1、第一章 真空的基本知識§1. 真空的定義、單位和真空區域的劃分1. 真空的定義氣體的壓強低于一個標準大氣壓的氣態空間一標準大氣壓：g=980.665 cm/s2T=273 K時，760mm水銀柱高所施加的壓強平衡狀態下，氣體宏觀參量的重要關系式：P=nKT P=壓強(Pa)2. 真空的單位：(1) 帕 (Pa) 1 Pa=1 N/M2=10達因/cm2(2) 乇 (torr)(3) mmHg(4) µbar(微巴) or bar1 torr=1 mmHg= 133.3 Pa1 Pa= 0.75×10-2 torr = 10達因/cm21 µbar= 1

2、達因/cm2 = 0.1 Pa3. 真空區域的劃分(1) 粗真空：1×105 Pa > P >1×103 Pa (大約10 torr)(2) 低真空：1×103 1×10-1 Pa(3) 高真空： 1×10-11×10-6 Pa(4) 超高真空：<1×10-6 Pan< 1010個/cm3，不少高科技器件或材料只能在超高真空下才能獲得 §2.稀薄氣體的基本性質1.氣體的三種速率表達式 最可幾速率：算術平均速率： 均方根速率：2.平均自由程的定義：氣體兩次碰撞之間所走路程的統計平均值a) 考慮

3、到其它氣體分子在運動，及氣體速率有一定分布，作如下修正：§ 3. 氣體的輸運1. 抽真空過程中氣體流動的三個過程(1) 初始階段(氣壓較高、流速較大)出現湍流，起作用的是氣體的慣性力(2) 氣壓較低時：粘滯性流動各層速度不同，起作用的是層間相互摩擦力(3) 氣壓更低：分子性流動分子間相互摩擦可忽略，流動完全有分子與器壁碰撞，即：湍流-粘滯性流動-分子性流動2. 氣體量，流量及其表達式(1) 定義：氣體量：氣體體積×壓強，即PV，單位：牛·米-2·米3=牛頓·米流量Q：單位時間流過的氣體量Q=PV/t=牛·米/秒(2) 流量表達式： (

4、長圓管道情況)a) 粘滯性流動時：第2章 真空的獲得§ 3 機械泵1. 機械泵的Pu : 5*10-4乇 機械泵的用途：抽低真空；擴散泵、分子泵的前級真空泵 機械泵的結構：由工作室、進氣管、排氣閥、油腔、氣鎮閥、馬達構成  工作室包括：定子、轉子、旋片旋片裝于轉子上并將定子分成三部分：吸氣空間；膨脹壓宿空間；排氣空間。2 工作原理：（見原理圖）利用轉子及其上的旋片的高速旋轉使分成三部分的各泵腔容積發生周期變化來完成吸氣和排氣。 8 使用的注意事項 在新場所首次使用前需檢查馬達轉向 停泵時注意對泵放氣防止反油 需水冷的泵使用時需水冷 用油正確，油量合適 §

5、 3. 擴散泵抽速： 幾百到幾千L/sec。極限真空： 10-7 Torr 特點： 抽速大，壽命長，易維修。缺點： 有油蒸氣污染; 操作不當會意外返油，使真空系統造成嚴重污染。用途： 作次級泵，靜態和非常適合于動態真空系統中使用。工作壓強： 10-2 Torr以下工作機理：1）在真空條件下,工作液體被加熱器加熱，產生蒸汽；2）蒸汽從噴嘴向下、向外高速噴出成傘狀；3）從入口處擴散進來的氣體被蒸汽裹入，產生向下的動量；4）帶有氣體的蒸汽以超音速噴向泵壁；5）蒸汽和氣體混合物與水冷的泵壁接觸，蒸汽被冷凝，再進入加熱器；裹夾的氣體分子仍以獲得向下的高速運動，在底部被前級泵抽走。8. 

6、0; 擴散泵的使用注意事項（1）樣品室及擴散泵用機械泵抽到10-2乇才能加 熱泵油（2）加熱擴散泵前應先開冷卻水（3）擴散泵工作時始終必須有冷卻水和機械泵（4）要用擴散泵抽樣品室前，樣品室真空度不低于10-2乇（5） 擴散泵下部冷后才能停水、關機械泵（6）  泵油量、水量合適，加熱功率正確§4. 吸附泵:（1）極限真空與用途: 1 x 10-2 乇；10-4乇（雙泵接力時）；無油沾污低真空抽氣。（2）吸附泵的結構: （3）抽氣原理: （4）分子篩的特點: （5）吸附泵的使用: §5. 泵升華抽速： 10 107 L/sec。極限真空： 10-5 10-6

7、 Pa (水冷); 10-9 Pa (LN2); 優點： 抽氣速度快。缺點： 對惰性氣體基本不起作用;間斷性運行；用途： 快速提升真空度時用；次級泵。升華泵的使用:l    真空度低于10-4乇才能啟用l    加溫1200-1500度，不能超過1600度l    因Ti儲量有限，不作主泵用，而與其他泵聯合使用l     為省Ti，超高真空時采用間斷升華 工作原理: 升華泵的特點： 活性氣體抽速很大107L/S，惰性氣體抽速很小，壽命取決于燈絲及

8、Ti儲量。 §6.升華離子泵 （1）   Pu=10-12乇（2）   結構：比升華泵多一套使氣體電離定向加速系統（電離器）（3）  工作原理: 課堂講解（4） 特點：抽速比升華泵大；解決升華泵抽惰性氣體差的問題缺點：高溫元件多，易損壞，電源較多 §7.濺射離子泵 抽速： 1 500 L/sec。極限真空： < 10-11 Torr。特點： 安靜，不將氣體排除到真空系統外。用途： 靜態真空系統超高真空的維持，次級泵。工作壓強： < 10-4 Torr 。工作原理：1） DC

9、 高壓（幾千伏）使得陰陽之間放電，產生電子；2） 在高電磁場（幾千高斯）下，電子螺旋運動，因而電子運動路程被大大加長，與氣體分子發生碰撞使氣體電離的幾率大大增加；3） 產生的氣體離子向鈦陰極加速；4） 被加速的氣體離子轟擊Ti陰極,把Ti原子濺射出來，同時離子轟擊使陰極材料產生新鮮表面以化學吸附離子和氣體，并將它們埋起來；5） 部分氣體離子及原子被吸附在沉積在陽極表面的新鮮Ti薄膜。§8.渦輪分子泵 抽速： 35 2500 L/sec。極限真空： 10-10 10-11 Torr (要烘烤)優點： 無碳氫化合物污染，啟動壓強較高， 對前級泵要求不苛刻。缺點： 對氫氣抽除不理想，機械加

10、工精密度要求高，維修很難。用途： 靜、動態抽超高真空或抽高真空，次級泵。工作原理：1） 快速轉動（10000 50000 rpm）的渦輪葉片 將動能（速度）傳遞給與之碰撞的氣體分子；2） 被轉子縫隙捕獲的分子朝定子縫隙方向飛去；3） 縫斜角的變化提高抽速；4） 分子不斷被加速，在前級處被甩出分子泵，經前級泵(機械泵)抽除。注意：渦輪分子泵的工作原理并不是將氣體抽出系統，而是通過動能傳遞將氣體甩出系統。第三章 真空的測量一. 熱偶真空計2.原理 利用熱電偶測量加上一定工作電流的熱絲溫度來表示氣壓（即真空度）。熱絲加熱功率一定，氣體多則熱絲被氣體帶走的熱量多，熱絲溫度就低，熱電偶測得的溫差電勢低。

11、即真空度低。3.可測真空度 測低真空 4.實際應用與注意事項 正確測量方法：先置加熱檔，調好工作電流后，置測量檔，測真空度。二. 熱陰極電離真空計2. 測量原理 熱陰極（燈絲）在確定的工作電流下加熱發射電子，受柵極正電場加速后，轟擊氣體使之電離，離化的氣體離子被極板收集，氣體多，則離子流大，離子流大則表示真空差。3.使用: 測高真空: 1*10-45*10-8 Torr 不能測低真空的原因：燈絲被氧化;氣體較多時,電子與氣體分子碰撞數增加，但能量下降，電離幾率降低。 不能測超高真空的原因： 氣體太少時，產生的離子流小于由打在柵極上的電子激發的軟 射線在離子收集極上產生的光電流。4. 使用注意事

12、項 氣壓低于0.1pa后才能使用電離真空計, 防止損壞燈絲 先用大量程 做完實驗先關電離真空計 三. 超高真空計（BA規） 1. 結構2.工作原理： 類似電離真空計的原理，但結構上加以改進。 設計思想: (1)光電流I Vg Ie A Vg柵極電壓, A極板面積 Ie燈絲發射電子流 (2)降低I 的措施: 因為Vg ，Ie 的減小，影響其它工作性能；所以， 解決辦法： 減小A面積。即，把收集圓筒改為一根細金屬絲，并將其放在柵極螺圈內，以保證足夠的收集效率。 (3)效果：光電流減小1001000倍可測量：10-810-9 Pa3.使用注意事項： 真空度低于1*10-1 Pa時不能啟用，否則易燒壞

13、。第二部分 薄膜物理與技術第一章薄膜的制備方法三大類：物理制膜法物理化學法化學生長法一、物理制膜法1.真空蒸發法： 電阻加熱法（高真空）電子束蒸發法脈沖激光蒸發法 (PLD)分子束外延 (MBE)2.離子鍍： 直流法 射頻法 離化團簇粒子束法(ICBD) 熱陰極法 3. 離子束法：離子束輔助沉積 離子束混合 離子束濺射 4.離子濺射法： 直流二極濺射 射頻濺射 磁控濺射 離子束濺射2.離子鍍： 直流法 射頻法 離化團簇粒子束法(ICBD) 熱陰極法 3. 離子束法：離子束輔助沉積 離子束混合 離子束濺射 4.離子濺射法： 直流二極濺射 射頻濺射 磁控濺射 離子束濺射二. 物理化學法 CVD(熱

14、分解、熱絲法等) PECVD： RFCVD MWCVD ECRCVD MOCVD三.化學生長法 溶膠凝膠法 水熱法（水化學法） 電化學法 §1.真空蒸發法1.真空的必要性(1)在真空下，材料的汽化溫度低得多(2)使汽化的膜料原子順利到達襯底(3)保證薄膜質量2.真空度的確定原則：保證質量要求，兼顧工作效率與成本(1)從平均自由程的要求看：3）特點： 設備簡單、操作方便、造價低 成膜速率快、效率高 膜厚便于控制（4）缺點： 只能用于蒸發熔點不很高的膜料 不能長時間連續蒸發 蒸發源壽命短 蒸發源會影響膜的純度（5）蒸發原子與分子的形態： 大部分堿金屬、貴金屬、過渡性金屬單原子逸出蒸發半導

15、體、半金屬時，多以2個或2個以上原子集合體逸出（Sb、AsP）有的化合物會分解 (CdS：Cd，S， ， )某些合金膜會偏離原組分二、電子束蒸發法2.特點： 可蒸發高熔點材料薄膜(3000) 可用于連續生產 只局部膜料受高溫蒸發，坩堝沾污膜料、純度高3.缺點： 造價較高，操作稍復雜 部分殘余氣體被電離，影響膜結構 部分化合物會分解三. 脈沖激光沉積：用高能聚焦激光束轟擊靶材蒸發只發生在光斑周圍的局部區域蒸發材料被直接從固體轉化為等離子體能轟擊出來大尺寸的顆粒光束滲透深度小 100 埃, 蒸發只發生在靶材表面2.特點：（1）化合物蒸發不分餾（2）可合成化合物（3）可蒸發高熔點膜料，不沾污（4）不

16、存在電子束蒸發時可能的膜表面帶電（5）可得到結晶良好的薄膜3.缺點：靶要燒制良好、致密，防止蒸發出顆粒四.分子束外延（MBE）1.何謂分子束外延超高真空條件下各組分材料及摻雜物分別加熱，按一定比例的分子束噴射在基片上外延生長單晶薄膜3.分子束外延設備主要組成部分（1）超高真空樣品室（2）多個分子束噴設爐，配LN2冷阱，計算機精確控溫（3）快門（配合調控薄膜成分，膜厚，摻雜，濃度）（4）各種先進的監控器 質譜儀（殘余氣體及分子束成分，密度，膜厚） 電子衍射儀（晶體結構） 俄歇電子譜儀（表面污染情況，生長層組分分析）4.特點（1）超高真空環境淀積，大大減少殘余氣體污染（2）多個分子束源爐：可得多元

17、混晶、合金、化合物及進行摻雜（3）噴射爐附近液氮冷卻： 避免蒸發原子散射、反射相互污染， 避免對基片的熱輻射 凍住殘余氣體（4）蒸發速率低：可進行單原子層生長，生長超薄而平整膜（5）襯底溫度較低：降低界面處熱膨脹引起的晶格失配（6）膜厚、成分、晶體質量實時監控§2 離子鍍(Ion plating)離子鍍(Ion plating)物理意義: 一定真空條件下,直流高壓或燈絲發射電子使蒸發物質電離;直流高壓加速使蒸發的膜料或其反應物蒸鍍在基片上形成薄膜.四種離子鍍方法（含反應離子渡）v 直流法v 射頻法v 團簇離子束法v 熱陰極法一.直流法1.實驗設備（右圖）包括：真空系統，電阻蒸發源 D

18、C高壓（幾百幾千伏）樣品臺（水冷）2.工作氣壓低真空（10-2乇）氬氣或相關反應氣體3.原理: 低真空條件下，高壓使基片蒸發源間氣體放電，形成等離子體 離子轟擊基片表面，對其清潔去污，并使表面粗化 蒸發分子被離化、加速，定向沉積到基片表面成膜。4.優點：（1）附著力強（2）成膜速率快（3）饒射成膜，可對各種形狀工件鍍膜（4）節省膜料（5）最適合金屬表面鍍膜（6）設備簡單5.缺點： 工作氣壓較高，膜內易含殘余氣體 離子流強，基 溫度高，不利于塑料制品鍍膜二.射頻法1. 設備結構如右圖 比DC法增加一個RF線圈2. RF線圈的作用： 延長自由電子的運動軌跡， 增加碰撞氣體和蒸發分子機會 提高離化率

19、 可使工作真空度提高一個數量級(10-3乇)3. 優點: 離化率比DC法高,鍍膜效果更好. 降低工作氣壓,即節省氣體,有提高了薄膜質量.三. 離化簇團束鍍膜法(ICBD)2.特色與優點:(1)蒸發器噴出的是幾百上千原子構成的團簇. (優越性?)(2)膜層損傷小(3)高真空鍍膜 10-5乇以上. (什么好處?)(4)提高膜質量(致密, 雜質, 缺陷少)(5)附著好 3.缺點: 不能饒射成膜 設備成本較高 四. 熱陰極法1. 結構 采用一般電阻蒸發源，其它的與離化簇團束鍍膜法相同2. 特點: 高真空鍍膜(10-5乇) 不是簇團束 具有ICBD法除簇團束以外的優點 比ICBD法設備價格低三. 離子束

20、制膜法（一）離子束輔助沉積(IBAD) Ion beam assistive deposition-電子束或激光束或常規真空蒸發-在成膜的同時用離子對正在生長的膜層進行轟擊 1.物理意義： 真空蒸發的同時，用離子束轟擊沉積到基片上的膜料。即，蒸發+離子束轟擊。3. 優點： 膜層致密、均勻、減少缺陷 提高薄膜性能的穩定性（不易吸附氣體或潮氣） 附著好（界面有膜料粒子滲入） 可分別獨立調節各實驗參數、控制生長，以利研究各條件對膜質量的影響。4. 原因：沉積前，先離子轟擊基片濺射表面吸附的污染物，表面除氣及凈化。薄膜形成初期，離子轟擊使部分膜料原子滲入基片表層，在界面形成中間薄層增強附著，改善應力。

21、沉積過程中，離子轟擊正在形成膜改善微觀結構、膜層更致密。（二）離子束混合1.何謂離子束混合？ 在基片表面先沉積一層（膜厚1000A ）或幾層（每層小于150A）不同物質的膜總厚小于 1000 A）;用高能重離子轟擊膜層，使膜與基片表面混合，或多層膜之間混合，形成新的表面材料層。2. 對離子束的要求：離子能量盡量高（200300keV以上）較高的惰性氣體離子，如Ar3. 特點：獲得常規冶金方法得不到新材料。比離子滲入法更經濟（三）離子束濺射法四. 離子濺射鍍膜法（一）.直流二極濺射2.磁控濺射原理： 把磁控原理和二極濺射法相結合，用磁場來改變電子的運動方向，并束縛和延長電子的運動軌跡，受正交電磁

22、場作用的電子，只能在其能量快耗盡時才落到基片上，大大提高氣體的離化率。3.為什么要加磁場？無磁場濺射方法的缺點：-濺射反應效率較低，所需要的工作氣壓較高-濺射方法沉積薄膜的沉積速率較低磁場的存在將延長電子在等離子體中的運動軌跡, 提高與氣體原子碰撞使其電離的幾率，顯著提高濺射效率提高沉積速率, 比其它濺射方法高一個數量級.降低氣壓，減少氣體污染特點：離化率較高，沉積速率快；基片溫升低； 工作氣壓較低氣體對膜質量影響較小。五. CVD化學氣相沉積法 Chemical Vapor Deposition什么叫CVD? 把含有構成薄膜元素的一種或幾種化合物氣體（適當流量比例）輸入反應室，通過加熱或等離

23、子體等方法使其分解或反應，而在基片上生長所需薄膜。(一). 常規CVD:沒等離子增強激活的CVD方法。（1）沉積條件氣態反應物（液態或固態使其氣化）反應生成物除所沉積物外，其余應氣態，可排出反應室沉積物的蒸氣壓應足夠低（2）影響沉積質量的因素沉積溫度氣體比例、流量、氣壓基片晶體結構、膨脹系數等(3). 優點在遠低于所得材料熔點的溫度下獲得高熔點材料便于制備各種單質或化合物生長速率較高鍍膜繞性好設備簡單缺點：反應溫度比PECVD高基片溫度相對較高（1）PECVD原理： 利用射頻、微波方法在反應室形成的離子體的高溫及活性，促使反應氣體受激、分解、離化, 以增強反應，在基片生長薄膜。（2）PECVD

24、優點： 可在較低溫度下生長薄膜避免高溫下晶粒粗大 較低氣壓下制膜提高膜厚及成分的均勻性。 薄膜針孔小，更致密，內應力較小，不易產生裂紋 附著力比普遍CVD好。缺點：生長速率低于普通CVD設備相對復雜些（3） RFCVD、MWCVD和ECRCVD的區別: RFCVDf=13.6MHz MWCVD f=2.45GHz,頻率高，氣體分解和離化率更高。 ECRCVD又加有磁場，促使電子回旋運動與微波發生共振現象，有更大的離化率。可獲更好的薄膜質量和高的生長速率。（三）.MOCVD（1）原理： 利用熱分解金屬有機化合物進行化學反應，氣相外延生長薄膜的CVD方法。（2）適合的金屬有機化合物: 金屬烷基化合

25、物 如：三甲基鎵（CH3)3Ga，三甲基鋁（CH3)3Al二乙烷基鋅（C2H5)2Zn.(2). MOCVD特點 沉積溫度低 如ZnSe膜，僅為350；而普通CVD法850 低溫生長減少污染（基片、反應室等）提高膜純度；降低膜內空位密度。（高溫生長易產生空位） 可通過稀釋反應氣體控制沉積速率，有利于沉積不同成分的極薄膜制備超晶格薄膜材料。主要缺點： 許多有機金屬化合物蒸氣有毒，易燃，需嚴格防護 有的氣相中就反應，形成微粒再沉積到基片。第二章 薄膜厚度的測量一、微量天平法1.原理: 高精度微量天平稱基片成膜前后的重量，得出給定面積S的厚膜質量m，由下式計算出膜厚：d= m/(S)， 為塊材密度2

26、.微量天平精度達微克，不能測重基片的樣品 。二 電阻測量法（可測金屬、半金屬、半導體膜）1.原理：測方塊電阻R，利用=R·d 計算出厚度d2.存在問題：隨膜厚變化有大的差別，特別是超薄膜。 原因： 膜不連續時，導電能力差； 連續膜時，雜質缺陷也比塊材多； 薄膜界面對電子或空穴的非彈性散射 3. 解決辦法： d>2000Å時，可忽略非彈性散射效應，減少測量誤差，故用厚膜的 代替，則 . 實際用法： 先在基片上蒸一層厚2000Å以上同種物質膜 其它方法測出膜厚及R 代入 求出 用上述2000Å以上厚樣在真空中作測試樣,根 據 ,求出現樣品膜厚.三 多光

27、束干涉測量法 (干涉顯微鏡法)1.測試原理圖2.原理: 垂直于薄膜表面的單色光在薄膜表面與小傾斜的半透明板之間的多次反射干涉形成干涉條紋, 干涉條紋在有臺階的薄膜樣品處出現偏移的原理來測量薄膜厚度。 tg=/2a 又tg=d/b 所以：d/b=/2a d=b/2a 半透明膜與膜平面夾角 波長 a相鄰兩條干涉條紋的間距 b干涉條紋在臺階下面平面的偏移距離第二部分第3章 薄膜的結構與缺陷 （課堂筆記）第二部分第4章 薄膜的基本性質著重介紹有關薄膜的普遍特性的研究方法§1 薄膜的力學性質主要有：附著、應力、硬度、彈性模量和摩擦分數等，我們著重學習：附著、應力、硬度一、薄膜的附著·

28、定義：薄膜和基本相互作用使薄膜粘附在基片上的一種現象。·重要性：很大程度上決定了薄膜器件的穩定性、可靠性和實用。·附著的好壞主要取決于薄膜生長的初始階段。1、附著機理三種附機理：·范德華力 ·化學鍵力 ·薄膜基片間靜電引力（1）范德華力：薄膜及襯底原子相互極化產生包括：定向力（0.2eV）：永久偶極子之間的相互作用力誘導力（0.2eV）：永久偶極子與感應偶極子間的相互作用力色散力（0.4eV）：電子繞原子核運動時所生的瞬時偶極矩相互作用力特點：·與靜電引力相比，范德華力是短程力·與化學鍵相比，范德華力是長程力（2）化學鍵力：

29、薄膜基片之間形成化學鍵的結合力包括：離子鍵、共價鍵、金屬鍵·化學鍵力的產生機制：有的價電子發生轉移，形成化學鍵·化學鍵力屬短程力·化學鍵能1.211eV（3）薄膜基片間的靜電引力·須在界面兩地積累空間電荷，或擴散的原子帶有異號電荷才會有靜電引力·靜電引力形成的原因：薄膜和基片的費米能級不同，緊密接觸后發生電子轉移。2、影響附著力的因素·膜料與基片的組合有些材料需對其活化，如離子轟擊以提高其表面能、襯底加升或制備過渡層。·基片表面污染，導致表面化學鍵飽和，使附著差·基片溫度的影響溫度高利于原子擴散，形成擴散附著和形成

30、中間化合物溫度過高晶粒變粗會影響附著·濺射或離子束輔助沉積的膜比蒸發沉積膜附著好3、提高附著力的方法（1）嚴格清洗基片（2）重度膜前真空中離子轟擊處理（3）適當提高基片溫度（4）制備中間過渡層（5）用濺射法（6）離子束轟擊薄膜4、薄膜附著力的測量方法·拉張法 ·膠帶剝離法 ·劃痕法 ·超聲波法二、薄膜的內應力1、物理意義（定義）薄膜內部任一截面上單位面積所受的另一側所施加的作用力稱應力外應力薄膜受外力作用而產生的應力內應力薄膜本身的原因所引起的應力2、內應力相關的實驗現象3、內應力產生的原因（1）薄膜和基片熱膨脹的不同（2）結晶溫度以下的冷卻和

31、熱收縮（3）相變過程（液固；非晶結晶）（4）薄膜基片晶格失配（5）小島合道（6）雜質影響三、薄膜的硬度1、定義薄膜材料相對于另一種物質的抗摩擦、抗刻劃、抗形變的能力。2、硬度的測量方式金剛石壓頭，加一定重量壓試樣，根據被測試樣上壓痕大小來判斷硬度。（壓頭形狀不同，所得結果不同）。（1）硬度的幾種名稱·維氏（Vickers）硬度（1360）·庫氏（Knoop）硬度（172.50）·布氏（Brinell）硬度§2 薄膜的電學性質著重研究：·電阻率、電導率的大小·薄膜成份對、的影響·摻雜、雜質的影響·環境溫度、熱處理的影

32、響·電場的影響一、不連續薄膜的異電性質·不連續膜：孤立小島構成的薄膜1、三種典型研究實例由或與d、T、E的關系發現薄膜的某些電學現象2、不連續金屬膜的特點（1）很大，且隨d變化顯著（2）與T有關，溫度系數為負值（3）電場低時，呈歐姆性導電，電場高時，呈非歐姆性導電（4）高電場下，有電子發射或光發射現象3、不連續膜的導電機理·由孤立小島構成，卻顯一定導電能力·導電能力與溫度有關暗示：不連續薄膜的電導論與熱激活有關兩種理論解釋模型：（1）熱電發射模型小島受熱后，電子功能的垂直分量大于金屬材料功函數時，電子脫離金屬表面發射到真空中，被另一小島俘獲，產生電導。熱電子發射產生的電導表達式如下；其中，h普朗克常數；m電子質量功函數；b小島間距（Å）K玻爾茲曼常數；0介電常數。（2）熱激