電壓的電壓互感器； 為SF6/空氣的絕緣套管；為了電場的均勻，在導電桿周圍用多級電容極板屏蔽，用環氧樹脂套筒圍至底部。在套筒與導電桿之間充以高氣壓SF6氣體，與GIS氣室一致；在套筒與絕緣瓷套間充以低壓SF6氣體，略高于空氣壓力。 環氧樹脂盆型絕緣子，具有兩個作用：支持導電元件；將GIS設備內部分隔成若干個互不相通的氣室。一旦發生故障，可以只檢修故障氣室而不影響其他氣室的正常運行。盆型絕緣子分為全密封式和帶孔洞的兩種。后者只用于支持導體。母線膨脹補償器 GIS設備由各個元

26、件組合而成，由于各個元件的材料不同，其膨脹系數不一樣，當溫度變化時若各個元件不能自由伸縮，由于溫度應力的原因，則元件將受到破壞，引起GIS設備漏氣，導致絕緣強度降低。因此，GIS設備連接時母線管的一部分要采用軟連接，以補償溫度的變化。 另外，在GIS設備安裝過程中，必然會有誤差，以及基礎不均勻沉降等，也都需要采用母線膨脹補償器來調節。 母線膨脹補償器由不同直徑的波紋管和一節可拆卸部分組成。波紋管由多層鋁合金片壓疊而成。隨溫度的高低而伸長或縮短。使母線不因溫度變化而損壞。GIS設備氣室的設置原則 根據SF6氣體的壓力不同設置。如斷路器在開斷電流時，要求電弧迅速熄滅，因此要求SF6氣體的壓力要高，

27、而若隔離開關切斷的僅是電容電流，則要求的壓力要低點。 根據GIS設備檢修需要設置。確保能盡可能縮小故障影響范圍，盡量不影響非故障元件的正常運行。GIS外殼的接地 GIS設備的母線和外殼是一對同軸的兩個電極。當電流通過母線時，在外殼上感應電壓，使外殼會產生渦流而發熱，使GIS設備容量減少。 當運行人員接觸時會觸電危及人身安全。 GIS設備的支架、管道、電纜外皮與外殼連接后，也有感應電壓，也會產生環流。由于外殼與上述零件接觸不良的地方，會產生火花，使管道、電纜外皮產生腐蝕。 解決辦法： 在GIS設備外殼上用全鏈多點接地方法。優點是GIS外殼感應電壓為零，但會引起環流，金屬外殼仍發熱，輸送容量還要下

28、降； 將GIS外殼分段絕緣，每段只有一個接地點，則GIS外殼無環流，但存在感應電壓。目前多采用這種接地方式。第四章 典型GIS生產事故GIS內部雜質引起的生產事故 2012年廣東xx供電局500kVxx站 GIS 設備故障二級事件 事件經過：xx站220kV母發生三相短路故障，母差保護動作，跳開相應220kV進出線間隔、主變220kV側及母聯間隔三相開關。 事故原因 直接原因：由于母線中存在粉塵，在電場力和氣流作用下在絕緣支撐臺表面聚集，導致B相絕緣擊穿，并造成B相對地絕緣故障。B相故障后形成大量燒蝕物致使SF6氣體絕緣劣化，造成多點擊穿，并最終導致三相短路。 間接原因：粉塵應為安裝過程中或大

29、修檢查過程中遺留。2014年云南xx供電局“5.5”500kVxx站GIS故障導致500kV母停運二級事件事故經過：500kVxx站500kV段母線保護兩套母線保護發“C相差動保護動作”，跳開500kV母所聯的所有斷路器，母失壓。直接原因：500kV線路隔離開關在安裝過程中引入的異物在操作過程中附著力減弱，并在電場作用下移至屏蔽罩和絕緣桿附近，導致C相絕緣桿沿面擊穿放電。引起電場畸變， 間接原因：設備生產及出廠驗收、安裝過程中的環境清潔工作管控不到位，導致設備存在雜志未能及時得到發現，清理。由于GIS設備結構特點，不能通過對設備維護、試驗等有效技術手段發現內部存在異物等隱患，導致設備帶隱患運行

30、。GIS操作機構防潮性能不良導致生產事故 2014年廣東xx供電局4座220kV和13座110kV變電站失壓一級事件 事故經過：500kVxx站在轉220kV負荷操作中，由于帶負荷拉母線隔離開關，母線差動保護動作，導致該站220kV母線及與其相關的220kV和110kV變電站失壓。 直接原因：500kVxx站3#主變220kV側母線隔離開關22036合閘操作后，刀閘指示在“合”位，刀閘輔助開關變位，但一次回路并未接通。導致用另一母線隔離開關22035拉開負荷電流。 間接原因：由于22036導致的電動彈簧操作機構內緩沖器轉軸、活塞拉桿銹蝕，導致緩沖器活塞與內缸、活塞桿與法蘭之間、緩沖器連桿與機構箱壁產生嚴重摩擦，緩沖器運動阻力增大，消耗了大量彈簧動能；同時機構連桿軸銷、軸套銹蝕，進一步增大阻力，最終