1、最典型的光電導器件是光敏電阻最典型的光電導器件是光敏電阻。 圖示為光敏電阻的原理與器件符號圖。在均勻圖示為光敏電阻的原理與器件符號圖。在均勻的具有光電導效應的半導體材料的兩端加上電極便的具有光電導效應的半導體材料的兩端加上電極便構成光敏電阻。構成光敏電阻。當光敏電阻的兩端加當光敏電阻的兩端加上適當的偏置電壓上適當的偏置電壓Ubb后，當光照射到光電后，當光照射到光電導體上，由光照產生導體上，由光照產生的光生載流子在外加的光生載流子在外加電場作用下沿一定方電場作用下沿一定方向運動，在電路中產向運動，在電路中產生電流生電流Ip，用檢流計可，用檢流計可以檢測到該電流。以檢測到該電流。 一。光敏電阻工作

2、原理一。光敏電阻工作原理暗電流（越小越好）暗電流（越小越好）光電導增益參見光電導增益參見書上推導過程書上推導過程p173p175pheMIP dAnLVM020光電導內增益光電導內增益 說明載流子已經渡越完畢，但載流子的平均壽命說明載流子已經渡越完畢，但載流子的平均壽命還未中止。這種現象可以這樣理解：光生電子向正極還未中止。這種現象可以這樣理解：光生電子向正極運動，空穴向負極運動，可是空穴的移動可能被晶體運動，空穴向負極運動，可是空穴的移動可能被晶體缺陷和雜質形成的俘獲中心陷阱所俘獲。因此，當缺陷和雜質形成的俘獲中心陷阱所俘獲。因此，當電子到達正極消失時，陷阱俘獲的正電中心（空穴）電子到達正極

3、消失時，陷阱俘獲的正電中心（空穴）仍留在體內，它又會將負電極的電子感應到半導體中仍留在體內，它又會將負電極的電子感應到半導體中來，被誘導進來的電子又在電場中運動到正極，如此來，被誘導進來的電子又在電場中運動到正極，如此循環直到正電中心消失。這就相當放大了初始的光生循環直到正電中心消失。這就相當放大了初始的光生電流。電流。dAnLVM020光電導內增益光電導內增益選用平均壽命長、遷移率大的半導體材料；選用平均壽命長、遷移率大的半導體材料；減少電極間距離；減少電極間距離；加大偏壓加大偏壓dAnLVM020參數選擇合適時，參數選擇合適時，M值可達值可達102量級量級光敏電阻分類本征型摻雜型EcEvE

4、gEcEvEg)(12400nmEEhcgg)(12400nmEEhcgg常用光電導材料常用光電導材料每一種半導體或絕緣體都有一定的光電導效應，但只有其中一部分材料每一種半導體或絕緣體都有一定的光電導效應，但只有其中一部分材料經過特殊處理，摻進適當雜質，才有明顯的光電導效應。現在使用的光經過特殊處理，摻進適當雜質，才有明顯的光電導效應。現在使用的光電導材料有電導材料有-族、族、-族化合物，硅、鍺等，以及一些有機物。族化合物，硅、鍺等，以及一些有機物。 光敏電阻的結構光敏電阻的結構: :在一塊光電導體兩端加上電極，貼在硬質玻在一塊光電導體兩端加上電極，貼在硬質玻璃、云母、高頻瓷或其它絕緣材料基板

5、上，兩端接電極引線，封裝璃、云母、高頻瓷或其它絕緣材料基板上，兩端接電極引線，封裝在帶有窗口的金屬或塑料外殼內。在帶有窗口的金屬或塑料外殼內。 光敏面作成蛇形，電極是在一定的掩模下向光電導薄膜上蒸鍍金或光敏面作成蛇形，電極是在一定的掩模下向光電導薄膜上蒸鍍金或銦等金屬形成的。這種梳狀電極可以保證有較大的受光表面，也可銦等金屬形成的。這種梳狀電極可以保證有較大的受光表面，也可以減小電極之間距離，從而減小極間電子渡越時間，提高靈敏度。以減小電極之間距離，從而減小極間電子渡越時間，提高靈敏度。 1-光導層; 2-玻璃窗口; 3-金屬外殼; 4-電極;5-陶瓷基座; 6-黑色絕緣玻璃; 7-電阻引線。

6、RG12 34567(a)結構 (b)電極 (c)符號CdS光敏電阻的結構和符號光電導效應：在光光電導效應：在光作用下使物體的電作用下使物體的電阻率改變的現象阻率改變的現象. . 光敏電阻為多數電子導電的光電敏感器件，它光敏電阻為多數電子導電的光電敏感器件，它與其他光電器件的特性的差別表現在它的基本特性與其他光電器件的特性的差別表現在它的基本特性參數上。光敏電阻的基本特性參數包含光電導特性、參數上。光敏電阻的基本特性參數包含光電導特性、時間響應、光譜響應、伏安特性與噪聲特性等。時間響應、光譜響應、伏安特性與噪聲特性等。 一、光譜響應率光譜響應率光譜響應率表示在某一特定波長下，輸出光電流(或電壓

7、)與入射輻射能量之比光譜響應率為dpheheMI 0)()()( 由由pheMIP dAnLVM020和和 多用相對靈敏度曲線表示。多用相對靈敏度曲線表示。在可見光區靈敏的幾種光敏電阻的光譜特性曲線在可見光區靈敏的幾種光敏電阻的光譜特性曲線1-硫化鎘單晶2-硫化鎘多晶3-硒化鎘多晶4-硫化鎘與硒化鎘混合多晶 由圖可見，這幾種光敏電阻由圖可見，這幾種光敏電阻的光譜特性曲線覆蓋了整個可的光譜特性曲線覆蓋了整個可見光區，峰值波長在見光區，峰值波長在515600nm之間。因此可用于與人之間。因此可用于與人眼有關的儀器，例如照相機、眼有關的儀器，例如照相機、照度計、光度計等。但它們的照度計、光度計等。但

8、它們的形狀與形狀與V()曲線還不完全一致。曲線還不完全一致。如直接使用，與人的視覺還有如直接使用，與人的視覺還有一定的差距，所以必須一定的差距，所以必須加濾光加濾光片進行修正片進行修正，使其特性曲線與，使其特性曲線與V()曲線完全符合，這樣即可曲線完全符合，這樣即可得到與人眼視覺相同的效果。得到與人眼視覺相同的效果。 二、光譜特性光譜特性在紅外區靈敏的幾種光敏電阻的光譜特性曲線在紅外區靈敏的幾種光敏電阻的光譜特性曲線l熱噪聲（熱噪聲（1MHz） )(1k4)(202d2NJ RfTfId2NJk4)(RfTfI l產生復合噪聲產生復合噪聲(1kHz1MHz) 2022ngr1f4 IMeIf4

9、2ngrIMeIl電流噪聲（低頻）電流噪聲（低頻）bffbdlIcI 212nf高頻高頻 低頻低頻 高頻高頻 低頻低頻 1、噪聲及探測率、噪聲及探測率/f熱噪聲熱噪聲產生復合噪聲產生復合噪聲總噪聲總噪聲2niffc02nf2ngr2NJ2IIIIN總噪聲總噪聲 加在光敏電阻兩端的電壓加在光敏電阻兩端的電壓U與流過它的電流與流過它的電流Ip的關系的關系曲線，并稱其為光敏電阻的伏安特性。曲線，并稱其為光敏電阻的伏安特性。 典型典型CdS光敏電阻的伏安特性曲線光敏電阻的伏安特性曲線 圖中的虛線為額定功耗線。圖中的虛線為額定功耗線。使用光敏電阻時，應使電阻的使用光敏電阻時，應使電阻的實際功耗不超過額定

10、值。從圖實際功耗不超過額定值。從圖上來說，就是不能使靜態工作上來說，就是不能使靜態工作點居于虛線以內的區域。按這點居于虛線以內的區域。按這一要求在設計負載電阻時，應一要求在設計負載電阻時，應不使負載線與額定功耗線相交。不使負載線與額定功耗線相交。 五、光電特性和光電特性和 值值光電特性：光電流與入射光通量（照度）的關系20)()(LUheInp 1. 弱光照射時：光電流與光通量（照度）成正比，即弱光照射時：光電流與光通量（照度）成正比，即保持線性關系保持線性關系EUSUgIgpp式中式中g gp p稱為光敏電阻的光電導稱為光敏電阻的光電導, , Sg為單位電場下的光電導靈敏度，為單位電場下的光

11、電導靈敏度，E為光敏電阻的照度。為光敏電阻的照度。2. 強光照射時，強光照射時， 光電流與光通量（照度）成非線性。光電流與光通量（照度）成非線性。EUSUgIgpp為光電轉換因子，是一個隨光度量變化的指數為光電轉換因子，是一個隨光度量變化的指數 與材料和入射光強弱有關，對于硫化鎘光電導體，在與材料和入射光強弱有關，對于硫化鎘光電導體，在弱光照下弱光照下1，在強光照下，在強光照下1/2，一般，一般0.51。在通。在通常的照度范圍內常的照度范圍內(10-1104lx)， 的值接近于的值接近于1 如圖所示的特性曲線反應了流過光敏電阻的電流如圖所示的特性曲線反應了流過光敏電阻的電流Ip與與入射光照度入

12、射光照度E間的變化關系，由圖可見它是由直線性漸變間的變化關系，由圖可見它是由直線性漸變到非線性的。到非線性的。 電阻照度關系曲線電阻照度關系曲線 在實際使用時，常常將光敏電阻的光電特性曲線改用如圖所示在實際使用時，常常將光敏電阻的光電特性曲線改用如圖所示的兩種坐標框架特性曲線。其中的兩種坐標框架特性曲線。其中(a)為為線性線性直角坐標系中光敏電阻的直角坐標系中光敏電阻的阻值阻值R與入射照度與入射照度EV的關系曲線，而的關系曲線，而(b)為為對數對數直角坐標系下的阻值直角坐標系下的阻值R與入射照度與入射照度EV的關系曲線。的關系曲線。 1221loglogloglogEERR值為對數坐標下特性曲

13、線的值為對數坐標下特性曲線的斜率。斜率。R1與與R2分別是照度為分別是照度為E1和和E2時光敏電阻的阻值。時光敏電阻的阻值。 ESggp六、前歷效應前歷效應 前歷效應前歷效應是指光敏電阻的時間特性與工作前是指光敏電阻的時間特性與工作前“歷史歷史”有關的一種現象。前歷效應有有關的一種現象。前歷效應有暗態前歷暗態前歷與與亮態前歷亮態前歷之分。之分。暗態前歷效應：暗態前歷效應：是指光敏電阻測試或工作前處于是指光敏電阻測試或工作前處于暗態，當它突然受到光照后表現為暗態。前歷越暗態，當它突然受到光照后表現為暗態。前歷越長，光電流上升越慢。長，光電流上升越慢。其效應曲線如下圖所示。一般，工作電壓越低，其效

14、應曲線如下圖所示。一般，工作電壓越低，光照度越低，則暗態前歷效應就越重。光照度越低，則暗態前歷效應就越重。硫化鎘光敏電阻的暗態前歷效應曲線硫化鎘光敏電阻的暗態前歷效應曲線 1-黑暗放置3分鐘后 2-黑暗放置60分鐘后3-黑暗放置24小時后 亮態前歷效應亮態前歷效應 指光敏電阻測試或工作前已處于亮態，當照度與指光敏電阻測試或工作前已處于亮態，當照度與工作時所要達到的照度不同時，所出現的一種滯后現工作時所要達到的照度不同時，所出現的一種滯后現象，其效應曲線如下圖所示。一般，亮電阻由高照度象，其效應曲線如下圖所示。一般，亮電阻由高照度狀態變為低照度狀態達到穩定值時所需的時間要比由狀態變為低照度狀態達

15、到穩定值時所需的時間要比由低照度狀態變為高照度狀態時短。低照度狀態變為高照度狀態時短。 硫化鎘光敏電硫化鎘光敏電阻亮態前歷效阻亮態前歷效應曲線應曲線 七、溫度特性七、溫度特性 光敏電阻的溫度特性很復雜，在一定的照度下，光敏電阻的溫度特性很復雜，在一定的照度下，亮電阻的溫度系數亮電阻的溫度系數（有正有負）有正有負） )(12112TTRRRR1、R2分別為與溫度T1、T2相對應的亮電阻。 光敏電阻在某一光照下的阻值，稱為該光照下的亮電阻。 右圖所示為典型右圖所示為典型CdSCdS（實線）與（實線）與CdSeCdSe（虛線）（虛線）光敏電阻在不同照度下的光敏電阻在不同照度下的溫度特性曲線。可以看出

16、溫度特性曲線。可以看出這兩種光敏電阻的相對光這兩種光敏電阻的相對光電導率隨溫度的升高而下電導率隨溫度的升高而下降，亮電阻變大。降，亮電阻變大。I / A100150200-50-1030 5010-30T / C硫化鎘的光電流硫化鎘的光電流I和溫度和溫度T的關系的關系溫度升高，亮電阻變大，電流變小溫度升高，亮電阻變大，電流變小 溫度對光譜響應也有影響。隨著溫度的升高，其溫度對光譜響應也有影響。隨著溫度的升高，其暗電阻和靈敏度下降，暗電阻和靈敏度下降，光譜特性曲線的峰值向波長短光譜特性曲線的峰值向波長短的方向移動。的方向移動。硫化鎘的光電流硫化鎘的光電流I I和溫度和溫度T T的關系如圖所的關系

17、如圖所示。有時為了提高靈敏度，或為了能夠接收較長波段示。有時為了提高靈敏度，或為了能夠接收較長波段的輻射，將元件降溫使用。例如，可利用制冷器使光的輻射，將元件降溫使用。例如，可利用制冷器使光敏電阻的溫度降低。敏電阻的溫度降低。2040608010001.02.03.04.0/mI/mA+20 C-20 C溫度改變光譜響應溫度改變光譜響應l一般n型半導體的EF位于Ei之上Ec之下的禁帶中。lEF既與溫度有關，也與雜質濃度ND有關： 一定溫度下摻雜濃度越高，費米能級EF距導帶底Ec越近； 如果摻雜一定，溫度越高EF距Ec越遠，也就是越趨向Ei。Si中不同摻雜濃度條件下費米能級與溫度的關系 光敏電阻

18、的響應時間（又稱為慣性）比其他光電器光敏電阻的響應時間（又稱為慣性）比其他光電器件要差些（慣性要大），頻率響應要低些，而且具有特件要差些（慣性要大），頻率響應要低些，而且具有特殊性。當用一個理想方波脈沖輻射照射光敏電阻時，光殊性。當用一個理想方波脈沖輻射照射光敏電阻時，光生電子要有產生的過程，光生電導率生電子要有產生的過程，光生電導率要經過一定的要經過一定的時間才能達到穩定。當停止輻射時，復合光生載流子也時間才能達到穩定。當停止輻射時，復合光生載流子也需要時間，表現出光敏電阻具有較大的慣性。需要時間，表現出光敏電阻具有較大的慣性。 通常通常光敏電阻的響應時間與入射輻射的強弱有關，光敏電阻的響應

19、時間與入射輻射的強弱有關，光照越強其時間常數越小，光照越弱其時間常數越大。光照越強其時間常數越小，光照越弱其時間常數越大。下面分別討論下面分別討論。 00)1 (/0te)1 (/0teII00/0te/0teII顯然，光敏電阻在弱輻射作用下的顯然，光敏電阻在弱輻射作用下的上升時間常數上升時間常數r r與下降時間常數與下降時間常數f f近似相等。近似相等。 0000/110t/110tIIttanh0tIItanh0)2/()2(/coshhstanhxxxxeeeexxinx雙曲正切函數頻率響應特性頻率響應特性 1-硒 2-硫化鎘 3-硫化鉈 4-硫化鉛 Uf3dB2120)2(1 )(ff

20、021cf20LVMAn常量2200221LVLVMfAnAnc增益帶寬積增益帶寬積3.23.2.3.3 光敏電阻的變換電路光敏電阻的變換電路dR：探測器電阻：探測器電阻LR：偏置電阻（或負載電阻）：偏置電阻（或負載電阻）一、基本偏置的一、基本偏置的靜態靜態設計設計1. 圖解法圖解法LBRV /BVVIOLLBRIVVLLBRIVV負載回路方程負載回路方程 ggpLVSEVSVgI伏安曲線伏安曲線 負載線負載線 伏安特性伏安特性 V2. 解析法解析法LdBLRRVI偏置電流偏置電流LdLBALRRRVVV輸出點電壓輸出點電壓222)()(LdgdBLddBLRRSRVRRdRVdIILLdgd

21、BLRRRSRVRIV22)(222)(LddBdLmRRRVRIP光敏電阻功耗光敏電阻功耗入射輻射變化時，偏置電阻入射輻射變化時，偏置電阻RL兩端的輸出信號電流、電兩端的輸出信號電流、電壓變化為壓變化為 ？電路參數確定后，輸出信號變化與入射輻射量的變化成線性關系。電路參數確定后，輸出信號變化與入射輻射量的變化成線性關系。 gSG 設入射于光敏電阻的輻射為調制輻射正弦，ttmsin)(0RLRdipCdVL等效微變電路基本偏置電路V二、基本偏置的動態設計二、基本偏置的動態設計思考：用圖解法如何分析？思考：用圖解法如何分析？BVOtVStimBgpsin)(輸出的交流部分電流LddLLdLddm

22、BgLddmBgLRRRRRRRRCtVSRRCtVStV2/1)(1 sin)/(sin)(輸出的交流部分電壓m0m00檢測微弱信號時需考慮器件的固有噪聲：檢測微弱信號時需考慮器件的固有噪聲：熱噪聲、產生復合噪聲及熱噪聲、產生復合噪聲及/f噪聲噪聲光敏電阻若接收調制輻射，其噪聲的等效電路如圖所示ipingrintinfRLRdCd考慮噪聲時的噪聲等效電路三、輸出信號特性分析三、輸出信號特性分析LLddBLSRRRSRVRIVV22)(令令VVS從功率匹配和最大信噪比兩個方面分析： VS和VB、RL的關系推導：將式推導：將式對對LR求導，并令等式為零以求解求導，并令等式為零以求解SV的最大值，

23、即的最大值，即:0)()()()(2)()(342LdLddBLddLBLdLddBRSRRRRRVRRRRVRRRRRVVL則僅則僅LdRR SV有極大值：有極大值：LdBSRRVV4max此時稱為功率匹配，輸出信號電壓的變化也最大。此時稱為功率匹配，輸出信號電壓的變化也最大。1. 功率匹配功率匹配 dLdLBASRRRRVdVV2)(（1） VS與與RL的關系的關系（定負載線斜率）（定負載線斜率）(2) VS和和VB的關系的關系 (由功耗線確定由功耗線確定VB)BV增大，增大， SV也隨之增大，但功耗也隨之增大，但功耗mP也會增大，導致探測器損壞。也會增大，導致探測器損壞。maxBV因此對

24、應一定功耗存在一偏置電壓最大值因此對應一定功耗存在一偏置電壓最大值222)(LddBdLmRRRVRIPLdBSRRVV4maxLBRV/BVVIO最大功耗最大功耗超出功耗！超出功耗！例：例：PbS最大功耗為最大功耗為0.2W/cm2，使用時要低于比值，使用時要低于比值0.1W/cm2解：由解：由222)(LddBdLmRRRVRIP)(1 . 0)(LdddLddmBMAXRRRARRRPV其中，其中，dA為探測器光敏面積（單位：平方厘米）為探測器光敏面積（單位：平方厘米） 存在一個最佳偏流，其對應最高信噪比，信噪比較大時所對存在一個最佳偏流，其對應最高信噪比，信噪比較大時所對應的偏壓要比最

25、大可加電壓應的偏壓要比最大可加電壓VBmax小小 。 2. 信噪比最佳時偏置條件的確定信噪比最佳時偏置條件的確定最佳偏流最佳偏流abnfffIki12fMIeirgn42g-r 噪聲1/f 噪聲LdBLRRVI偏置電流偏置電流LdLBLLLRRRVRIV輸出點信號電壓輸出點信號電壓 在滿足功耗的前提下，根據系統要求在滿足功耗的前提下，根據系統要求綜合考慮信號幅度和信噪比。綜合考慮信號幅度和信噪比。 最佳偏壓的確定最佳偏壓的確定 分析：流過探測器的電流近似恒定電分析：流過探測器的電流近似恒定電流，與流，與Rd無關無關, ,不隨光輻射的變化而不隨光輻射的變化而變化。變化。 dLRR LBLdBLR

26、VRRVI1. 恒流偏置恒流偏置四、光電導探測器三種偏置方式四、光電導探測器三種偏置方式ddLLdddLLLddLLLddLBSGRIRRGRRIRRRRIRRdRRVV222)(特點：信號受探測器電阻影響嚴重！特點：信號受探測器電阻影響嚴重！dLRR 如果采用左圖簡單的恒流偏置電路要求RLRd，又要IL較大，則VB要求很高電壓。例：VB（RLRd）IL=(500K+100K)0.5mA=300 V 例：銻化銦（例：銻化銦（InSb）PC探測器（探測器（77K）的恒流偏置電路）的恒流偏置電路2. .恒壓偏置恒壓偏置 分析分析：探測器上的電壓近似等于：探測器上的電壓近似等于VB，與與Rd無關，基

27、本恒定，與光輻射變化無關，基本恒定，與光輻射變化無關。但流過探測器的偏流不恒定，無關。但流過探測器的偏流不恒定，隨隨Rd變化。變化。dLRR 0LdLBARRRVVSRVGRVGRRIRRGRRIRRdRRVVLBdLBdLdLLdddLLLddLBS22)(特點：輸出信號電壓不受探測器電阻特點：輸出信號電壓不受探測器電阻Rd的影響的影響!dLRR BABVVVV 特點：與上兩種偏置比較，當特點：與上兩種偏置比較，當R Rd d變化時探測變化時探測器上的功率變化最小器上的功率變化最小( (恒功率的來源恒功率的來源) )。 輸出信號電壓的變化也最大（如前分析）。輸出信號電壓的變化也最大（如前分析

28、）。 dLRR dBLddBmRVRRRVP4)(2223. 恒功率偏置（匹配偏置）恒功率偏置（匹配偏置）功率匹配功率匹配例：銻化銦（例：銻化銦（InSb）光電導探測器（）光電導探測器（77K）的匹配偏置電路）的匹配偏置電路 由偏置電壓源（12V）和R1，DW1,R2,R3以及C1構成的穩壓濾波電路提供穩定的偏置電壓。探測器暗阻（77K時）為1.8k，RL亦為1.8k，構成匹配偏置。注意該處的穩壓管DW2用來保護探測器，使之兩端電壓不超過額定值。4. 三種偏置方式比較（1）從響應度和偏置電壓源方面比較）從響應度和偏置電壓源方面比較 恒流偏置（恒流偏置（RLRd，取，取RL=10Rd)21dLg

29、RISdLBRIV111匹配偏置（匹配偏置（RL = Rd）222dRISLgdLBRIV22恒壓偏置（恒壓偏置（RL匹配偏置匹配偏置恒壓偏置恒壓偏置由于恒流偏置需要由于恒流偏置需要很高的很高的VB，在實用，在實用中可采用匹配偏置中可采用匹配偏置而獲得與恒流偏置而獲得與恒流偏置相當的響應度。相當的響應度。偏置電壓偏置電壓: 恒流偏置恒流偏置匹配偏置匹配偏置恒壓偏置恒壓偏置LLddBLSRRRSRVRIVV22)(（2）從放大器輸出的）從放大器輸出的S/N比較比較22222222 )()()(dLdLnndLdnLdLLnsniRRRRIERRRERRREEn 當探測器與放大器系統的噪聲當探測器

30、與放大器系統的噪聲以放大器的非熱噪聲（以放大器的非熱噪聲（1/f噪聲噪聲, g-r噪聲）和前放的噪聲）和前放的In為主時，信為主時，信噪比與偏置方式無關（即與噪比與偏置方式無關（即與RL無無關）。關）。n 當系統以探測器的熱噪聲和當系統以探測器的熱噪聲和前放的前放的En為主時：為主時：恒流偏置恒流偏置S/N匹配偏置匹配偏置S/N恒壓偏置恒壓偏置S/N。5小結小結（1）PC探測器一定要加偏置電路。探測器一定要加偏置電路。（2）設計偏置電路時（確定）設計偏置電路時（確定VB和和RL ），首先要根據所用探測器的信號噪聲及），首先要根據所用探測器的信號噪聲及S/N輸出對偏置電流輸出對偏置電流IL的關系

31、曲線選定的關系曲線選定IL值。通常在值。通常在S/N最大值范圍內選取。最大值范圍內選取。（3）選定）選定IL值，再根據系統情況選擇偏置方式來確定值，再根據系統情況選擇偏置方式來確定RL值。值。l一般按一般按 S/N大為準則，優先選用恒流偏置大為準則，優先選用恒流偏置，即，即RL Rd（一般為（一般為RL10Rs），無），無必要或不便采用恒流偏置時，可用恒壓和匹配偏置。必要或不便采用恒流偏置時，可用恒壓和匹配偏置。l選用恒壓偏置時，一般使選用恒壓偏置時，一般使10RLRd，其信號輸出幅值穩定，受，其信號輸出幅值穩定，受Rd變化影響小。變化影響小。l對于高阻探測器（對于高阻探測器（ Rd一般大于一

32、般大于1M），一般不采用恒流偏置（偏壓要相當高），一般不采用恒流偏置（偏壓要相當高），同時如對響應時間也有較高要求，則，同時如對響應時間也有較高要求，則RL就不能選大，而常采用恒壓偏置或匹配就不能選大，而常采用恒壓偏置或匹配偏置。偏置。（4）根據）根據VB IL （RL+Rs），在），在Rd，RL，IL已定下，算出已定下，算出VB值，且滿足值，且滿足VBVBmax，否則需重新設計選定。，否則需重新設計選定。光譜響應范圍寬，光譜響應范圍寬，測光范圍寬，測光范圍寬，靈敏度高，靈敏度高，無極性之分無極性之分, ,價格便宜價格便宜, ,強光照射下線性較差，頻率特性也較差。強光照射下線性較差，頻率特性也

33、較差。 光敏電阻的光敏電阻的重要特點重要特點是：是：光敏電阻按光譜范圍可分為紫外、可見光、紅外；光敏電阻按光譜范圍可分為紫外、可見光、紅外；按晶體結構分為單晶和多晶；按制作工藝分為薄按晶體結構分為單晶和多晶；按制作工藝分為薄膜燒結型和真空蒸發型。膜燒結型和真空蒸發型。幾種常用的光敏電阻幾種常用的光敏電阻光光敏敏電電阻阻紫外紫外 硫化鎘硫化鎘(CdS)和硒化鎘和硒化鎘(CdSe)可見可見硫化鉈硫化鉈(TiS)、硫化鎘、硫化鎘(CdS)和硒化鎘和硒化鎘(CdSe)紅外紅外硫化鉛硫化鉛(PbS)、碲化鉛、碲化鉛(PbTe)、銻化銦銻化銦(InSb)、碲汞鎘（、碲汞鎘（光敏電阻常用光電導材料一、CdS

34、光敏電阻 CdS光敏電阻是最常見的光敏電阻，它的光譜響應特性最接近人眼光譜光視效率，它在可見光波段范圍內的靈敏度最高，因此，被廣泛地應用于燈光的自動控制，照相機的自動測光等。 CdS光敏電阻的峰值響應波長為0.52m，CdSe光敏電阻為0.72m，一般調整S和Se的比例，可使Cd（S，Se）光敏電阻的峰值響應波長大致控制在0.520.72m范圍內。 CdS光敏電阻的光敏面常為蛇形光敏面結構。 PbS光敏電阻的光譜響應和比探測率等特性與工作溫度有關，隨著工作溫度的降低其峰值響應波長和長波長將向長波方向延伸，且比探測率D*增加。 例如，室溫下的PbS光敏電阻的光譜響應范圍為13.5m，峰值波長為2

35、.4m，峰值比探測率D*高達11011cmHzW-1。當溫度降低到（195K）時，光譜響應范圍為14m，峰值響應波長移到2.8m，峰值波長的比探測率D*也增高到21011cmHzW-1。 InSb光敏電阻是35m光譜范圍內的主要探測器件之一。 InSb材料不僅適用于制造單元探測器件，也適宜制造陣列紅外探測器件。 InSb光敏電阻在室溫下的長波長可達7.5m，峰值波長在6m附近，比探測率D*約為11011cmHzW-1。當溫度降低到77K（液氮）時，其長波長由7.5m縮短到5.5m，峰值波長也將移至5m，恰為大氣的窗口范圍，峰值比探測率D*升高到21011cmHzW-1。 Hg1-xCdxTe系

36、列光電導探測器件是目前所有紅外探測器中性能最優良最有前途的探測器件，尤其是對于48m大氣窗口波段輻射的探測更為重要。 Hg1-xCdxTe系列光電導體是由HgTe和CdTe兩種材料的晶體混合制造的，其中x標明Cd元素含量的組分。在制造混合晶體時選用不同Cd的組分x，可以得到不同的禁帶寬度Eg，便可以制造出不同波長響應范圍的Hg1-xCdxTe探測器件。一般組分x的變化范圍為0.180.4，長波長的變化范圍為130m。 Infrared detector module with preamp P4245 PbS photoconductive detector P9217-03 a. 光電導探測

37、器具有內增益M特性， M與材料器件性質和外加電場大小有關。b. 當用于模擬量測量時，因光照指數與光照強弱有關，只有在弱光照弱光照下光電流與入射輻射通量成線性關系。c. 用于光度量測試儀器時，必須對光譜特性曲線進行修正，保證其與人眼的光譜光視效率曲線符合。d. 光敏電阻的光譜特性與溫度有關，溫度低時，靈敏范圍和峰值波長都向長波方向移動，可采取冷卻靈敏面的辦法來提高光敏電阻在長波區的靈敏度。 e. 光敏電阻的溫度特性很復雜，電阻溫度系數有正有負，一般說，光敏電阻不適于在高溫下使用，溫度高時輸出將明顯減小，甚至無輸出。f. 光敏電阻頻帶寬度都比較窄，在室溫下只有少數品種能超過1kHz，而且光電增益與帶寬之積為一常量，如要求帶寬較寬，必須以犧牲靈敏度為代價。g. 設計負載電阻時，應考慮到光敏電阻的額定功耗，負載電阻值不能很小。h. 進行動態設計時，應意識到光敏電阻的前歷效應。 特點特點環氧樹脂封裝反應速度快體積小可靠性好光譜特性好 靈敏度高應用應用照