1、 專業技術職務任職資格評審表（教師、工程、實驗系列）-2011版- 單 位： 微電子學院 姓 名： 宋建軍 現任專業技術職務： 講 師 申報評審任職資格： 副教授 教師類型： 教學科研型 申報類型： 正常申報_西 安 電 子 科 技 大 學2011年5月一、基本情況姓名現 名宋建軍性 別男民族漢請貼1寸彩色照片曾用名-出生日期1979年08月24日出生地山西省大同市教師資格證書號碼現任專業技術職務講師任職時間2009.04崗位專業技術10級參加工作時間2009.04身體狀況良好最高學歷畢業時間學 校專 業/學科學 制學 位博士研究生2008.12西安電子科技大學微電子學與固體電子學三年博士現從

2、事專業（二級學科及研究方向）二級學科：微電子學與固體電子學；研究方向：高速/高性能半導體材料與器件業績簡況教學工作每年主講 1 門本科生課程。年均教學工作量187.1學時。論文與論著第1作者：發表學術論文16篇（其中核心期刊10篇，會議論文 6 篇），SCI檢索 7 篇，EI檢索 6 篇。出版專著（教材）_部，個人編寫_萬字。科研項目主持科研 項（其中縱向 項），到校經費 萬元（其中縱向 萬元），不含校內科研項目。作為主要成員(排名前3)參加6項，個人可支配到校經費107萬元。獲獎與專利獲國家 獎 等 項；獲省部級 獎 等 項。（如獲獎1項以上，可按此格式續添）申請國家專利（排名前3） 3 項

3、，其中授權專利（排名前3） 項。 二、個人經歷2.1 工作經歷工作起止時間工作單位從事何種專業技術工作職務2009.04-至今西安電子科技大學微電子學院微電子學與固體電子學2.2 教育經歷(從大學填起)學習起止時間畢業院校專業學歷學位1997.092001.07太原理工大學材料學本科學士2002.072005.03西安電子科技大學材料學研究生碩士2005.092008.12西安電子科技大學微電子學與固體電子學研究生博士2.3 國內培訓及進修經歷培訓起止時間參加何種培訓（進修）取得何種證書證明人2.4 國（境）外研修經歷研修起止時間國家（地區）研修單位研修身份派出方式2.5國內外學術團體任職及社

4、會兼職經歷（填寫主要任職及兼職）起止時間學術團體名稱、社會兼職單位名稱職務三、個人總結（請填寫任現職以來德、能、勤、績等方面的情況，限800字）本人堅持四項基本原則，擁護改革開放，要求自己嚴格，團結同志，關心集體，積極參加校、院、系等各級組織的各項公益活動(如冬季長跑比賽、唱紅歌比賽、學院組織的本科生創新實踐等)，積極上進，工作認真負責，任勞任怨，重視專業理論知識學習，業務熟練，圓滿地完成了本人所承擔的各項教學、科研等工作任務。1、教學任務：主講本科生“量子力學”課程，計193.7學時工作量。該課程內容抽象、理論性強，學生不易理解。為此，我做了充分的準備，不僅備課認真細致，還抽出時間加強對學生

5、的輔導，幫助他們消化吸收課堂內容。2、指導畢業設計：2010年和2011年共指導本科生畢業設計10人，計180.5學時。在指導本科生畢業設計過程中，嚴格要求自己，也嚴格要求學生，認真負責，圓滿完成了設定課題。3、協助指導碩士生、博士生的科研課題，協助籌建學科專業實驗室，積極參與籌備電力電子碩士點專業實驗室的建設工作。4、參與縱向科研項目6項：(1)硅基應變集成器件應力引入方法及機理（本人排名2）；(2)硅基應變集成器件性能增強機理（本人排名2）；(3)應變Si CMOS關鍵技術研究（本人排名3）；(4)硅基應變器件模型與參數提取（本人排名3）；(5)高效非晶Si/SiGe薄膜太陽能關鍵技術研究

6、（本人排名2）；(6)基于MEMS弱電壓信號的拾取電路設計技術研究（本人排名2）。5、論文情況：任職以來，共發表第一作者論文16篇，其中7篇被SCI檢索，6篇被EI檢索。以第一發明人身份，申請國家發明專利3項。獲國家發明專利5項（排名：第四，3項；第五、第六，各1項）。四、任現職以來教學工作情況4.1 本科生課堂教學（同一課程填寫一行，主講/輔導超過一次者在班級/班次中注明次數）起止時間講授課程名稱課程性質（必、限、任）班級（班次）主講/輔導學時備注2010.032010.06量子力學必140811主講462010.092011.01量子力學必140911/140912主講462010.092

7、011.01量子力學必140991主講46審核意見審核人簽名： 年 月 日4.2 本科生實踐教學（指導畢業設計等）起止時間實踐教學內容班級人數教學工作量（學時）備注2010.012010.06本科生畢業設計140622347.52011.012011.06本科生畢業設計140710/140721/1407227133審核意見審核人簽名： 年 月 日4.3 研究生課堂教學（同一課程填寫一行，主講/輔導超過一次在班級/班次中注明次數）起止時間講授課程名稱課程性質（學位、選修）班級/班次主講/輔導學時備注審核意見審核人簽名： 年 月 日4.4 指導研究生情況起止時間指導研究生類型及班級指導人數教學工

8、作量（學時）備注審核意見審核人簽名： 年 月 日4.5 任現職以來年均教學工作量總教學工作量374.2任職年限2年均教學工作量187.1核算人簽名： 年 月 日4.6 公開出版教材情況教材名稱出版單位出版時間性質（統編、出版、講義）本人編寫字數總字數印數審核意見審核人簽名： 年 月 日4.7 公開發表教學改革論文情況題 目發表刊物（或會議交流）發表時間獲獎情況審核意見審核人簽名： 年 月 日4.8 教學獲獎情況獲獎項目獲獎級別與等級獲獎時間本人作用、排名審核意見審核人簽名： 年 月 日4.9 指導青年教師及進修人員情況（限200字）4.10 對教研室、實驗室建設的貢獻（限200字）本人積極參與

9、籌備專業實驗室的建設工作，協助制定了電力電子碩士研究生的專業實驗計劃、實驗內容及實驗方案。協助指導課題組碩士生、博士生的課題，為教研室、實驗室的建設作出了貢獻。4.11 教學情況審核意見學院審核意見簽名：_ 年 月 日教務處審核意見簽名：_ 年 月 日研究生院審核意見簽名：_ 年 月 日五、任現職以來承擔科研任務情況5.1 縱向科研任務 主持縱向科研項目序號項目名稱及校內編號項 目來 源起止時間總經費到校經費完 成 情 況總人數經 費 小 計- 參加縱向科研項目序號項目名稱及校內編號項 目來 源起止時間總經費到校經費個人支配經費完成情況排名/總人數課題組長簽名1國家部委178.5萬149萬40

10、萬在研2/82國家部委110.5萬98.25萬30萬在研2/83國家部委2006.12010.12300萬300萬30萬結題3/64國家部委76.5萬20.5萬4.0萬在研3/85高效非晶Si/SiGe薄膜太陽能關鍵技術研究（2010.12012.124.0萬4.0萬2.0萬在研2/66ZZ0303072517國家部委5.32萬4.32萬1.0萬結題2/5經 費 小 計674.82萬576.07萬107萬-審核意見審核人簽名： 年 月 日5.2 橫向科研任務 主持橫向科研項目序號項目名稱及校內編號委托方起止時間總經費到校經費完 成 情 況總人數經 費 小 計- 參加橫向科研項目序號項目名稱及校

11、內編號委托方起止時間總經費到校經費個人支配經費完成情況排名/總人數課題組長簽名經 費 小 計-審核意見審核人簽名： 年 月 日5.3 校內科研項目(包括校基本業務科研經費、各類校內基金項目等)5.3.1 主持校內科研項目序號項目名稱及校內編號項 目來 源起止時間總經費到校經費完 成 情 況總人數16.0萬6.0萬在研4經 費 小 計6.0萬6.0萬- 參加校內科研項目序號項目名稱及校內編號項 目來 源起止時間總經費到校經費個人支配經費完成情況排名/總人數課題組長簽名1應變MOS器件可靠性研究6.0萬6.0萬3.0萬在研2/4經 費 小 計6.0萬6.0萬3.0萬-審核意見審核人簽名： 年 月

12、日5.4 發表學術論文情況（按國際刊物、國內刊物、會議論文依次填寫） 國際刊物序號論文題目發表刊物或收入會議錄名稱發表年月及卷期號排名/作者人數SCI/EI/ISTP檢索號碼123Intrinsic carrier concentration in strained Si1-xGex/(101)Si MaterialsModel of DOS near the Top of Valence Band in Strained Si1-xGex/(001)SiElectron Mobility Model for Strained-Si/(001)Si1-xGexMaterials Science

13、 ForumApplied Mechanics and MaterialsMaterials Science Forum2011, Vols. 663-665 pp 470-4722011, Vols. 55-57 pp 979-9822011, Vols. 663-665 pp 477-4801/51/53/5EI:EI檢索源期刊EI: 國內刊物序號論文題目發表刊物或收入會議錄名稱發表年月及卷期號排名/作者人數SCI/EI/ISTP檢索號碼45678910111213141516171819Calculation of band structure in (101) biaxially st

14、rained SiValence band structure of strained Si/(111) Si1-xGex應變Si/(001)Si1-xGex空穴有效質量各向異性應變Si1-xGex能帶結構研究應變Si/(001)Si1-xGex本征載流子濃度模型應變Si1-xGex/(111)Si空穴有效質量模型不同晶系應變Si狀態密度研究Calculation of band edge levels of strained Si/(111)Si1-xGex應變Si溝道nMOSFET閾值電壓模型含有本征SiGe層的SiGe HBT集電結耗盡層寬度模型Hole effective mass i

15、n strained Si (111)漏致勢壘降低效應對短溝道應變硅MOSFET閾值電壓的影響(001)面任意方向單軸應變硅材料能帶結構Impact of 110/(001) uniaxial stress on the valence band structure and effective mass of silicon應變Si PMOSFET電流特性研究GaN基MFS結構C-V特性研究Science In China(G)Science In China(G)物理學報物理學報物理學報物理學報物理學報Chinese Journal of Semiconductors物理學報物理學報Scie

16、nce In China(G)物理學報物理學報Chinese Journal of Semiconductors電子器件電子器件2009,52(4): 5465502010,53(3): 4544572009年58卷第7期2009年58卷第11期2010年59卷第3期2010年59卷第1期2011年60卷第4期2010, 31(1): 012001-32009年58卷第7期2011年60卷第1期2011, 54(2): 4504522011年60卷第2期2011年60卷第2期2011年32卷第2期2010,33(4):4384412010, 33(6): 6846861/51/51/51/51

17、/51/51/51/55/54/73/54/53/53/54/65/5SCI:000264844400008;EI:20091612032639SCI:000276661700015;EI:SCI:000268263700091SCI:000271835200087SCI:000276004500100SCI:000274219100093SCI:000289863100092EI:SCI:000268263700089SCI:000287419100092SCI:000289006600012EI:SCI:000287947000082SCI:000287947000081EI: 國際會議序

18、號論文題目發表刊物或收入會議錄名稱發表年月及卷期號排名/作者人數SCI/EI/ISTP檢索號碼202122232425Study on Hole Effective Mass of Strained Si1-xGex/(101) SiModel of hole scattering of strained Si (101)Model of electron scattering of strained Si/Si1-xGex(100)Experimental study on penetration depth of Raman spectroscopy in strained SiThe c

19、alculation of Electron Mobility for Strained-Si (101)Analytical Model for Hole Mobility in (001)-biaxially Strained SiIEEE International Conference on Electron Devices and Solid StateIEEE ICISEIEEE ICPSTIEEE International Asia Conference on Optical Instrument and MeasurementIEEE ICCCIIEEE ICEICE2009

20、年12月252010年12月2010年12月2010年11月2010年12月2011年4月1/51/41/51/71/41/4EI:EI:EI檢索源會議EI檢索源會議EI檢索源會議EI檢索源會議審核意見審核人簽名： 年 月 日5.5 出版學術著作情況（不含教材）書 名出版單位出版時間總字數本人編寫字數印數獲獎情況審核意見審核人簽名： 年 月 日5.6 科研獲獎情況序號項目名稱獲獎時間獲獎名稱及等級本人排名/證書編號審核意見審核人簽名： 年 月 日5.7 專利情況序號專利名稱類型(發明/實用新型/外觀設計)授權/申請時間專利授權/申請號所有發明人姓名（按排序）12345678一種垂直交叉堆疊柵應

21、變SiGeC量子阱溝道CMOS器件結構多晶Si1-xGex/金屬并列覆蓋雙柵SSGOI nMOSFET器件結構異質金屬堆疊柵SSGOI pMOSFET器件結構三維量子阱CMOS集成集成器件及其制作方法發明發明發明發明發明發明發明發明2011年2011年2011年2009年2009年2009年2009年2009年專利申請號：201110126735.5專利申請號：201110134448.9專利申請號：201110141775.7專利授權號：ZL2008101509367專利授權號：ZL2008101509348專利授權號：ZL2008101509329專利授權號：ZL2008102324476專利授權號：ZL2008101509297胡輝勇、張鶴鳴、宣榮喜、戴顯英、宋建軍、舒斌、趙麗霞審核意見審核人簽名： 年 月 日5.8 科研情況審核意見學院審核意見簽名：_年 月 日科研處審核意見簽名：_年 月 日六、本次上報的代表作第一篇題目：Valence band structure of strained Si/(111)Si1-xGex第二篇題目：應變Si/(001)Si1-xGex本征載流子濃度模型第三篇題目：Study on Hole Ef