一、單項選擇題（共10道試題，共20分。）題目1還未回答滿分2.00標記題目題干下列屬于面缺陷的是（）A.位錯B.空位C.空洞D.晶界題目2還未回答滿分2.00標記題目題干關于四氯更多試題及答案+扣二九七九一三九六八四化硅以下說法錯誤的是（）A.無色而有刺鼻氣味的液體B.可以經吸入、食入、經皮吸收，對眼睛及上呼吸道有強烈刺激作用C.不溶于苯、氯仿、石油醚等多數有機溶劑D.熔點-70℃，沸點57.6℃題目3還未回答滿分2.00標記題目題干觀察晶體中位錯最簡單的方法是（）。A.透射電鏡法B.肉眼觀察法C.手觸感覺法D.浸蝕觀察法題目4還未回答滿分2.00標記題目題干雜質原子與基體原子尺寸相當，容易形成（）A.置換原子B.位錯C.空位D.間隙原子題目5還未回答滿分2.00標記題目題干二元相圖通常采用（）的坐標系。A.溫度-壓力（T-p）圖B.壓強-濃度（p-x）圖C.溫度-濃度（T-x）圖D.三棱柱模型題目6還未回答滿分2.00標記題目題干正溫度梯度與負溫度梯度相比，（）。A.負溫度梯度有利于完整晶體的生長B.正溫度梯度是指液相溫度隨離液-固界面的距離增大而降低C.正溫度梯度時結晶潛熱只能通過固相而散出，相界面的推移速度受固相傳熱速度所控制D.正溫度梯度容易產生枝晶生長題目7還未回答滿分2.00標記題目題干漂晶現象的原因在于（）。A.液面上這些位置不能保持正驅動力B.籽晶太小C.過冷度太大D.雜質太多題目8還未回答滿分2.00標記題目題干西門子法作為硅的提純工藝，所用的原料主要是（）A.95%-99%的冶金級硅B.99.9999%（6個9）的為太陽能級硅C.99.999999999%（11個9）的為電子級硅D.P型硅半導體題目9還未回答滿分2.00標記題目題干室溫一個大氣壓下，液態水的自由度為（）。A.0B.1C.3D.2題目10還未回答滿分2.00標記題目題干關于二氧化硅以下說法錯誤的是（）A.能與HF反應B.制造冶金硅的主要原料之一C.石英是地殼中分布很少的礦物SiO2不溶于水，但能于熱的濃堿溶液反應生成硅酸鹽，反應較快二、不定項選擇題（共10道試題，共30分。）題目11還未回答滿分3.00標記題目題干關于硅的鹵化物說法錯誤的是（）。A.都是無色的B.熔點、沸點都比較低C.都是共價化合物D.一般都是無毒的題目12還未回答滿分3.00標記題目題干不能用于區分晶體與非晶體的是（）A.熔點的高低B.原子排練是否有序C.是否具有確定的熔點D.密度的大小題目13還未回答滿分3.00標記題目題干關于白炭黑說法準確的是（）。A.具有化學惰性不會與硫化而引入的過氧化物反應B.非常細小顆粒和極大的表面積C.硅氧烷橡膠里的主要增強填料D.白碳黑是在特殊設計的爐子里在1370K下用四氯化硅在氧氣流經過氣相氧化制得的題目14還未回答滿分3.00標記題目題干兩側晶粒位向差為1°的晶界屬于（）。A.小角度晶界B.刃位錯C.亞晶界D.大角度晶界題目15還未回答滿分3.00標記題目題干關于單晶硅的晶體結構說法正確的是（）。A.共價鍵的飽和性使得硅最多只能形成4個共價鍵B.硅原子軌道雜化以后，在sp3軌道上有4個未成對的價電子C.硅原子所有價電子都被束縛在共價鍵上，沒有自由電子，所以不是導體D.共價鍵的方向性使得每個硅原子都和周圍4個最近鄰的原子組成一個正四面體題目16還未回答滿分3.00標記題目題干關于臨界晶核說法錯誤的是（）。A.晶胚的尺寸大于臨界晶核，晶胚就成為穩定的晶核而后繼續長大B.當晶胚的尺寸小于臨界晶核，晶胚不穩定，難以長大，最終熔化而消失C.臨界半徑與過冷度ΔT無關D.均勻形核與非均勻形核的臨界晶核大小不同題目17還未回答滿分3.00標記題目題干采用適當的原料配比，都能得到解決或部分解決是（）。A.晶體成分偏離理想配比引起點缺陷B.由于組分過冷引起晶體的網絡結構等C.在固液兩相區內生長晶體或是配料偏離同成分點時溫度波動導致固相成分波動引起生長條紋D.晶體冷卻時越過溶線引起脫溶沉淀題目18還未回答滿分3.00標記題目題干關于位錯的觀察，說法正確的是（）。A.浸蝕觀察法觀察到的其實是位錯的蝕坑B.位錯密度很大的晶體也能浸蝕觀察C.蝕坑具有規則的外形，如三角形，正方形等規則的幾何外形D.晶體內部位錯無法浸蝕觀察題目19還未回答滿分3.00標記題目題干下列屬于晶體的宏觀特性的有（）A.固定熔點B.長程有序C.解理性D.各向異性題目20還未回答滿分3.00標記題目題干硅在自然界主要以（）形式存在。A.硅單質B.石英砂C.硅酸鹽白炭黑信息文本三、判斷題（共10道試題，共20分。）題目21還未回答滿分2.00標記題目題干硅是通過自由電子導電的，所以載流子就是自由電子。選擇一項：對錯題目22還未回答滿分2.00標記題目題干甲硅烷的化學性質很活潑，有強的氧化性。選擇一項：對錯題目23還未回答滿分2.00標記題目題干在常溫下硅能與稀堿溶液反應。選擇一項：對錯題目24還未回答滿分2.00標記題目題干水晶是石英的單晶體，是一種堅硬、脆性、難溶的無色透明的固體。選擇一項：對錯題目25還未回答滿分2.00標記題目題干滑移的方向是與位錯線平行的為刃型位錯。選擇一項：對錯題目26還未回答滿分2.00標記題目題干有些雜質即使在硅中含量超過1015cm-3，也不會對電池的轉換效率產生明顯影響。選擇一項：對錯題目27還未回答滿分2.00標記題目題干在半導體的P-N結中，濃度梯度形成的擴散作用與內建電場的電場力的作用達到平衡。選擇一項：對錯題目28還未回答滿分2.00標記題目題干點缺陷的平衡濃度隨溫度升高呈指數關系增加。選擇一項：對錯題目29還未回答滿分2.00標記題目題干硅在地殼中的豐度為25.90%，僅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。選擇一項：對錯題目30還未回答滿分2.00標記題目題干硅晶體的半導體性源于共價鍵。選擇一項：對錯四、配伍題（共10道試題，共30分。）題目31還未回答滿分3.00標記題目題干將硅材料與描述一一對應。（1）電子級硅空白（2）冶金級硅一一空白（3）太陽能級硅一一空白A.99.9999%B.99.999999999%C.95%?99%題目32還未回答滿分3.00標記題目題干將各種硅化合物與描述一一對應。（1）二氧化硅一一空白（2）三氯氫硅一一空白（3）四氯化硅一一空白A.沸點31.5℃，室溫下無色透明液體B.可以從河砂中水洗去掉粘土等雜質和進行篩分得到C.在潮濕空氣中與水蒸氣發生水解作用會產生煙霧題目33還未回答滿分3.00標記題目題干將各種硅化合物與作用一一對應。（1）二氧化硅一一空白（2）三氯氫硅一一空白（3）甲硅烷一一空白A.可作為西門子法提純硅材料的中間產物B.制造冶金硅的主要原料之一C.大量地用于制高純硅，高溫易熱解題目34還未回答滿分3.00標記題目題干將各種硅化合物與熔沸點一一對應。（1）四氯化硅一一空白（2）三氯氫硅一一空白（3）甲硅烷一一空白A.熔點?185℃，沸點?111.8℃B.熔點?70℃，沸點57.6℃C.熔點?128℃，沸點31.5℃題目35還未回答滿分3.00標記題目題干將硅的用途與性質一一對應。（1）二極管一一空白（2）集成電路一一空白（3）光電池一一空白A.通過掩蔽、光刻、擴散等工藝，可在一個或幾個很小的硅晶片上集結成一個或幾個完整的電路B.可以把光能轉化成電能C.制成晶體二極管后即能整流又能檢波題目36還未回答滿分3.00標記題目題干將晶體結構與晶胞中原子數一一對應。（1）簡單立方結構一一空白（2）體心立方結構一一空白（3）面心立方結構一一空白A.4B.2C.1題目37還未回答滿分3.00標記題目題干將晶體生長方式與實例一一對應。（1）固相生長一一空白（2）液相生長一一空白（3）汽相生長一一空白A.水汽凝結為冰晶B.鹽水溶液結晶C.石墨在高溫高壓的條件下轉變為金剛石題目38還未回答滿分3.00標記題目題干將相圖與特點一一對應。(1)勻晶相圖一一空白(2)共晶相圖一一空白(3)包晶相圖一一空白兩組元在液態、固態都無限互溶L→α+βL+α→β題目39還未回答滿分3.00標記題目題干將晶體的特性與解釋一一對應。（1）各向異性一一空白（2）長程有序一一空白（3）解理性一