1、半導體戰略信息產業的未來發 展趨勢（精）半導體戰略信息產業的未來發展趨勢未來中國半導體產業將處于重大戰略機遇期。全球半導體產業正在進行產業轉 移，發達國家在向高端產業鏈轉移的同時，開始將芯片制造業向新興國家轉移。 目前，中國半導體產業已經基本具備了迎接全球半導體產業轉移的客觀條件，總 體看來我國半導體產業未來的發展趨勢和主要創新板塊依然集中在太陽能光伏產 業、節能 LED 照明產業、半導體集成電路產業和光通信芯片產業等幾大行業，具體 分析如下。一、太陽能光伏產業中國太陽能電池產業近年來高速發展，承擔了全球近一半的產能，產品主要 銷往歐洲國家。2009 年世界太陽電池總產量為 9340MW，中國

2、太陽能電池產量為 4382MWV占全球產量的 46.92%,居世界第一，但 95%上產品出口國外。太陽能光 伏整體產業鏈各個環節表現都較為突出。2009 年，全國的多晶硅產量已達到 1.8萬2 萬噸，2009 年，中國太陽能光伏組件產量為 2500MV 左右，占全球的 3 成左 右。2009 年，太陽能光伏發電安裝量為 160MW，超過過去幾十年累計安裝量的總 和。2008年之前，太陽能上游的多晶硅產業的提純核心技術主要掌握在國外七大 廠商手中。美國的Hemlock、挪威的 REC 美國的 MEM、德國的 Wacker，以及日本 的 Tokuyama Mitsubishi鄄 Material

3、和 SumitomoTitanium，他們壟斷了全球的多 晶硅料供應，獲得了太陽能產業鏈中最豐厚的利潤。中國新興能源產業發展規劃20112020 年指出，中國將對能源產業累計直 接增加投資 5 萬億元。根據其具體細分，除核電和水電之外，可再生能源投資將達 到 2 萬3萬億元，其中風電將占約 1.5 萬億元，太陽能投資則達到 2000 億3000 億元。新興能源產業發展規劃初步計劃到 2020 年中國的水電裝機容量達到 3.8 億千瓦，風電裝機 1.5億千瓦，核電裝機大約 70008000 萬千瓦，生物質發電 3000 萬千瓦，太陽能發電裝機容量達到約 2000 萬千瓦。相比 2007 年頒布的

4、可再生能源中長期發展規劃與核電中長期發展規劃，風電、太陽能光伏及核電產業發展目 標分別為原先規劃的 5 倍、11 倍和 2 倍。太陽能行業發展的關鍵技術已經列入國家 級研發計劃中。中國先后提出了針對薄膜電池、敏化電池技術的973 計劃。針對基礎裝備和材料，如碲化鎘、硒銦銅、薄膜硅電池的技術已經列入863 計劃。兆瓦級光伏技術應用和關鍵技術問題已經列入科技攻關計劃。未來非晶硅電池更具發展潛力。太陽能光伏產業鏈中，多晶硅提純技術的突 破將帶來近幾年的市場熱點。在整個太陽能光伏產業鏈中，中國企業多數進入的 是位于后端的太陽能電池和組件的生產環節，多晶硅提純環節屬于中國制造業技 術較為薄弱的環節。中國

5、已投和在建的幾十家多晶硅廠， 多數采用西門子改良工 藝， 一些關鍵技術中國還沒有掌握。在提煉過程中70%以上的多晶硅都通過氯氣排放了，不僅提煉成本高，而且環境污染非常嚴重。國內一些企業已將開始小規 模嘗試物理法提純多晶硅，一旦技術成熟形成規模生產，多晶硅成本和耗能將大 大降低，其投資成本約為西門子的十分之一。放眼未來十年市場，非晶硅薄膜電池技術將成為業界中的主流技術。對于不同薄膜電池的發展，雖然CIS （銅銦硒）和 CIGS （銅銦硒傢）電池轉換效率更高，但是工藝的不穩定性和原材料的稀缺性 都限制了其發展。CdTe 電池已經逐漸被市場所認可，生產也進入了大規模量產 階段，成本仍有下降空間，未來

6、幾年市場規模也將繼續擴大。不過從長期看，鎘 的毒性限制了 CdTe 電池的發展，市場潛力不如非晶硅薄膜電池。鎘、砷元素有 毒，而銦則是微量元素，地殼中含量相對較少。相比而言，非晶硅電池在原料和 工藝穩定性上都更具發展潛力，但非晶薄膜電池的轉換效率不高，衰退性能成為 限制非晶薄膜電池發展的技術瓶頸。二、節能 LED 照明產業近年來，我國半導體照明技術和產業發展步 入快車道，已成為全球發展最快的區域之一。我國照明用電占能源消耗的5.9%，且每年以5% 10%的速度增長。高亮和超高亮LED是中國LED市場的成長動力，已經占到中國LED市場的85%是。2009年，高亮度LED占中國LED市場的72.5

7、%，超高亮LED占比約14%同比增長18.7%和29.8%， 而普通亮度LED市場縮小了6.5%。2012年，中國LED市場將達到402億元的規模， 而其中高亮LED和超高亮LED市場為261.4億元 和88.5億元，20102012年間的平均增長率為21痢38%LED 照明是高亮和超高亮 LED 的重要應用市場。LED 照明包括景觀照 明、路燈、汽車照明、室內照明、室內裝飾、交通指示燈等。2009 年按亮度分， 中國 LED 照明市場中， 有 20.4% 使用了超高亮 LED， 有 68.4% 使用了中 高亮度 LED，而普通 LED 僅占 11.2%。20092012 年間，中國 LED

8、照明市場將保持 22%左右的增長速度，2012 年市場規模將從 2009 年的 80.5 億 元提高到 146億元。顯示背光將成為高亮 LED 主要的增長市場。中國液晶背光 顯示市場將強勁增長，2014 年銷售額將從 2010 年的 4.68 億美元上升到 12 億美元，復合年度增長率為 25.7% 。快速成長的中國電視機市場將給高亮 LED 帶來市場機會，2013 年，大陸液晶電視出貨量將達到 4860 萬臺，LED 背光的 滲透率約為 50%，需要 LED97.2 億顆。我國正希望通過開發 Si 和 GaN 襯底的功率型 GaN 基 LED，以減少國 外專利的限制。藍寶石和 SiC 是最常

9、用的兩種 GaN 基 LED 襯底，但前者的專利 技術被日本日亞公司壟斷，而后者則被美國CREE 公司壟斷。南昌大學與廈門華聯電子有限公司合作承擔的國家 863 計劃項目“基于 Si 襯底的功率型 GaN 基 LED 制造技術”，已于 2010 年通過科技部項目驗收。跨國廠商早期在中國建立了 LED 封裝廠，現在正逐漸把外延、芯片等前段制程也轉移到中國來，其中以 臺灣企業最為積極。2009 年底，CREE 開始在惠州建設 LED 芯片廠，這是 CREE 在北美以外的第一個芯片生產基地，CREE 計劃將 LED 外延片加工部分的技術引進中國。2010 年 5 月，力晶半導體產業園 LED 晶片項

10、目在徐州開工，總 投資 42億美元， 將建設 100 條 MOCVD 藍光 LED 晶片生產線， 以及 8 英寸、12 英寸晶圓生產線。2010 年 4 月，臺灣晶元光電在常州的 LED 外延和芯片生 產基地開始建設，總投資 6 億美元，一期總投資 3.6 億美元，將投入 30 臺 MOCVD 外延爐。中國 LED 大企業正通過收購中小型 LED 企業擴大生產規模。CREE! 2007 年正式并購惠州華剛之后，便延續使用華剛的封裝生產線，目前CRE 的 LED 有 85%都在惠州作封裝。進入 LED 市場的企業，可以通過收購或參股的方式，擴大產品 線，分散生產，降低風險。芯片企業大規模擴產使得

11、襯底供不應求，LED 襯底將是下一個投資熱點。2010 年 4 月，晶元光電的藍寶石襯底項目在常州開工，總投 資 2 億元，計劃 12 年內達到年產 120 萬片藍寶石襯底的產能，35 年達到年產 300400 萬片。2009 年 9 月成立的嘉星晶電總投資 1.2 億元，第一期生產線的規模 為年產 50 萬片藍寶石襯底，三年內將擴大到年產 180 萬片。2010 年 10 月，水晶光 電宣布擬投資建設年產 360萬片高亮度 LED 用藍寶石襯底項目，投資額為 1.09 億 丿元。高亮和超高亮 LED 向通用照明、汽車照明等新行業滲透，LED 企業需要與下游的燈具、汽車等企業展開合作。這些傳統

12、企業擁有資金優勢，并且十分關注 LED 領域，但卻缺乏 LED 方面的技術和經驗，為它們提供完善的服務和產品解決方 案是關鍵。2010 年 8 月，佛山照明與美國 Bridgelux （普瑞）光電股份有限公司達 成初步合作意向，普瑞將為佛山照明提供 LED 光源模組及照明解決方案。三、半導體集成電路產業集成電路產業是現代電子信息產業的基礎和核心。隨著全球信息化、網絡化 和知識經濟的迅速發展，集成電路產業在國民經濟中的地位越來越重要，它以其 無窮的變革、創新和極強的滲透力，推動著信息產業的快速發展。現代經濟發展 的數據表明，每 1-2 元集成電路產值能帶動 10 元左右電子信息產業產值，進而帶

13、動 100 元左右的 GDP 增長。集成電路產業是具有戰略性和市場性雙重特性的產 業。在國防建設和國家安全領域，集成電路在信息戰和武器裝備中起著維護國家 意志、捍衛國家主權的作用；在經濟建設和增強綜合國力的過程中， 集成電路又是 核心競爭力的體現。 集成電路產業已成為事關經濟發展、國防建設、人民生活和 信息安全的基礎性、戰略性產業。在當今全面建設社會主義小康社會的歷史時 期，大力發展集成電路產業，盡快建立個技術先進、有自主創新能力、有定經濟規模的集成電路產業體系，對于“堅持以信息化帶動工業化，以工業化促進信 息化”，走新型工業化道路，實現跨越式發展；保障信息安全、經濟安全、提高 武器裝備的信息

14、化水平，增強國防實力，確保國家安全；推動社會進步，提高人民生活水平，具有極其重要的戰略意義和現實意義。我國集成電路產業近年來增長 迅猛，銷售額從 2001 年的約 200 億元增長到 2007 年的 1251 億元，達到頂峰。該 時期是我國集成電路最好的發展時期，銷售收入年平均增長速度超過30%是同期全球半導體產業發展最快的地區。受全球金融風暴影響，2008 年、2009 年產業產值有所下降。但縱觀全球，在近十年間我國IC 產業增速始終保持高于全球集成電路產業增速約 10 個百分點。在產業規模不斷擴大的同時，IC 產業結構逐步趨于合 理，設計業和芯片制造業在產業中的比重顯著提高。2010 年是

15、中國集成電路產業發展史上的 個重要的里程碑年份。過去十年我 國集成電路產業所取得的發展成就，有目共睹。未來十年，我國集成電路產業面臨那些大的發展機遇？如何把握機遇在國際競爭中不斷發展壯大卻是值得業界認 真思考的問題。中國集成電路產業的特點是市場需求大，產業規模小，絕大部分 產品依賴進口。本土設計、生產的集成電路產品只能滿足國內約24%的需求，我國每年進口的集成電路產品超過 1000 億美元，是排名三 I 的大宗進口產品，其進 口額超過了石油和鋼材進口額的總和。 美歐日韓憑借技術領先戰略， 主導著產業 和技術發展方向，作為后進國家我們還處在追隨”和 趕超”的位置，從產業分工和價值鏈來看， 我們處

16、在從價值鏈底端向上爬升的過程。 全球集成電路的市場和 產業格局，基本上北美是供應商，亞太是消費者，歐洲和日本每年創造的產值與 消耗掉的集成電路產品大體相當，其中日本在集成電路設備和技術上有日定優勢，產值略大于消費。北美以美國為主，亞太以中國為主進行對比，可以發現兩國形 成非常強的互補與對接，中國每年進口超過1000 億美元的集成電路產品，約占全球市場的 半，而美國集成電路產業每年創造 1000 多億美元的產值，絕大部 分產品銷往了中國。中國是全球集成電路的消費中心”，美國則是利潤中心”。四、光通信芯片產業光通信是指通過光纖網絡傳輸通信數據信息的通信方式，包括從器件到系統 制造等多個環節。光通信

17、產業包括：光器件、光網絡系統設備、光纖光纜。我國已將下一代互聯網、數字電視網與第三代移動通信網絡并列作為擴大內需的重大 投資方向，預期總投資將超過 6000 億元。2010 年 4 月，七部委發布關于推進光 纖寬帶網絡建設的意見，將在 3 年內向光纖寬帶網絡建設投資超過 1500 億元， 計劃到 2011 年，FTTx 用戶超過 8000 萬。2010 年 7 月，三網融合試點啟動，到 2012 年，試點地區寬帶接入能力超過每秒 100Mb/S,城鎮新建區域將直接部署光纖寬 帶，已建區域加快“光進銅退”改造。2010 年 4 月， 工信部等部門發布 關于推進 第三代移動通信網絡建設的意見 ，2

18、0102011 年，3G 網絡建設的總投資將達到 2400 億元。由于全球光通信設備和器件產業在加速向中國轉移，中國光通信芯片市場還 將受到全球光通信市場需求增長的拉動。2010 年全球光傳輸設備市場超過 135 億美元，未來五年里，將保持 5M 右的年復合增長率。中國市場的光通信芯片主要依賴于外國供應商。Phyworks 是全球最大的無源光網絡用戶端光模塊的芯片供應 商，對中國出口的各類芯片每月在 200 萬片左右。中國 PLC 芯片同樣主要來自進 口。在光有源器件芯片方面，2.5Gb/s 及以下速率的 LD 芯片、APD 芯片大部分也依 賴進口。在 GPON 芯片領域，華為、中興等設備廠商開始涉足芯片的設計。國內一些在 光器件方面領先的企業也開始向上游拓展，在芯片領域取得了一定的突破。武漢 電信器件公司（WTD 主要生產光有源器件，也是國內惟一一家完全采用自制DFB激光器、APD 探測器管芯生產光有源器件，并且已經實現了規模化生產，其生產的 光通信芯片，不但能滿足自身需要的 90%而且正在擴大產能，準備對外銷售。專 門從事芯片研發設計的廈門優迅是國內第一家專業從事光收發芯片研發的公司， 芯片出貨總量已經超過 1000 萬片。資