【基礎(chǔ)知識】晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考點(diǎn)六常見晶體類型【知識清單】一、金屬晶體1、三維堆積方式堆積模型簡單立方堆積體心立方堆積六方最密堆積面心立方最密堆積晶胞配位數(shù)681212原子半徑(r)和晶胞邊長(a)的關(guān)系2r=a4r＝eq\r(3)a4r＝eq\r(2)a一個(gè)晶胞內(nèi)原子數(shù)目1224常見金屬PoNa、K、FeMg、Zn、TiCu、Ag、Au空間利用率52.36%68.05%74.05%74.05%2、電子氣理論金屬原子脫落下來的價(jià)電子形成遍布整塊晶體的“電子氣”，被所有原子共用，從而把所有金屬原子維系在一起。3、金屬通性（用電子氣理論解釋）通性解釋導(dǎo)電性通常情況下金屬晶體內(nèi)部電子的運(yùn)動(dòng)是自由的，但在外加電場的作用下會定向移動(dòng)形成電流。導(dǎo)熱性金屬受熱時(shí)，自由電子與金屬離子（金屬原子）的碰撞頻率增加，自由電子把能量傳給金屬離子（或金屬原子）從而把能量從溫度高的區(qū)域傳到溫度低得區(qū)域。延展性由于金屬鍵沒有方向性，在外力作用下，金屬原子之間發(fā)生相對滑動(dòng)以后，各層金屬原子仍可保持這種相互作用，發(fā)生形變也不易斷裂。有金屬光澤當(dāng)光線投射到金屬表面時(shí)，自由電子吸收可見光，然后又把各種波長的光大部分再反射出來，使絕大多數(shù)金屬呈現(xiàn)銀灰色或銀白色光澤。而金屬在粉末狀態(tài)時(shí)，金屬原子的取向雜亂，排列不規(guī)則，吸收可見光后不能再反射出來，所以金屬粉末常呈暗灰色或黑色。思考1：為什么合金的硬度比純金屬大？解析：純金屬內(nèi)原子排列十分規(guī)整，當(dāng)向金屬晶體中摻入不同的金屬或非金屬原子，合金原子層之間相對滑動(dòng)變得困難。思考2：為什么加熱后金屬電阻變大？解析：加熱后金屬原子熱運(yùn)動(dòng)加快，對自由電子的移動(dòng)造成阻礙，故電阻變大。二、離子晶體常見晶體類型晶體類型晶胞模型考點(diǎn)NaCl晶胞①在晶體中，每個(gè)Na＋同時(shí)吸引6個(gè)Cl－，每個(gè)Cl－同時(shí)吸引6個(gè)Na＋，配位數(shù)為6。②每個(gè)晶胞含4個(gè)Na＋和4個(gè)Cl－。CsCl晶胞①在晶體中，每個(gè)Cl－吸引8個(gè)Cs＋，每個(gè)Cs＋吸引8個(gè)Cl－，配位數(shù)為8。②每個(gè)晶胞中實(shí)際擁有的Cs＋有1個(gè)，Cl－有1個(gè)。CaF2晶胞①在晶體中，每個(gè)Ca2＋吸引8個(gè)F－，每個(gè)F－吸引4個(gè)Ca2＋。②每個(gè)晶胞含4個(gè)Ca2＋，8個(gè)F－。ZnS晶胞①每個(gè)Zn2＋周圍距離最近的S2－有4個(gè)，每個(gè)S2－周圍距離最近的Zn2＋有4個(gè)。②每個(gè)晶胞中實(shí)際擁有的Zn2＋有4個(gè)，S2－有4個(gè)。例、如圖是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖，其中屬于從NaCl晶體中分割出來的結(jié)構(gòu)圖是()A．圖①和圖③ B．圖②和圖③C．圖①和圖④ D．只有圖④【答案】C三、分子晶體1、分子常見堆積方式分子間作用力堆積方式實(shí)例范德華力采用密堆積，每個(gè)分子周圍有12個(gè)緊鄰的分子如C60、干冰、I2、O2范德華力、氫鍵采用非密堆積，每個(gè)分子周圍緊鄰的分子少于12個(gè)

如HF、NH3、冰2、常見分子晶體結(jié)構(gòu)分析晶體類型晶胞模型考點(diǎn)冰的結(jié)構(gòu)模型（分子非密堆積形式）①冰晶體中，氫鍵有方向性，它的存在迫使每個(gè)水分子與四面體頂角方向的個(gè)相鄰水分子相互吸引。②1molH2O的冰中，最多可形成2mol氫鍵。③氫鍵H-O···H較長，分子間距離增大并在水分子中間留有空隙，所以固態(tài)水的密度比液態(tài)水的小。干冰的晶胞（分子密堆積形式）①每個(gè)晶胞中有4個(gè)CO2分子，12個(gè)原子。②干冰晶體中，每個(gè)CO2分子周圍等距且緊鄰的CO2分子有12個(gè)。例、C60晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法正確的是()A、該晶體熔化時(shí)需克服共價(jià)鍵B、晶體中1個(gè)C60分子有12個(gè)緊鄰的C60分子，屬于分子密堆積類型C、1個(gè)晶胞中含有8個(gè)C60分子D、晶體中C60分子間以范德華力結(jié)合，故C60分子的熱穩(wěn)定性較差【答案】B四、共價(jià)晶體（1）金剛石①碳原子采取sp3雜化，鍵角為109°28′。每個(gè)碳原子與周圍緊鄰的4個(gè)碳原子以共價(jià)鍵結(jié)合成正四面體結(jié)構(gòu)，向空間伸展形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，碳的配位數(shù)為4。②金剛石晶胞的每個(gè)頂點(diǎn)和面心均有1個(gè)C原子，晶胞內(nèi)部有4個(gè)C原子，內(nèi)部的C在晶胞的體對角線的eq\f(1,4)處，每個(gè)金剛石晶胞中含有8個(gè)C原子。③最小碳環(huán)由6個(gè)碳原子組成，每個(gè)碳原子被12個(gè)六元環(huán)共用。六元環(huán)中最多有4個(gè)碳原子在同一平面。晶體中每個(gè)碳原子數(shù)目與C-C數(shù)目之比為1:2。（2）二氧化硅晶體。二氧化硅是自然界含量最高的固態(tài)二元氧化物，有多種結(jié)構(gòu)，最常見的是低溫石英(α-SiO2)。低溫石英的結(jié)構(gòu)中有頂角相連的硅氧四面體形成螺旋上升的長鏈，沒有封閉的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，這一結(jié)構(gòu)決定了它具有手性。①Si原子采取sp3雜化，正四面體內(nèi)O—Si—O鍵角為109°28′。②每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，Si原子位于正四面體的中心，O原子位于正四面體的頂點(diǎn)，同時(shí)每個(gè)O原子被2個(gè)硅氧正四面體共用，晶體中Si原子與O原子個(gè)數(shù)比為1∶2，硅的配位數(shù)4，氧的配位數(shù)2。③最小環(huán)上有12個(gè)原子，包括6個(gè)O原子和6個(gè)Si原子。③1molSiO2晶體中含Si—O數(shù)目為4NA。④SiO2晶胞中有8個(gè)Si原子位于立方晶胞的頂點(diǎn)，有6個(gè)Si原子位于立方晶胞的面心，還有4個(gè)Si原子與16個(gè)O原子在晶胞內(nèi)構(gòu)成4個(gè)硅氧四面體。每個(gè)SiO2晶胞中含有8個(gè)Si原子和16個(gè)O原子。（3）碳化硅晶體①碳、硅原子都采取sp3雜化，Si—C—Si鍵角為109°28′。②每個(gè)硅(碳)原子與周圍緊鄰的4個(gè)碳(硅)原子以共價(jià)鍵結(jié)合成正四面體結(jié)構(gòu)，向空間伸展形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。硅或碳的配位數(shù)為4。③最小碳環(huán)由6個(gè)原子組成且不在同一平面內(nèi)，其中包括3個(gè)C原子和3個(gè)Si原子。④每個(gè)SiC晶胞中含有4個(gè)C原子和4個(gè)Si原子。例、碳化硅和立方氮化硼的結(jié)構(gòu)與金剛石類似，碳化硅硬度僅次于金剛石，立方氮化硼硬度與金剛石相當(dāng)，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。（C:12，Si:28，N:14，B:11）請回答下列問題：(1)碳化硅晶體中，硅原子雜化類型為________，每個(gè)硅原子周圍與其距離最近的碳原子有________個(gè)；設(shè)晶胞邊長為acm，密度為bg·cm－3，則阿伏加德羅常數(shù)可表示為________(用含a、b的式子表示)。(2)立方氮化硼晶胞中有________個(gè)硼原子，________個(gè)氮原子，硼原子的雜化類型為________，若晶胞的邊長為acm，則立方氮化硼的密度表達(dá)式為________g·cm－3(設(shè)NA為阿加德羅常數(shù))。【答案】（1）sp34160a3b（2）44sp五、過渡晶體與混合型晶體1、概念①過渡晶體：純粹的分子晶體、共價(jià)晶體、離子晶體和金屬晶體四種典型晶體是不多的，大多數(shù)晶體是它們之間的過渡晶體。人們通常把偏向離子晶體的過渡晶體當(dāng)作離子晶體來處理，把偏向共價(jià)晶體的過渡晶體當(dāng)作共價(jià)晶體來處理。②混合型晶體：像石墨，既有共價(jià)鍵又有范德華力，同時(shí)存在類似金屬鍵的作用力，兼具有共價(jià)晶體、分子晶體、金屬晶體的特征的晶體。2、典型混合型晶體結(jié)構(gòu)分析——石墨晶體①石墨晶體是層狀結(jié)構(gòu)，層與層之間是以范德華力相結(jié)合，同層內(nèi)碳原子之間以共價(jià)鍵結(jié)合成平面網(wǎng)狀。層內(nèi)碳原子核間距為142pm，層間距為335pm。②每一層碳原子排列成正六邊形，則每個(gè)碳原子采用sp2雜化，形成正六邊形。③所有p軌道相互平行且相互重疊，形成離域大π鍵，使p軌道中的電子可在事個(gè)碳原子平面中運(yùn)動(dòng)，而電子不能從一個(gè)平面跳躍到另一個(gè)平面，所以石墨的導(dǎo)電性只能沿石墨平面的方向。④石墨晶體中每個(gè)正六邊形含有的C原子數(shù)為2，含有的C－C鍵數(shù)為3。例、氮化硼(BN)晶體有多種結(jié)構(gòu)。六方相氮化硼是通常存在的穩(wěn)定相，與石墨相似，具有層狀結(jié)構(gòu)，可作高溫潤滑劑。立方相氮化硼是超硬材料，有優(yōu)異的耐磨性。它們的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。（1）關(guān)于這兩種晶體的說法，正確的是（填序號）。A．立方相氮化硼含有σ鍵和π鍵，所以硬度大B．六方相氮化硼層間作用力小，所以質(zhì)地軟C．兩種晶體中B-N鍵均為共價(jià)鍵D．兩種晶體均為分子晶體（2）六方相氮化硼晶體層內(nèi)一個(gè)硼原子與相鄰氮原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為，其結(jié)構(gòu)與石墨相似卻不導(dǎo)電，原因是。（3）立方相氮化硼晶體，硼原子的雜化軌道類型為。該晶體的天然礦物在青藏高原地下約300km在古地殼中被發(fā)現(xiàn)。根據(jù)這一礦物形成事實(shí)，推斷實(shí)驗(yàn)室由六方相氮化硼合成立方相氮化硼需要的條件應(yīng)是。（4）NH4BF4（氟硼酸銨）是合成氮化硼納米管的原料之一。1molNH4BF4含有mol配位鍵。【答案】（1）BC（2）平面三角形層狀結(jié)構(gòu)中沒有自由移動(dòng)的電子（3）sp3高溫高壓（4）2【概念辨析】1、分子晶體不導(dǎo)電，溶于水后也都不導(dǎo)電()2、第三周期主族元素從左到右，最高價(jià)氧化物中離子鍵的百分?jǐn)?shù)逐漸增大()3、大多數(shù)晶體是過渡晶體()4、共價(jià)晶體的熔點(diǎn)一定比離子晶體的高()5、金屬導(dǎo)電是因?yàn)樵谕饧与妶鲎饔孟庐a(chǎn)生自由電子()6、金屬具有光澤是因?yàn)榻饘訇栯x子吸收并放出可見光()7、過渡晶體是指某些物質(zhì)的晶體通過改變條件，轉(zhuǎn)化為另一種晶體()8、Na2O是純粹的離子晶體，SiO2純粹的共價(jià)晶體()9、自由電子屬于整塊金屬（）10、金屬的物理性質(zhì)和金屬固體的形成都與金屬鍵有關(guān)（）11、有陽離子的晶體一定有陰離子（）12、金屬晶體與共價(jià)晶體一樣，是一種“巨分子”（）13、金屬陽離子與自由電子之間的強(qiáng)烈的相互作用，在一定外力作用下，不會因形變而消失（）14、溫度越高，自由電子的運(yùn)動(dòng)速率越快，金屬的導(dǎo)電性越強(qiáng)（）15、具有共價(jià)鍵的晶體叫共價(jià)晶體（）16、金屬一般具有金屬光澤，是物理性質(zhì)，與金屬鍵無關(guān)（）17、晶格能由大到小：NaF＜NaCl＜NaBr＜NaI（）18、高硬度、高熔點(diǎn)是許多有共價(jià)鍵三維骨架結(jié)構(gòu)的共價(jià)晶體的特性（）19、固態(tài)和熔融時(shí)易導(dǎo)電，熔點(diǎn)在1000℃左右的晶體可能是金屬晶體（）20、因金屬性K>Na，故金屬鉀的熔點(diǎn)高于金屬鈉（）21、金屬（除汞外）在常溫下都是晶體，稱其為金屬晶體（）【答案】1.×2.×3.√4.×5.×6.×7.×8.×9.√10.√11.×12.√13.√14.×15.×16.×17.×18.√19.√20.×21.√【跟蹤練習(xí)】1、（2023·北京卷）中國科學(xué)家首次成功制得大面積單晶石墨炔，是碳材料科學(xué)的一大進(jìn)步。下列關(guān)于金剛石、石墨、石墨炔的說法正確的是（）A．三種物質(zhì)中均有碳碳原子間的鍵 B．三種物質(zhì)中的碳原子都是雜化C．三種物質(zhì)的晶體類型相同 D．三種物質(zhì)均能導(dǎo)電【答案】A【解析】A．原子間優(yōu)先形成鍵，三種物質(zhì)中均存在鍵，A項(xiàng)正確；B．金剛石中所有碳原子均采用雜化，石墨中所有碳原子均采用雜化，石墨炔中苯環(huán)上的碳原子采用雜化，碳碳三鍵上的碳原子采用雜化，B項(xiàng)錯(cuò)誤；C．金剛石為共價(jià)晶體，石墨炔為分子晶體，石墨為混合晶體，C項(xiàng)錯(cuò)誤；D．金剛石中沒有自由移動(dòng)電子，不能導(dǎo)電，D項(xiàng)錯(cuò)誤。2、(2021·遼寧1月適應(yīng)性測試，6)我國科學(xué)家合成了富集11B的非碳導(dǎo)熱材料立方氮化硼晶體，晶胞結(jié)構(gòu)如圖。下列說法正確的是()A．11BN和10BN的性質(zhì)無差異B．該晶體具有良好的導(dǎo)電性C．該晶胞中含有14個(gè)B原子，4個(gè)N原子D．N原子周圍等距且最近的N原子數(shù)為12【答案】D【解析】11B和10B互為同位素，形成的化合物在化學(xué)性質(zhì)上無差異，但其物理性質(zhì)不同，A錯(cuò)誤；該晶體結(jié)構(gòu)中無自由移動(dòng)的電子，不具有導(dǎo)電性，B錯(cuò)誤；由圖可知，該晶胞含4個(gè)N原子，B原子位于晶胞的頂角和面心，故B原子的數(shù)量為8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＝4，C錯(cuò)誤；由晶胞示意圖，1個(gè)N原子與4個(gè)B原子成鍵，1個(gè)B原子可以和3個(gè)N原子成鍵，這些N原子距中心N原子等距離且最近，總數(shù)為12，D正確。3、(2021·遼寧，7)單質(zhì)硫和氫氣在低溫高壓下可形成一種新型超導(dǎo)材料，其晶胞如圖。下列說法錯(cuò)誤的是()A．S位于元素周期表p區(qū)B．該物質(zhì)的化學(xué)式為H3SC．S位于H構(gòu)成的八面體空隙中D．該晶體屬于分子晶體【答案】D【解析】S位于H構(gòu)成的八面體空隙中，如圖，C正確。該晶體為新型超導(dǎo)材料，說明由陰陽離子構(gòu)成，是離子晶體，D錯(cuò)誤。4、釩的某種氧化物的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為apm。下列說法錯(cuò)誤的是()（V:51O:16）A．該釩的氧化物的化學(xué)式為VO2B．V原子在該晶體中的堆積方式為體心立方C．V原子的配位數(shù)與O原子的配位數(shù)之比為1∶2D．該晶胞的密度為eq\f(2×51＋16×2,a×10－103×6.02×1023)g·cm－3【答案】C【解析】晶胞中V原子位于頂角和體心，數(shù)目為1＋8×eq\f(1,8)＝2；O原子位于上下面上和體內(nèi)，數(shù)目為2＋4×eq\f(1,2)＝4，二者原子數(shù)目之比為1∶2，故氧化物的化學(xué)式為VO2，故A正確；晶胞V原子位于頂角和體心，符合體心立方的堆積方式，故B正確；體心V原子的配位數(shù)為6，O原子的配位數(shù)為3，所以V原子的配位數(shù)與O原子的配位數(shù)之比為2∶1，故C錯(cuò)誤；m＝eq\f(2×51＋4×16,NA)g，V＝a3pm3＝(a×10－10)3cm3，ρ＝eq\f(m,V)＝eq\f(2×51＋16×2,a×10－103×6.02×1023)g·cm－3，故D正確。5、金剛石和石墨是碳元素形成的兩種單質(zhì)，下列說法正確的是()A．金剛石和石墨晶體中最小的環(huán)均含有6個(gè)碳原子B．在金剛石中每個(gè)C原子連接4個(gè)六元環(huán)，石墨中每個(gè)C原子連接3個(gè)六元環(huán)C．金剛石與石墨中碳原子的雜化方式均為sp2D．金剛石中碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為1∶4，而石墨中碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為1∶3【答案】A【解析】金剛石中每個(gè)C原子連接12個(gè)六元環(huán)，石墨中每個(gè)C原子連接3個(gè)六元環(huán)，B項(xiàng)錯(cuò)誤；金剛石中碳原子采取sp3雜化，而石墨中碳原子采取sp2雜化，C項(xiàng)錯(cuò)誤；金剛石中每個(gè)碳原子與周圍其他4個(gè)碳原子形成共價(jià)鍵，而每個(gè)共價(jià)鍵為2個(gè)碳原子所共有，則每個(gè)碳原子平均形成的共價(jià)鍵數(shù)為4×eq\f(1,2)＝2，故碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為1∶2；石墨晶體中每個(gè)碳原子與周圍其他3個(gè)碳原子形成共價(jià)鍵，同樣可求得每個(gè)碳原子平均形成的共價(jià)鍵數(shù)為3×eq\f(1,2)＝1.5，故碳原子數(shù)與C—C數(shù)之比為2∶3，D項(xiàng)錯(cuò)誤。6、如圖是金屬晶體內(nèi)部的電子氣理論示意圖。電子氣理論可以用來解釋金屬的性質(zhì)，其中正確的是()A．金屬能導(dǎo)電是因?yàn)榻饘訇栯x子在外加電場作用下定向移動(dòng)B．金屬能導(dǎo)熱是因?yàn)樽杂呻娮釉跓岬淖饔孟孪嗷ヅ鲎玻瑥亩l(fā)生熱的傳導(dǎo)C．金屬具有延展性是因?yàn)樵谕饬Φ淖饔孟拢饘僦懈髟訉娱g會出現(xiàn)相對滑動(dòng)，但自由電子可以起到潤滑劑的作用，使金屬不會斷裂D．合金與純金屬相比，由于增加了不同的金屬或非金屬，使電子數(shù)目增多，所以合金的延展性比純金屬強(qiáng)，硬度比純金屬小【答案】C【解析】金屬能導(dǎo)電是因?yàn)樽杂呻娮釉谕饧与妶鲎饔孟露ㄏ蛞苿?dòng)，A錯(cuò)誤；自由電子在熱的作用下與金屬陽離子發(fā)生碰撞，實(shí)現(xiàn)熱的傳導(dǎo)，B錯(cuò)誤；在外力的作用下，金屬中各原子層間會出現(xiàn)相對滑動(dòng)，而自由電子與金屬陽離子之間的電性作用仍然存在，使得金屬不會斷裂，C正確；合金與純金屬相比，由于增加了不同的金屬或非金屬，相當(dāng)于填補(bǔ)了金屬陽離子之間的空隙，所以一般情況下合金的延展性比純金屬弱，硬度比純金屬大，D錯(cuò)誤。7、碳化硅(SiC)晶體具有多種結(jié)構(gòu)，其中一種晶體的晶胞(如圖所示)與金剛石的類似。下列判斷正確的是()A．該晶體屬于分子晶體B．該晶體中存在極性鍵和非極性鍵C．該晶體中Si的化合價(jià)為－4D．該晶體中C的雜化類型為sp3【答案】D【解析】與金剛石類似，該晶體屬于共價(jià)晶體，A錯(cuò)誤；根據(jù)該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，該晶體只存在Si—C極性共價(jià)鍵，B錯(cuò)誤；Si—C中，C的電負(fù)性更強(qiáng)，共用電子對偏向C原子，所以Si的化合價(jià)為＋4，C錯(cuò)誤；每個(gè)C原子與4個(gè)Si原子形成4個(gè)σ鍵，C原子沒有孤電子對，所以C的雜化類型為sp3，D正確。8、有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法不正確的是()A．在NaCl晶體中，距Cl－最近的Na＋形成正八面體B．在CaF2晶體中，每個(gè)晶胞平均含有4個(gè)Ca2＋C．冰晶體中每個(gè)水分子與另外四個(gè)水分子形成四面體結(jié)構(gòu)D．該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF【答案】D【解析】氟化鈣晶胞中，Ca2＋位于頂點(diǎn)和面心，數(shù)目為8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＝4，故B正確；氣態(tài)團(tuán)簇分子不同于晶胞，氣態(tài)團(tuán)簇分子中含有4個(gè)E原子、4個(gè)F原子，則分子式為E4F4或F4E4，故D錯(cuò)誤。9、鐵有δ、γ、α三種晶體結(jié)構(gòu)，以下依次是δ、γ、α三種晶體的晶胞在不同溫度下轉(zhuǎn)化的示意圖。下列有關(guān)說法不正確的是()A．每個(gè)δ-Fe晶體中有2個(gè)鐵原子B．γ-Fe晶體中與每個(gè)鐵原子距離相等且最近的鐵原子有12個(gè)C．每個(gè)γ-Fe晶胞中含有14個(gè)鐵原子D．將鐵加熱到1500℃分別急速冷卻和緩慢冷卻，得到的晶體類型不相同【答案】C【解析】根據(jù)切割法，一個(gè)δ-Fe晶胞中含有鐵原子個(gè)數(shù)為eq\f(1,8)×8＋1＝2，A正確；γ-Fe位于頂角的Fe原子，被晶胞的三個(gè)平面共有，每個(gè)平面上有四個(gè)鐵原子與頂角處鐵原子距離最短，則共有3×4＝12個(gè)，B正確；根據(jù)切割法，一個(gè)γ-Fe晶胞含有鐵原子個(gè)數(shù)為eq\f(1,8)×8＋eq\f(1,2)×6＝4，C錯(cuò)誤；依據(jù)得到晶體的條件可知，在急速冷卻時(shí)(立即降溫到912℃)得到α-Fe，緩慢冷卻時(shí)(緩慢冷卻到1394℃)得到γ-Fe，兩種晶體類型不同，D正確。10、鋇在氧氣中燃燒時(shí)得到一種鋇的氧化物晶體，其結(jié)構(gòu)如圖所示，下列有關(guān)說法正確的是()A．該晶體屬于分子晶體B．晶體的化學(xué)式為Ba2O2C．該晶體晶胞結(jié)構(gòu)與CsCl相似D．與Ba2＋距離相等且最近的Ba2＋共有12個(gè)【答案】D【解析】該晶胞是由金屬陽離子鋇離子和陰離子過氧根離子構(gòu)成的，屬于離子晶體，A錯(cuò)誤；該晶胞中Ba2＋個(gè)數(shù)為8×eq\f(1,8)＋6×eq\f(1,2)＝4，Oeq\o\al(2－,2)個(gè)數(shù)為1＋12×eq\f(1,4)＝4，則鋇離子和過氧根離子個(gè)數(shù)之比為1∶1，其化學(xué)式為BaO2，B錯(cuò)誤；該晶胞中鋇離子配位數(shù)是6，過氧根離子配位數(shù)是6，氯化銫晶體中離子配位數(shù)是8，C錯(cuò)誤。11、石英晶體的平面示意圖如圖，它實(shí)際上是立體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(可以看作是晶體硅中的每個(gè)Si—Si中插入一個(gè)O)，其中硅、氧原子數(shù)比是m∶n，下列有關(guān)敘述正確的是()A．m∶n＝2∶1B．6g該晶體中含有0.1NA個(gè)分子C．原硅酸根離子(SiOeq\o\al(4－,4))的結(jié)構(gòu)為，則二聚原硅酸根離子Si2Oeq\o\al(6－,x)中的x＝7D．石英晶體中由硅、氧原子構(gòu)成的最小的環(huán)上含有的Si、O原子個(gè)數(shù)和為8【答案】C【解析】每個(gè)Si原子占有O原子個(gè)數(shù)為4×eq\f(1,2)＝2；該晶體是共價(jià)晶體，不存在分子；原硅酸(H4SiO4)的結(jié)構(gòu)可表示為，兩個(gè)原硅酸分子可發(fā)生分子間脫水生成二聚原硅酸：，二聚原硅酸電離出6個(gè)H＋后，形成帶6個(gè)負(fù)電荷的二聚原硅酸根離子；在SiO2晶體中，由Si、O構(gòu)成的最小單元環(huán)中共有12個(gè)原子。12、如圖是其晶胞結(jié)構(gòu)模型，下列說法正確的是()A．基態(tài)鈣原子核外有2個(gè)未成對電子B．CaTiO3晶體中與每個(gè)Ti4＋最鄰近的O2－有12個(gè)C．分子晶體中都存在共價(jià)鍵D．金屬晶體的熔點(diǎn)都比分子晶體的熔點(diǎn)高【答案】B【解析】基態(tài)鈣原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p64s2，均為成對電子，故A錯(cuò)誤；由該晶胞可知，每個(gè)Ti4＋最鄰近的O