ICS29.045GB/T5238—2019代替GB/T5238—2009鍺單晶和鍺單晶片國家市場監督管理總局I本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。——規范性引用文件中刪除了GB/T1552、GB/T5254,增加了GB/T1555、GB/T14264、GB/T14844、GB/T26074(見第2章，2009年版的第2章);——增加了術語和定義(見第3章);——增加了非摻雜鍺單晶的要求(見第4章);——修訂了鍺單晶晶體完整性的要求(見4.2.6.1,2009年版的3.3——增加了直徑大于100mm鍺單晶的要求(見4.2.7);——刪除了長度的要求(見2009年版的3.3.2.1);——增加了鍺單晶表面質量的要求(見4.2.8);——修訂了鍺單晶片表面質量的要求(見4.3.3,2009年版的3.3.3);本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。本標準所代替標準的歷次版本發布情況為：1鍺單晶和鍺單晶片2規范性引用文件下列文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1553硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法GB/T1555半導體單晶晶向測定方法GB/T2828.1—2012計數抽樣檢驗程序第1部分：按接收質量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T5252鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法GB/T14264半導體材料術語GB/T14844半導體材料牌號表示方法GB/T26074鍺單晶電阻率直流四探針測量方法3術語和定義GB/T14264界定的術語和定義適用于本文件。4要求鍺單晶和鍺單晶片的牌號表示應符合GB/T14844的規定。鍺單晶的電阻率應符合表1的規定。2導電類型摻雜劑P型0.001～45.00.001～45.0Au+Ga(In)0.5～5.0N型0.001～45.0非摻雜35.0～50.0鍺單晶的徑向電阻率變化應符合表2的規定。徑向電阻率變化(絕對值)注：直徑指未滾圓鍺單晶的尺寸。鍺單晶的少數載流子壽命應符合表3的規定。電阻率p少數載流子壽命sN型P型0.001≤p<1.02.5≤p<4.04.0≤p<8.08.0≤p<16.034.2.6.1不同用途鍺單晶的位錯密度應符合表4的規定。用途位錯密度個/cm2半導體器件激光器組件紅外光學部件4.2.6.2鍺單晶不應有位錯堆、星形結構。鍺單晶中單根小角晶界和位錯排的長度均應不大于3mm,小角晶界和位錯排的總長度均應不大于鍺單晶直徑的1/6。鍺單晶的直徑和直徑相對允許偏差符合表5的規定。mm直徑相對允許偏差不大于注1:直徑及直徑相對允許偏差指未滾圓鍺單晶的尺寸。注2:直徑相對允許偏差指同一根鍺單晶最大直徑和最小直徑之差與平均直徑的比值。鍺單晶片的幾何參數應符合表6的規定。4GB/T5238—2019幾何參數要求允許偏差直徑d厚度0.4～50.0平行度mm圓度—倒角尺寸0.2～0.8士0.10倒角角度45°或30°表面粗糙度Ra*/μm—“僅適用于紅外光學部件用的鍺單晶片。4.3.3.1鍺單晶片的崩邊長度應不大于0.5mm,每個崩邊的圓周弦長應不大于2mm,且每片鍺單晶片上崩邊個數應不大于2個。4.3.3.2鍺單晶片表面不應有裂紋、孔洞、需方如對鍺單晶和鍺單晶片有特殊要求，由供需雙方協商并在合同中注明。5試驗方法5.1鍺單晶導電類型的測試按GB/T1550的規定進行。5.2鍺單晶電阻率和徑向電阻率變化的測試按GB/T26074的規定進行。5.3鍺單晶少數載流子壽命的測試按GB/T1553的規定進行。5.4鍺單晶晶向及晶向偏離度的測試按GB/T1555的規定進行。5.5鍺單晶晶體完整性測試按GB/T5252的規定進行。5.6鍺單晶和鍺單晶片幾何參數的測試按表7的規定進行。參數檢測儀器直徑分度值為0.001mm千分尺或3D影像儀厚度分度值為0.001mm千分尺平行度分度值為0.01mm百分表5表7(續)參數檢測儀器倒角尺寸、倒角角度3D影像儀圓度圓度儀表面粗糙度表面粗糙度儀6.1.1產品應由供方質量檢驗部門進行檢驗，保證產品質量符合本標準或訂貨單(或合同)的規定，并6.1.2需方應對收到的產品按本標準的規定進行檢驗，若檢驗結果與本標準或訂貨單(或合同)的規定產品應成批提交檢驗。每批鍺單晶的檢驗項目應符合表8的規定。每批鍺單晶片應對幾何參數、表面質量進行檢驗。檢驗項目半導體器件、激光器組件用鍺單晶紅外光學部件用鍺單晶導電類型√√電阻率√√徑向電阻率變化√√少數載流子壽命0X晶向及晶向偏離度√√晶體完整性√0幾何參數√√表面質量√√6.4.1鍺單晶的檢驗取樣按表9的規定進行。6檢驗項目取樣位置取樣數量要求的章條號試驗方法的章條號導電類型鍺單晶的頭、尾各切1片逐根電阻率徑向電阻率變化少數載流子壽命晶向及晶向偏離度晶體完整性幾何參數表面質量6.4.2鍺單晶片幾何參數的檢驗取樣按GB/T2828.1—2012中一般檢驗水平Ⅱ,正常檢驗一次抽樣方6.5.3鍺單晶片幾何參數的接收質量限(AQL)為0.40。a)供方名稱及商標；b)產品名稱；c)產品批號；d)規格尺寸；