《GB/T44795-2024系統級封裝（SiP）一體化基板通用要求》最新解讀一、揭秘GB/T44795-2024：系統級封裝一體化基板的核心要求

二、解碼SiP一體化基板通用標準：2024年最新技術趨勢

三、重構系統級封裝基板設計：GB/T44795-2024全面解析

四、GB/T44795-2024必讀：SiP基板技術要求的深度解讀

五、系統級封裝基板通用要求：2024年標準實施指南

六、SiP一體化基板標準揭秘：從術語到技術要求的全攻略

七、GB/T44795-2024熱點解析：基板設計與測試的關鍵點

八、解碼系統級封裝基板試驗方法：2024年標準實踐指南

九、SiP基板通用要求深度剖析：GB/T44795-2024技術亮點

十、GB/T44795-2024技術指南：系統級封裝基板合規實踐

目錄十一、揭秘SiP一體化基板設計難點：2024年標準核心解讀

十二、系統級封裝基板技術要求：GB/T44795-2024必讀攻略

十三、重構SiP基板測試方法：2024年標準最新實踐解析

十四、GB/T44795-2024深度解碼：系統級封裝基板行業革新

十五、SiP一體化基板通用要求：2024年標準技術熱點解析

十六、系統級封裝基板設計指南：GB/T44795-2024技術詳解

十七、解碼SiP基板試驗方法：2024年標準實施難點突破

十八、GB/T44795-2024必讀：系統級封裝基板技術革新

十九、揭秘系統級封裝基板通用要求：2024年標準全攻略

二十、SiP一體化基板技術要求：GB/T44795-2024深度解析

目錄二十一、重構系統級封裝基板測試標準：2024年技術實踐

二十二、GB/T44795-2024技術解碼：SiP基板設計核心要點

二十三、系統級封裝基板通用要求：2024年標準實施攻略

二十四、SiP一體化基板試驗方法：GB/T44795-2024技術詳解

二十五、揭秘GB/T44795-2024：系統級封裝基板行業新趨勢

二十六、解碼系統級封裝基板技術要求：2024年標準實踐

二十七、重構SiP基板通用要求：GB/T44795-2024技術革新

二十八、GB/T44795-2024必讀：系統級封裝基板設計指南

二十九、SiP一體化基板測試方法：2024年標準深度解析

三十、系統級封裝基板通用要求：GB/T44795-2024技術熱點

目錄三十一、揭秘SiP基板設計難點：2024年標準實施全攻略

三十二、GB/T44795-2024技術指南：系統級封裝基板新趨勢

三十三、解碼系統級封裝基板試驗方法：2024年標準實踐

三十四、重構SiP一體化基板技術要求：GB/T44795-2024解析

三十五、系統級封裝基板通用要求：2024年標準技術革新

三十六、GB/T44795-2024必讀：SiP基板設計與測試全攻略

三十七、揭秘系統級封裝基板行業趨勢：2024年標準新亮點

三十八、解碼SiP一體化基板通用要求：GB/T44795-2024實踐

三十九、重構系統級封裝基板技術要求：2024年標準深度解析

四十、GB/T44795-2024技術熱點：SiP基板設計與測試指南目錄PART01一、揭秘GB/T44795-2024：系統級封裝一體化基板的核心要求散熱性能隨著集成度的提高，SiP一體化基板的散熱問題日益突出。因此，該標準對基板的散熱性能提出了明確要求，以確保芯片的長期穩定運行。高密度布線為滿足系統級封裝的高集成度需求，SiP一體化基板需支持更細線寬和線距的高密度布線，以實現更高的功能密度。阻抗控制為確保高速信號的傳輸質量，SiP一體化基板需具備嚴格的阻抗控制，以減小信號失真和傳輸延遲。（一）電氣特性核心要點熱阻熱阻是評估基板散熱能力的關鍵指標，標準要求SiP一體化基板應具有較低的熱阻值，以保證熱量能夠快速傳導到散熱部件上。（二）熱特性關鍵參數要求熱導率熱導率是衡量材料導熱性能的物理量，標準要求SiP一體化基板應具有高熱導率，以便有效地將熱量從熱源處傳導出去。溫度均勻性溫度均勻性是指SiP一體化基板在工作時，表面溫度分布的均勻程度。標準要求SiP一體化基板應具有良好的溫度均勻性，以避免因溫度差異導致的性能不穩定。規定了系統級封裝一體化基板應使用的材料，包括基板的類型、性能、尺寸等。基板材料詳細規定了系統級封裝一體化基板的各項結構尺寸，包括基板厚度、通孔尺寸、線寬、線距等。結構尺寸對系統級封裝一體化基板的布局布線進行了規范，包括元件的布局、信號的走向、電源和地的處理等。布局布線（三）結構特性重點規定（四）材料選擇核心考量為提高散熱效率，應選擇導熱性能更好的材料，如銅、鋁等金屬材料以及導熱硅膠片等復合材料。高導熱材料為保證整個SiP的可靠性，應選擇熱膨脹系數較低的材料，如硅、碳化硅等。低熱膨脹系數材料為滿足加工和制造的要求，應選擇易于加工和制造的材料，如可電鍍、可焊接、可切割等。良好可加工性材料功能單元種類按照功能需求，將SiP內的功能單元劃分為處理器單元、存儲器單元、接口單元、電源管理單元等。功能單元性能功能單元互連（五）功能單元關鍵界定對各個功能單元的性能指標進行明確界定，如處理器單元的運算能力、存儲器單元的存儲能力等。規定功能單元之間的互連方式、信號傳輸協議等，確保各功能單元能夠協同工作，實現SiP的整體性能。端口類型與數量規定了SiP封裝中各個端口的阻抗值和匹配要求，以保證信號傳輸的完整性和穩定性。端口阻抗與匹配端口級聯方式規定了SiP封裝中端口級聯的方式和方法，包括串聯、并聯等，以確保多個端口之間的協同工作和優化性能。規定了SiP封裝中使用的端口類型和數量，以確保SiP與其他元件或系統之間的連接順暢、穩定。（六）端口級聯要求解析PART02二、解碼SiP一體化基板通用標準：2024年最新技術趨勢SiP技術將支持更高的元件密度，以滿足更小封裝尺寸和更復雜功能的需求。更高密度SiP基板將支持更快的信號傳輸速度，以滿足高速應用的需求。更快傳輸速度SiP技術將采用更先進的電源管理技術，以滿足高能效和長電池壽命的要求。更好的電源管理（一）電氣性能技術新走向010203（二）熱管理技術新趨勢熱流路徑優化通過優化熱流路徑，提高散熱效率，降低SiP封裝的溫度，提高可靠性。新型散熱材料應用高導熱材料、石墨烯等新型散熱材料，提高SiP封裝的散熱性能。熱設計仿真技術采用先進的熱仿真技術，對SiP封裝進行熱仿真分析，預測溫度分布，優化熱設計方案。采用更加精細的線條和間距，以實現更高的集成度和性能。精細化設計引入新型低熱阻、低介電常數、高導熱性等材料，提高結構設計的可靠性和穩定性。新型材料應用采用3D堆疊技術，將多個芯片或組件垂直堆疊在一起，實現更緊湊、更高效的SiP一體化基板結構設計。3D堆疊技術（三）結構設計技術革新新型基板材料研發和應用具有高導熱、高散熱、低損耗、高可靠性等特性的新型基板材料，如低介電常數（LowDk）和低耗散因子（LowDf）材料。（四）材料應用技術突破先進封裝材料采用高性能的封裝材料，如低熱阻的導熱膠、高導熱性的散熱片、高可靠性的封裝膠等，提高SiP的散熱性能和可靠性。綠色環保材料隨著環保意識的提高，越來越多的SiP產品開始使用綠色環保的封裝材料，如無鉛焊料、無鹵素阻燃劑等，以減少對環境的影響。（五）功能集成技術進展嵌入式組件技術將無源和有源組件嵌入到基板中，實現更高的集成度和更小的封裝尺寸；同時提高了電氣性能和可靠性。先進封裝技術采用倒裝芯片、晶圓級封裝等先進技術，實現芯片與基板之間的高密度連接；同時降低了寄生電感和電容，提高了信號傳輸速度。系統級封裝技術將多個芯片、組件、互連等集成在一個封裝體內，實現系統級的高度集成；同時降低了組裝成本，提高了生產效率。應用5G、6G等高速無線通信技術，實現更快的數據傳輸速率和更低的延遲。高速傳輸技術采用低損耗材料和優化設計，降低信號在傳輸過程中的損耗，提高信號質量和穩定性。低損耗傳輸技術應用先進的抗干擾技術，如差分信號、屏蔽技術等，減少外界干擾對信號傳輸的影響，提高信號傳輸的可靠性。抗干擾傳輸技術（六）信號傳輸技術前沿PART03三、重構系統級封裝基板設計：GB/T44795-2024全面解析（一）材料要素設計解析新型導熱材料采用石墨烯、碳納米管等新型導熱材料，提高基板內部熱傳導效率，降低封裝熱阻，確保芯片在長時間高功率工作下的穩定性和可靠性。環保可持續材料符合RoHS、REACH等環保法規要求，采用無毒、可回收或生物降解的材料，降低對環境的污染和資源的消耗。高性能基板材料選擇具有高導熱、低膨脹系數、優異電氣性能和可靠機械強度的基板材料，如硅、陶瓷、玻璃纖維增強環氧樹脂等，以滿足SiP的高密度、高性能封裝需求。030201（二）結構要素設計要點01選擇具有高導熱、高電性能、低介質損耗和低熱膨脹系數的材料，如陶瓷、硅片和有機基板等，以滿足封裝性能和可靠性要求。根據系統級封裝的應用需求和工藝要求，合理設計基板的結構尺寸和厚度，以實現良好的封裝效果和熱管理性能。在基板布局布線時，應考慮到信號完整性、電源完整性、電磁兼容性等因素，采用合理的布線策略和抗干擾措施，確保信號傳輸的穩定性和可靠性。0203基板材料選擇結構尺寸和厚度設計布局布線設計布線密度和線寬/線距規范了布線密度，以及最小線寬、最小線距等參數，確保信號的傳輸性能和基板的可靠性。布線拓撲結構規定了多種布線拓撲結構，如鏈式、T型、菊花鏈等，并給出了選用建議，以滿足不同信號傳輸需求。布線長度和阻抗匹配要求在設計時考慮布線長度和阻抗匹配問題，以減少信號反射和干擾，提高信號質量。（三）布線要素設計規范01端口尺寸和規格必須明確端口的尺寸和規格，包括直徑、形狀、插針數量等，以確保與其他元件或接口兼容。端口布局和間距端口的布局和間距應遵循標準規范，以確保信號傳輸的完整性和穩定性，同時考慮散熱和制造的限制。端口阻抗和信號完整性端口的阻抗和信號完整性是關鍵參數，需要考慮信號的傳輸速度、反射、串擾等因素，以保證信號的穩定性和可靠性。（四）端口要素設計要求0203GB/T44795-2024規定了SiP一體化基板的尺寸和厚度范圍，以滿足不同封裝形式和應用需求。設計時需考慮基板的機械強度、熱傳導性能和電氣性能等因素。尺寸和厚度GB/T44795-2024強調了元件布局和互連對SiP性能和可靠性的影響。設計時需優化元件布局，減少信號干擾和傳輸延遲，同時保證良好的散熱性能和可制造性。元件布局和互連SiP一體化基板需與外部電路和系統連接，因此外部接口和連接器的設計至關重要。GB/T44795-2024規定了接口和連接器的類型、尺寸、性能等要求，以保證SiP與外部電路的可靠連接和信號傳輸。外部接口和連接器（五）外形設計要點解析010203腔體間的隔離對腔體間的隔離提出了要求，以防止信號相互干擾和串擾，提高信號的完整性和可靠性。腔體尺寸和布局詳細規定了腔體的尺寸、形狀和布局，以確保信號傳輸的完整性和穩定性。腔體材料選擇規定了腔體材料的選擇，包括材料的介電常數、損耗因子等參數，以滿足高頻應用的需求。（六）腔體設計規范解讀PART04四、GB/T44795-2024必讀：SiP基板技術要求的深度解讀SiP基板應具有高導電率、低電阻率、低電感和高Q值等特性，以確保信號傳輸的效率和穩定性。電氣性能傳輸延遲電磁兼容性SiP基板中的信號傳輸延遲應盡可能小，以保證高速信號的傳輸質量和時序要求。SiP基板應具有良好的電磁兼容性，以保證信號在傳輸過程中的抗干擾能力和可靠性。（一）電氣技術要求深度剖析熱設計對SiP基板在溫度循環、溫度沖擊等熱應力條件下的可靠性進行了規定，以保證SiP基板在長期使用中的可靠性。熱可靠性熱材料對SiP基板所使用的散熱材料、導熱材料、熱界面材料等進行了規定，以保證SiP基板在熱傳導、散熱等方面的性能符合要求。規定了SiP基板的熱設計方法和要求，包括熱仿真、熱測試和熱管理等方面，以確保SiP基板在溫度方面的可靠性和穩定性。（二）熱技術要求詳細解讀基板層結構設計規定了SiP基板層結構的設計要求，包括層數、厚度、材料、工藝等，以確保SiP封裝的高可靠性和高性能。（三）結構技術要求全解析互聯技術要求詳細描述了SiP基板內部和與其他元件之間的互聯技術要求，包括連接方式、信號完整性、阻抗控制等，以確保信號傳輸的穩定性和可靠性。尺寸與公差規定了SiP基板的尺寸和公差要求，包括長度、寬度、厚度、平整度等，以確保SiP封裝的精確度和一致性。基板材料選擇選擇具有優良電氣性能、熱性能、機械性能和可靠性的基板材料，如高導熱、低膨脹系數的材料。導體材料選擇絕緣材料選擇（四）材料技術要求關鍵點選用導電性能良好、可焊性好的導體材料，如銅、鋁等，同時考慮其成本、加工性能和可靠性。選擇具有高絕緣電阻、低介電常數、低介質損耗、良好加工性能和可靠性的絕緣材料，如聚酰亞胺、聚四氟乙烯等。SiP基板應能夠實現集成電路的集成功能，包括信號放大、轉換、處理等功能。集成電路功能對于涉及射頻信號的SiP基板，應具備相應的射頻性能，如特征阻抗、信號損耗、頻率響應等。射頻性能若SiP基板集成了傳感器，則應滿足傳感器的功能要求，如靈敏度、精度、穩定性等。傳感器功能（五）功能技術要求解讀（六）互連技術要求分析互連線的弧度和角度規定了互連線的最大弧度和角度，以避免信號傳輸中的失真和短路等問題。互連線的阻抗控制規定了互連線的阻抗范圍，以保證信號的完整性，減少信號的反射和干擾。互連線寬度和間距規定了SiP基板中互連線的寬度和最小間距，以保證信號的傳輸質量和可靠性。PART05五、系統級封裝基板通用要求：2024年標準實施指南信號完整性在高速信號傳輸過程中，系統級封裝基板需要保持良好的信號完整性，避免信號失真、衰減和干擾等問題。電源管理系統級封裝基板需要實現高效的電源管理，包括電源分配、電源噪聲抑制等，以確保各個組件能夠正常工作。傳輸速度系統級封裝基板需要支持更高的信號傳輸速度，以滿足現代電子產品快速、高效的數據傳輸需求。（一）電氣特性實施要點熱設計優化通過仿真和實驗驗證，優化系統級封裝基板的熱設計，包括導熱材料選擇、散熱結構設計等，以提高基板的散熱性能。熱阻測試方法明確測試樣品制備、測試條件、測試設備和測試步驟，確保測試結果的準確性和可比性。熱應力評估基于熱阻測試結果，結合熱應力計算公式，評估系統級封裝基板在溫度變化時產生的熱應力，為封裝設計和可靠性評估提供依據。（二）熱特性實施指南SiP基板應采用堆疊結構，以實現更高的集成度和更小的封裝尺寸。堆疊結構應包括多層布線層、介質層和元件層等。堆疊結構SiP基板的布局布線應遵循高速、低噪聲、高可靠性的原則。應考慮信號完整性、電源完整性等因素，采取合適的布線策略和設計規則。布局布線SiP基板的尺寸和公差應符合相關標準的規定，包括基板厚度、尺寸公差、平整度等。這些要求有助于確保SiP封裝的可制造性和可靠性。尺寸和公差（三）結構特性實施規范010203（四）材料選擇實施建議優先選用高性能基板材料為提高系統級封裝的性能和可靠性，應選擇具有高導熱性、高絕緣性、低介電常數和低介質損耗的材料。考慮材料的可加工性材料應具有良好的可加工性，以適應系統級封裝中的復雜工藝，如多層布線、鉆孔和切割等。關注材料的環境適應性材料應具備良好的耐溫、耐濕、抗腐蝕等性能，以確保系統級封裝在各種環境下都能穩定工作。（五）功能單元實施步驟識別功能單元識別系統級封裝基板中的各個功能單元，包括有源和無源組件、互連結構等。評估功能單元性能功能單元整合根據標準規定的性能指標，對每個功能單元進行性能評估，確保其符合設計要求。將經過評估的功能單元按照設計要求進行整合，確保各個功能單元之間的互連和兼容性。端口級聯的優缺點分析了端口級聯技術的優點和缺點，包括提高集成度、降低成本、增加設計復雜性等方面。端口級聯的信號完整性分析端口級聯的設計指南（六）端口級聯實施方法探討了端口級聯對信號完整性的影響，包括信號反射、串擾、損耗等方面的原理及仿真分析方法。提出了針對端口級聯的設計指南，包括阻抗匹配、信號布線、電源分配等方面的要求和建議。PART06六、SiP一體化基板標準揭秘：從術語到技術要求的全攻略是指將多種具有不同功能的有源電子元件和無源電子元件通過封裝技術集成在一個封裝體內，實現系統功能的封裝形式。系統級封裝（SiP）是指SiP封裝中，承載各種有源、無源器件，實現電氣連接、物理支撐和散熱等功能的基板。一體化基板指SiP封裝中，實現一定功能所需要的芯片面積與整個封裝體面積的比值，是評價SiP封裝水平的重要指標之一。封裝效率（一）關鍵術語詳細解讀01阻抗（Impedance）指電流通過基板時，對電流的阻力。在高頻電路中，阻抗的大小對信號傳輸質量有很大影響。介電常數（DielectricConstant）基板材料的介電常數與信號傳輸速度有關，介電常數越低，信號傳輸速度越快。損耗因子（LossTangent）基板材料的損耗因子反映了信號在基板中傳輸時的能量損失情況，損耗因子越小，信號損失越小。（二）電氣術語對應技術0203熱阻（ThermalResistance）指物體對熱量傳遞的阻礙程度，其大小與物體的材料、形狀、面積、厚度等因素有關，是評價散熱性能的重要指標。熱導率（ThermalConductivity）指單位時間內通過單位面積傳遞的熱量，是反映材料導熱性能的物理量。熱容量（HeatCapacity）指物體升高或降低1℃所吸收或放出的熱量，反映了物體儲存熱量的能力。（三）熱術語相關技術要求結構術語定義提供結構術語在實際應用中的具體指南，包括如何正確使用、避免混淆等，以提高SiP一體化基板的設計和生產效率。術語應用指南術語圖形表示提供結構術語的圖形表示方法，如剖面圖、示意圖等，幫助讀者更直觀地理解術語含義和應用場景。定義SiP一體化基板中的關鍵結構術語，如“封裝體”、“基板”、“凸塊”等，確保術語的準確和一致。（四）結構術語技術規范高密度互連（HDI）指在高密度集成的SiP封裝中，采用細線寬、小間距的導電圖形進行層間互連的技術。封裝基板材料指用于承載元器件、連接電路、散熱和提供機械支撐等功能的材料，包括有機材料、無機材料和復合材料等。導體材料指在SiP封裝中用于制作導電圖形的材料，包括銅、鋁、金、銀等金屬及其合金。（五）材料術語技術要點功能術語概述功能術語是描述SiP一體化基板功能和特性的關鍵詞，如“集成度”、“信號完整性”、“電源完整性”等。（六）功能術語技術解讀功能術語解析對功能術語進行詳細解釋，如“集成度”指SiP一體化基板內部元器件的集成程度，“信號完整性”指信號在傳輸過程中的不失真程度等。功能術語應用功能術語在SiP一體化基板的設計、制造、測試等過程中具有重要作用，是確保產品性能和品質的關鍵因素。PART07七、GB/T44795-2024熱點解析：基板設計與測試的關鍵點環保、可持續性選擇符合環保要求的基板材料，如無鉛、無鹵素等，同時考慮材料的可持續性，降低對環境的影響。高性能基板材料選擇具有高導熱、低損耗、高可靠性的基板材料，如陶瓷、金屬基板等，以滿足高性能SiP封裝需求。基板材料匹配性考慮基板材料與芯片、封裝材料之間的熱膨脹系數、CTE等匹配性，以確保封裝可靠性。（一）設計材料關鍵點（二）設計結構關鍵點層次結構基板設計應采用層次結構，包括電路層、接地層、電源層等，以確保信號的傳輸質量和電源的穩定性。布線設計布線設計應遵循短、直、等長的原則，避免出現信號干擾和傳輸延遲等問題。同時，應注意差分信號的布線，以保證信號的完整性。元器件布局元器件的布局應充分考慮信號走向和電磁兼容性，避免元器件之間的干擾和耦合。同時，應合理安排元器件的位置，以便于后續的組裝和維修。在滿足電氣性能的前提下，盡可能提高布線密度，同時保證線寬和線距符合標準，以減少信號干擾和傳輸延遲。布線密度和線寬線距的控制應盡量縮短布線長度，以減少信號的衰減和延遲，同時還要注意避免線路之間的串擾和電磁干擾。布線長度的優化對于差分信號，應采用平行、等長、等間距的布線方式，以保持信號的穩定性和抗干擾能力。差分信號的布線（三）布線設計關鍵點（四）端口設計關鍵點端口類型選擇根據系統需求選擇適當的端口類型，如高速差分端口、單端端口、射頻端口等，確保信號傳輸的穩定性和準確性。端口阻抗匹配端口布局與間距端口的阻抗應與傳輸線的阻抗匹配，以減少信號反射和干擾，提高信號質量。合理的端口布局和間距可以有效減少信號串擾和電磁干擾，提高信號完整性。測試設備采用高精度翹曲度測試儀，測試基板在不同溫度下的翹曲度。測試方法評估標準（五）翹曲度測試要點按照標準規定的測試方法，將基板放置在測試平臺上，通過測試儀器測量并記錄基板在特定條件下的翹曲度值。根據基板的功能要求和實際應用場景，制定相應的翹曲度評估標準，確保基板在組裝和使用過程中的可靠性。氣密性測試方法常用的有氣密性測試儀、氦質譜檢漏儀、流量測試儀等。氣密性測試設備氣密性測試標準根據不同的封裝形式和工藝要求，制定相應的氣密性測試標準，確保產品氣密性符合設計要求。包括氦質譜檢漏、壓力衰減法、流量測試法等。（六）氣密性測試關鍵PART08八、解碼系統級封裝基板試驗方法：2024年標準實踐指南（一）翹曲度測試實踐01采用高精度平面度測試儀，測試精度應達到0.01mm。在溫度23±3℃、濕度50±10%的環境下進行測試，避免溫度和濕度對測試結果的影響。將系統級封裝基板放置在平面上，用高精度平面度測試儀測量其翹曲度，并記錄測試數據。測試點應包括基板的四個角和中心點，共5個點。0203測試設備測試環境測試方法測試設備萬能材料試驗機，用于對SiP基板進行三點彎曲測試，以評估其抗彎強度。（二）抗彎強度測試實踐樣品制備按照標準規定制備樣品，包括尺寸、形狀、表面處理等。測試方法將樣品置于試驗機的兩個支點上，并在樣品中間施加壓力，直至樣品斷裂。記錄斷裂時的最大負載和樣品尺寸，計算抗彎強度。（三）殘余應力測試實踐樣品制備與處理按照標準要求制備樣品，并進行必要的表面處理，如去氧化、去應力退火等，以提高測試結果的準確性。測試方法與數據分析根據標準要求選擇合適的測試方法，如X射線衍射法、激光應力測量法等，對樣品進行殘余應力測試，并對測試結果進行數據分析，評估樣品的殘余應力狀態。測試設備選擇選擇高精度、高靈敏度的應力測試設備，如X射線衍射儀、激光應力測量儀等，確保測試結果的準確性和可靠性。030201氣密性測試儀、氦氣或氮氣等惰性氣體、真空泵、流量計。測試設備采用壓力衰減法或流量測試法，測試封裝基板在特定條件下的氣密性能。測試方法根據測試結果和標準要求，判斷封裝基板的氣密性能是否合格，并記錄測試數據和結果。測試結果判定（四）氣密性測試實踐010203采用符合標準的溫度循環試驗箱，具備精確的溫度控制能力。試驗設備試驗條件試驗樣品根據實際應用場景和封裝可靠性要求，設置合理的溫度循環范圍和循環次數。選取具有代表性的系統級封裝基板，確保試驗結果的準確性和可靠性。（五）熱應力試驗實踐試驗設備按照標準要求制備的系統級封裝基板樣品，數量根據試驗需求確定。試驗樣品試驗條件設定機械應力試驗的溫度、濕度、應力大小、應力方向等參數，模擬實際工作環境中的機械應力情況。萬能材料試驗機、機械應力試驗箱、數據采集系統等。（六）機械應力試驗實踐PART09九、SiP基板通用要求深度剖析：GB/T44795-2024技術亮點電源管理對SiP基板的電源管理提出更高要求，包括電源分配、電源噪聲抑制等，以保證各組件的正常工作和整體性能。高速信號傳輸規定SiP基板的高速信號傳輸性能要求，包括傳輸速度、信號完整性等，以滿足現代電子產品對數據傳輸速率和質量的需求。阻抗控制對SiP基板的阻抗要求進行嚴格控制，確保信號在傳輸過程中的穩定性和完整性，避免因阻抗不匹配而引起的信號反射和干擾。（一）電氣技術亮點剖析SiP基板集成了多個組件，熱量集中、散熱難度大，標準要求優化散熱設計，確保組件長期可靠工作。高效散熱設計標準要求進行熱仿真和測試，以驗證SiP基板在實際工作條件下的熱性能，確保產品的熱可靠性。熱仿真與測試SiP基板與其他散熱材料之間的熱界面是散熱的關鍵，標準要求選用合適的熱界面材料，以提高散熱效果。熱界面材料應用（二）熱技術亮點解讀（三）結構技術亮點分析采用先進的精細化設計技術，實現SiP基板的高度集成化和小型化，提高封裝密度和性能。精細化設計針對SiP基板的散熱問題，采用先進的散熱材料和結構設計，確保芯片在長時間高負荷工作下的穩定性和可靠性。散熱性能優化通過一系列可靠性試驗和評估，確保SiP基板在各種應用場景下具有良好的機械、電學、熱學等性能。可靠性評估（四）材料技術亮點呈現01采用高導熱、高耐熱、低膨脹系數的基材，如碳纖維、陶瓷、聚酰亞胺等，以提高SiP基板的性能和可靠性。使用低介電常數、低介質損耗、高絕緣強度的絕緣材料，如聚四氟乙烯、聚酰亞胺等，以滿足高頻、高速信號的傳輸需求。采用環保型材料，如無鉛、無鹵素等，符合環保法規要求，同時減少對環境的污染和破壞。0203高性能基材先進絕緣材料環保材料將多種功能集成在一個SiP基板上，提高了集成度和系統性能。多種功能集成采用先進的封裝技術，如TSV、凸塊、倒裝芯片等，實現了更高的集成度和可靠性。先進封裝技術通過合理的布局和采用高導熱材料，提高了SiP基板的散熱性能，確保了系統的穩定運行。優異散熱性能（五）功能集成技術亮點規定SiP基板支持更高的信號傳輸速率，以滿足現代電子產品對數據傳輸速度的需求。高速信號傳輸優化SiP基板材料、線路設計和布線方法，降低信號傳輸過程中的損耗，提高信號質量。低損耗傳輸增強SiP基板對外部干擾信號的抵抗能力，確保信號傳輸的穩定性和可靠性。抗干擾性能（六）信號傳輸技術亮點010203PART10十、GB/T44795-2024技術指南：系統級封裝基板合規實踐（一）電氣特性合規實踐阻抗控制系統級封裝基板需要嚴格控制阻抗，以保證信號的完整性和穩定性，同時避免電磁干擾和信號反射等問題。電源完整性信號傳輸性能電源完整性是系統級封裝基板的重要指標，需要保證電源的穩定性和可靠性，以避免電壓波動和噪聲等問題。系統級封裝基板需要優化信號傳輸路徑，以提高信號的傳輸速率和抗干擾能力，從而確保系統的穩定性和可靠性。熱設計在SiP封裝設計中，需要進行熱設計以確保芯片和其他組件的溫度在可接受范圍內。熱設計通常包括散熱材料的選擇、散熱結構的優化、熱仿真等。（二）熱特性合規操作熱仿真通過熱仿真工具對SiP封裝進行熱特性分析，以預測封裝在實際工作中的溫度分布。這有助于優化設計以提高散熱性能和可靠性。熱測試在完成SiP封裝后，需要進行熱測試以驗證封裝的熱特性是否符合設計要求。測試方法包括溫度循環測試、熱阻測試等。可靠性評估SiP基板的結構特性應進行可靠性評估，包括機械應力、熱應力等方面的評估，以確保基板在實際應用中的可靠性。基板結構應明確SiP基板的堆疊結構、層數、厚度等參數，確保基板結構的可靠性和穩定性。互連技術要遵循GB/T44795-2024標準中的互連技術要求，選擇合適的互連方式、線寬、線距等參數，確保信號的傳輸性能和穩定性。（三）結構特性合規要點選擇具有優良電氣性能、熱性能和機械性能的高性能基板材料，以滿足系統級封裝的高密度、高速度和高功率要求。高性能基板材料為降低對環境的影響，應選擇無鉛焊接材料，并確保其符合相關標準和法規要求。無鉛焊接材料在材料選擇時，應考慮環保因素，優先選擇符合環保要求、可回收利用的材料。環保材料（四）材料選擇合規指南（五）功能單元合規實踐標準中明確了功能單元的定義，即在系統級封裝基板上實現特定功能的電路單元或模塊。功能單元定義清晰標準要求功能單元設計時應考慮其功能、性能、可靠性、可測試性等因素，并滿足系統整體設計要求。功能單元設計要求標準提供了功能單元實現方式的指導，包括電路設計、布局布線、元器件選擇等方面。功能單元實現方式（六）端口級聯合規方法端口級聯合規方法的基本概念介紹端口級聯合規方法的基本概念和原理，以及其在系統級封裝基板合規實踐中的作用。端口級聯合規方法的實施步驟詳細闡述端口級聯合規方法的實施步驟，包括端口選擇、信號完整性分析、電源完整性分析等。端口級聯合規方法的實際應用案例列舉具體的端口級聯合規方法在系統級封裝基板合規實踐中的應用案例，以說明其可行性和有效性。PART11十一、揭秘SiP一體化基板設計難點：2024年標準核心解讀材料性能SiP一體化基板需要高性能的材料來保證電路的可靠性和穩定性，如高熱導率、低介電常數和低損耗等。材料加工性成本控制（一）材料選擇設計難點SiP一體化基板制造過程中需要考慮材料的加工性，如材料的可加工性、可焊接性、可電鍍性等。材料的選擇直接影響到SiP一體化基板的成本，因此需要在滿足性能和加工性的前提下，選擇具有成本效益的材料。高密度布線設計SiP一體化基板由于高度集成，散熱問題更加突出，需要采用先進的散熱材料和設計技術來確保元器件的穩定工作。散熱設計可靠性設計SiP一體化基板需要滿足長期、穩定、可靠的工作要求，因此在設計時需要充分考慮各種可靠性因素，如機械應力、溫度循環、濕度等。隨著電子產品功能復雜度的提升，SiP一體化基板需要承載更多的元器件和線路，布線密度越來越高，設計難度也越來越大。（二）結構設計難點剖析高密度布線設計隨著SiP封裝集成度的提高，布線密度越來越高，要求設計者必須考慮信號完整性、電磁干擾等問題，確保信號傳輸的穩定性和可靠性。（三）布線設計難點解讀布線長度和阻抗匹配在SiP封裝中，布線長度和阻抗匹配對于信號的質量和時序至關重要。設計者需要精確計算布線長度和阻抗，以確保信號傳輸的準確性和穩定性。電源和地線的處理在SiP封裝中，電源和地線的處理對于整個系統的穩定性和性能至關重要。設計者需要合理規劃電源和地線的布局和連接方式，以降低電源噪聲和接地阻抗，提高系統的抗干擾能力。SiP封裝集成度高，信號傳輸速度快，端口設計需要保證信號的完整性和穩定性，避免信號失真和干擾。高速信號傳輸問題SiP封裝中，不同元器件之間的阻抗不同，端口設計需要考慮阻抗匹配問題，以減少反射和信號損失。端口阻抗匹配SiP封裝尺寸小，端口布局和尺寸設計需要考慮元器件之間的相互干擾和信號完整性，以及制造和組裝工藝的限制。端口布局和尺寸設計（四）端口設計難點分析010203SiP封裝中使用了多種不同材料，如硅芯片、基板、焊料等，它們的熱膨脹系數差異很大，易在溫度變化時產生熱應力，導致封裝失效。不同材料熱膨脹系數差異（五）熱匹配設計難點SiP封裝密度高，散熱難度大，需要在有限的空間內設計出高效的熱傳導路徑，確保熱量能夠及時散發出去，避免對器件性能造成影響。熱傳導路徑設計由于SiP封裝的復雜性，需要進行準確的熱仿真和測試，以預測封裝的熱性能，并優化設計以提高可靠性。熱仿真與測試氣密性測試與評估制定嚴格的氣密性測試方法和評估標準，包括漏率測試、密封性測試等，以確保產品的氣密性符合標準要求。氣密性材料與選擇選擇合適的材料以確保氣密性，如采用高性能的環氧樹脂、硅膠等密封材料，同時要考慮材料與基板、芯片之間的粘合性和可靠性。密封工藝與可靠性采用先進的密封工藝，如真空封裝、激光焊接等，以確保氣密性達到標準要求，同時要保證長期可靠性。（六）氣密性設計難點PART12十二、系統級封裝基板技術要求：GB/T44795-2024必讀攻略SiP基板應具備良好的電氣性能，包括高導電率、低介電常數和低介電損耗等，以確保信號傳輸的完整性和穩定性。電氣性能信號完整性電源管理SiP基板需要考慮信號的傳輸延遲、衰減、反射、串擾等信號完整性問題，以確保高速信號的傳輸質量。SiP基板需要優化電源管理，包括電源分配、電源去耦、電源完整性等，以確保各個組件能夠獲得穩定、干凈的電源供應。（一）電氣技術必讀要點應確保系統級封裝基板具有足夠的散熱能力，避免過熱導致的性能下降或失效，包括散熱通道的設計、熱阻和熱容的評估等。熱設計采用仿真軟件進行熱仿真分析，預測系統級封裝基板的溫度分布和散熱情況，為優化設計提供依據。熱仿真分析制定合適的熱測試方法，確保系統級封裝基板的熱性能符合設計要求，包括溫度測量、熱阻測試等。熱測試方法（二）熱技術必讀內容基板結構設計堆疊技術可以實現更高集成度和更小尺寸，但需要保證堆疊后的可靠性和穩定性。堆疊技術嵌入式組件技術嵌入式組件技術可以提高SiP的集成度和性能，但需要保證組件與基板之間的可靠連接和電氣性能。基板結構設計是SiP的核心，需要綜合考慮各種因素，如元器件的布局、信號傳輸、電源分配、熱管理等。（三）結構技術必讀攻略高性能基板材料選擇具有高導熱性、高可靠性、低損耗和低CTE（熱膨脹系數）的基板材料，如陶瓷、硅、金屬等。先進絕緣材料環保和可持續性（四）材料技術必讀關鍵采用高性能絕緣材料，如聚酰亞胺、聚苯乙烯等，以提高電路間的絕緣性能和耐熱性。優先選擇符合環保要求和可持續發展的材料，如無鉛、無鹵素等環保材料，以減少對環境和人體健康的影響。（五）功能技術必讀知識功能技術選擇根據應用需求選擇適當的功能技術，以滿足產品的性能和可靠性要求。功能技術特點系統級封裝基板的功能技術具有高性能、高集成度、高密度、高可靠性等特點。功能技術分類系統級封裝基板的功能技術主要包括信號處理、電源管理、熱管理、可靠性等。互連密度要求SiP封裝基板具備高密度的互連能力，以滿足現代電子系統對高集成度和高性能的需求。互連可靠性SiP封裝基板的互連結構需具備高可靠性，以確保電子系統的長期穩定運行。互連工藝需要關注SiP封裝基板的互連工藝，包括焊接、鍵合等工藝，確保互連結構的可靠性和穩定性。（六）互連技術必讀要點PART13十三、重構SiP基板測試方法：2024年標準最新實踐解析01測試設備采用高精度翹曲度測試儀，要求測量精度達到±10μm。（一）翹曲度測試新實踐02測試方法在溫度循環條件下測試SiP基板翹曲度，測試點需均勻分布在基板表面，且測試時需避免基板受力變形。03測試結果評估根據測試結果評估SiP基板的翹曲度是否滿足設計要求，并提出改進建議。引入新的評估指標為了更好地描述SiP基板的抗彎性能，引入新的評估指標，如彎曲剛度、彎曲模量等。引入動態測試方法采用動態測試方法，模擬實際使用中的彎曲情況，更準確地評估SiP基板的抗彎強度。增加測試溫度范圍考慮SiP基板在不同溫度下的性能變化，增加測試溫度范圍，以全面評估其抗彎強度。（二）抗彎強度測試革新（三）殘余應力測試新解測試方法采用X射線衍射法、電子散斑干涉法等非破壞性檢測技術進行殘余應力測試。測試設備測試結果分析選用高精度、高穩定性的應力測試設備，如X射線應力測定儀、電子散斑干涉儀等。通過對測試結果的分析，確定SiP基板中殘余應力的分布狀況及其對產品可靠性的影響，進而采取相應的優化措施。氦氣泄漏測試將濕度敏感元件放置于SiP基板內部，通過檢測元件反應來判斷基板的氣密性，測試精度較高。濕度敏感元件測試仿真測試技術利用仿真軟件模擬SiP基板在不同環境下的氣密性表現，有效預測基板在實際使用中的可靠性。利用氦氣的滲透性，通過質譜儀檢測SiP基板的氣密性，快速準確地發現泄漏點。（四）氣密性測試新方法通過提高測試溫度，縮短測試時間，快速評估SiP在熱應力下的可靠性。加速熱應力測試方法評估SiP在高溫條件下的電氣性能、機械性能、可靠性等方面的變化情況。熱應力對SiP性能影響評估精確控制測試溫度，確保測試結果的準確性和可重復性。熱應力測試中的溫度控制（五）熱應力試驗新實踐010203引入新的機械應力測試技術采用更先進的機械應力測試技術，如有限元仿真、動態應力測試等，提高測試的準確性和可靠性。強調機械應力對SiP基板的影響細化機械應力測試指標（六）機械應力試驗革新通過機械應力試驗，更準確地評估SiP基板在實際使用中的可靠性和穩定性，為產品設計和應用提供有力支持。制定更加詳細的機械應力測試指標和評估方法，如應力分布、應力集中系數等，以更全面地評估SiP基板的機械性能。PART01十四、GB/T44795-2024深度解碼：系統級封裝基板行業革新可靠性提升SiP技術在電氣連接和封裝方面具有較高的可靠性，可有效降低電氣故障率和失效率，提高設備使用壽命。精細化設計系統級封裝（SiP）技術的發展使得電氣設計更加精細，基板上的線寬和線距不斷縮小，對電氣性能要求更高。高密度集成SiP技術使得電氣元件在基板上的集成度大幅提高，有利于實現小型化、輕量化和高性能化。（一）電氣技術行業革新（二）熱管理行業新變革新型熱界面材料，如石墨烯、液態金屬等，提高傳熱效率；低熱阻、高導熱基板材料，有效散熱。材料創新熱仿真技術助力產品設計，預測熱分布；優化設計結構，如熱過孔、散熱片等，提升散熱效果。仿真與優化設計高精度加工技術，如激光鉆孔、微米級加工等，滿足散熱需求；多層板制造技術，實現更復雜熱管理方案。制造工藝革新結構設計行業在系統級封裝基板領域取得了顯著突破，實現了更精細的設計能力，能夠滿足復雜電子產品的需求。精細化設計能力提升結構設計行業開始廣泛應用仿真分析技術，能夠在設計階段預測和解決潛在的問題，提高設計效率和可靠性。仿真分析技術應用結構設計行業積極推廣新型材料的應用，如高性能基板材料、導熱材料等，為系統級封裝基板提供了更多選擇和創新空間。新型材料應用推廣（三）結構設計行業突破高頻材料應用新型半導體材料如SiC、GaN等在SiP封裝中得到應用，將提高封裝效率和功率密度，推動新能源和電動汽車等領域的發展。半導體材料革新柔性材料應用柔性基板材料在SiP封裝中的應用日益廣泛，可實現三維立體封裝和異形封裝，提高封裝密度和靈活性。SiP封裝需要采用高頻材料，以滿足高速信號傳輸和低損耗的要求，促進無線通信、5G等領域的發展。（四）材料應用行業革新高密度互連技術功能集成行業不斷推進高密度互連技術的發展，實現了更小的線寬和線距，提高了電路的集成度和性能。嵌入式組件技術先進基板材料（五）功能集成行業進展通過嵌入各種被動元件、天線等組件，實現系統功能的集成和多樣化，提高了系統的可靠性和封裝密度。功能集成行業采用先進的基板材料，如高導熱、低膨脹系數、高介電常數等，滿足了高性能系統級封裝的需求。高速率、低損耗傳輸系統級封裝基板通過優化傳輸線路設計和材料選擇，實現高速率、低損耗的信號傳輸，提高了信號傳輸的質量和效率。（六）信號傳輸行業創新高密度互連技術系統級封裝基板采用高密度互連技術，實現了大量信號的傳輸和連接，為更復雜、更高級的電路設計和應用提供了支持。優秀的阻抗匹配系統級封裝基板通過精確控制基板材料的介電常數和厚度，實現了優秀的阻抗匹配，降低了信號反射和干擾，提高了信號的完整性和穩定性。PART02十五、SiP一體化基板通用要求：2024年標準技術熱點解析（一）電氣技術熱點解析高速信號傳輸SiP封裝密度越來越高，要求基板具有更低的介電常數（Dk）和更低的損耗，以滿足高速信號傳輸的需求。電源完整性（PI）信號完整性（SI）隨著SiP中功率密度的提高，電源完整性成為關鍵問題，需要優化基板的電源和地平面設計，以確保電源的穩定供電。SiP封裝中的信號完整性問題也日益突出，包括串擾、反射、損耗等，需要采用仿真和測試方法進行驗證和優化。采用高熱導率材料，如銅、石墨烯等，提高基板散熱能力，降低溫度上升速率。高熱導率材料應用利用熱仿真分析技術，精確預測SiP封裝熱性能，優化設計，降低熱阻和溫度梯度。熱仿真分析與優化設計開展熱可靠性測試，評估SiP封裝在高溫條件下的穩定性和壽命，確保產品長期可靠性。熱可靠性測試與評估（二）熱技術熱點解讀010203（三）結構技術熱點分析熱管理隨著SiP封裝集成度的提高，功耗密度也隨之增加，因此需要更加高效的熱管理技術來保證元器件的穩定性和可靠性。這包括采用高導熱材料、優化熱設計、增加散熱通道等。可靠性SiP封裝需要滿足更加嚴格的可靠性要求，因為任何故障都可能導致整個系統的失效。因此，SiP封裝需要采用一系列可靠性技術和測試方法，如可靠性試驗、應力分析、熱仿真等，以確保產品的質量和可靠性。精細化設計SiP封裝需要對元器件進行精細化的布局和設計，以滿足更小的封裝尺寸和更高的集成度要求，這包括采用更小的線寬和線距、更精細的布線設計、更緊密的封裝結構等。030201低損耗、高導熱材料SiP的集成度越來越高，要求基板材料具有高密度互連能力，以滿足更多信號的傳輸需求。高密度互連材料環保、可持續材料環保和可持續性已成為SiP材料選擇的重要因素，未來SiP基板材料將更加注重環保和可持續發展。隨著5G、物聯網等應用的快速發展，SiP對低損耗、高導熱材料的需求越來越高，這些材料可有效提高信號傳輸效率和散熱性能。（四）材料技術熱點探討（五）功能集成熱點解析將多種功能集成在一個SiP內，包括處理器、存儲器、傳感器、射頻模塊等，實現系統級的高度集成。多功能集成采用3D集成技術，將不同功能的芯片堆疊在一起，實現更小的封裝體積和更高的集成度。3D集成技術隨著技術的發展和市場需求的變化，SiP的功能將越來越多樣化，例如集成生物識別、環境感知等功能。功能多樣化趨勢隨著5G、物聯網等技術的普及，SiP一體化基板需要支持更高的數據傳輸速率，因此，高速信號傳輸技術成為了一個熱點。高速信號傳輸技術隨著信號頻率的不斷提高，信號完整性和電磁兼容性變得越來越重要，相關的設計、仿真和測試技術也得到了廣泛的關注。信號完整性（SI）和電磁兼容性（EMC）SiP一體化基板需要將多個芯片和其他組件集成在一個封裝內，因此需要采用先進的封裝技術，如系統級封裝（SiP）、倒裝芯片封裝（FC）等，以實現高速、高密度的信號傳輸。先進封裝技術（六）信號傳輸熱點解讀PART03十六、系統級封裝基板設計指南：GB/T44795-2024技術詳解介電材料包括低介電常數和低損耗因子材料，用于基板內部的信號傳輸和隔離，以確保高速信號的穩定性和完整性。導體材料包括高性能銅合金和低電阻率導體，用于制造基板內部的線路和連接，以提高信號的傳輸速度和效率。（一）材料設計技術詳解應力控制必須考慮溫度、濕度、機械沖擊等環境因素對基板結構的影響，并采取有效的應力控制措施，以保證基板在使用過程中的可靠性。基板材料選擇必須選擇具有高導熱性、高穩定性、低介電常數和低損耗角正切的材料，以保證基板的性能和可靠性。堆疊結構設計應根據功能需求和封裝要求，合理設計堆疊結構，包括堆疊高度、堆疊方式和堆疊層數等。（二）結構設計技術說明（三）布線設計技術要點布線密度布線密度需滿足電氣性能和制造要求，同時考慮信號完整性、電源完整性等因素，以確保信號的穩定傳輸。布線長度布線層數盡量縮短布線長度，以減少信號延遲和噪聲干擾，提高信號的傳輸效率和質量。根據電路功能和復雜程度，合理確定布線層數，同時考慮制造工藝和成本等因素，以保證電路的性能和可靠性。端口類型和數量根據系統需求和封裝形式，確定所需的端口類型和數量，包括信號端口、電源端口、接地端口等。端口位置和布局遵循信號完整性、電源完整性和熱設計原則，合理布局端口位置，避免相互干擾和信號反射。端口阻抗和匹配根據傳輸信號的特性，選擇合適的端口阻抗和匹配方式，以保證信號傳輸的穩定性和完整性。（四）端口設計技術要求尺寸精度控制基板的外形設計應考慮系統整體結構和布局，以便于安裝和拆卸，并避免過度應力集中。形狀設計表面處理對外形進行表面處理，以提高基板的耐腐蝕性、可焊性和可靠性，同時減少與其他元器件的摩擦和干擾。通過精細的設計和制造過程，確保基板的尺寸精度符合標準要求，以減小與其他元器件的接觸誤差。（五）外形設計技術解析腔體結構應采用合適的腔體結構來滿足元器件的布置和散熱需求，同時要考慮信號傳輸和電磁兼容性問題。腔體尺寸腔體材料（六）腔體設計技術指南根據元器件的尺寸、電氣性能和熱耗等因素，確定合理的腔體尺寸，避免過大或過小導致性能下降。選擇具有良好導熱、導電和加工性能的材料，如銅、鋁、陶瓷等，同時要考慮與元器件的匹配和可靠性。PART04十七、解碼SiP基板試驗方法：2024年標準實施難點突破（一）翹曲度測試難點破局測試方法需要采用更為先進的測試方法，如激光掃描、光學測量等，以確保測試結果的準確性和穩定性。測試穩定性SiP基板在測試過程中容易受到溫度、濕度等因素的影響，導致測試結果不穩定。測試精度由于SiP基板尺寸較小，翹曲度測試需要更高的精度，傳統的測試方法可能無法滿足要求。樣品制備樣品制備過程需要精確控制工藝參數，如基板尺寸、厚度、層數等，以保證測試結果的準確性和可重復性。（二）抗彎強度測試難點測試設備測試設備需要具備高精度、高靈敏度等特點，以確保測試結果的準確性。同時，設備的校準和維護也十分重要。數據處理抗彎強度測試產生的數據量較大，需要進行合理的處理和分析。測試人員需要掌握正確的數據處理方法，以確保測試結果的可靠性和有效性。殘余應力測試需要高精度的測試設備和專業的測試技術，對于測試人員的專業水平要求較高，一般企業難以掌握。殘余應力測試技術門檻高殘余應力測試需要使用精密的測試儀器和設備，測試成本較高，增加了企業的經濟負擔。殘余應力測試成本高昂目前殘余應力測試的方法和標準較多，不同標準之間的測試結果存在差異，導致測試結果的可靠性和可比性受到質疑。殘余應力測試標準不統一（三）殘余應力測試困境（四）氣密性測試難點解漏率控制SiP基板的氣密性測試要求漏率極低，需要控制測試環境、設備精度、測試時間等因素，以確保測試結果的準確性。封裝工藝影響SiP基板的封裝工藝對氣密性測試有重要影響，如焊接、粘接、密封等工藝的質量都會直接影響氣密性測試結果。測試方法選擇選擇合適的氣密性測試方法，如氦質譜檢漏、氣泡法、壓力衰減法等，根據SiP基板的特性選擇最優的方法。030201熱應力試驗需要精確控制溫度，以模擬實際使用中的溫度變化，但高溫和低溫的控制和穩定性仍是難點。試驗溫度控制（五）熱應力試驗難點破熱應力試驗需要一定的時間來暴露潛在問題，但時間過長會增加試驗成本和周期，時間過短則可能無法發現問題。試驗時間選擇SiP基板樣品制備需要保證與實際生產的產品一致，但制備過程中需要考慮到樣品尺寸、結構、材料等因素，使得制備過程復雜且難以控制。試驗樣品制備試驗設備精度機械應力試驗需要使用高精度的試驗設備，如萬能試驗機、扭轉試驗機等，以確保試驗結果的準確性和可重復性。01.（六）機械應力試驗突破樣品制備要求SiP基板樣品制備需要符合標準規定，包括樣品尺寸、形狀、表面處理等，以消除樣品制備對試驗結果的影響。02.試驗數據處理機械應力試驗會產生大量的試驗數據，需要進行處理和分析，以獲得準確的試驗結果和可靠的結論，同時需要制定相應的數據處理方法和標準。03.PART05十八、GB/T44795-2024必讀：系統級封裝基板技術革新采用更細的線寬和線距，增加布線密度，提高信號傳輸速度和穩定性。高密度布線技術通過優化基板材料和結構設計，降低信號傳輸過程中的阻抗，提高信號完整性。低阻抗控制技術將元器件嵌入基板內部，實現更緊密的連接和更短的信號傳輸路徑，提高電氣性能。埋入式元器件技術（一）電氣技術革新要點010203熱管理集成將散熱技術、熱設計優化等技術集成到系統級封裝基板中，實現高效散熱和溫度控制。散熱材料創新采用新型散熱材料，如石墨烯、液態金屬等，提高散熱效率和熱傳導性能。熱設計優化通過仿真和實驗驗證，優化基板熱設計，降低熱阻和熱應力，提高可靠性和穩定性。（二）熱技術革新大揭秘采用高精度、細線寬、細間距的設計規則，以滿足更高級別的集成度和性能要求。精細化設計（三）結構技術革新解讀引入新型基板材料、導電材料、介電材料等，提升基板的電氣性能、熱性能、機械性能等。新型材料應用采用先進的制造工藝和設備，如激光鉆孔、化學沉銅、電鍍銅等，實現多層板的高效、精密制造。先進制造技術低介電常數材料用于降低信號傳輸損耗，提高信號完整性，是實現更高速、更低功耗的關鍵材料。低損耗材料薄型化材料隨著封裝尺寸的縮小，要求材料在保持性能的同時盡可能薄，以滿足更小的封裝尺寸和更高的集成度。用于降低信號傳輸損耗，提高信號傳輸速度，是高頻高速應用的關鍵材料。（四）材料技術革新趨勢將多種功能集成在一個SiP內，提高集成度和性能。多種功能集成采用3D堆疊技術，將不同功能的芯片或組件堆疊在一起，實現更小的封裝尺寸和更高的性能。3D堆疊技術采用凸塊、倒裝、引線鍵合等先進封裝技術，實現芯片與基板之間的高密度連接。先進封裝技術（五）功能集成技術革新高速信號傳輸技術采用先進的傳輸技術和材料，提高信號傳輸速度，降低傳輸損耗，滿足高頻應用需求。低損耗傳輸線設計抗干擾技術（六）信號傳輸技術創新通過優化傳輸線結構和材料，減少信號在傳輸過程中的損耗，提高信號完整性。采用差分信號、屏蔽結構等技術手段，減少信號傳輸過程中受到的干擾，提高信號傳輸的穩定性。PART06十九、揭秘系統級封裝基板通用要求：2024年標準全攻略（一）電氣要求標準全解包括基板導電性能、絕緣性能、電容、電感等電氣特性，必須滿足系統級封裝的設計需求。電氣性能要求基板具有優良的信號傳輸性能，包括阻抗控制、傳輸延遲、衰減等，確保信號在基板上的傳輸質量。信號完整性基板必須滿足電磁兼容性要求，包括電磁干擾、電磁輻射等，以確保系統的穩定性和可靠性。電磁兼容性熱設計SiP的熱設計要求必須滿足元器件的熱特性，以保證產品的長期可靠性。標準規定了熱設計的基本原則和方法，如熱阻、熱容、熱導率等指標。（二）熱要求標準大揭秘熱仿真為確保SiP的熱性能，需要進行熱仿真分析。標準規定了熱仿真的方法和流程，包括熱仿真軟件的選擇、仿真模型的建立、仿真結果的評估等。熱測試在SiP制造過程中，需要進行熱測試來驗證產品的熱性能。標準規定了熱測試的方法和標準，如溫度循環測試、熱阻測試等。SiP基板應采用多層結構，包括元器件層、電源層、地層和信號層等，各層之間通過鍍銅孔或金屬化孔實現電氣連接。基板結構要求SiP基板尺寸應根據具體封裝需求進行設計，同時需滿足一定的厚度要求，以保證封裝后的可靠性和穩定性。尺寸與厚度要求SiP基板的布局布線應遵循最短路徑原則，避免信號干擾和電磁兼容性問題，同時需考慮電源和地的處理，確保電流分布均勻。布局布線要求（三）結構要求標準攻略010203絕緣材料絕緣材料應具有高絕緣電阻、高擊穿電壓、良好的耐熱性和化學穩定性，以確保系統級封裝的可靠性和穩定性。基板材料必須采用高質量、高性能的基板材料，包括但不限于陶瓷、玻璃、有機材料等，以滿足系統級封裝的特殊要求。導體材料導體材料應具有高導電率、高導熱率、良好的機械強度和加工性能，如銅、鋁、金等。（四）材料要求標準解讀SiP基板應實現集成電路的所有預期功能，包括但不限于信號處理、功率分配、熱管理等。功能完整性可靠性性能SiP基板必須滿足長期可靠性要求，包括機械應力、熱應力、濕度等環境下的穩定性。SiP基板應具有高性能特點，如高速信號傳輸、低噪聲、低功耗等，以滿足現代電子產品的需求。（五）功能要求標準指南規定端口的阻抗范圍和信號完整性指標，以保證信號的傳輸質量和穩定性。端口阻抗和信號完整性要求根據系統需求和應用場景，規定端口的數量和布局，以滿足各種連接和擴展需求。端口數量和布局要求規定端口的尺寸、形狀、間距等，以確保不同組件之間的連接和通信。端口尺寸和規格要求（六）端口要求標準解析PART07二十、SiP一體化基板技術要求：GB/T44795-2024深度解析包括導電性能、絕緣性能、耐電壓等電氣特性，確保SiP一體化基板在正常工作條件下穩定可靠。電氣性能要求SiP一體化基板中信號傳輸的完整性至關重要，需要考慮阻抗匹配、傳輸延遲、噪聲等因素。信號完整性電源是SiP一體化基板的關鍵部分，需要考慮電源的穩定性、電源噪聲、電源分配等方面的問題。電源完整性（一）電氣技術深度剖析熱設計規定了SiP一體化基板的熱設計要求，包括散熱設計、熱仿真分析等，以確保產品的熱性能和可靠性。熱測試方法熱可靠性評估（二）熱技術深度解讀介紹了SiP一體化基板的熱測試方法，包括溫度循環測試、熱阻測試等，以評估產品的散熱性能。提出了SiP一體化基板的熱可靠性評估方法，包括溫度沖擊測試、高溫加速老化測試等，以檢驗產品的長期可靠性。（三）結構技術深度解析結構可靠性SiP一體化基板必須保證在各種應用場景下的結構可靠性，包括機械沖擊、振動、溫度變化等。尺寸精度可制造性由于SiP的高度集成化，要求基板具有極高的尺寸精度和平整度，以保證芯片與基板之間的良好接觸和互連。SiP一體化基板的結構設計必須考慮到制造過程中的可加工性、可測試性和可維修性，以便于批量生產。基板材料規定使用低電阻率、高導電率的導體材料，如銅、鋁、金等，以提高電路的性能和可靠性。導體材料介質材料規定使用低損耗、高介電常數的介質材料，如氧化鋁、氮化硅等，以滿足SiP封裝的高頻、高速傳輸需求。規定使用高性能、高可靠性的基板材料，如陶瓷、玻璃、硅等，以滿足SiP封裝的高密度、高性能要求。（四）材料技術深度探究功能集成度分析評估SiP一體化基板在功能上是否能實現高度集成，包括射頻、模擬、數字、功率等多種功能模塊的集成情況。（五）功能技術深度分析功能實現方式分析研究SiP一體化基板實現各種功能的技術途徑，如采用嵌入式組件、芯片堆疊、多層布線等技術手段。功能可靠性評估分析SiP一體化基板在各種功能應用中的可靠性，包括電氣性能、熱性能、機械性能等方面的穩定性。包括引線鍵合（WB）、倒裝芯片（FC）、芯片尺寸封裝（CSP）等。互連技術的種類WB技術成本低，但集成度較低；FC技術集成度高，但成本較高；CSP技術綜合性能較好，但工藝難度較大。互連技術的優缺點涉及到電氣連接、機械連接、熱管理等多個方面，需要進行嚴格的測試和評估。互連技術的可靠性（六）互連技術深度研究010203PART08二十一、重構系統級封裝基板測試標準：2024年技術實踐測試標準制定新的翹曲度測試標準，規定測試條件、測試方法、評價指標等，以滿足SiP封裝基板的特殊要求。測試方法采用非接觸式光學測量技術，通過高精度相機和圖像處理算法，實現快速、準確的翹曲度測量。測試設備選用高精度、高穩定性的測試設備，如激光平面干涉儀、數字式翹曲度測量儀等，確保測試結果的準確性和重復性。（一）翹曲度測試新實踐（二）抗彎強度測試實踐測試設備采用先進的電子萬能試驗機，具有高精度、高穩定性、高重復性等特點，能夠準確測試系統級封裝基板的抗彎強度。樣品制備按照標準規定的樣品制備方法和尺寸要求制備測試樣品，并保證樣品表面平整、無缺陷，以確保測試結果的準確性。測試方法通常采用三點彎曲試驗或四點彎曲試驗，通過測量樣品在受力過程中的變形量和斷裂強度，計算出系統級封裝基板的抗彎強度，并依據標準規定進行判定。（三）殘余應力測試實踐01采用高精度應力測試儀器，如激光應力測試儀、X射線應力測試儀等，確保測試結果的準確性和可靠性。根據產品特性和應用需求，選擇適合的殘余應力測試方法，如激光干涉法、X射線衍射法等，以獲取準確的殘余應力分布圖。對測試結果進行統計分析，確定殘余應力的分布規律、大小及其對產品性能的影響程度，為后續產品設計和制造工藝的優化提供數據支持。0203測試設備測試方法測試結果分析采用氦質譜儀進行氣密性測試，能夠高效檢測微小泄漏，提高測試精度。新型氣密性測試方法針對SiP封裝特點，對測試流程進行優化，包括測試前的預處理、測試參數設置、測試時間等，提高測試效率。氣密性測試流程優化推動國內氣密性測試設備的研發和生產，提高國產化率，降低測試成本。氣密性測試設備國產化（四）氣密性測試新實踐試驗溫度范圍更寬新的熱應力試驗標準將溫度范圍擴大，以更好地模擬實際使用中的極端情況，提高SiP產品的可靠性。應力施加方式更多樣試驗后評估更嚴格（五）熱應力試驗新操作除了傳統的溫度循環外，還將引入新的應力施加方式，如機械應力、振動等，以更全面地評估SiP產品的性能。新的標準對試驗后的評估要求更加嚴格，需要對SiP產品的電氣性能、機械性能、熱性能等進行全面的評估，以確保產品的穩定性和可靠性。機械應力試驗設備采用表面貼裝技術，模擬實際使用中的機械應力情況，測試封裝基板在不同應力條件下的可靠性和耐久性。應力測試方法樣品制備和測試環境制備符合實際使用情況的樣品，并在規定的環境條件下進行機械應力試驗，如溫度、濕度、振動等，以確保測試結果的準確性和可靠性。采用高精度、高穩定性的機械應力試驗設備，如萬能試驗機、扭轉試驗機等，確保測試結果的準確性和可靠性。（六）機械應力試驗實踐PART09二十二、GB/T44795-2024技術解碼：SiP基板設計核心要點介質材料選擇選擇低損耗、高穩定性、良好加工性能的介質材料，如高性能聚合物或陶瓷材料，以滿足高頻電路和高速信號傳輸的需求。（一）材料設計核心要點導體材料選擇選用高導電率、低電阻率、良好焊接性和附著力的導體材料，如銅或金等，以保證電路的導通性能和可靠性。材料熱管理考慮材料的熱導率和熱膨脹系數，合理設計散熱結構和布局，以確保SiP基板在工作時能夠有效散熱并減少熱應力對組件的影響。（二）結構設計核心要素根據功能需求和信號傳輸要求，合理選擇基板層數，確保信號完整性和阻抗匹配。基板層數設計采用合理的元器件布局和布線設計，縮短信號傳輸路徑，減少寄生電感和電容，提高信號質量。元器件布局與布線針對高功率密度和復雜熱環境，采用有效的散熱結構，如散熱過孔、散熱片等，確保元器件工作在安全溫度范圍內。散熱設計電源和地處理電源和地是SiP基板中最重要的兩個網絡，應合理分布電源和地，以減小電源噪聲和地彈噪聲。布線密度和線寬線距為滿足SiP的高密度布線需求，必須嚴格控制布線密度和線寬線距，以確保信號的完整性和電源的穩定性。布線長度和阻抗匹配在布線過程中，應考慮信號傳輸的長度和阻抗匹配，以減小信號的反射和干擾。（三）布線設計核心規范根據SiP器件的功能需求，合理安排端口位置和數量，確保信號傳輸和電源供給的穩定性和可靠性。端口位置和數量在設計端口時，需要考慮與連接器件之間的阻抗匹配，以減少信號反射和損耗。端口阻抗匹配在SiP基板設計中，需要考慮對端口的保護措施，如過流、過壓、ESD等保護，以提高SiP器件的可靠性。端口保護措施（四）端口設計核心要求尺寸精度SiP基板的外形尺寸精度非常重要，必須嚴格控制，以保證與其他組件的精確配合。01.（五）外形設計核心要點元件布局SiP基板的元件布局需要充分考慮信號完整性、電源完整性等因素，以保證電路性能。02.散熱設計SiP基板需要有效的散熱設計，以確保在工作時能夠保持適當的溫度范圍，避免過熱導致性能下降或失效。03.（六）腔體設計核心關鍵腔體尺寸精度腔體尺寸精度是SiP基板設計的基礎，必須保證腔體尺寸與元器件的尺寸精度匹配，避免因尺寸誤差導致組裝不良或性能失效。腔體布局和布線腔體布局和布線是SiP基板設計的核心，需要考慮信號完整性、電源完整性、熱管理等因素，以達到最佳性能和可靠性。腔體材料選擇腔體材料的選擇要考慮其介電常數、損耗角、熱導率等性能，以滿足不同應用場景的需求。同時，還需要考慮材料的可加工性和成本等因素。PART10二十三、系統級封裝基板通用要求：2024年標準實施攻略阻抗控制建立嚴格的阻抗控制規范，確保信號傳輸的完整性和穩定性，減少信號反射和干擾。電源管理電磁兼容性（一）電氣要求實施攻略優化電源設計，減少電源噪聲和電壓波動，提高系統穩定性，同時考慮低功耗設計。增強系統級封裝基板的電磁兼容性，防止電磁干擾對系統性能的影響，包括抗干擾和輻射控制。（二）熱要求實施指南熱設計仿真在系統級封裝基板設計階段，需要進行熱仿真分析，以評估封裝體內部的熱分布和散熱性能，優化設計。散熱材料選擇熱測試與驗證根據仿真結果和實際應用需求，選擇合適的散熱材料，如高導熱基板、散熱片等，確保基板表面溫度不超過規定值。在系統級封裝基板生產完成后，需要進行熱測試，驗證其散熱性能是否滿足設計要求，以保證產品的可靠性。基板材料選擇選擇符合GB/T44795-2024標準的基板材料，確保基板具有足夠的機械強度、熱穩定性和電氣性能。（三）結構要求實施要點結構設計根據系統級封裝的需求，設計合理的基板結構，包括層數、厚度、銅箔厚度等，以保證信號的傳輸質量和電源的穩定性。制造工藝采用符合標準的制造工藝進行基板制造，確保基板表面平整、無裂紋、無污漬，同時保證銅箔與基板之間的附著力和電氣連接性能。建議選擇介電常數低、損耗小、熱膨脹系數匹配性好的基板材料，如高性能陶瓷、復合材料等，以確保系統的高頻性能和可靠性。選用高性能基板材料（四）材料要求實施建議在滿足性能要求的前提下，選擇易于加工、成本低廉的基板材料，如玻璃纖維布基板材等，以降低生產成本和加工難度。考慮可加工性和成本確保選用的基板材料具有良好的供應鏈和可持續性，避免因材料短缺或過時而導致生產中斷或產品質量問題。關注材料供應和可持續性第三步進行功能驗證和測試，包括仿真模擬、實驗室測試等，確保系統級封裝基板的功能滿足設計要求和標準規范。第一步確定系統級封裝基板的功能需求，包括電氣性能、熱性能、機械性能等，確保滿足設計要求。第二步根據功能需求選擇合適的基板材料，如陶瓷、有機、金屬