ICS71.040.99

CCSG04

中華人民共和國國家標準

GB/T20725—2025/ISO17470:2014

代替GB/T20725—2006

微束分析電子探針顯微分析

波譜法定性點分析導則

Microbeamanalysis—Electronprobemicroanalysis—Guidelinesforqualitative

pointanalysisbywavelengthdispersiveX?rayspectrometry

（ISO17470：2014，IDT）

2025?03?28發(fā)布2025?10?01實施

國家市場監(jiān)督管理總局

國家標準化管理委員會發(fā)布

GB/T20725—2025/ISO17470:2014

目次

前言··························································································································Ⅲ

引言··························································································································Ⅳ

1范圍·······················································································································1

2規(guī)范性引用文件········································································································1

3術語和定義··············································································································1

4縮略語···················································································································1

5設備·······················································································································2

6定性分析過程···········································································································2

7檢測報告················································································································4

附錄A（資料性）用EPMA對不銹鋼試樣進行定性分析的檢測報告示例···································6

參考文獻·····················································································································8

Ⅰ

GB/T20725—2025/ISO17470:2014

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)則》的規(guī)

定起草。

本文件代替GB/T20725—2006《波譜法定性點分析電子探針顯微分析導則》，與GB/T20725—

2006相比，除結構調(diào)整和編輯性改動外，主要技術變化如下：

a）更改了術語“高次衍射”為“高階衍射”并更正了定義（見3.1，2006年版的3.1）；

b）將注中內(nèi)容“當識別的譜峰強度與背底強度接近時……說明可疑峰不是背底。”改為正文（見

6.3.1，2006年版6.3.1的注）；

c）更改了置信度和譜峰存在概率的數(shù)值（見6.3.1，2006年版的6.3.1）。

本文件等同采用ISO17470：2014《微束分析電子探針顯微分析波譜法定性點分析導則》。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任。

本文件由全國微束分析標準化技術委員會（SAC/TC38）提出并歸口。

本文件起草單位：中國科學院上海硅酸鹽研究所。

本文件主要起草人：曾毅、李香庭、彭帆。

本文件于2006年首次發(fā)布，本次為第一次修訂。

Ⅲ

GB/T20725—2025/ISO17470:2014

引言

電子探針顯微分析常用于定性鑒別試樣中微區(qū)范圍內(nèi)存在的元素，為了避免錯誤的分析結果，有

必要規(guī)范測量條件和元素鑒別方法。

Ⅳ

GB/T20725—2025/ISO17470:2014

微束分析電子探針顯微分析

波譜法定性點分析導則

1范圍

本文件給出了用電子探針顯微分析儀或者掃描電鏡的波譜儀附件獲得試樣特定體積內(nèi)（μm3尺度）

的X射線譜進行元素鑒別和確認特定元素存在的方法。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文

件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于

本文件。

GB/T30705—2014微束分析電子探針顯微分析波譜法實驗參數(shù)測定導則（ISO14594：

2009，MOD）

注：GB/T30705—2014被引用的內(nèi)容與ISO14594：2003被引用的內(nèi)容沒有技術差異。

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件。

3.1

高階衍射higherorderreflections

對應于n=2，3，4，…的衍射角出現(xiàn)的譜峰。

注：在波譜儀（WDS）中，X射線按照Bragg定律nλ＝2dsinθ產(chǎn)生衍射，λ為X射線波長，d為晶體的晶面間距，θ為衍

射角，n為整數(shù)。高階衍射是n=2，3，4，…的衍射角度出現(xiàn)的譜峰。

3.2

點分析pointanalysis

入射電子束固定照射試樣表面所選區(qū)域的分析。

注：本方法也包括入射電子束對試樣表面一個很小區(qū)域進行快速掃描的分析。最大電子束尺寸或者電子束掃描范

圍通過擴大分析區(qū)域時的X射線相對強度不發(fā)生變化來確定。

3.3

羅蘭圓Rowlandcircle

X射線源、衍射晶體和探測器滿足布拉格衍射條件的聚焦圓。

3.4

X射線表X?raylinetable

用于EPMA定性分析的X射線數(shù)據(jù)表。

注：EPMA定性分析的X射線表列出了在每個衍射晶體上觀察到的元素