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文檔簡介

1、14.1 半導體的導電特性半導體的導電特性 14 2 8 432 2 8 18 4SiGe共價健共價健 Si Si Si Si價電子價電子 Si Si Si Si價電子價電子空穴空穴自由電子自由電子+ Si Si Si Si+_ Si Si Si Sip+多多余余電電子子磷原子磷原子在常溫下即可在常溫下即可變為自由電子變為自由電子失去一個失去一個電子變為電子變為正離子正離子摻雜后空穴數目大量摻雜后空穴數目大量增加,空穴導電成為這增加,空穴導電成為這種半導體的主要導電方種半導體的主要導電方式,稱為空穴半導體或式,稱為空穴半導體或 P型半導體。型半導體。 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空

2、穴外電場外電場+-+-+ IR+- D6V12V3k BAUAB+ab例例2:BD16V12V3k AD2UAB+V sin18itu t UZIZIZM UZ IZ_+UIODZR+-Ui+-UzZZ ZIUr )()()()(000tUtttUtUZuZZ UZIZIZM UZUIO IZUZIZIZM IZUIOBCCBOBCBOCBECEIIIIIIII CEOBCBOBCBOCBOBCBOBECBOCEC)(1 )(IIIIIIIIIIII BC CEO III ,有有忽忽略略常常數數 CE)(BEBUUfI常常數數 B)(CECIUfINNPBEC常常數數 B)(CECIUfINNPBECNNPBECCCCCRUI BCII_ BCII 53704051BC.II 400400605132BC .II CEOCBO0CBOCBOB0CBOBE

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