1太陽能電池用砷化鎵單晶及拋光片編制說明2料，是紅、橙、黃光發光二極管（LED）的唯一襯底材料，廣泛用于半導體照明、高清全彩顯示屏、激光器、無人駕駛汽車等和太陽能電池領域。自2010年起，隨著LED及砷化鎵是典型的III-V族化合物半導體材料，具有直接能帶隙，帶隙寬度為1.42eV下1）光電轉換效率高；(2)可制成薄膜電池，在可見關范圍內GaAs材料的光吸收耐高溫性能好4）抗輻射性能強5）多結疊層太陽能電池的材料。作多結疊層太陽能電池。因此采用GaAs材料制作的多柔性太陽能電池相比于其他類型3再砷化鎵電池的國家標準方面，2010年制定了國家標準GB/T25075-20陽能電池用砷化鎵單晶》，形成新標準GB及相關Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料研制和生產綜合型科技企業。產品廣泛應用于光電材市場份額第一，現已成為第二代半導體襯底材料全國TOP3供應商。公司先后通過了4砷化鎵產業化方面，公司擁有國內產能、質量領先的高純砷晶體長晶設備，多線切割機、倒角機、解理機、研磨機、拋光機、全自動多片清洗機、分析儀，能對產品質量進行全面的檢測分析；另外公司還積投資砷化鎵耗材相關項目，目前已成為中國航天、中國電科、中國兵器等大型集團的合格供應商。公司擁有13條MOCVD外延芯片生產線，15000㎡超凈車間和廠務公共系統，以及進口化合物半導體設備，包括金屬有機化合物氣相沉積系統、全自動曝光機、AM0太陽光模擬空間無人機）。公司堅持自主創新，擁有核心技術授權專利122項，已通過GJB9100C技術產品榮譽證書，2019年成功榮獲廣東省工程技術研究中心認定；2020年獲得廣東省知識產權示范企業認定，獲中山市政府授予2020年度中山市科技創新突出貢獻企業5員會，經過全體委員論證通過后，上報至國形成了國家標準《太陽能電池用砷化鎵單晶及拋光片》征64.按照GB/T1.1產品標準編寫示例的要求進行格式和結構編寫。該章節依據本行業產品標準編制要求編寫，技術上增加150mm、200mm直徑砷化鎵目前外延相關行業對整片的均勻性有一定的要求，性有一定的影響，結合行業的相關數據，規定截面電阻率不均勻性＜15%。根據目前行業情況，定義n型和p型的摻雜劑，相對于上一版標準，擴大了載流子的范圍，使其更適合目前的客戶的需求。目前太陽能電池用砷化鎵單晶及拋光片為n型和p型，n型砷化鎵在砷化鎵晶體中，摻雜有一定量的雜質原子（如硅、硒等）可形成n型半導體材料。n型砷化鎵具有高的導電性，適用于制造高速電路和光電器件。p型砷化鎵在砷化鎵晶體中，摻雜有一定量的雜質原子（如鋅、鎘等）可形成p型半導體材料。p型砷化鎵具有高的空穴濃度和低的電阻率，適用于制造高功率、高頻率的器件。目前主要的定位有兩種主要形式，一種是以參考面反面，具體的可以分為V型槽和燕尾槽為主，目前100.0mm砷化鎵襯底主要是參考面的取向和長度來確定晶片規格。目前V型槽和燕尾槽是砷化鎵行業約定俗成的規格，均有客戶使用。目前100.0mm砷化鎵襯底大部分客戶僅保留副邊位置，副邊的長度要求為0mm。另外根據行業的發展，Ф100.0mm及以下尺寸一般以V型槽和燕尾槽為主，這個是7可能與行業的設備或者客戶的產業需要有關。大直徑產品150.0mm和200.0mm考慮到成此次繼續延續上次的編制，調整一些細節，定位邊位置保持上一版內容。Ф150.0mm襯底切口要求。目前國內的太陽能電池用砷化鎵單晶及拋光片行業，目前主要是各家自己提供砷化鎵襯底的需要，按照砷化鎵電池片客戶的要求制定標準，目前砷化鎵電池片行業，主要以直徑100.00mm規格為主，表7是國內幾家砷化鎵電池片廠主要砷化鎵襯底的參考變及切口的標準。根據目前行業內砷化鎵襯底需求客戶，其對表面晶向及晶向偏離都有一定的要求，有關，外延工藝固定之后，其選擇的襯底角度是固定的。表面晶向與客戶的外延工藝相關，不同的角度的襯底可以生產相同的產品，具體的表面晶向由砷化鎵襯底的客戶來決定，而晶向偏離是砷化鎵襯底行業經驗的積累，偏離超過一定的程度，會影響客戶的使用，晶片偏離大的砷化鎵襯底，其外延后會出現毛掉的現象，導致砷化鎵外延片報廢，目前砷化鎵襯底的晶向偏離行業通用的標準為±0.5°。鎵LED外延廠常用客戶標準中的表面晶向和晶向偏離具體要求。前砷化鎵外觀幾何幾寸沒有大的變化，結合目前砷化鎵戶，所以定為5000個/cm2。8邊緣的缺陷不超過1mm，由于砷化鎵襯底的邊緣問題會在外延后放大，所以砷化鎵襯此我們修訂了新的表面質量要求。近邊緣區域徑向尺寸主要是要求LED外延芯片砷化鎵襯底其完整的拋光面其允許的最小徑向尺寸，主要是因為LED外延芯片用砷化鎵襯GB/T4326《非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾本標準修訂過程中，充分調研了行業內對太陽能電池用砷化鎵單晶及拋光片的9《太陽能電池用砷化鎵單晶》基礎上進行的修訂和補充，僅修訂了產品的技術要求和無本標準修訂后