集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)基礎(chǔ)知識單選題100道及答案解析1.在集成電路中，以下哪種材料常用于制作晶體管的柵極？（）A.鋁B.銅C.多晶硅D.金答案：C解析：多晶硅常用于制作晶體管的柵極，具有良好的導(dǎo)電性和工藝兼容性。2.集成電路設(shè)計(jì)中，用于描述電路邏輯功能的常用語言是（）A.C語言B.VerilogHDLC.PythonD.Java答案：B解析：VerilogHDL是集成電路設(shè)計(jì)中常用的硬件描述語言，用于描述電路的邏輯功能。3.以下哪種工藝可以減小集成電路的特征尺寸？（）A.深紫外光刻B.電子束光刻C.離子注入D.化學(xué)氣相沉積答案：A解析：深紫外光刻技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)更小的光刻線寬，從而減小集成電路的特征尺寸。4.集成電路中的寄生電容主要影響電路的（）A.功耗B.速度C.噪聲D.可靠性答案：B解析：寄生電容會導(dǎo)致信號延遲，從而影響電路的速度。5.在集成系統(tǒng)中，用于提高電源效率的技術(shù)是（）A.降壓轉(zhuǎn)換B.升壓轉(zhuǎn)換C.電源管理D.以上都是答案：D解析：降壓轉(zhuǎn)換、升壓轉(zhuǎn)換和電源管理等技術(shù)都有助于提高集成系統(tǒng)的電源效率。6.以下哪種封裝技術(shù)能夠提供更高的引腳密度？（）A.BGAB.QFPC.DIPD.PGA答案：A解析：球柵陣列（BGA）封裝技術(shù)具有更高的引腳密度。7.集成電路設(shè)計(jì)中的綜合過程主要是將（）A.行為描述轉(zhuǎn)換為結(jié)構(gòu)描述B.高級語言描述轉(zhuǎn)換為低級語言描述C.模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號D.連續(xù)信號轉(zhuǎn)換為離散信號答案：A解析：綜合過程是將電路的行為描述轉(zhuǎn)換為結(jié)構(gòu)描述。8.以下哪種測試方法常用于檢測集成電路的邏輯功能？（）A.直流測試B.交流測試C.功能測試D.可靠性測試答案：C解析：功能測試主要用于檢測集成電路的邏輯功能是否正確。9.在集成電路制造中，用于刻蝕硅片的主要?dú)怏w是（）A.氯氣B.氟氣C.氮?dú)釪.氧氣答案：B解析：氟氣常用于硅片的刻蝕工藝。10.集成系統(tǒng)中的時(shí)鐘樹綜合的主要目的是（）A.減少時(shí)鐘偏差B.降低時(shí)鐘頻率C.節(jié)省功耗D.提高時(shí)鐘精度答案：A解析：時(shí)鐘樹綜合旨在減少時(shí)鐘信號在不同模塊之間的偏差。11.以下哪種集成電路設(shè)計(jì)工具用于布局布線？（）A.CadenceB.SynopsysC.MentorGraphicsD.以上都是答案：D解析：Cadence、Synopsys和MentorGraphics等都是常見的用于集成電路布局布線的工具。12.集成電路中的閂鎖效應(yīng)主要是由（）引起的。A.寄生雙極晶體管B.寄生電阻C.寄生電容D.寄生電感答案：A解析：閂鎖效應(yīng)通常是由寄生雙極晶體管導(dǎo)致的。13.以下哪種技術(shù)可以提高集成電路的集成度？（）A.三維集成B.增大芯片面積C.降低工作電壓D.減少晶體管數(shù)量答案：A解析：三維集成技術(shù)能夠在垂直方向上堆疊器件，從而提高集成度。14.在集成系統(tǒng)中，用于降低電磁干擾的方法是（）A.屏蔽B.濾波C.接地D.以上都是答案：D解析：屏蔽、濾波和接地等方法都有助于降低集成系統(tǒng)中的電磁干擾。15.集成電路設(shè)計(jì)中的時(shí)序分析主要是為了確保（）A.邏輯正確B.時(shí)序滿足要求C.功耗最低D.面積最小答案：B解析：時(shí)序分析的目的是保證電路的時(shí)序特性滿足設(shè)計(jì)要求。16.以下哪種存儲器在集成電路中具有非易失性？（）A.SRAMB.DRAMC.FlashD.Cache答案：C解析：Flash存儲器具有非易失性，掉電后數(shù)據(jù)不會丟失。17.集成系統(tǒng)中的數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）的主要性能指標(biāo)是（）A.分辨率B.轉(zhuǎn)換速度C.精度D.以上都是答案：D解析：分辨率、轉(zhuǎn)換速度和精度都是數(shù)模轉(zhuǎn)換器的重要性能指標(biāo)。18.在集成電路制造中，用于沉積絕緣層的工藝是（）A.物理氣相沉積B.化學(xué)氣相沉積C.濺射D.蒸發(fā)答案：B解析：化學(xué)氣相沉積常用于沉積絕緣層等薄膜。19.以下哪種集成電路設(shè)計(jì)方法可以提高設(shè)計(jì)效率？（）A.基于模塊的設(shè)計(jì)B.自頂向下設(shè)計(jì)C.自底向上設(shè)計(jì)D.隨機(jī)設(shè)計(jì)答案：B解析：自頂向下設(shè)計(jì)方法能夠從系統(tǒng)級開始規(guī)劃，有助于提高設(shè)計(jì)效率。20.集成電路中的噪聲主要包括（）A.熱噪聲B.閃爍噪聲C.散粒噪聲D.以上都是答案：D解析：熱噪聲、閃爍噪聲和散粒噪聲都是集成電路中常見的噪聲類型。21.集成系統(tǒng)中的模擬前端主要包括（）A.放大器B.濾波器C.ADCD.以上都是答案：D解析：模擬前端通常包括放大器、濾波器和ADC等模塊。22.在集成電路設(shè)計(jì)中，用于驗(yàn)證功能的仿真工具是（）A.SPICEB.ModelSimC.HspiceD.Eldo答案：B解析：ModelSim是常用于集成電路功能驗(yàn)證的仿真工具。23.以下哪種技術(shù)可以降低集成電路的功耗？（）A.動態(tài)電壓頻率調(diào)整B.時(shí)鐘門控C.電源門控D.以上都是答案：D解析：動態(tài)電壓頻率調(diào)整、時(shí)鐘門控和電源門控等技術(shù)都能有效降低集成電路的功耗。24.集成電路中的布線主要考慮的因素是（）A.電阻B.電容C.電感D.以上都是答案：D解析：在集成電路布線中，需要綜合考慮電阻、電容和電感等因素對信號的影響。25.集成系統(tǒng)中的電源完整性主要關(guān)注的是（）A.電壓波動B.電流噪聲C.電磁干擾D.以上都是答案：D解析：電源完整性涉及電壓波動、電流噪聲和電磁干擾等方面的問題。26.以下哪種集成電路制造工藝可以實(shí)現(xiàn)更高的集成度？（）A.14nm工藝B.28nm工藝C.45nm工藝D.90nm工藝答案：A解析：隨著工藝節(jié)點(diǎn)的減小，集成度會提高，14nm工藝比其他選項(xiàng)的工藝節(jié)點(diǎn)更小，能實(shí)現(xiàn)更高的集成度。27.集成電路設(shè)計(jì)中的靜態(tài)時(shí)序分析主要用于檢查（）A.建立時(shí)間是否滿足B.保持時(shí)間是否滿足C.時(shí)鐘偏移是否在允許范圍內(nèi)D.以上都是答案：D解析：靜態(tài)時(shí)序分析用于檢查建立時(shí)間、保持時(shí)間是否滿足要求以及時(shí)鐘偏移是否在允許范圍內(nèi)。28.集成系統(tǒng)中的射頻模塊主要包括（）A.功率放大器B.低噪聲放大器C.混頻器D.以上都是答案：D解析：射頻模塊通常包含功率放大器、低噪聲放大器和混頻器等。29.在集成電路測試中，邊界掃描測試的主要目的是（）A.檢測芯片的邊界引腳B.提高測試效率C.檢測內(nèi)部邏輯D.降低測試成本答案：B解析：邊界掃描測試可以有效地提高集成電路的測試效率。30.以下哪種集成電路封裝技術(shù)具有良好的散熱性能？（）A.LGAB.PGAC.CSPD.QFN答案：D解析：QFN（QuadFlatNo-lead）封裝技術(shù)具有良好的散熱性能。31.集成電路中的ESD（靜電放電）保護(hù)主要是為了防止（）A.靜電對芯片的損壞B.電磁干擾C.電源波動D.信號串?dāng)_答案：A解析：ESD保護(hù)的目的是防止靜電放電對集成電路芯片造成損壞。32.集成系統(tǒng)中的傳感器接口主要負(fù)責(zé)（）A.采集傳感器信號B.處理傳感器信號C.傳輸傳感器信號D.以上都是答案：D解析：傳感器接口需要完成采集、處理和傳輸傳感器信號等任務(wù)。33.在集成電路設(shè)計(jì)中，可測性設(shè)計(jì)的主要目標(biāo)是（）A.提高測試覆蓋率B.降低測試成本C.縮短測試時(shí)間D.以上都是答案：D解析：可測性設(shè)計(jì)的目標(biāo)包括提高測試覆蓋率、降低測試成本和縮短測試時(shí)間等。34.以下哪種集成電路制造設(shè)備用于光刻？（）A.光刻機(jī)B.刻蝕機(jī)C.離子注入機(jī)D.擴(kuò)散爐答案：A解析：光刻機(jī)是用于集成電路光刻工藝的關(guān)鍵設(shè)備。35.集成電路中的電流鏡主要用于（）A.產(chǎn)生穩(wěn)定的電流B.放大電流C.轉(zhuǎn)換電流D.測量電流答案：A解析：電流鏡常用于產(chǎn)生穩(wěn)定的參考電流。36.集成系統(tǒng)中的通信接口常見的有（）A.USBB.EthernetC.SPID.以上都是答案：D解析：USB、Ethernet和SPI等都是集成系統(tǒng)中常見的通信接口。37.在集成電路設(shè)計(jì)流程中，邏輯綜合之后的步驟是（）A.布局布線B.功能仿真C.時(shí)序仿真D.物理驗(yàn)證答案：A解析：邏輯綜合之后通常進(jìn)行布局布線。38.以下哪種技術(shù)可以提高集成電路的可靠性？（）A.冗余設(shè)計(jì)B.糾錯(cuò)編碼C.老化測試D.以上都是答案：D解析：冗余設(shè)計(jì)、糾錯(cuò)編碼和老化測試等技術(shù)都有助于提高集成電路的可靠性。39.集成電路中的鎖相環(huán)（PLL）主要用于（）A.產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號B.頻率合成C.時(shí)鐘同步D.以上都是答案：D解析：鎖相環(huán)可用于產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號、頻率合成和時(shí)鐘同步等。40.集成系統(tǒng)中的電源管理單元（PMU）主要功能是（）A.電壓轉(zhuǎn)換B.電流控制C.電源監(jiān)控D.以上都是答案：D解析：電源管理單元通常具有電壓轉(zhuǎn)換、電流控制和電源監(jiān)控等功能。41.在集成電路制造中，用于摻雜的工藝是（）A.離子注入B.擴(kuò)散C.外延生長D.氧化答案：A解析：離子注入是集成電路制造中常用的摻雜工藝。42.以下哪種集成電路設(shè)計(jì)方法適用于大規(guī)模數(shù)字電路？（）A.門級設(shè)計(jì)B.晶體管級設(shè)計(jì)C.行為級設(shè)計(jì)D.系統(tǒng)級設(shè)計(jì)答案：C解析：行為級設(shè)計(jì)適用于大規(guī)模數(shù)字電路的設(shè)計(jì)。43.集成電路中的運(yùn)算放大器主要性能指標(biāo)包括（）A.增益B.帶寬C.輸入失調(diào)電壓D.以上都是答案：D解析：增益、帶寬和輸入失調(diào)電壓等都是運(yùn)算放大器的重要性能指標(biāo)。44.集成系統(tǒng)中的數(shù)字信號處理模塊主要用于（）A.濾波B.變換C.壓縮D.以上都是答案：D解析：數(shù)字信號處理模塊可用于濾波、變換和壓縮等操作。45.在集成電路測試中，自動測試設(shè)備（ATE）的主要作用是（）A.生成測試向量B.執(zhí)行測試C.分析測試結(jié)果D.以上都是答案：D解析：自動測試設(shè)備（ATE）能夠生成測試向量、執(zhí)行測試并分析測試結(jié)果。46.以下哪種集成電路封裝材料具有良好的耐濕性？（）A.塑料B.陶瓷C.金屬D.玻璃答案：B解析：陶瓷封裝材料通常具有良好的耐濕性。47.集成電路中的比較器主要用于（）A.信號比較B.電平轉(zhuǎn)換C.閾值檢測D.以上都是答案：D解析：比較器可用于信號比較、電平轉(zhuǎn)換和閾值檢測等。48.集成系統(tǒng)中的模擬數(shù)字混合信號設(shè)計(jì)需要考慮的主要問題是（）A.信號完整性B.電源隔離C.噪聲耦合D.以上都是答案：D解析：在模擬數(shù)字混合信號設(shè)計(jì)中，需要綜合考慮信號完整性、電源隔離和噪聲耦合等問題。49.在集成電路設(shè)計(jì)中，布局優(yōu)化的目的是（）A.減小面積B.提高性能C.降低功耗D.以上都是答案：D解析：布局優(yōu)化旨在減小芯片面積、提高性能和降低功耗等。50.以下哪種技術(shù)可以提高集成電路的速度？（）A.縮短晶體管溝道長度B.增加晶體管數(shù)量C.降低電源電壓D.減小電容答案：A解析：縮短晶體管溝道長度可以減小導(dǎo)通電阻，從而提高集成電路的速度。51.集成電路中的緩沖器主要作用是（）A.增強(qiáng)信號驅(qū)動能力B.隔離前后級電路C.實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換D.以上都是答案：D解析：緩沖器能夠增強(qiáng)信號驅(qū)動能力、隔離前后級電路并實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換。52.集成系統(tǒng)中的音頻處理模塊通常包括（）A.音頻編碼B.音頻解碼C.音效處理D.以上都是答案：D解析：音頻處理模塊一般包含音頻編碼、解碼和音效處理等功能。53.在集成電路制造中，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）主要用于（）A.平坦化硅片表面B.去除光刻膠C.刻蝕金屬D.注入雜質(zhì)答案：A解析：化學(xué)機(jī)械拋光用于平坦化硅片表面，以保證后續(xù)工藝的精度。54.以下哪種集成電路設(shè)計(jì)流程可以減少設(shè)計(jì)迭代次數(shù)？（）A.基于平臺的設(shè)計(jì)B.基于IP的設(shè)計(jì)C.敏捷設(shè)計(jì)D.以上都是答案：D解析：基于平臺的設(shè)計(jì)、基于IP的設(shè)計(jì)和敏捷設(shè)計(jì)等流程都有助于減少設(shè)計(jì)迭代次數(shù)。55.集成電路中的觸發(fā)器主要用于（）A.存儲數(shù)據(jù)B.計(jì)數(shù)C.分頻D.以上都是答案：D解析：觸發(fā)器可以用于存儲數(shù)據(jù)、計(jì)數(shù)和分頻等操作。56.集成系統(tǒng)中的圖像傳感器接口主要負(fù)責(zé)（）A.接收圖像數(shù)據(jù)B.轉(zhuǎn)換圖像格式C.傳輸圖像數(shù)據(jù)D.以上都是答案：D解析：圖像傳感器接口需要接收、轉(zhuǎn)換和傳輸圖像數(shù)據(jù)。57.在集成電路設(shè)計(jì)中，形式驗(yàn)證的主要目的是（）A.證明設(shè)計(jì)的正確性B.優(yōu)化設(shè)計(jì)C.提高設(shè)計(jì)效率D.降低成本答案：A解析：形式驗(yàn)證的目的是從數(shù)學(xué)上證明設(shè)計(jì)的邏輯功能的正確性。58.以下哪種集成電路制造工藝可以提高晶體管的性能？（）A.高K金屬柵工藝B.銅互連工藝C.應(yīng)變硅工藝D.以上都是答案：D解析：高K金屬柵工藝、銅互連工藝和應(yīng)變硅工藝等都能提高晶體管的性能。59.集成電路中的計(jì)數(shù)器主要實(shí)現(xiàn)（）A.脈沖計(jì)數(shù)B.定時(shí)C.分頻D.以上都是答案：D解析：計(jì)數(shù)器可以用于脈沖計(jì)數(shù)、定時(shí)和分頻等功能。60.集成系統(tǒng)中的無線通信模塊通常包括（）A.收發(fā)器B.天線C.調(diào)制解調(diào)器D.以上都是答案：D解析：無線通信模塊通常包含收發(fā)器、天線和調(diào)制解調(diào)器等。61.在集成電路測試中，故障模擬的作用是（）A.預(yù)測可能的故障B.評估測試方法的有效性C.確定故障類型D.以上都是答案：D解析：故障模擬可以預(yù)測可能的故障、評估測試方法的有效性并確定故障類型。62.以下哪種集成電路設(shè)計(jì)工具用于物理驗(yàn)證？（）A.CalibreB.DraculaC.AssuraD.以上都是答案：D解析：Calibre、Dracula和Assura等都是常用于集成電路物理驗(yàn)證的工具。63.集成電路中的譯碼器主要用于（）A.編碼轉(zhuǎn)換B.地址譯碼C.數(shù)據(jù)選擇D.以上都是答案：D解析：譯碼器可以實(shí)現(xiàn)編碼轉(zhuǎn)換、地址譯碼和數(shù)據(jù)選擇等功能。64.集成系統(tǒng)中的視頻處理模塊通常包含（）A.視頻編碼B.視頻解碼C.圖像增強(qiáng)D.以上都是答案：D解析：視頻處理模塊一般包括視頻編碼、解碼和圖像增強(qiáng)等功能。65.在集成電路制造中，光刻膠的主要作用是（）A.保護(hù)硅片B.定義圖形C.阻擋雜質(zhì)D.提高平整度答案：B解析：光刻膠在光刻過程中用于定義圖形。66.以下哪種技術(shù)可以減小集成電路的漏電功耗？（）A.高閾值電壓晶體管B.絕緣體上硅（SOI）技術(shù)C.鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）D.以上都是答案：D解析：高閾值電壓晶體管、絕緣體上硅（SOI）技術(shù)和鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）等都有助于減小漏電功耗。67.集成電路中的編碼器主要實(shí)現(xiàn)（）A.數(shù)據(jù)編碼B.信號壓縮C.優(yōu)先級判斷D.以上都是答案：D解析：編碼器可以進(jìn)行數(shù)據(jù)編碼、信號壓縮和優(yōu)先級判斷等操作。68.集成系統(tǒng)中的存儲控制器主要負(fù)責(zé)（）A.數(shù)據(jù)存儲管理B.地址映射C.讀寫控制D.以上都是答案：D解析：存儲控制器承擔(dān)著數(shù)據(jù)存儲管理、地址映射和讀寫控制等職責(zé)。69.在集成電路設(shè)計(jì)中，功耗分析通常包括（）A.動態(tài)功耗B.靜態(tài)功耗C.短路功耗D.以上都是答案：D解析：功耗分析涵蓋動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗和短路功耗等方面。70.以下哪種集成電路封裝技術(shù)適用于高頻應(yīng)用？（）A.QFNB.BGAC.CSPD.LGA答案：B解析：球柵陣列（BGA）封裝技術(shù)適用于高頻應(yīng)用。71.集成電路中的乘法器主要用于（）A.數(shù)字運(yùn)算B.信號處理C.圖像處理D.以上都是答案：D解析：乘法器在數(shù)字運(yùn)算、信號處理和圖像處理等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。72.集成系統(tǒng)中的接口轉(zhuǎn)換模塊主要作用是（）A.不同協(xié)議轉(zhuǎn)換B.電平轉(zhuǎn)換C.數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換D.以上都是答案：D解析：接口轉(zhuǎn)換模塊能夠?qū)崿F(xiàn)不同協(xié)議、電平以及數(shù)據(jù)格式的轉(zhuǎn)換。73.在集成電路制造中，等離子體刻蝕的優(yōu)點(diǎn)是（）A.高選擇性B.各向同性刻蝕C.高刻蝕速率D.低損傷答案：C解析：等離子體刻蝕具有刻蝕速率高的優(yōu)點(diǎn)。74.以下哪種技術(shù)可以提高集成電路的抗干擾能力？（）A.差分信號傳輸B.屏蔽線C.濾波電容D.以上都是答案：D解析：差分信號傳輸、屏蔽線和濾波電容等技術(shù)都能提高集成電路的抗干擾能力。75.集成電路中的移位寄存器主要功能是（）A.數(shù)據(jù)移位B.存儲數(shù)據(jù)C.數(shù)據(jù)緩沖D.以上都是答案：D解析：移位寄存器可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)移位、存儲和緩沖等功能。76.集成系統(tǒng)中的電源監(jiān)控模塊通常用于（）A.監(jiān)測電壓B.監(jiān)測電流C.異常報(bào)警D.以上都是答案：D解析：電源監(jiān)控模塊用于監(jiān)測電壓、電流，并在出現(xiàn)異常時(shí)進(jìn)行報(bào)警。77.在集成電路設(shè)計(jì)中，時(shí)序約束主要包括（）A.建立時(shí)間約束B.保持時(shí)間約束C.時(shí)鐘周期約束D.以上都是答案：D解析：時(shí)序約束涵蓋建立時(shí)間約束、保持時(shí)間約束和時(shí)鐘周期約束等。78.以下哪種集成電路制造材料具有高導(dǎo)熱性？（）A.硅B.鍺C.碳化硅D.砷化鎵答案：C解析：碳化硅具有高導(dǎo)熱性。79.集成電路中的加法器主要用于（）A.數(shù)值計(jì)算B.邏輯運(yùn)算C.地址計(jì)算D.以上都是答案：D解析：加法器可應(yīng)用于數(shù)值計(jì)算、邏輯運(yùn)算和地址計(jì)算等方面。80.集成系統(tǒng)中的時(shí)鐘恢復(fù)電路主要作用是（）A.從輸入信號中提取時(shí)鐘B.穩(wěn)定時(shí)鐘頻率C.降低時(shí)鐘抖動D.以上都是答案：D解析：時(shí)鐘恢復(fù)電路能夠從輸入信號中提取時(shí)鐘、穩(wěn)定頻率并降低抖動。81.在集成電路測試中，功能測試向量的生成方法有（）A.基于模型B.基于仿真C.基于算法D.以上都是答案：D解析：功能測試向量的生成可以基于模型、仿真和算法等方法。82.以下哪種集成電路設(shè)計(jì)方法有助于提高代碼的可重用性？（）A.面向?qū)ο笤O(shè)計(jì)B.模塊化設(shè)計(jì)C.結(jié)構(gòu)化設(shè)計(jì)D.以上都是答案：D解析：面向?qū)ο笤O(shè)計(jì)、模塊化設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)化設(shè)計(jì)都有助于提高代碼的可重用性。83.集成電路中的多路選擇器主要用于（）A.數(shù)據(jù)選擇B.信號切換C.通道分配D.以上都是答案：D解析：多路選擇器能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)選擇、信號切換和通道分配等功能。84.集成系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)緩存模塊主要目的是（）A.提高數(shù)據(jù)訪問速度B.減少數(shù)據(jù)傳輸延遲C.平衡系統(tǒng)性能D.以上都是答案：D解析：數(shù)據(jù)緩存模塊旨在提高數(shù)據(jù)訪問速度、減少傳輸延遲和平衡系統(tǒng)性能。85.在集成電路制造中，外延生長可以（）A.提高晶體質(zhì)量B.控制摻雜濃度C.增加薄膜厚度D.以上都是答案：D解析：外延生長能夠提高晶體質(zhì)量、控制摻雜濃度和增加薄膜厚度。86.以下哪種技術(shù)可以改善集成電路的散熱問題？（）A.熱沉B.散熱片C.導(dǎo)熱膠D.以上都是答案：D解析：熱沉、散熱片和導(dǎo)熱膠等都能改善集成電路的散熱。87.集成電路中的狀態(tài)機(jī)主要用于（）A.控制邏輯B.序列生成C.模式切換D.以上都是答案：D解析：狀態(tài)機(jī)常用于控制邏輯、序列生成和模式切換等。88.集成系統(tǒng)中的傳感器校準(zhǔn)模塊主要用于（）A.提高測量精度B.消除誤差C.補(bǔ)償偏差D.以上都是答案：D解析：傳感器校準(zhǔn)模塊能夠提高測量精度、消除誤差和補(bǔ)償偏差。89.在集成電路設(shè)計(jì)中，低功耗設(shè)計(jì)的策略包括（）A.電源門控B.動態(tài)電壓縮放C.時(shí)鐘門控D.以上都是答案：D解析：電源門控、動態(tài)電壓縮放和時(shí)鐘門控等都是低功耗設(shè)計(jì)的策略。90.以下哪種集成電路制造設(shè)備用于薄膜沉積？（）A.濺射儀B.化學(xué)氣相沉積設(shè)備C.蒸發(fā)臺D.以上都是答案：D解析：濺射儀、化學(xué)氣相沉積設(shè)備和蒸發(fā)臺等都可用于薄膜沉積。91