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IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微電子概論》（第3版）郝躍賈新章史江一4.4.1硅柵CMOS器件4.4CMOS集成器件與電路設計4.4.2CMOS電路中的寄生效應目錄4.4.3CMOS集成電路版圖設計實例特點高工藝容錯能力，低成本，低功耗，抗干擾能力強；開關特性好，適合做二進制數(shù)字電路尺寸不敏感，靜態(tài)邏輯功能與尺寸無關，高設計容錯能力易于模塊化，自動化設計技術相對成熟VinVoutCLVDDVDDVDDVin=VDDVin=

0VoutVoutRnRp|VGS|CMOS反相器最基礎的CMOS電路由一個NMOS和一個PMOS構成繪制版圖時，切記MOS管是四端器件Substrate/WellisconnectedtoVSSWellisconnectedtoVDDMOS管是四端器件NMOSDSDSIDDSBPMOSDSDSIDDSBCMOS集成電路版圖圖層定義CMOS工藝是平面工藝，一步（多步）工藝過程對應一層的平面幾何圖形平面幾何圖形遵守特定的設計規(guī)則，不同層之間采用不同的顏色和填充表示，以方便區(qū)分（nm工藝，采用雙重圖形甚至三重、四重圖形技術，同層圖形之間也需要通過不同著色進行區(qū)分）CMOS集成電路版圖圖層定義CMOS工藝是平面工藝，一層工藝過程對應一定的平面幾何圖形平面幾何圖形遵守特定的設計規(guī)則，不同層之間采用不同的顏色&填充表示，以方便區(qū)分（nm工藝，采用雙重圖形技術甚至三重、四重圖形技術，同層圖形之間也需要通過不同著色進行區(qū)分）n阱CMOS反相器工藝過程VinVoutCLVDDPolysiliconInOutVVDDGNDPMOS2lMetal1NMOSContactsNWell平面工藝，一層版圖對應一（多）層掩膜，一步工藝過程n阱CMOS反相器cell設計單元（cell）等高不等寬單元預先設計驗證，建庫，基于單元（cell-based）集成通過EDA工具按約束擺放，構建互連線CMOS單元庫參數(shù)實例ttypical=tintrisic+(Kload?Cload)TTPD=KProce

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