試卷第=page11頁，共=sectionpages33頁試卷第=page11頁，共=sectionpages33頁高三化學(xué)復(fù)習(xí)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1．（2024高三下·云南楚雄·期末）氯化亞銅(CuCl)為白色立方結(jié)晶或白色粉末，難溶于水，溶于濃鹽酸生成氯亞銅酸，溶于氨水生成氯化二氨合亞銅，不溶于乙醇，可用作催化劑、殺菌劑、媒染劑、脫色劑等。可通過如下反應(yīng)制備氯化亞銅：。回答下列問題：(1)基態(tài)Cu原子的價(jià)層電子軌道表示式為，上述反應(yīng)涉及的元素中位于元素周期表p區(qū)的有種。(2)O、Na、Cl的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)椤?3)分子中S的雜化方式為，其空間結(jié)構(gòu)為形。(4)的熱穩(wěn)定性不如CuCl，其原因?yàn)?從原子結(jié)構(gòu)角度分析)。(5)CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖，設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值，1號(hào)原子的坐標(biāo)為(0，0，0)，3號(hào)原子的坐標(biāo)為(1，0，0)，晶胞邊長為apm。①距離最近且等距離的有個(gè)。②2號(hào)原子的坐標(biāo)為。③CuCl晶體的密度為。2．（2024高三下·福建廈門·期末）電子傳輸導(dǎo)體可解決鈣鈦礦類太陽能電池長時(shí)間使用后存在的晶體缺陷問題。Ⅰ．鈣鈦礦類太陽能電池[表示]晶胞如圖，晶胞邊長為apm。(1)Ⅰ位于第5周期ⅦA族，其價(jià)電子軌道表示式為。(2)中N原子的雜化方式為。(3)和之間最短距離為pm。(4)在俯視圖中用“○”畫出的位置。Ⅱ．電子傳輸導(dǎo)體A解決鈣鈦礦類太陽能電池晶體缺陷問題的原理如圖。(5)A的結(jié)構(gòu)示意圖如下。①A中所含同周期元素電負(fù)性由大到小排序?yàn)?填元素符號(hào))。②A中所含化學(xué)鍵類型有(填標(biāo)號(hào)，下同)，A可減少晶體缺陷是因?yàn)锳和晶體之間存在的作用力有。a．共價(jià)鍵

b．離子鍵

c．配位鍵

d．氫鍵

e．金屬鍵(6)與電子傳輸導(dǎo)體B(如下圖)對(duì)比，穩(wěn)定晶體表面效果更好的為(選填“A”或“B”)，可能的原因?yàn)椤?．（2024高三下·廣東肇慶·期末）我國某科研團(tuán)隊(duì)報(bào)道了釕(Ru)負(fù)載硅氧化物催化劑，用于催化聚苯乙烯()和甲醇共同轉(zhuǎn)化得到主要產(chǎn)物為高價(jià)值的烷基苯(如：甲苯、丙苯、異丙苯等)。回答下列問題：(1)中碳原子的雜化方式為。(2)所在周期中，電負(fù)性最強(qiáng)的元素的價(jià)層電子排布式為(3)甲醇的結(jié)構(gòu)式為，其中(填“>”“<”或“=”)，理由是(4)聚苯乙烯作為包裝盒、泡沫保溫箱時(shí)若不經(jīng)處理帶來的環(huán)境問題為(5)結(jié)合下表數(shù)據(jù)，分析苯胺的沸點(diǎn)遠(yuǎn)高于甲苯的原因?yàn)椋辉斐杉妆健⒈健惐椒悬c(diǎn)差異的原因?yàn)槊Q苯胺甲苯丙苯異丙苯結(jié)構(gòu)簡式

沸點(diǎn)184℃110.6℃160.5℃153℃(6)硅的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，某含硅化合物應(yīng)用于新型電源行業(yè)，其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示，立方晶胞邊長為anm，設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體密度為4．（2024高三下·遼寧大連·期末）自然界中絕大多數(shù)物質(zhì)是固體，常見的固體絕大多數(shù)是晶體。隨著化學(xué)的發(fā)展，晶體廣泛應(yīng)用于能源、環(huán)境、材料、生命科學(xué)等領(lǐng)域。回答下列問題：(1)區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學(xué)方法是。(2)①已知的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞中C、D兩原子核間距為298pm，阿伏加德羅常數(shù)的值為，則該晶體密度為（列出計(jì)算式即可）。②請(qǐng)?jiān)谙聢D畫出該晶胞沿軸方向投影圖。(3)氧化鈰（）是一種重要的光催化材料，光催化過程中立方晶胞的組成變化如圖所示，①晶胞中的配位數(shù)為。②每個(gè)晶胞中個(gè)數(shù)為。(4)石墨與金屬鉀反應(yīng)生成鉀的石墨插層化合物：，晶胞結(jié)構(gòu)如左圖（碳原子省略），右圖是晶胞沿軸方向的投影。①。②若石墨層內(nèi)的大鍵可表示為（上標(biāo)表示電子總數(shù)，下標(biāo)表示原子數(shù)），則平均每個(gè)單元中的大鍵可表示為（用具體的數(shù)據(jù)表示）。5．（2024高三下·廣東湛江·期末）硼(B)與鎵Ga同主族，它們的一些化合物在很多領(lǐng)域有重要的作用，如氮化鎵(GaN)經(jīng)常用在國防技術(shù)、航空航天及5G技術(shù)等領(lǐng)域；硼氫化鈉(NaBH4)是有機(jī)合成中重要的還原劑；B和Mg形成的化合物可用高溫超導(dǎo)材料。(1)基態(tài)B原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號(hào)為，基態(tài)N原子占據(jù)最高能級(jí)的電子的電子云輪廓圖形狀為。(2)基態(tài)Ga原子的價(jià)電子排布式為。(3)GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃，GaF3的熔點(diǎn)為1000℃，試分析GaCl3熔點(diǎn)低于GaF3的原因?yàn)椤?4)測(cè)定晶體結(jié)構(gòu)最常用的儀器為___________。A．質(zhì)譜儀 B．X射線衍射儀 C．紅外光譜儀 D．核磁共振儀(5)NaBH4晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示，BH的空間構(gòu)型是。晶胞參數(shù)如圖所示，NaBH4晶體的密度為g﹒cm3(結(jié)果用含a、NA的最簡分?jǐn)?shù)表達(dá)式表示)。(6)硼化鎂晶胞如圖所示，則該晶體的化學(xué)式為。6．（2024高三下·山東泰安·期末）物質(zhì)的組成與結(jié)構(gòu)決定物質(zhì)的性質(zhì)與變化。(1)配合物中的化合價(jià)為。易溶于，熔點(diǎn)為，熔化時(shí)破壞的微粒間相互作用為。(2)的熔點(diǎn)很高，晶體結(jié)構(gòu)與金剛石類似，晶體中鍵角為。(3)已知一些物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表：物質(zhì)熔點(diǎn)/℃800.7-68.8-51.5-34.1與均為第三周期元素，熔點(diǎn)明顯高于，原因是。分析同族元素的氯化物熔點(diǎn)變化趨勢(shì)及其原因。(4)下圖是形成離子液體的一種陽離子，為使該陽離子以單個(gè)形式存在以獲得良好的導(dǎo)電性，與原子相連的不能被原子替換，原因是。(5)汞鋇銅氧晶胞如圖A所示，通過摻雜獲得的具有更高臨界溫度的超導(dǎo)材料的晶胞如圖B所示。汞鋇銅氧晶體的密度為，摻雜所得超導(dǎo)材料的化學(xué)式為。7．（2024高三下·北京順義·期末）鈦(Ti)被稱為“未來金屬”，鈦合金廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。(1)工業(yè)上由鈦鐵礦(主要成分為)在高溫下經(jīng)氯化得到再制取金屬鈦的流程如下圖。①Ti元素位于元素周期表的區(qū)。②基態(tài)Ti原子的簡化電子排布式是[Ar]。③補(bǔ)全反應(yīng)器中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式：。。④通過合成器得到的粗產(chǎn)品是Mg、、Ti的混合物，可采用真空蒸餾的方法分離得到Ti依據(jù)下表信息，加熱的溫度略高于℃即可。MgTi熔點(diǎn)/℃-25.0648.87141667沸點(diǎn)/℃136.4109014123287(2)超高硬度生物材料合金是理想的人工髖關(guān)節(jié)和膝關(guān)節(jié)材料，其晶體有、兩種結(jié)構(gòu)，如下圖所示。①晶胞中，Ti原子周圍與它最近且距離相等的Ti原子有個(gè)。②的晶胞邊長為509pm，每個(gè)晶胞面上有兩個(gè)Ti原子，它們之間的連線平行于晶胞的棱且連線中點(diǎn)為面心，它們之間的距離恰好是晶胞棱長的一半。晶胞中，Au原子周圍與它最近且距離相等的Ti原子有個(gè)。晶體的密度是(列出計(jì)算式)。(已知：阿伏加德羅常數(shù)為，)③與晶體相比，晶體有更長的Ti-Au鍵鍵長。上述兩種晶體中硬度較高的是(填“”或“”)。8．（2024高三下·山東青島·期末）過渡金屬及其化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。(1)基態(tài)V的價(jià)電子排布式為，第四周期中基態(tài)原子與基態(tài)V原子具有相同未成對(duì)電子數(shù)的元素名稱是。(2)含有多個(gè)配位原子的配位體與同一中心離子(或原子)通過螯合配位成環(huán)而形成的配合物為螯合物。一種Ni2+與EDTA形成的螯合物的結(jié)構(gòu)如圖1所示，1molEDTA通過螯合作用形成了5mol五元環(huán)。鍵角1(填“>”、“<”或“=”)鍵角2.EDTA中非金屬元素電負(fù)性由大到小排序?yàn)椤?3)Co2+在水溶液中以[Co(H2O)6]2+存在。向含Co2+的溶液中加入過量氨水可生成更穩(wěn)定的[Co(NH3)6]2+，其原因是。(4)鐵、銅與砷、鈉可形成一種絕緣體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)圖和鈉原子沿z軸投影如圖2所示，已知m原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.25，0.75，0.20)，晶胞參數(shù)為a≠c，α=β=γ=90°。n原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是，銅周圍距離最近的鈉原子的個(gè)數(shù)是。9．（2024高三下·上海·期末）鎵的化合物氮化鎵()和砷化鎵()作為第三代半導(dǎo)體材料，具有耐高溫、耐高電壓等特性，是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)。(1)元素在元素周期表中的位置是，原子核外能量最高的電子位于層(填電子層符號(hào))。(2)為門捷列夫預(yù)言的“類鋁”，下列有關(guān)說法正確的是___________。A．原子半徑B．的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的堿性比元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的堿性強(qiáng)C．的最高價(jià)氧化物化學(xué)式為，熔點(diǎn)比高D．在干燥空氣中可能較穩(wěn)定并生成氧化物薄膜阻止金屬繼續(xù)氧化(3)溴與砷同周期，以下大小關(guān)系正確的是___________。A．非金屬性： B．穩(wěn)定性：C．酸性： D．還原性：已知、、熔融狀態(tài)均不導(dǎo)電，熔點(diǎn)如下：物質(zhì)熔點(diǎn)/℃77.912381700(4)下列關(guān)于以上三種晶體的說法正確的是___________。A．晶體中都含有 B．構(gòu)成晶體的基本微粒都相同C．都是共價(jià)化合物 D．晶體中都只含有一種作用力(5)試解釋上述三種晶體熔點(diǎn)高低的原因。(6)270℃時(shí)，氯化鎵蒸汽相對(duì)于氧氣的密度為11，推測(cè)此時(shí)氯化鎵的分子式為。(7)廢棄的含的半導(dǎo)體材料可以用濃硝酸溶解，放出紅棕色氣體，同時(shí)生成和。寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式，并標(biāo)出轉(zhuǎn)移電子方向和數(shù)目。10．（2024高三下·福建漳州·期中）俗稱“摩爾鹽”的硫酸亞鐵銨的化學(xué)式為(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O，它在空氣中穩(wěn)定，是重要的化工原料。該物質(zhì)隔絕空氣加強(qiáng)熱會(huì)發(fā)生分解，一種分解方式可表示為：(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O=2NH3↑+FeO+2SO3↑+7H2O↑。請(qǐng)回答下列問題：(1)摩爾鹽中未含有的化學(xué)鍵是：。A．離子鍵

B．極性共價(jià)鍵

C．非極性共價(jià)鍵

D．配位鍵

E.氫鍵

F.金屬鍵(2)已知SO3的結(jié)構(gòu)式為

，常溫下其分子中兩個(gè)S=O鍵可以打開形成聚合物，以無限長鏈形式存在，結(jié)構(gòu)如圖所示。與硫原子形成共價(jià)鍵鍵長更長的是(填“橋氧”或“端基氧”)，理由是。(3)氰化物(CN-)、噻吩()、吡咯()都可與Fe2+、Fe3+形成配位化合物。①在水中的溶解性強(qiáng)弱是：噻吩吡咯(填“＜”、“＞”或“=”)，理由是：。②若配離子［Fe(CN)x](x-2)-的中心離子價(jià)電子數(shù)與配體提供的電子數(shù)之和為18，則x=。(4)鐵鎂合金是目前已發(fā)現(xiàn)的儲(chǔ)氫密度最高的儲(chǔ)氫材料之一，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。①晶胞中距離Mg原子最近的Fe原子個(gè)數(shù)是：。②晶體中微粒間的作用力是：。③若該晶體儲(chǔ)氫時(shí)，分子在晶胞的體心和棱心位置，則含Mg48g的該儲(chǔ)氫合金可儲(chǔ)存標(biāo)準(zhǔn)狀況下的體積約為L。11．（2024高三下·甘肅蘭州·期末）Ⅰ．下圖是元素周期表中短周期的一部分，其中Y的氫化物能與其最高價(jià)含氧酸反應(yīng)生成鹽。回答下列問題：XYQZW(1)Y單質(zhì)的電子式為。(2)過量X單質(zhì)與Z的氧化物制取Z單質(zhì)時(shí)，反應(yīng)方程式為。Ⅱ．利用（鐵氰化鉀）可靈敏檢驗(yàn)出溶液中的，產(chǎn)生特征的藍(lán)色沉淀（滕氏藍(lán)），歷史上普作為顏料而被廣泛研究，回答下列問題：(3)基態(tài)的簡化電子排布式為，基態(tài)、中未成對(duì)電子數(shù)之比為；(4)已知和均可與形成配離子和，在酸性溶液中可使轉(zhuǎn)化為，寫出以上轉(zhuǎn)化的離子方程式。(5)中鍵與鍵的個(gè)數(shù)比為；(6)滕氏藍(lán)晶體的微觀結(jié)構(gòu)如圖所示。①圖1不是滕氏藍(lán)晶體的晶胞單元，理由是。②圖2為滕氏藍(lán)的晶胞結(jié)構(gòu)，晶胞中與1個(gè)等距且最近的的數(shù)目為；已知A原子的坐標(biāo)參數(shù)為，B原子為1,1,1，則C處的坐標(biāo)為，晶胞中與的核間距為anm，該晶胞密度為（列出計(jì)算式即可，已知的摩爾質(zhì)量為）。12．（2024高三下·四川眉山·期末）很多含巰基(-SH)的有機(jī)化合物是重金屬元素汞的解毒劑。例如，解毒劑化合物I可與氧化汞生成化合物Ⅱ。(1)基態(tài)硫原子原子結(jié)構(gòu)示意圖為。(2)H2S、CH4、H2O的沸點(diǎn)由高到低順序?yàn)椤?3)汞的原子序數(shù)為80，位于元素周期表第周期第ⅡB族。(4)化合物Ⅲ也是一種汞解毒劑。化合物Ⅳ是一種強(qiáng)酸。下列說法正確的有。A．在I中S原子采取sp3雜化

B．在Ⅱ中S元素的電負(fù)性最大C．在Ⅲ中C-C-C鍵角是180°

D．在Ⅲ中存在離子鍵與共價(jià)鍵E．在Ⅳ中硫氧鍵的鍵能均相等(5)汞解毒劑的水溶性好，有利于體內(nèi)重金屬元素汞的解毒。化合物I與化合物Ⅲ相比，水溶性較好的是。(6)理論計(jì)算預(yù)測(cè)，由汞(Hg)、鍺(Ge)、銻(Sb)形成的一種新物質(zhì)X為潛在的拓?fù)浣^緣體材料。X的晶體可視為Ge晶體(晶胞如圖9a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成。①圖b為Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一種單元結(jié)構(gòu)，它不是晶胞單元，理由是。②圖c為X的晶胞，X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為；該晶胞中粒子個(gè)數(shù)比Hg：Ge：Sb=。③設(shè)X的最簡式的式量為Mr，則X晶體的密度為g/cm3(列出算式)。13．（2024高三下·上海·期末）鉻屬于過渡元素，三價(jià)鉻離子能形成多種配位化合物，例如：。(1)對(duì)于基態(tài)原子，下列敘述不正確的是。A．鉻位于周期表的第四周期族

B．基態(tài)鉻原子核外電子排布式為C．軌道上電子能量大于(2)中提供空軌道形成配位鍵的原子或離子是，中心離子的配位數(shù)為。(3)中所含元素中，三種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)開___。A．O>Cl>N B．Cl>N>O C．N>O>Cl D．O>N>Cl(4)中基態(tài)原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有種，核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有種。(5)中配體分子以及分子的空間結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的鍵角如圖所示。①的中心原子的雜化類型是。A．

B．

C．②分子的空間構(gòu)型是。A直線形

B．平面三角形

C．三角錐形

D．正四面體形③的沸點(diǎn)比的高，原因是，的鍵角小于，原因是。④若晶胞參數(shù)為，計(jì)算晶體密度。(阿伏伽德羅常數(shù)的值為)14．（2024高三下·廣東佛山·階段練習(xí)）EDTA（乙二胺四乙酸根離子，結(jié)構(gòu)如圖1）是化學(xué)中一種良好的配合劑，鈦與EDTA形成的配位離子如圖2所示。回答下列問題：(1)基態(tài)N原子，核外電子占據(jù)的最高能級(jí)的符號(hào)是，電子云輪廓圖形狀為。(2)基態(tài)Ti原子的電子排布式為。(3)如圖1，EDTA中所含元素的電負(fù)性從大到小的順序?yàn)椋ㄌ罨瘜W(xué)符號(hào)）；所含碳原子采用的雜化軌道方式有；鍵角∠NCC（填“>”、“<”或“=”）∠CNC，原因是。(4)如圖2，鈦與EDTA形成的配位離子中，配位數(shù)為，化學(xué)鍵的類型有（填序號(hào)）。A．離子鍵

B．非極性鍵

C．配位鍵

D．金屬鍵15．（2024高三下·四川·期末）隨著現(xiàn)代科學(xué)的發(fā)展和環(huán)境的變化，制備一種綠色、廣譜、高效的抗菌材料顯得至關(guān)重要。科學(xué)研究表明，用抗壞血酸做還原劑，以三水硝酸銅和硝酸銀為原料，將銀和氧化亞銅納米顆粒負(fù)載在殼聚糖改性材料上，可獲得具有可見光抗菌性能的多元復(fù)合材料。(1)基態(tài)銅原子的核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有種；基態(tài)Cu+比基態(tài)Cu2+更穩(wěn)定的原因是：；(2)三水硝酸銅[Cu(NO3)2·3H2O]是重要的化工原料，其中NO的空間構(gòu)型為；其所含元素的電負(fù)性由大到小的順序是：。(3)殼聚糖是一種來源于天然的生物高分子多糖，具備一定的抗菌活性，其結(jié)構(gòu)如下圖所示，其中碳原子的雜化方式為；殼聚糖極易溶于水，主要原因是：。(4)氧化亞銅納米顆粒是一種具有良好光催化性能的半導(dǎo)體材料，能夠通過形成異質(zhì)結(jié)提高復(fù)合材料的抗菌性能的影響。氧化亞銅的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶胞中氧原子以金剛石方法堆積，晶胞參數(shù)為apm，由此可見，氧原子之間的最短距離為pm；該晶胞的密度為g/cm3。（列出計(jì)算式，阿伏加德羅常數(shù)用NA表示）16．（2024高三下·北京·期末）現(xiàn)有A、B、C、D、E五種元素，均為前四周期元素、它們的原子序數(shù)依次增大。請(qǐng)根據(jù)下列相關(guān)信息，回答有關(guān)問題。A元素的核外電子數(shù)和電子層數(shù)相等，也是宇宙中最豐富的元素B元素原子核外s能級(jí)上的電子總數(shù)與p能級(jí)上的電子總數(shù)相等，但第一電離能都低于同周期相鄰元素C元素基態(tài)原子核外有17個(gè)不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子D元素位于元素周期表中的第八列，在地殼中的含量居前四位E元素基態(tài)原子的M層全充滿，N層沒有成對(duì)電子，只有1個(gè)未成對(duì)電子(1)寫出下列元素的元素符號(hào)：C：；D：。(2)用元素符號(hào)表示A2B2的電子式為。(3)E元素在元素周期表的位置為：，屬于區(qū)。(4)D原子核外電子排布式為，價(jià)層電子排布式的特點(diǎn)是。17．（2024高三下·江西南昌·期中）材料是人類文明進(jìn)步的階梯，第ⅢA、ⅣA、ⅤA族元素是組成特殊材料的重要元素。請(qǐng)回答下列問題：(1)基態(tài)原子的電子排布式為；基態(tài)原子核外電子占據(jù)的能量最高的能級(jí)的電子云形狀為。(2)的第一電離能由大到小的順序?yàn)椤?3)與位于同周期，的一種配合物組成為。①下列有關(guān)的說法正確的是(填字母)。a.分子空間結(jié)構(gòu)相同b.中心原子雜化軌道類型相同c.鍵角大小相同②含鍵。③配合物與組成元素相同，中心離子的配位數(shù)相同。溶于水，加入足量溶液可生成。則的化學(xué)式為。(4)碳和鎢組成一種晶體，其熔點(diǎn)為2870℃，硬度接近金剛石，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，則其化學(xué)式為。(5)磷化硼是一種超硬耐磨涂層材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙所示，該晶胞中每個(gè)原子周圍距離最近且相等的B原子有個(gè)。已知該晶體的密度為是阿伏加德羅常數(shù)的值。晶胞中面心上6個(gè)原子相連構(gòu)成正八面體，該正八面體的邊長(列式即可)。18．（2024高三下·黑龍江牡丹江·期中）我國是世界稀土資源大國，稀土元素是鑭系、鈧()、釔(Y)共17種元素的總稱，它們位于元素周期表中同一副族。(1)基態(tài)原子的價(jià)層電子排布式為，未成對(duì)電子數(shù)為。(2)是生產(chǎn)鈰的中間化合物，它可由氟碳酸鈰()精礦制得，其流程如圖所示。①中，的化合價(jià)為。②氧化焙燒生成二氧化鈰()，其在酸浸時(shí)發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為。③的空間結(jié)構(gòu)為，中心原子的雜化方式為，分子或離子中的大鍵可用符號(hào)表示，其中m代表參與形成大鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大鍵的電子數(shù)(如苯分子中的大鍵可表示為)，則中的大鍵應(yīng)表示為。(3)常溫常壓下是鈰最穩(wěn)定的化合物，廣泛用于玻璃、原子能、電子管等工業(yè)。晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示，為立方螢石型，則鈰離子的配位數(shù)為。已知該晶胞的棱長，則其密度為(列出計(jì)算式即可)。答案第=page11頁，共=sectionpages22頁答案第=page11頁，共=sectionpages22頁參考答案：1．(1)3(2)O>Cl>Na(3)V或角(4)的價(jià)電子排布為，而的價(jià)電子排布為，3d軌道的價(jià)電子處于全滿狀態(tài)較為穩(wěn)定(5)12【詳解】（1）Cu的原子序數(shù)為29，基態(tài)Cu原子的價(jià)層電子排布式為3d104s1，價(jià)層電子軌道表示式為，上述反應(yīng)涉及的元素有Cu、Cl、Na、S、O，其中位于元素周期表p區(qū)的有Cl、S、O，即有3種；（2）Na是金屬元素，Na的電負(fù)性在三者中最小，O的電負(fù)性大于Cl，O、Na、Cl的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镺>Cl>Na；（3）分子中S的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+×(6-2×2)=3，孤電子對(duì)數(shù)為1，其雜化方式為，其空間結(jié)構(gòu)為V形或角形；（4）Cu的原子序數(shù)為29，基態(tài)Cu原子的價(jià)層電子排布式為3d104s1，的價(jià)電子排布式為，而的價(jià)電子排布式為，3d軌道的價(jià)電子處于全滿狀態(tài)較為穩(wěn)定，所以的熱穩(wěn)定性不如CuCl；（5）①晶胞中氯離子位于8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心，以頂點(diǎn)為例，晶胞內(nèi)和此共面、處于三個(gè)面心的距其最近且等距離，頂點(diǎn)在8個(gè)晶胞中，面上被2個(gè)晶胞共有，所以距離最近且等距離的有3×8×=12個(gè)；②1號(hào)原子的坐標(biāo)為(0，0，0)，3號(hào)原子的坐標(biāo)為(1，0，0)，則2號(hào)原子的坐標(biāo)為；③晶胞中氯離子個(gè)數(shù)為8×+6×=4，Cu+個(gè)數(shù)為4，CuCl晶體的密度為。2．(1)(2)sp3(3)(4)(5)acd(6)AA可與晶體表面形成更多的配位鍵和氫鍵【詳解】（1）Ⅰ價(jià)電子排布式為，其價(jià)電子軌道表示式為；（2）中N原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+1=4，則N原子采取sp3雜化；（3）和之間最短距離為體對(duì)角線的一半，為；（4）在晶胞中，位于面心，則在俯視圖中用“○”畫出的位置為；（5）①A中所含同周期元素為C、N、O，電負(fù)性從從左到右增大，則電負(fù)性：；②A中所含化學(xué)鍵類型有C-C、C-N、C-O、O-H共價(jià)鍵，氫鍵不是化學(xué)鍵，故選a；由圖可知，A和晶體之間存在的作用力有配位鍵和氫鍵，故選cd；（6）與電子傳輸導(dǎo)體B對(duì)比，穩(wěn)定晶體表面效果更好的為A，可能的原因是A可與晶體表面形成更多的配位鍵和氫鍵；3．(1)、(2)(3)<O存在兩對(duì)孤對(duì)電子，孤對(duì)電子對(duì)成鍵電子有更強(qiáng)的排斥作用，故小于(4)白色污染(5)四種物質(zhì)固態(tài)時(shí)均為分子晶體，苯胺與甲苯的相對(duì)分子質(zhì)量相近，但苯胺分子間存在氫鍵，沸點(diǎn)高于甲苯丙苯和異丙苯相對(duì)分子質(zhì)量大于甲苯，沸點(diǎn)比甲苯高；異丙苯側(cè)鏈上因有支鏈，沸點(diǎn)比丙苯低(6)【詳解】（1）聚苯乙烯中苯環(huán)中的碳原子采用雜化，單鍵碳采用雜化，碳原子的雜化方式有兩種，分別為、雜化。（2）同周期元素從左到右電負(fù)性依次增大，在元素周期表中的位置為第五周期第Ⅷ族，其所在周期中，電負(fù)性最強(qiáng)的元素是Ⅰ，Ⅰ的價(jià)層電子排布式為。（3）O、C原子均有4個(gè)價(jià)電子對(duì)，O存在兩對(duì)孤對(duì)電子、C無孤電子對(duì)，由于孤對(duì)電子對(duì)成鍵電子有更強(qiáng)的排斥作用，故小于。（4）聚苯乙烯，難降解，聚苯乙烯作為包裝盒、泡沫保溫箱時(shí)若不經(jīng)處理帶來的環(huán)境問題為“白色污染”。（5）四種物質(zhì)固態(tài)時(shí)均為分子晶體，苯胺與甲苯的相對(duì)分子質(zhì)量相近，但苯胺分子間存在氫鍵，沸點(diǎn)高于甲苯。丙苯和異丙苯相對(duì)分子質(zhì)量大于甲苯，沸點(diǎn)比甲苯高；異丙苯側(cè)鏈上因有支鏈，沸點(diǎn)比丙苯低。（6）該晶胞中Li的位置為棱心和體心，根據(jù)均攤原則，晶胞中一共有個(gè)Li，Al位于頂點(diǎn)和面心，Si位于體內(nèi)，屬于晶胞的Al和Si分別也有4個(gè)，晶體密度。4．(1)X射線衍射實(shí)驗(yàn)(2)(3)84-8x(4)8【詳解】（1）對(duì)固體進(jìn)行X射線衍射測(cè)定實(shí)驗(yàn)，可以區(qū)分晶體和非晶體。（2）①根據(jù)的晶胞結(jié)構(gòu)可知，D與周圍4個(gè)原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，且D與頂點(diǎn)C的連線處于晶胞的體對(duì)角線上，則C、D兩原子核間距為體對(duì)角線的，已知晶胞中C、D兩原子核間距為298pm，則晶胞邊長為；晶胞中Cl的個(gè)數(shù)為，Cu的個(gè)數(shù)為4，則該晶體密度為。②晶胞中Cl位于頂點(diǎn)和棱中心，Cu位于晶胞內(nèi)部，則沿軸方向投影圖為。（3）①根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，以面心上的為例，距離最近的位于晶胞內(nèi)部，且有4個(gè)，一個(gè)面心的原子被2個(gè)晶胞所共用，則距離最近的個(gè)數(shù)為8，即配位數(shù)為8。②假設(shè)中和的個(gè)數(shù)分別為m和n，則，由化合價(jià)代數(shù)和為0可知，解得；根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)，位于頂點(diǎn)和面心的或個(gè)數(shù)為，因此每個(gè)晶胞中個(gè)數(shù)為。（4）①根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，K位于晶胞的頂點(diǎn)、面心和體內(nèi)，個(gè)數(shù)為，C位于晶胞的面上和體內(nèi)，個(gè)數(shù)為，則K和C的個(gè)數(shù)比為，即x=8。②根據(jù)①可得化學(xué)式為，石墨中C原子采用雜化，每個(gè)C原子提供1個(gè)電子，K轉(zhuǎn)移1個(gè)電子給石墨，因此共有9個(gè)電子，則平均每個(gè)單元中的大鍵可表示為。5．(1)L啞鈴形(2)4s24p1(3)GaCl3熔化時(shí)破壞分子間作用力，GaF3熔化時(shí)破壞離子鍵，離子鍵強(qiáng)于分子間作用力，所以GaCl3的熔點(diǎn)低于GaF3；(4)B(5)正四面體形(6)MgB2【詳解】（1）基態(tài)B原子電子排布式為1s22s22p1，核外電子占據(jù)的最高能層的符號(hào)為L，基態(tài)N原子電子排布式為1s22s22p3,占據(jù)最高能級(jí)的電子的電子云輪廓圖形狀為啞鈴形；（2）基態(tài)B原子電子排布式為1s22s22p1，硼(B)與鎵Ga同主族，基態(tài)Ga原子的價(jià)電子排布式為4s24p1；（3）Ga與F的電負(fù)性差較大，形成離子鍵，GaF3為離子化合物；Ga與Cl電負(fù)性差小，形成共價(jià)鍵，GaCl3為共價(jià)分子，因此在熔化時(shí)，GaCl3熔化時(shí)破壞分子間作用力，GaF3熔化時(shí)破壞離子鍵，離子鍵強(qiáng)于分子間作用力，所以GaCl3的熔點(diǎn)低于GaF3；（4）測(cè)定晶體結(jié)構(gòu)最常用的儀器為X射線衍射儀，故選B；（5）BH的中心原子B的價(jià)層電子對(duì)數(shù)，故其空間構(gòu)型是正四面體形；由晶胞示意圖可知，每個(gè)晶胞的體積為：V=a2×2a×10-21cm3=2a3×10-21cm3，一個(gè)晶胞中含有Na+個(gè)數(shù)為：×4+×6=4，含有[BH4]-個(gè)數(shù)為：，則一個(gè)晶胞的質(zhì)量為：，故晶胞密度為；（6）由晶胞示意圖和均攤法可知Mg：，B：2，則該晶體的化學(xué)式為MgB2。6．(1)0范德華力(2)109°28′(或109.5°)(3)NaCl為離子晶體，而為分子晶體隨著同族元素的電子層數(shù)的增多，其熔點(diǎn)依次升高，原因是均為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量逐漸增大，分子間作用力逐漸增強(qiáng)，熔點(diǎn)依次升高(4)氮原子上連H原子后，形成分子間氫鍵，該離子不易以單個(gè)形式存在(5)HgBa2CaCu2O6【詳解】（1）配合物Ni(CO)4中配合物為CO，CO化合價(jià)代數(shù)和為0，則Ni的化合價(jià)為0；易溶于，熔點(diǎn)為較低，說明是分子晶體，熔化時(shí)破壞的微粒間相互作用為范德華力；（2）的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石類似，金剛石中C采取sp3雜化，是正四面體結(jié)構(gòu)，鍵角為109°28′(或109.5°)，則晶體中鍵角為109°28′(或109.5°)；（3）Na與Si均為第三周期元素，鈉的電負(fù)性小于硅，鈉與氯的電負(fù)性相差較大，氯化鈉為離子晶體，其熔點(diǎn)較高，而為分子晶體，其熔點(diǎn)較低。由表中的數(shù)據(jù)可知，熔點(diǎn)變化趨勢(shì)為：隨著同族元素的電子層數(shù)的增多，其熔點(diǎn)依次升高，其原因是：均形成分子晶體，分子晶體的熔點(diǎn)由分子間作用力決定，分子間作用力越大則其熔點(diǎn)越高；隨著其相對(duì)分子質(zhì)量增大，其分子間作用力依次增大；（4）氮原子上連H原子形成分子間氫鍵，防止離子間形成氫鍵而聚沉，使離子不易以單體形式存在，所以與N原子相連的-C2H5不能被氫原子替換；（5）根據(jù)汞鋇銅氧晶體的結(jié)構(gòu)可知，晶胞中含有Hg有8×=1個(gè)、Ba有2個(gè)、Cu有4×=1個(gè)、O有8×+4×=4個(gè)，晶胞質(zhì)量為，晶胞體積為a2c×10-30cm3，其密度為：，根據(jù)摻雜Ca2+所得超導(dǎo)材料的結(jié)構(gòu)可知，晶胞中含有1個(gè)Ca、1個(gè)Hg、2個(gè)Ba、1個(gè)Cu、6個(gè)O，化學(xué)式為：HgBa2CaCu2O6。7．(1)d1412(2)812【分析】鈦鐵礦（主要成分為）為原料，與、焦炭在反應(yīng)器中發(fā)生反應(yīng)生成，生成的進(jìn)入合成器中與發(fā)生反應(yīng)生成，得到的粗產(chǎn)品。【詳解】（1）Ti元素原子序數(shù)為22，位于元素周期表第四周期、第ⅣB族，屬于d區(qū)；基態(tài)Ti原子的核外電子排布式為，簡化電子排布式是；由流程圖中可看出，反應(yīng)器中發(fā)生反應(yīng)的反應(yīng)物為、、C，生成物為，故反應(yīng)方程式為；粗產(chǎn)品是Mg、、Ti的混合物，用真空蒸餾的方法分離得到Ti，即使沸點(diǎn)較低的物質(zhì)氣化分離出去，比較三種物質(zhì)的沸點(diǎn)可知，加熱的溫度應(yīng)略高于1412℃即可；故答案為：d；；；1412；（2）在晶胞中，Ti原子位于面心，以右側(cè)平面面心Ti為例，Ti原子周圍與它最近且距離相等的Ti原子有8個(gè)；在晶胞中，Au原子位于晶胞頂點(diǎn)及體心，Ti原子位平面上，以體心Au原子為例，周圍與它最近且距離相等的Ti原子有12個(gè)；晶胞中的Au原子有，Ti原子位于每個(gè)平面上，有個(gè)，根據(jù)公式計(jì)算晶胞的密度；與晶體相比，晶體有更長的Ti-Au鍵鍵長，則鍵長越長，鍵能越小，硬度越小，硬度較高的是；故答案為：8；12；；。8．(1)3d34s2鈷、砷(2)>O>N>C>H(3)N的電負(fù)性小于O，更易提供孤對(duì)電子形成配位鍵(4)(0.25，0.25，0.80)4【詳解】（1）V為23號(hào)元素，基態(tài)V原子的價(jià)電子排布式為3d34s2，V的未成對(duì)電子數(shù)為3，則第四周期中基態(tài)原子與基態(tài)V原子具有相同未成對(duì)電子數(shù)的元素名稱是鈷、砷；（2）角1處碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)是3，碳采取sp2雜化，空間構(gòu)型是平面三角形，角2碳原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4，碳采取sp3雜化，空間構(gòu)型是四面體形，因此鍵角1>鍵角2；非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越大，則電負(fù)性由大到小排序?yàn)镺>N>C>H；（3）N元素電負(fù)性比O元素電負(fù)性小，N原子提供孤電子對(duì)的傾向更大，與Co2+形成的配位鍵更強(qiáng)，所以向含Co2+的溶液中加入過量氨水可生成更穩(wěn)定的[Co(NH3)6]2+；（4）根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)對(duì)稱性可知，m原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.25，0.75，0.20)，則n原子坐標(biāo)為(0.25，0.25，0.80)；由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，面上的Cu原子連接2個(gè)Na原子，面上原子為兩個(gè)晶胞共有，故銅周圍距離最近的鈉原子的個(gè)數(shù)是4。9．(1)第四周期VA族N(2)B(3)B(4)C(5)GaAs和GaN均是共價(jià)晶體，GaCl3是分子晶體(6)Ga2Cl6(7)【詳解】（1）①砷元素原子核外有四個(gè)電子層，最外層電子數(shù)為五，位于周期表第四周期VA族；故答案為：第四周期VA族②砷元素能量最高的電子層為第四層電子層，其序號(hào)為N；故答案為:N（2）鎵是類鋁，鎵和鋁位于同一主族；A．元素鎵和砷位于同一周期，砷的原子序數(shù)大，鎵原子半徑大，A錯(cuò)誤；B．鎵的金屬性強(qiáng)于鋁，其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物堿性強(qiáng)，B正確；C．鎵和鋁同一主族，二者氧化物均為離子晶體，但氧化鋁的晶格能大熔點(diǎn)高；C錯(cuò)誤；D．金屬鎵會(huì)和空氣中的氧氣劇烈反應(yīng)，D錯(cuò)誤；故答案選B；（3）題干中溴與砷同周期，A．氮元素和砷元素位于同一主族，N的非金屬性強(qiáng)于As，A錯(cuò)誤；B．N的非金屬性強(qiáng)于As，NH3的穩(wěn)定性強(qiáng)于AsH3,B正確；C．Br的非金屬性強(qiáng)于As，HBrO4的酸性強(qiáng)于H3AsO4,C錯(cuò)誤；D．單質(zhì)的氧化性Br2＞As，離子的還原性Br－＜As3-;D錯(cuò)誤；故答案選B；（4）A．三種物質(zhì)均不是離子晶體或金屬晶體，故不存在Ga3+,A錯(cuò)誤；B．因?yàn)楣矁r(jià)晶體和分子晶體構(gòu)成粒子不同，氮化鎵和砷化鎵均為共價(jià)晶體而氯化鎵為分子晶體，B錯(cuò)誤；C．共價(jià)晶體和共價(jià)晶體均屬于共價(jià)化合物，C正確；D．氯化鎵為分子晶體，分子內(nèi)存在共價(jià)鍵，分子間存在范德華力，D錯(cuò)誤；故答案選C；（5）因?yàn)楣矁r(jià)晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體的熔點(diǎn)，氮化鎵和砷化鎵均為共價(jià)晶體而氯化鎵為分子晶體，氯化鎵的熔點(diǎn)最低；氮的原子半徑小于砷的原子半徑，對(duì)于共價(jià)晶體而言，鍵長越長，鍵能越小，熔點(diǎn)越小；故答案為：GaAs和GaN均是共價(jià)晶體，GaCl3是分子晶體；（6）270℃時(shí)，氯化鎵蒸汽相對(duì)于氧氣的密度為11，此時(shí)氯化鎵的相對(duì)分子質(zhì)量為352，而GaCl3的相對(duì)分子質(zhì)量為176，故此時(shí)綠花鎵的分子式為:Ga2Cl6；故答案為：Ga2Cl6（7）該反應(yīng)用雙線橋表示電子的轉(zhuǎn)移為：10．(1)C、F(2)橋氧端基氧與硫原子形成雙鍵，橋氧為硫氧單鍵，硫氧單鍵鍵長比硫氧雙鍵大(3)＜吡咯能與水分子之間形成氫鍵，而噻吩不能6(4)4金屬鍵22.4【詳解】（1）摩爾鹽(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O中，、、之間是離子鍵，中有四條N-H極性共價(jià)鍵，其中一條為配位鍵，和H2O可形成氫鍵，故不含有金屬鍵與非極性共價(jià)鍵，選CF；（2）橋氧：玻璃網(wǎng)絡(luò)中作為兩個(gè)成網(wǎng)多面體所共有頂角的氧離子，即起“橋梁”作用的氧離子。反之，僅與一個(gè)成網(wǎng)離子相鍵連，而不被兩個(gè)成網(wǎng)多面體所共的氧離子則為非橋氧。端基氧與硫原子形成雙鍵，橋氧為硫氧單鍵，硫氧單鍵鍵長比硫氧雙鍵大，所以橋氧化學(xué)鍵鍵長更長；（3）①吡咯中含N-H能與水分子之間形成氫鍵，而噻吩不能，故噻吩難溶于水，吡咯能溶于水，故水溶性噻吩＜吡咯；②配離子［Fe(CN)x](x-2)-的中心離子Fe2+價(jià)電子數(shù)為6，配體CN-提供的電子數(shù)為1對(duì)2個(gè)，依據(jù)題意6+2x=18，x=6；（4）①由晶胞可知，原子在晶胞內(nèi)，距離最近的為4個(gè)；②晶體只有金屬元素，微粒間的作用力是金屬鍵；③晶胞中原子為8，為，48g物質(zhì)的量為2mol，儲(chǔ)存的物質(zhì)的量為1mol，在標(biāo)準(zhǔn)狀況下，體積為22.4L。11．(1)(2)(3)4：5(4)(5)1：1(6)不是晶體中最小結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元6【分析】Ⅰ．Y的氫化物能與其最高價(jià)含氧酸反應(yīng)生成鹽，說明Y的氫化物具有堿性，短周期元素中，只有N的氫化物具有堿性，因此Y是氮元素，根據(jù)元素周期表的位置關(guān)系，可得X是碳元素，Q是鋁元素，Z是硅元素，W是硫元素。據(jù)此答題。【詳解】（1）Y是氮元素，其單質(zhì)的電子式為：。（2）X單質(zhì)是C，Z的氧化物是，過量的C與反應(yīng)制取Si的同時(shí)，還有CO生成，反應(yīng)的化學(xué)方程式為：。（3）Fe是26號(hào)元素，的簡化電子排布式為：。基態(tài)、的價(jià)層電子軌道表示式分別為：、，兩離子中未成對(duì)電子數(shù)之比為4：5。（4）該反應(yīng)中作氧化劑，把氧化成，反應(yīng)的離子方程式為：。（5）1個(gè)中有6個(gè)配位鍵，配位鍵屬于鍵，每個(gè)中含有1個(gè)鍵和2個(gè)鍵，故鍵共有12個(gè)，鍵共有12個(gè)，因此中鍵與鍵的個(gè)數(shù)比為1：1。（6）①晶胞是晶體微觀空間結(jié)構(gòu)里最小結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元，晶胞的結(jié)構(gòu)應(yīng)是對(duì)稱的，圖1結(jié)構(gòu)不對(duì)稱，對(duì)比圖2可知，晶胞中上下兩個(gè)單元內(nèi)的原子位置不完全相同，故圖1不是晶胞單元。②根據(jù)圖2中A點(diǎn)位置的可以計(jì)算出晶胞中與1個(gè)等距且最近的的數(shù)目為6。已知A原子的坐標(biāo)參數(shù)為(0,0,0)，B原子為(1,1,1)，C在體對(duì)角線的四分之一處，則C處的坐標(biāo)為。晶胞中與的核間距為anm，則晶胞邊長為2anm，體積，晶胞中含有4個(gè)，則含有4個(gè)，故晶胞質(zhì)量為，因此晶胞密度。12．(1)(2)H2O>H2S>CH4(3)六(4)AD(5)化合物Ⅲ(6)不是最小重復(fù)單元或不能無隙并置成晶體41：1：2【詳解】（1）硫是16號(hào)元素，基態(tài)硫原子原子結(jié)構(gòu)示意圖為。（2）H2S、CH4、H2O均為分子晶體，H2O分子間存在氫鍵，沸點(diǎn)較高，H2S、CH4的分子間范德華力隨相對(duì)分子質(zhì)量增大而增加，因此沸點(diǎn)由高到低順序?yàn)椋篐2O>H2S>CH4。（3）第六周期0族元素的原子序數(shù)為86，因此第80號(hào)元素Hg位于第六周期第ⅡB族。（4）A．I中S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)=2+=4，因此S原子采取sp3雜化，故A正確；B．Ⅱ中含有的元素為H、C、O、S、Hg，同周期元素從左至右元素的電負(fù)性逐漸增大，同主族元素從上至下元素的電負(fù)性逐漸減小，因此5種元素中電負(fù)性最大的為O元素，故B錯(cuò)誤；C．Ⅲ中C原子成鍵均為單鍵，因此C原子采取sp3雜化，所以C-C-C鍵角接近109o28’，故C錯(cuò)誤；D．Ⅲ中存在C-H、C-C、C-S、S=O、S-O、S-H共價(jià)鍵和與Na+之間的離子鍵，故D正確；E．Ⅳ中硫氧鍵分為硫氧單鍵和硫氧雙鍵，共價(jià)鍵種類不同，因此二者的鍵能不同，故E錯(cuò)誤；故答案為AD。（5）中羥基能與水分子之間形成分子間氫鍵，為易溶于水的鈉鹽，溶于水后電離出的中O原子均能與水分子之間形成氫鍵，相同物質(zhì)的量兩種物質(zhì)溶于水后，形成的氫鍵更多，因此化合物III更易溶于水。（6）①對(duì)比圖b和圖c可得X晶體的晶胞中上下兩個(gè)單元內(nèi)的原子位置不完全相同，不符合晶胞是晶體的最小重復(fù)單位要求；②以晶胞上方立方體中右側(cè)面心中Hg原子為例，同一晶胞中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為2，右側(cè)晶胞中有2個(gè)Sb原子與Hg原子距離最近，因此X的晶體中與Hg距離最近的Sb的數(shù)目為4；該晶胞中Sb原子均位于晶胞內(nèi)，因此1個(gè)晶胞中含有Sb原子數(shù)為8，Ge原子位于晶胞頂點(diǎn)、面心、體心，因此1個(gè)晶胞中含有Ge原子數(shù)為1+8×+4×=4，Hg原子位于棱邊、面心，因此1個(gè)晶胞中含有Hg原子數(shù)為6×+4×=4，則該晶胞中粒子個(gè)數(shù)比Hg：Ge：Sb=4：4：8=1：1：2；③1個(gè)晶胞的質(zhì)量m=，1個(gè)晶胞的體積V=(x×10-7cm)2×(y×10-7cm)=x2y×10-21cm3，則X晶體的密度為=g/cm3。13．(1)C(2)Cr3+6(3)C(4)179(5)CC分子間存在氫鍵、的中心原子均為sp3雜化，與中心原子成鍵的原子都是氫原子，它們的孤電子對(duì)數(shù)分別是1、2，由于孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)的斥力大于成鍵電子對(duì)之間的斥力，因此孤電子對(duì)數(shù)越多，鍵角越小【詳解】（1）A．鉻位于周期表的第四周期ⅥB族，A正確；B．基態(tài)原子滿足能量最低原理，Cr原子核外有24個(gè)電子，軌道處于半充滿時(shí)體系總能量低，則核外電子排布應(yīng)為[Ar]3d54s1，B正確；C．Cr原子價(jià)電子排布式為3d54s1，由于能級(jí)交錯(cuò)，3d軌道能量比4s高，則3d電子能量較高，C不正確；故選C；（2）[Cr(NH3)3(H2O)2Cl]2+中，Cr3+提供空軌道，配體分別為NH3、H2O、Cl-，則提供空軌道形成配位鍵的原子或離子是Cr3+，中心離子的配位數(shù)為3+2+1=6；（3）第一電離能指氣態(tài)基態(tài)電中性原子失去最外層的一個(gè)電子所需要的能量，第一電離能數(shù)值越小，原子越易失去電子，金屬性越強(qiáng)；第一電離能數(shù)值越大，原子越難失去電子，非金屬性越強(qiáng)。N原子的2p3是一個(gè)半充滿的亞穩(wěn)定狀態(tài)，所以N的第一電離能大于O，故第一電離能由大到小的順序?yàn)镹>O>Cl；故選C；（4）基態(tài)原子核外有17個(gè)電子，電子排布式為，核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有17種，電子占據(jù)的軌道數(shù)為，1個(gè)軌道為一個(gè)空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，故共有9種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；（5）①從圖中可以看出，PH3中中心原子P的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，P的雜化類型是sp3，選C；②PH3中中心原子P的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，存在一個(gè)孤電子對(duì)，PH3分子的空間構(gòu)型是三角錐形，選C；③NH3分子間能形成氫鍵，而PH3分子間不能形成氫鍵，所以NH3的沸點(diǎn)比PH3的高；NH3、H2O的中心原子均為sp3雜化，與中心原子成鍵的原子都是氫原子，它們的孤電子對(duì)數(shù)分別是1、2，由于孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)的斥力大于成鍵電子對(duì)之間的斥力，因此孤電子對(duì)數(shù)越多，鍵角越小；④根據(jù)分?jǐn)偡ǎ珻r3+在頂點(diǎn)和面心每個(gè)晶胞中平均分?jǐn)侰r3+的個(gè)數(shù)為，N3-在棱上和體心，個(gè)數(shù)為；晶體密度。14．(1)2p啞鈴狀(2)或(3)、>中心原子C、N均采取雜化，碳原子沒有孤電子對(duì)，而氮原子有一對(duì)孤電子，對(duì)鍵電子對(duì)的排斥力大，所以鍵角(4)6BC【詳解】（1）基態(tài)N原子，核外電子排布式為：1s22s22p3，占據(jù)的最高能級(jí)的符號(hào)是2p；p軌道電子云輪廓圖形狀為啞鈴狀；（2）Ti為第22號(hào)元素，基態(tài)Ti原子的電子排布式為或；（3）EDTA中所含元素的電負(fù)性從大到小的順序?yàn)椋驗(yàn)镹的p軌道為半充滿結(jié)構(gòu)，第一電離能稍大一些；所含碳原子采用的雜化軌道方式有、，與雙鍵相連的為雜化，與單鍵相連的為雜化；中心原子C、N均采取雜化，碳原子沒有孤電子對(duì)，而氮原子有一對(duì)孤電子，對(duì)鍵電子對(duì)的排斥力大，所以鍵角；（4）鈦與EDTA形成的配位離子中，Ti原子周圍有6條化學(xué)鍵，故配位數(shù)為6；由于沒有相同原子形成的化學(xué)鍵，化學(xué)鍵的類型只有非極性鍵，由于是配合物故含有配位鍵，故選BC。15．(1)29Cu+價(jià)電子排布為3d10，Cu2+為3d9，3d10全滿結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定(2)平面三角形O＞N＞H＞Cu(3)sp3其中含有羥基、氨基等親水基團(tuán)，可以與水分子形成分子間氫鍵(4)【詳解】（1）銅是29號(hào)元素，原子核外有29個(gè)電子，每個(gè)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)各不相同，則銅原子的核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有29種，Cu+價(jià)電子排布為3d10，3d軌道中的電子為全滿結(jié)構(gòu)，更穩(wěn)定；Cu2+為3d9，3d軌道中有一個(gè)未成對(duì)的電子，故答案為：2