集成電路電磁兼容建模 第6部分：集成電路脈沖抗擾度特性仿真模型 傳導(dǎo)脈沖抗擾度建模（ICIM-CPI） 編制說明_第1頁
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《集成電路電磁兼容建模第6部分：集成電路脈沖抗擾度特性仿真模型-傳導(dǎo)脈沖抗擾度建模（ICIM-CPI）》（征求意見稿）編制說明GB/T44807.6-202X《集成電路電磁兼容建模第6部分：集成電路脈沖抗擾度特性仿真模型-傳導(dǎo)脈沖抗擾度建模（ICIM-CPI）》由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)本標(biāo)準(zhǔn)的編制由北京智芯微電子科技有限公司主起草、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、華大半導(dǎo)體有限公司、天津先進(jìn)技術(shù)研究院、深圳宇凡研究所、北京郵電大學(xué)、深圳通銳微電子技集成電路脈沖抗擾度特性仿真模型-傳導(dǎo)脈沖抗擾度建模（ICIM-CPI）》進(jìn)行了翻譯并對(duì)相關(guān)的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行了分析和研究。并于2024年8月在公開征集參加單位的基）；操作性。本標(biāo)準(zhǔn)的編寫符合GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文2）本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC62433-6:2020《集成電路電磁兼容建模第6部分：集成以及電快速瞬變脈沖群（EFT）的宏模型的提取流程，該模型解決了由于過壓、熱損抗擾度模型-傳導(dǎo)脈沖抗擾度（ICIM-CPI）。主要技術(shù)內(nèi)容包括模型定義的原則、ICIM-CPI模型結(jié)構(gòu)、基于XML的CPIML格式等內(nèi)容，第3章術(shù)語、定義、縮略語和約定，包括24個(gè)名詞術(shù)語，本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC62433-6:2020(EMCICmodelling-Part6:Modelsofintegratedcircuitsforpulseimmunitybehaviouralsimulation–C

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