1、D 1 基本、共同用語晶圓處理工程用語編P用語（英文/中文）用語說明D1001unloader卸載機、卸貨機是將被加工對象（work）從所te位直取出之機構D1002Indexer指針器，索引器是指發送機（sender）與接U機（receiver）之總 稱。在處理之前后，亦有使用同一匣盒使遮光罩 （mask）,晶圓等基板收納位置不會變化之單面厘式（uni-cassette）方式。D1003Wafer automatic transfer system 晶圓自動傳送系統是指將晶圓每次一片或每次多片，從匣盒自動轉 移至各處理裝置之裝置。此一裝置是由匣盒載物 臺（cassette stage）、晶圓

2、搬運機器人，以及該接口 所構成，大都與匣盒搬運機械人搭配使用。D1004Wafer hoist晶圓交接升降裝置系指有關晶圓輸送機構之晶圓交接升降機構。大 都與附屬在輸送機構先端之晶圓承接臂成對搭配 使用，位在交接之制程位置，由晶圓承接部分與 驅動該部分之上下機構所組成。D1005Wafer holder 晶圓保持器系指有關形成薄膜之半導體制造裝置，在各種處 理或晶圓輸送時，用來保持晶圓之裝置部分。D1006X-Y stage/X-Y table從橫移動載物臺/從橫移動載 物盤是指可將被加工對象（work）加以從橫方向移動，且 可決定其精確位置之機構。D1007material safety d

3、ata sheet材料安全數據清單MSDS是指記錄化學物質之物性、毒性、可燃性，反應 性及處理方法之安全性數據清單。為確保使用瓦 斯或藥品處理裝置在操作時之安全為目的，通常 與使用說明書等附加在一起。D1008Orientationflatarrangeequipment 晶圓定向平面擺齊裝置是指將匣盒內晶圓之定向平面加以擺齊在一個方 向之裝置。為要檢查晶圓轉移傳送是否確實，或 為要使晶圓在各處理裝置內之定向決定，能順利 所使用之裝置。D1009cassette / magazine晶圓匣盒/晶圓收納盒是指將晶圓被加工對象整齊加以收納之裝置。為 使晶圓加工對象在各制程上能容易進行搭載及卸 在載

4、為目的，所使用之匣盒。類同之用語有 magazine 一語。D1010cassette-to-cassette handling 匣盒間轉運處理系指從供給側晶圓匣盒，將晶圓每次一片自動加 以取出，輸送至處理室處理后，將晶圓逐片收納 在收納側晶圓匣盒之處理方式。D1011Availability利用度，利用率系指針對計劃運輸時間，實際可止常運輸時間之 比率。D1012Substrate基板，基片是指成為處理對象之空白遮光罩（mask blank）,晶圓等材料總稱.D1013Carrier box指為要輸送或保管晶圓之容器.在制造過程上務編號用語（英文/中文）用語說明編P用語（英文/中文）用語說明

5、運載盒必保持晶圓/、至受到容器排放瓦斯之污染，輸送盒材質之鑒定至為重要.目前，輸送盒以使用聚丙稀(polypropylene)樹脂及聚碳酸月旨(polycarbonate) 的樹脂為主.D1014Cluster tool組合設備公具指將不同裝置廠家之設備或不同制程之結合，或能將半導體裝置制造商獨特之制造模塊，加以裝 配之多加工室(multichamber)制造裝置。是以 美國半導體制造裝置廠家為中心之團體 MESA(Modular Equipment Standard Architecture) 所提倡者。D1015Pre-purge是指要使用熱處理爐、反應室或瓦斯配管系統之 前，將純性瓦斯引

6、進加以凈化之操作。D1016Cost of ownership是將半導體制造相關設備之投資，或將營運之經 濟性評價基準，以經營位皆加以模型化者。將制 造裝直之壽命周期成本(life cycle cost ),以裝置 價格、生產性、可靠性及成品率等加以考量，而 算出每一晶圓良品成本之方法。D1017Magnetic coupled feedthrough磁耦合旋轉饋通是指利用N極S極之磁性結合力，將外旋轉驅動 力傳達到真空氣氛內之旋轉機構。是一種非接觸 旋轉，因多半在真空與大氣間隔著一道墻壁之構 造，其真空密封壽命為無限大，對超高真空性能 之維持很有效。D1018Magnetic levitat

7、ion transfer磁懸浮輸送是指利用磁性反斥力之非接觸性輸送機構。是由 控制磁懸浮之控制電磁鐵、線性馬達及懸浮體等 所構成，例如遮光罩或晶圓等之基片搭載在懸浮 體上來移動。在真空中使用時，因屬非接觸，無 振動、無潤滑油及全然不產生灰塵，具有可獲得 潔凈真空等大特點。D1019Robot for using in vacuum真空機械人是指在真空室內，為要移送基板單體所使用輸送 機構之總稱。為防止例如遮光罩，晶圓等基板受 到微粒之污染，采用振動部極低之機構。就其功 能而言，一般具有直進、旋轉、上下移動等功能。D1020Throughput 生產量，工作數是單位時間內所能處理之遮光罩或晶圓等

8、基板之 工作數量。D1021Slow vent緩慢通氣是指將真空裝置之真空槽，恢復到大氣壓之過程 中，經由調節電導閥，可以很小之導入速度緩慢 加以通氣。其目的在于防止微粒飛揚。Soft vent軟性通氣編力用語(英文/中文)用語說明D1022Slow pumping/slow roughing 緩慢排氣是指將真空裝置從大氣壓開始真空排氣過程中， 經由調節電導閥以很小之排氣速度緩慢加以排 氣。其目的在于防止微粒飛揚。類似之用語有軟 性排氣(soft roughing )。Soft roughmg軟性排氣D1023Electrostatic chuck靜電夾頭，靜電夾盤是在載物臺上設立介電層，對載

9、物臺與晶圓間施 加電壓，經由發生在兩若間之庫倫力，將晶圓加 以吸住之機構。為要保持晶圓及溫度控制，可以 在載物臺或輸送系統等。D1024Sender發送機是指將收納處理前之遮光罩或晶圓等基板之匣 盒，加以搭載并將基板輸送至處理裝置之機構。D1025Soak time熱煉時間系指將退火裝置或真空蒸鍍裝置之加熱對象物，以不致蒸發之溫度加以維持之時間。就退火而言，指維持所希望時間，就真空蒸鍍法而言，指預備 加熱溫升排氣之時間。D1026Soft landing軟性著陸旨在橫型之熱氧化裝置，熱擴散裝置及熱CVD裝置，將搭載晶元之晶舟，輸入或輸出制成反應 管之際，不至于接觸管內壁，具有可抑制產生微 粒功

10、能之搬運裝置。D1027Turbo molecular pump 渦輪式分子泵指具有汽渦輪機形之葉片， 經由高速旋轉之轉子， 將與其葉片表面碰撞氣體分子給與運動量，以輸 送氣體之運動量輸送式真空泉。可在分子流領域 有動作。D1028Dummy wafer 仿真晶元，虛設晶圓指當裝置在試運轉中，分批處理晶圓時為要湊齊 片數，或為承載效應等對策所使用，指實際沒有 形成IC圖案的晶圓.D1029Chip ?die芯片/小芯片指將用來制作無源(被動)組件、有源(主動) 組件，或被制成集成電路為前提之半導體或絕緣 物細片。有時亦可稱為(片狀器件)。請參閱cf. JIS. 請參閱圖E-1002.D1030

11、Turn-around-time一貫制程所需時間指將工件之完成產品所需要之時間。如何將產品提早完成，Q-TAT(QUICK TAT)D1031Dry vacuum pump干式真空泵指作為渦輪式分子泵或低溫泵(cryopump)(oilfree)指出加工，系瓦斯通路不會混入油分之不沾 油泵。通常可從大氣壓減壓至10-3PaD1032Batch processing分批處理系指每次可見多數片晶圓加以處理之方式。D1033Buffer緩衡容器系指可在裝置內暫時收納遮光罩或晶圓等基板之 單元。通常可分為使用載運閘盒，或使用專用治 具者。基板之進出有先進先出(FIFO),有后進先出(LIFO)之2種方

12、式。D1034Foot print 腳印系指將裝置設置在平面時，從正上方加以投影之 總設置面枳。編力用語(英文/中文)用語說明D1035Process induced particle counter制程感應粒子計數器系指具有嚴格之試料氣體防漏機構，將試料流通 路內鼻子殘留雜質徹底加以除去之光散射式粒子 計數器。系用來監視半導體組件制造原料瓦斯， CVD或注入粒子裝置等減壓槽中之浮游粒子數。D1036Beltless transfer system無帶式輸送系統是指將遮光罩或晶圓等基板背面，以諸如真空機 械人或磁浮等非用直接輸送帶之基板輸送機構之 總稱。以采用橡皮輸送帶或金屬性彈性帶之輸送，

13、無法防止來自輸送帶材質之污染，因此今后均以 無帶式輸送主流。D1037Single wafer processing單晶圓處理方式是指將晶圓一片一片加以處理之方式。D1038Multi-chamber vacuum system 多式真空系統是指關于布線工程、薄膜形成工程等，經由將各 個不向制程適當加以搭配在一起，且在一貫之氣 氛卜加以處理，為提升制程之總功能為目的，所 構成之多室真空裝置。此一真空裝置宿以輸送室 為中心，在其周圍將制程室配制成放射狀型。以 及以輸送室為中央，而將制程室配置在兩側之線 形型等兩種。D1039Mechanical chuck機械式夾頭是指利用機械爪具或環形吸盤等，

14、將晶圓外周部 加以機械式保持、安裝之機構。D1040Receiver接受匣盒是指搭載處理后之遮光罩，晶圓等基板之收納匣 盒，及將基板由處理裝置取出之機構。D1041Recipe處理程序是指為要進行晶圓制程之處理控制，對制程裝置 之制程次序，及控制參數（溫度，壓力，瓦斯之 種類及流量，時間等控制目標值）等相關裝置個 別之處理程序。D1042Loader裝載機、裝料機指將加工對象（work）放置與所定位置或安裝之 機構。D1043load-lock chamber加載互瑣真空室是不得將處理室暴露于大氣中，可進行晶圓之裝 入與取出為目的之真空室。在處理室之前后或任 一方配置一個閥，經由閥與真空排氣系

15、統動作之 搭配，可以經常保持處理室在真空狀態。D1044rapid thermal process快速熱處理是有關熱處理，為提升產量（throughput）等目的， 將溫度作快速上升或卜.降等操作或制程。D1045in-situ就地，在現場，自然（環境）以往都將起當作另外制程進行之處理，卻將其編入其它制程內，諸如：in-situ cleaning,in-situ doping,及in-situ monitoring 可分另U當作就地清 潔，自然（環境）摻雜，及現場監視等使用。D1046Open cassette開放式晶圓匣是屬于可收納晶圓而在裝置間搬運之容器，由可 支持晶圓之部位，與搬運時將容

16、器本體加以把持 之部位，以及由此等支持體所組成，其晶圓收納 部成為開放狀態之晶圓搬運容器。編p用語（英文/中文）用語說明D1047Kinematic coupling運動舉上之耦合在載物臺上配置有位于三角形頂點之三個凸狀， 且具有3次元曲面之突出頭，在各個突出頭套上 設在被載物體之3個顛倒V字形之嵌合罩，是用 來進行位直決7E之機構。被使用作300mm之晶圓搬運機(wafer carrier)。具后較大之調準范圍 與經由自動求心之較高位置決定精確度為其特 點。D1048Swift start up system快速啟動系統關于半導體等生產啟動，從初期階段起同時將各 裝置加以設置，邊決定制程條件

17、，邊快速提高 全能生產時能力之快速生產啟動方法。D1049Thermal budget 熱預算系指在制程中，晶圓所受到的總熱量。是溫度及 暴露于該溫度全時間的函數。D1050PID temperature controlPID溫度控制是典型制程溫度控制方式之一種。使用P為比例，1為積分，D為微分等3種基本演算，將目標值 與現有值間的差值變換成控制量者。針對PID各參數變更，引較為容易地預測其控制特性的變化。D1051Pod密閉夾式容器為達成高度局部潔凈化需要，且降低潔凈室的 營運成本為目的，是用作保存及輸送如晶圓等被 處理體密閉容器的總稱。經由以下主要構成要素 的選擇，可以考量有如下四種組合，

18、容器內部可 保持晶圓的匣盒部分， 與容器才-體構造，(即匣 盒部分為可拆開式或無法拆開式) 。其開口部位在 前回或底面者。D1052Process integration加工整合，整合處理當靠量抑制加工研發的投資結果，在半導體制造 裝置內，以一定的條件或環境"將多項加工連 續反復加以處理，在同一晶圓上重復加工，可以 提升合格率或生產效率的技術。列如可以列舉以 in-situ 將蝕刻或濺射等，施加一連串的處理， 且加以回收之多室裝置等。D. 2薄膜形成用語編p用語(英文/中文)用語說明D2001Thin film deposition system 薄膜沉積系統是指有關半導體制造工程，

19、可形成絕緣膜，電極 布線膜，及半導體膜之裝置總稱。有關薄膜之形 成原理可大略分成真空蒸鍍裝置，濺鍍 (sputtering)系統等 PVD (physical Vapor Deposition)系統，CVD(Chemical Vapor Deposition) 系統，及磊晶(epitaxial)生長系統。編p用語(英文/中文)用語說明D2002Injector注入器系指諸如CVD系統，磊晶生長系統等反映室內， 注入瓦斯之噴出部。也可稱為噴嘴。nozzle噴嘴D2003Wafer heating mechanism 晶圓加熱機構系指為加熱晶圓所護套加熱器，紅外線燈加熱器 等的總稱。隨著晶圓之大口

20、徑化，需要囿內有均 勻加熱性能，進年來在發熱體與晶圓背面間，使 用He或Ar等瓦斯作為熱媒體，此一媒體加熱已 成為重要技術。D2004Spin on glass coatingSOG涂敷SOG涂布是指為要層間絕緣膜或平坦化，所使用涂敷有SOG (spin -on-glass)膜之敷層。此一敷層使用將SiOx溶解于酒精俗稱調味料之藥液。敷層后進行 硬化烘焙(400-700C)使溶劑揮發。因約液之粘 度很高，有使用噴嘴洗滌及帽套洗滌機構之必要。D2005Overhang突出部分，懸垂物是指有美組件之穿孔(through hole)等，其段差 部之縱橫比(aspect ratio)較大時，上部段差部

21、 角較卜部底向之膜厚為大，形成如同附檐突出部 分之膜。D2006Shutter快門光匣是指位在薄膜形成裝置之蒸發源與晶圓間，所設 置之遮斷板。薄膜形成中為打開。D2007Step coverage 階躍式覆蓋率是指位在LSI等半導體組件薄膜表面上，有微細 段差部之膜覆蓋狀態。因有段差部之覆蓋狀態， 直接影響到布線之不止常斷線，成為產品合格率， 品質卜降之原因。D2008Planarization平坦化是指隨著布線之多層化，可以將縱向構造之段差 凹凸情況，加以緩和之技術。就絕緣膜之平坦化 法而百，有鍍膜( coating)法，偏濺射(bias sputtering)法，平坦化熱處理(reflow

22、)法、背 面蝕刻(etch back)法，及剝離(lift off )法。就 金屬膜之平坦化法而言，有偏濺射法、CVD選擇生長法等。對于 CMP法所能獲得跨于晶圓全面 之平坦化，特別稱為全面平坦化。D2009Void空隙，空洞當將晶圓加熱時鋁等金屬膜構造將產生變化。此 時，將用壓縮應力作用于布線材料膜，為緩和此 一應力過程，將在表面上產生突起之結晶粒，在 溫度下降之過程為要緩和張力，而在結晶粒界所 產生之空隙。D2010Polyimide coating聚酸亞胺涂敷是指為要形成保護膜、層間絕緣膜，所加以之涂 敷聚酸亞胺膜。因聚酸亞胺粘性很高(1000-2000cp )使用揮 發性較低溶劑 NM

23、F (N-methy1 pydolidon )。涂敷后，為溶劑之揮發 而在400 c中進行硬化烘焙。編R用語(英文/中文)用語說明D2011Mouse hole是指在組件圖案之段差部形成薄膜之際，由于側老鼠洞壁與平面間之膜質之不同，往后在蝕刻制程中由 部分系在高速蝕刻下進行，而產生蛀蟲狀之洞穴。D2012Reflow圓滑熱處理，平坦化熱處理技術是指隨著LSI組件之積體化，為緩和較復雜之段 差縱向構造，經由高溫熱處理謀求平坦化為目的， 所使用之技術。將含有磷8-12% （重量百分比）之PSG膜，以CVD法加以沉積，經由大約1000 c 之高溫熱處理，利用PSG之流動性將晶圓表面加 以平坦化。為降

24、低玻璃之軟化點，亦利用對PSG膜摻入硼雜質之BPSG膜。注：PSG （phrasestructure grammer）文句構造文法。D2013Wafer cooling stage 晶圓冷卻夾片臺是指將編排在半導體制造裝置內之高溫晶圓，加 以冷卻之夾片臺。亦稱為冷卻站（cooling station ）, 氧化、退火裝置或抗蝕刻處理裝置，亦有此一設 備。D2014Ferroelectric thin film鐵電薄膜強誘電體薄膜是指使用與電容器的PAT*1、BST*2、SBT*3等強電介體薄膜。是由MOCVD法，溶液汽化CVD法，濺射法，solgel法及涂敷法等所形成。 注：*1 : pbxZ

25、r1 - xTiO3;*2 : BaxSr1 - xTiO3;*3 : SrBi2Ta2O9 .D2015Plasma trap離了噴鍍系統是指在CVD裝置，為要保護真空泉等，利用等 離子體去除所反應副生物的裝置。2. 1真空蒸鍍裝置用語編R用語（英文/中文）用語說明D2101Vacuum evaporation system真空蒸鍍系統真空蒸著裝置是指在低于102 Pa壓力的真空裝置內放置蒸發 源，并在其周圍放置晶圓，經由加熱蒸發源使材 料（金屬或某種化合物），在真空中將晶圓加以蒸 鍍的裝置，蒸發源原子（或分子） 由蒸發源汽化 直接在晶圓基板上沉積凝積。D2102Resistance hea

26、ting evaporation 電阻加熱真空蒸鍍系統 抵抗加熱真空蒸著裝置此一裝置可以分類成以 W,Ta,Mo等高熔點金屬， 所制成加熱器或 BN等復合材料加以通電，使蒸 發材料直接加熱蒸發的直接加熱式裝置，以及由 塔期與發熱體所構成的間接加熱式裝置等2種。此一系統的真空蒸鍍裝置中，構造最簡單具備有 能量上最穩定狀態的特點。D2103Electron beam evaporation system 電子束蒸鍍系統系指將電子束照射于蒸發材料使其加熱，有利用具蒸發擊力來蒸鍍之裝置。就此一方法而言，增 期因置于水中冷卻，堪期材料中之雜質，混入蒸 鍍膜之可能性較小，此法亦使用于高融點物質，半導體或氧

27、化物之蒸鍍。編R用語（英文/中文）用語說明D2104Induction heating evaporation系指利用蒸發材料本身所感應之高頻電流，作為system感應加熱蒸鍍系統高周波誘導加熱真空蒸著裝置加熱源之真空蒸鍍裝置。此一方法僅對電感應材 料有效，而不能適用于絕緣體。 此法可利用于 不受荷電粒子損傷之蒸鍍裝置。D2105Ion plating system 離了噴鍍系統系指將晶圓置于陰極側， 產生輝光放電， 從蒸 發源將蒸發原子加以電離化或激勵， 加速后撞擊 在基板上， 且加以堆積之真空蒸鍍裝置。 經由 此法可以獲得密接性很強之被膜。 具后可得膜質 很優良之化合物被膜等特點。D210

28、6Ionized cluster beam evaporationSystem成團離子線束蒸鍍系統系指在局真空中， 將102103個原子聚集成團 加以電離化，且加速撞擊堆積在晶圓上之裝置。以成團蒸發源作為蒸發源，且將蒸汽容器之蒸汽 出口做成小噴嘴，促使容器內外壓力差很大以便 噴出。此時，蒸汽在斷熱膨脹之過程卜形成一團 一團。成團之電離化，系利用熱電子放射燈絲與 陽極，經由電子撞擊來進行。D2107Deposition rate蒸鍍速率系指每單位時間內，在晶圓上生成之膜厚。就真 至烝鍍法而后，稱為烝鍍速率，就濺射法而后， 稱為濺束鍍速率，就 CVD法而百，可稱為沉積 速率。D2108Evapor

29、ation source 蒸發源系指有關真空蒸鍍法中，將作為膜材料之蒸發材 料，加以蒸發之加熱源。此一蒸發源以電阻加熱 蒸發源，電子束蒸發源，感應加熱蒸發源為代表。D2109Evaporation material 烝發材料系指經由蒸發源加熱使之蒸發， 所稱為膜之物質。D2110Rotary and revolutionary jig 自轉公轉夾具系指有關蒸鍍裝置，所使用晶圓固定夾具之一種. 針對蒸發源配置多數個（通常為3個）圓頂狀晶圓 固定夾具，在蒸鍍中，因可進行各圓頂夾具之自 轉與公轉，可得跨于廣大面積厚度均一之膜，同時階躍式覆蓋范圍具佳.oD2111Dome jig 圓頂夾具系指內側能保

30、持多數晶圓之圓頂狀晶圓固定器。在其中心軸設置蒸發源，且經由將圓頂加以公轉， 可同時對多數之晶圓附著鈞一之膜。D2112Thickness control膜厚控制系在成膜制程中，經由厚膜計（水晶振蕩式，原子吸光式及光學式等）來監控膜及蒸鍍速度，使能成為所定膜厚，或保持一定之蒸鍍速度等控制。D2113Laser ablation鐳射燒蝕系利用高密度之光子照射，切斷蒸發材料表面之 化學結合， 使其蒸發而形成薄膜者。2. 2濺鍍裝置用語編p用語（英文/中文）用語說明D2201Sputtering system濺鍍系統在真空中引進放電用瓦斯，若對電極間施加電壓，將廣生輝光放電。此時等離子體（plasma

31、）中之正離子撞襲到陰極之靶表面，而將靶原子掏出來。系指利用此一濺射現象，在晶圓上形成薄膜之成膜裝置。放電瓦斯使用僦氣（ Ar）。D2202Diode sputtering system二極管濺鍍系統系指具有由一對陰極與陽極所成之2極冷陰極輝光放電管構造之濺鍍裝置。陰極相當于靶子，而 陽極兼作基板固定器之功能。產生輝光放電后， 等離子體中之家止離子撞擊到靶子表囿，將靶原 子掏出來，而將設置在陽極之晶圓上，形成薄膜。D2203DC diode sputtering system直流二極管濺鍍系統系指具有由一對陰極與陽極所成之2極冷陰極輝光放電管構造，在電極間施加直流電壓，使產生 輝光放電，在此系指

32、利用位在陰極上靶子之濺射 現象，來進行形成薄膜之濺鍍裝置。靶子材料只 限于導電體。D2204RF diode sptuttering system高頻二極管濺鍍系統指具有一對陰極與陽極所成之2極冷陰極輝光放電管構造，電極間主要施加13.56MHz之高頻電壓，使之產生輝光放電，而利用位在陰極靶子表 面濺射現象，來進行形成薄膜之濺鍍裝置。離子 產生效率交直流 2極方式為優。除了金屬、半導 體外，當然亦可使附十絕緣體， 因而被廣泛使用。D2205Magnetron sputtering system直接電磁場型濺鍍系統在濺射法中，是指施加于陰極之電場與成直交之磁場搭配所構成裝置之總稱。電子受磁場之作

33、用開始作擺線運動（trochoidal motion ），因要推進很 長之距離，而與瓦斯分子間之碰撞頻度大增，克 維持高離子電流密度放電，因此可作到高速濺鍍。D2206Magnetron sputtering system磁控管濺鍍系統是指經由磁控管原理施加交叉之點磁場，使從陰 極產生之電子進行擺線運動，在靶子表面形成高 密度等離了體，可以較低電壓來提高濺鍍速度之 高功率效率濺鍍裝置。從與潘寧（Penning）冷陰極放電同一原理，來進行產生離子潘寧磁控應用， 而稱為磁控管濺射法。D2207Planar magnetron sputtering system 平面磁控管濺鍍系統是指磁力線由平板狀

34、靶子之背面出來，再回到靶 子側之構造，具有此一陰極構造之磁控管型濺鍍 裝置。磁場在靶上成為環形 （race track）狀構造， 電廠旦進入該空間就被封閉在內無法跑出來。D2208Coaxial magnetron sputtering system 同軸磁控管濺鍍系統是指陰極與陽極具有同軸圓筒狀構造之磁控管型 濺鍍裝置。在中心圓筒狀之靶子內部，收納有多 數個圓筒狀磁鐵，經由在靶子表面產生平行之磁 場，可維持磁控管放電。亦有將陰極與陽極相反 配置之反向同軸磁控管濺射方式。編R用語（英文/中文）用語說明D2209Sputter-gun sputtering system是針對具有圓錐臺狀之靶子，

35、在其背后配置磁通濺射槍濺鍍系統路，而可在靶表回產生平行磁場之構造，是指具 有此一陰極構造之磁控管型濺鍍裝置。靶子形狀 具有特征，是屬于使用效率很優異之靶子。D2210Facing target sputtering (FTS) system相面對靶子濺鍍系統是指有2個互相面對之平板陰極，與沿著其中心 軸之磁場，搭配而成磁控管型之濺鍍裝置。電子 被封閉在相面對之陰極間，產生高密度之等離子 體。對磁性體之高速濺鍍很有效。D2211Thermoionic assisted triodesputtering system三極管熱離子輔助濺鍍系統是指利用熱陰極放電之濺鍍裝置。因具有電子供應燈絲，相面對陽

36、極及陰極等 3極，而稱為熱離 子輔助三極管濺射方式。因熱離子產生機構獨立， 具有將靶電壓在廣泛圍內， 單獨加以控制之特點。D2212Thermoinic assisted tetrode sputtering system 四極管熱離子輔助濺鍍系統是在二極管熱離子輔助濺鍍裝置中，在燈絲前側 附加熱電子控制用柵極，而成為四極管熱離子輔 助濺鍍裝置。是為提升熱離子之控制性，由三極 管熱離子輔助濺鍍裝置，進一步加以發展出來者。D2213Ion beam sputtering system離了束濺鍍系統是指針對置于高真空氣氛中之靶子，將從獨立離 子源以圖能加速引出來之離子加以撞擊，引在 10-2Pa以

37、下低瓦絲壓力下，進行成膜之濺鍍裝置。D2214Bias sputtering system 偏壓濺鍍系統是指以負偏壓施加于晶圓為特點之濺鍍裝置。離 子之一部將流入基板，雖然在成膜過程中晶圓面， 因受到離子之沖擊將吸附在膜面之雜志瓦斯驅離 出來，除能進行純水作用外，其它可當作對階躍 式覆蠱范圍（step coverage）之改善，以及膜囿平 坦化效應之改善等為目的，加以利用。D2215Reactive sputtering system反應性濺鍍系統是指隨一種化學反應而產生之化合物薄膜（氧化膜或氮化膜等），可附加在素材之濺鍍裝置。除 了僦氣外，將活性瓦斯引入濺鍍室，列如 ，對素材 如加以濺射金屬

38、，可形成金屬化合物之薄膜。D2216Co-sputtering system共同濺鍍系統是指將2種以上具有不同成分兀素指靶，同時加 以濺鍍，可獨立將個別功率加以控制，能制作經 由此一組成所能控制之膜濺鍍裝置。可利用于凝 形成由2種以上之元素合金或化合物薄膜。D2217Electron Coupling Resonance (ECR) sputtering system 電子耦合諧振濺鍍系統是指施加微波與磁場，使之產生電子回旋加速器 共振放電，籍以進行將等離子體（plasma）與靶電位，獨立加以控制之濺鍍裝置。D2218Cathode/target electrode 陰極/靶電極在濺鍍裝置中，

39、是將靶子設置在陰極表面被加以 濺鍍。此一型裝置之陰極有時亦可稱為靶電極t target electrode）。D2219Collimate sputtering準直濺鍍是指對從橫尺寸比（aspect ratio）較大之接觸孔（contact hole）加以鍍膜之際。為使至底部亦能 或充分之膜厚，在靶子與晶圓間插入格子狀板， 具有強制地提高垂直成分機構之建設。編R用語（英文/中文）用語說明D2220Sputtering rate系指有關濺鍍裝置，每單位時間之成膜厚度。濺鍍速率D2221Sputtering yield濺射二次放射系數系指針對每一個入射離子或中性粒子，從靶子表 面被掏出來之原子或分

40、子數目之統計性比例。濺 射二次放射系數，依離子之種類，能量之大小， 離子入射角，靶子材質，靶子結晶構造及面方位 而艾化。D2222Target靶子系指在濺鍍裝置中，設置于陰極表面，被離子撞 擊成膜之材料物質。D2223Efficiency of target utilization靶子利用效率系指針對使用前之靶容積，對消耗容積之比例。 位在磁控管陰極上靶材料之消耗，系被夾在磁極 之特定領域（浸蝕領域）內進行。此一浸蝕領域 之消耗深度，可以確定靶子之壽命。D2224Backing plate支撐板系指在濺鍍裝置中，將靶子固定在陰極時，所用 之靶固定板。利用例如磁控管濺鍍裝置這樣大電 流密度放電之

41、場合，為防止靶本身之溫度上升， 將靶子連接固定在支撐板上，藉以充分冷卻支撐 板本身。D2225Pre_sputtering系指在濺鍍裝置中，在晶圓成膜之前，靶子表面 污染層之去除，或為靶表面之安定為目的，所進 行之預先濺鍍處理。通常將快門光閘關閉狀態卜 進行濺射。D2226Force fill process系指濺射法等對覆蓋之洞穴進行A1布線之際，在加熱狀態下，將靶與基板間距離離遠一點，且 可在低壓卜安定加以放電之濺射法。D2227Long throw sputtering method系屬于提升根本覆蓋范圍之一種方法，為僅將濺 射粒子之垂直成分能到達基板，將靶與基板間距 離離遠一點，且可在

42、低壓卜安定加以放電之濺射 法。2. 3 CVD裝置用語編p用語（英文/中文）用語說明D2301Chemical vapor deposition system 化學汽相沉積系統系指將可構成薄膜材料之兀素，一種或數種之化合物瓦斯、單體瓦斯供給晶圓，經由汽相或在晶 圓表面之化學反應，可形成所希望薄膜之裝置。若擬激勵瓦斯，通常要使用熱能或等離子體放電。最近以光（雷射光或紫外線等）激勵之CVD裝置亦漸接近實用化。D2302Thermal CVD system熱激勵CVD系統熱CVD裝置系指以熱能作為激勵 CVD反應之裝置總稱。就 熱之發生源而言，電阻加熱方式與紅外線燈加熱 方式。因受反應室內瓦斯壓力，

43、又可分成大氣壓 CVD裝置，與低壓CVD裝置。編R用語（英文/中文）用語說明D2303Atmospheric pressure CVD系指反應室內壓力，為大氣壓之CVD裝置。其system大氣壓CVD系統 常壓CVD裝置特點為沉積速度快，比較上其階躍式覆蓋范圍較 佳。D2304Low pressure CVD system低壓CVD系統減壓CVD裝置/低壓CVD裝置系指將反應室保持在減壓（低壓）狀態之CVD裝置。其特點為可進行晶圓表面之均一反應，比 較上其階躍式覆蓋范圍較佳。為此已下過很多功 夫。D2305Vertical low pressure CVD system 垂直型低壓CVD系統

44、縱型減壓CVD裝置系指將反應管及加熱器，配置成垂直之低壓CVD 裝置。與水平型比較設置面積較小，因負載鎖定（load locking ）化容易，逐漸成為主流。D2306Metal organic CVD system有機金屬CVD系統有機金屬CVD裝置/MOCVD裝置系指利用有機金屬化合物之熱分解反應，來制作化合物半導體膜之 CVD裝置。與經由汽相磊生 成法，所生長化合物半導體單結晶之MOVPE裝置，雖有所分但裝置構成上有很多類同點。Organo-metallic CVD system有機金屬CVD系統OMCVD裝置D2307Plasma enhanced CVD system等離子體增強CV

45、D系統系指在低壓"經反應性瓦斯之等離子體放電分 解，可形成薄膜之 CVD裝置之總稱。與熱激勵 CVD法不同，具有可在較低溫 CVD反應之特點。 將等離子體之產生能量，若以頻率為主加以分頻 時，后高頻等離子體，微波等離子體，ECR等離子體等各種裝置。D2308RF plasma enhanced CVD system 高頻等離子體增強 CVD系統系指在低壓"經由反應性瓦斯之高頻輝光放電 分解，可形成薄膜之 CVD裝置。經由裝置構造， 可分頻為電容性耦合型及電感性耦合型。D2309Capacitive coupled plasma enhanced CVD system 電容性

46、耦等離子體增強CVD系統系指對設置在石英反應管之外側或內側相面對電 極間，施加電壓產生低壓反應瓦斯之等離子體， 經由等離子體分解可在晶圓上，形成薄膜之 CVD裝置。D2310Multiple parallel plate electrode plasma enhanced CVD system 多平行電極等離子體增強型CVD系統系指對石英反應管內插入多數平行電極板，在此 電極上設置有多數成垂直之晶圓，具有此一構造之電容性耦合型等離子體 CVD裝置。在相面對 平行電極板間，施加高頻功率產生低壓反應瓦斯 之等離子體，而形成薄膜D2311Diode parallel plate enhancedCV

47、D system二極管平行板等離子增強型CVD系統系指反應室內有2片平行電極板相對，在內建有 加熱器之一側電極板上設置晶圓，在互相面對之 電極間施加高頻電壓，使之產生低壓反應瓦斯之 等離子體，使晶圓上形成薄膜之電容性耦合型等 離子體CVD裝置。編R用語（英文/中文）用語說明D2312Coaxial cylindrical plasma指對圓筒型外部電極內部，配置同軸狀多面體之enhanced CVD system同軸圓筒型等離子增強型CVD系統晶圓固定電極，此一電容性耦合等離子體增強型CVD裝置。在一電極間施加高頻電壓，使之產生低壓反應瓦斯之等離子體， 而在晶圓上形成薄膜。D2313Induc

48、tivecoupled plasmaenhanced CVD system電感性耦等離子體增強CVD系統系指繞在石英反應管外側之線圈施加高頻電壓， 使之產生低壓反應瓦斯之等離子體，使設置在反 應管內之晶圓上，形成薄膜之等離子體CVD裝置。D2314Microwave plasma enhancedCVD system微波等離子體增強型 CVD系統系指具有由微波導波管，與產生等離子體瓦斯導 入口，經由微波激勵之等離子體放電室，所構成 之等離子體 CVD裝置。在經由微波所產生等離 子流之下游，引進反應瓦斯，可在內建有加熱器（susceptor）內，于低溫形成溥膜。亦后將反應瓦斯直接引進等離子體放電

49、裝置之方法。D2315After glow microwave plasma enhanced CVD system 隔離型微波等離子體增強型CVD系統系指將經由微波將等離子體產生室與成膜室加以 隔離，期間以輸送通路加以連接之微波等離子體 增強型CVD裝置。因晶圓沒有暴露在等離子體 下，具后不受等離子體影響之低損害成膜之特點。D2316Electron Coupling Resonance (ECR) plasma enhanced CVD systemECR等離子體增強型CVD系統是指由微波導波管連接而在周圍設有磁場產生機 構之等離子體室，與收納晶圓之反應室，所構成之 CVD裝置.經由2.4

50、5GHz之微波與 875G之磁場， 利用離子源來產生局密度之等離子體，將反應性瓦斯加以分解，于低溫卜在晶圓上形成薄膜.D2317Photo assisted CVD system光輔助型CVD系統光CVD裝置是指經由光能將氣體分子加以分解，于低溫在晶圓片上形成薄膜之CVD裝置.因所使用光源，可分 類成雷射CVD裝置與紫外線燈 CVD裝置.D2318Laser assisted CVD system雷射輔助型CVD裝置是指經由雷射光能將氣體分子加以分解，與低溫在晶圓片上形成薄膜之 CVD裝置.因所使用雷射 （由電子激勵，與紅外線雷射（由振動激勵）等CVD 裝置.D2319Ultraviolet

51、lamp heating CVD system紫外線燈加熱型CVD系統是指由紫外線燈光裝置，與內建有晶圓片加熱器 之反應室，所構成之CVD裝置.紫外線光源要使用 可產生200nm-300nm之紫外線，或200nm以下之 真空紫外線波長范圍之燈泡.總之，反應分子之光 分解，是利用瓦斯分子之位能（potential energy）吸收紫外線，將其提高到電子激勵狀態，然后加以分解之原理.。D2320Liquid source delivery system 液體源輸送系統系指將Si或金屬化合物等液體源， 加以汽化并連 續輸送一定量至反應室之裝置。 慣用之起泡方法， 系將輸送量以汽化瓦斯之流量加以控制

52、之方法（直接法）與以液體之流量加以控制， 然后加以汽 化之方法已被研發，依反應室之壓力條件，或液 體源之蒸汽壓，分開使用。編R用語（英文/中文）用語說明D2321Radio frequency workcoil系指當將Si或GaAs等之半導體晶圓加以加熱之高頻工作線圈際，為要加熱搭載此等被加熱體之承受器，在其 近旁所配置之感應線圈。對感應線圈施加高頻電 壓，由于被加熱體屬于導體，因受電磁感應叫產 生渦電流，而以渦電流所產生之熱來加熱被加熱 體。D2322Cold wall冷壁在CVD裝置中，系利用內建在反應室中來自加 熱器，或紫外線燈泡之放射熱或高頻加熱，將晶 圓加以加熱之方法。因反應室之內壁

53、溫度不致成 為高溫，與熱壁相對而稱為冷壁。D2323Deposition rate沉積速度系指在晶圓片上每單位時間之生長膜厚。使用于 CVD成膜方法之場合較多。D2324Chamber cleaning反應室清除是指將附著在反映室內之反應殘渣加以清除之方法。購汁蝕刻(dry etching )法團百，有利用瓦斯 之化學蝕刻(chemical etching)法，與等離子體 清除(plasma cleaning)法。D2325TEOS-O3 atmospheric pressure CVD methodTEOS-O3大氣壓CVD法TEOS-O3 CVD 法是指以屬于液體源之 TEOS*作為反應源

54、，以O3作為氧化劑，在大氣壓卜形成SiO2膜之CVD法。具有優越之階躍式覆蓋范圍，與高生產量(through-out)為期特點。有時以 B、P作為殘雜劑(dopant)。* tertraetylorthosilicate : Si(OCH 2CH3)4,冠其頭一字而稱為TEOS。D2326Reaction tube 反應管是指在CVD裝置或磊晶生長裝置等熱處理裝置 中，反應部形狀為管狀者。是以高純度石英管被 用作反應管材。D2327Reaction chamber/reactor反應室/反應器是指在CVD、磊晶生長裝置等所用之成膜室。可以收納晶圓、晶圓保持架(wafer holder)及承授 器(susceptor).特別以高純度石英制作之管狀者， 稱為反應管。反應室有時亦稱為沉積室。Deposition chamber沉積室，蒸鍍室D2328Plasma cleaning等離子體清除，電漿清除是指在CVD裝置中，經由反應氣體離子體之產 生，將附著于反應室內之膜，加以清除之方法。D2329Plasma TEOS CVD method 等離子體TEOS CVD法是指對低壓CVD之反應室輸送TEOS作為反應 瓦斯，經由對電極間施加局頻電壓米產生等離子體，而在晶圓片上形成 SiO2膜之方法。有時以B、 P作為摻雜劑。D2330Pre-cleaning chamber 預先