材料科學(xué)基礎(chǔ)I智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年湖南科技大學(xué)關(guān)于晶胞的描述，正確的是（

）。

答案:是具有代表性的單元、即最小平行六面體;是空間點(diǎn)陣的組成單元;是晶格的組成單元;反映晶體周期性和對(duì)稱性的最小重復(fù)單元關(guān)于晶向的說法正確的是（

）。

答案:任一方向上所有平行的晶向可包含晶體中所有質(zhì)點(diǎn)。;任一質(zhì)點(diǎn)可以處于所有晶向上。;晶向代表晶體中原子列的方向。離子晶體中，配位多面體形狀有（

）。

答案:八面體;立方體;四面體;平面三角形下列屬于共價(jià)晶體的有（

）。

答案:單晶硅;金鋼石清潔表面分為（

）。

答案:重構(gòu)表面;弛豫表面;臺(tái)階表面按照質(zhì)點(diǎn)間結(jié)合力性質(zhì)的不同，可分為化學(xué)鍵和物理鍵，下列屬于化學(xué)鍵的有：（

）。

答案:離子鍵;共價(jià)鍵空間利用率為0.74的晶胞有（

）。

答案:面心立方晶胞;六方晶胞低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（

）。

答案:間隙正離子;負(fù)離子空位可以形成玻璃的化合物的鍵型是（

）。

答案:極性共價(jià)鍵;金屬共價(jià)鍵下列屬于{110}晶面族的晶面有哪些？（

）。

答案:少量NaF溶入中，容易產(chǎn)生（

）缺陷

答案:下列哪些可以形成間隙固溶體（

）

答案:B和Fe;H和Fe;C和Fe高分子鏈的幾何形態(tài)有（

）。

答案:線型高分子;支鏈高分子;交聯(lián)高分子可以用來判斷玻璃能否形成的條件是（

）。

答案:動(dòng)力學(xué)條件;氧化物的鍵強(qiáng);聚合陰離子團(tuán)大小與排列方式離子晶體中，影響正離子配位數(shù)的因素有（

）。

答案:溫度和壓力;正負(fù)離子半徑比;離子極化;正離子類型材料的性能包括（

）

答案:物理性能;力學(xué)性能;化學(xué)性能下列屬于晶帶軸[100]的晶面有（

）。

答案:(011);(021);(012)當(dāng)液體在固體表面的接觸角為60度時(shí)，此時(shí)使表面粗糙度變大，液體與固體的潤濕性能（

）。

答案:變好在硅酸鹽熔體中，隨著的加入，熔體的表面張力（

）。

答案:升高通常堿金屬氧化物使硅酸鹽熔體粘度（

）。

答案:降低在加熱時(shí)，六方ZnS晶體兩端出現(xiàn)電壓的現(xiàn)象稱為（

）

答案:熱釋電性晶體結(jié)構(gòu)中，氧離子做面心立方堆積，鋁離子填充了（

）八面體空隙

答案:1/2隨溫度的升高，硅酸鹽熔體中的高聚物濃度（

）。

答案:降低

答案:對(duì)于置換型固溶體僅從離子尺寸考慮，當(dāng)Δ=(r1-r2)/r1=15%~30%時(shí)，溶質(zhì)和溶劑之間（

）

答案:可以生成有限型固溶體位錯(cuò)線與原子滑移方向（伯氏矢量b）既不平行，也不垂直的是（

）

答案:混合位錯(cuò)

答案:(110)面心立方晶胞中的四面體空隙數(shù)為（

）

答案:8高價(jià)金屬氧化物的引入使硅酸鹽熔體粘度（

）。

答案:升高NaCl晶體屬于（

）

答案:離子晶體位錯(cuò)線與原子滑移方向（伯氏矢量b）垂直的是（

）

答案:刃位錯(cuò)要使沾濕過程自發(fā)進(jìn)行，也就是要使粘附功（

）。

答案:大于0

答案:[110]潤濕性能最好的是（

）。

答案:鋪展熔體中質(zhì)點(diǎn)間化學(xué)鍵的性質(zhì)對(duì)玻璃的形成具有重要的作用，一般來說，離子鍵化合物可以生成玻璃。（

）

答案:錯(cuò)晶面指數(shù)通常用晶面在晶軸上截距的互質(zhì)整數(shù)比來表示。(

)

答案:錯(cuò)固體的表面張力和表面能的數(shù)值不相等。（

）

答案:對(duì)鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的化合物，在溫度變化時(shí)會(huì)引起晶體結(jié)構(gòu)的變化。(

)

答案:對(duì)晶體中的每一個(gè)原子就是結(jié)構(gòu)基元。(

)

答案:錯(cuò)固體的表面張力和表面能數(shù)據(jù)可以很容易地測(cè)定得到。（

）

答案:錯(cuò)鮑林規(guī)則認(rèn)為，配位多面體才是離子晶體的真正結(jié)構(gòu)基元。(

)

答案:對(duì)螢石的晶體結(jié)構(gòu)中，氟離子作簡單立方堆積，鈣離子占據(jù)所有的立方體空隙。(

)

答案:錯(cuò)滑移后晶體位向不發(fā)生變化，而孿生則會(huì)使晶體位向發(fā)生變化。（

）

答案:對(duì)通過液體在固體表面上的接觸角即可判斷一種液體對(duì)一種固體的潤濕性能。（

）

答案:對(duì)雙鏈結(jié)構(gòu)的硅酸鹽晶體中，每個(gè)硅氧四面體有兩個(gè)氧離子和其它硅氧四面體共用。（

）

答案:錯(cuò)層狀結(jié)構(gòu)的硅酸鹽晶體中，每個(gè)硅氧四面體有三個(gè)氧離子被共用。（

）

答案:對(duì)材料的使用效能則隨工作環(huán)境不同而異，它與材料的固有性能無關(guān)。(

)

答案:錯(cuò)硅酸鹽晶體中，硅氧四面體只能共頂連接，不能共棱或共面連接。（

）

答案:對(duì)大多數(shù)鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)的晶體都具有理想結(jié)構(gòu)，很少有畸變。(

)

答案:錯(cuò)影響熔體粘度的主要因素是溫度和化學(xué)組成。（

）

答案:對(duì)根據(jù)單鍵能的大小，可將不同氧化物分為（

）。

答案:網(wǎng)絡(luò)改變體;網(wǎng)絡(luò)中間體;玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體位錯(cuò)的性質(zhì)有以下哪些（

）

答案:連續(xù)性;守恒性關(guān)于鈦酸鈣晶體結(jié)構(gòu)（如圖），下列描述正確的有（

）。

答案:鈦離子配位數(shù)為8;鈦離子占據(jù)八面體間隙的1/4;鈦氧八面體共頂連接;鈣氧離子共同形成面心立方堆積立方ZnS結(jié)構(gòu)中硫離子作面心立方堆積，如圖所示，下列說法正確的是（

）。

答案:Zn-S鍵帶有相當(dāng)程度的共價(jià)鍵性質(zhì);正、負(fù)離子配位數(shù)都是4;陽離子占據(jù)一半四面體間隙下列屬于<210>晶向族的晶向有（

）。

答案:[201];[210];[102];[120]氧化鋁瓷件表面上涂銀后，，下面正確的是（

）。

答案:接觸角大于90度;液體不能潤濕固體下列屬于{120}晶面族的晶面有（

）。

答案:(102);(201);(120);(210)威爾等人基于結(jié)晶化學(xué)原理，研究了晶體表面結(jié)構(gòu)，認(rèn)為（

）是影響表面結(jié)構(gòu)的重要因素。

答案:鍵強(qiáng);晶體質(zhì)點(diǎn)間的相互作用關(guān)于鮑林規(guī)則，下列說法正確的是（

）。

答案:利用電價(jià)規(guī)則可判斷晶體是否穩(wěn)定;正離子配位數(shù)取決于正負(fù)離子半徑比關(guān)于晶體中質(zhì)點(diǎn)的相互作用，說法正確的有（

）。

答案:相互作用分為吸引作用和排斥作用;吸引作用在遠(yuǎn)距離是主要的;排斥作用在近距離是主要的;吸引與排斥作用抵消，晶體處于穩(wěn)定狀態(tài)極化會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的影響有：（

）。

答案:離子間距離縮短;離子鍵向共價(jià)鍵過渡;正負(fù)電荷中心不重合達(dá)到平衡的硅酸鹽熔體中含有（

）。

答案:游離堿;三維晶格碎片;高聚物;低聚物高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（

）

答案:間隙負(fù)離子;正離子空位下列屬于{111}晶面族的晶面有（

）。

答案:正負(fù)離子半徑比：

正離子的配位數(shù)是（

）

答案:6等徑球體最緊密堆積時(shí)，一個(gè)球周圍有（

）個(gè)四面體空隙。

答案:8鈦酸鋇晶體的極化程度與電場(chǎng)強(qiáng)度呈現(xiàn)出非線性關(guān)系，這種效應(yīng)稱為（

）

答案:鐵電效應(yīng)晶胞的形狀和大小可用（

）個(gè)參數(shù)來描述。

答案:6少量溶解在KCl中，以正離子為基準(zhǔn)書寫的反應(yīng)方程式為（

）。

答案:質(zhì)點(diǎn)之間主要依靠靜電庫侖力而結(jié)合的晶體是（

）

答案:離子晶體

答案:(012)體心立方晶胞中的原子數(shù)是（

）

答案:2從晶體結(jié)構(gòu)中取出來的反映晶體周期性和對(duì)稱性的重復(fù)單元叫（

）

答案:晶胞化學(xué)組成相似或相近的物質(zhì)形成相同的晶體結(jié)構(gòu)，這種現(xiàn)象稱為（

）

答案:類質(zhì)同晶當(dāng)負(fù)離子配位多面體為四面體時(shí)，正離子的配位數(shù)為（

）

答案:4合成技術(shù)是實(shí)現(xiàn)人造材料的途徑之一。(

)

答案:對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和空間點(diǎn)陣的形式無限多。(

)

答案:錯(cuò)硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度由溫度和組成決定。（

）

答案:對(duì)引入會(huì)使硅酸鹽熔體中的非橋氧變成橋氧。（

）

答案:錯(cuò)極化力反映了該離子極化周圍其它離子的能力。(

)

答案:對(duì)對(duì)大多數(shù)晶體來說，質(zhì)點(diǎn)間的結(jié)合力屬于綜合性的。(

)

答案:對(duì)缺陷的產(chǎn)生，使晶體排列的混亂程度增加，熵變?cè)龃蟆＃?/p>

）

答案:對(duì)ZnS晶體中，Zn-S鍵帶有相當(dāng)程度的共價(jià)鍵性質(zhì)。(

)

答案:對(duì)同種元素結(jié)合成晶體時(shí)，因其電負(fù)性相同，故形成非極性共價(jià)鍵。(

)

答案:對(duì)極化率反映了離子被極化的難易程度，即變形性的大小。(

)

答案:對(duì)大多數(shù)高分子單晶具有共同的形態(tài)特征，即厚度約為10納米，長寬各為幾個(gè)微米的薄片晶。（

）

答案:對(duì)六方晶系中，晶面和晶向的4個(gè)指數(shù)全部都是獨(dú)立的。(

)

答案:錯(cuò)固體的理想表面實(shí)際上是不存在的。（

）

答案:對(duì)下列哪些屬于面缺陷（

）

答案:晶界;相界;表面型晶體結(jié)構(gòu)包括（

）

答案:鈦鐵礦型;鈣鈦礦型晶體中質(zhì)點(diǎn)在空間的分布具有的特征是（

）。

答案:周期性;對(duì)稱性下列屬于{100}晶面族的晶面有（

）。

答案:硅氧比為1：3的硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)可能是（

）。

答案:鏈狀;組群狀位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)方式有（

）

答案:滑移;攀移位移性轉(zhuǎn)變的特點(diǎn)包括（

）。

答案:轉(zhuǎn)變速度快;需要的能量低;無舊鍵斷裂和新鍵形成提出由正負(fù)離子半徑比判斷正離子配位數(shù)的是鮑林（

）

答案:第一規(guī)則無極化的離子晶體中，正負(fù)離子半徑比為0.732時(shí)，其配位數(shù)為（

）

答案:8將系統(tǒng)的低共熔物放在陶瓷片上，在低共熔溫度下，液相的表面張力為，液體與固體的界面能為，測(cè)得接觸角為。那么

的表面能為（

）。

答案:NaCl晶體中，如圖所示，氯離子作面心立方堆積，鈉離子填充了（

）

答案:所有八面體空隙當(dāng)某種液體在固體表面的接觸角為105度時(shí)，這種潤濕是（

）。

答案:浸濕質(zhì)點(diǎn)離開正常結(jié)點(diǎn)后進(jìn)入晶格晶隙位置，這種缺陷是（

）

答案:弗倫克爾缺陷晶體中原子或分子的排列情況稱為（

）

答案:晶體結(jié)構(gòu)影響金屬單質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)的因素只有堆積緊密。(

)

答案:錯(cuò)在等徑球最緊密堆積中，6個(gè)原子形成的空隙稱為四面體空隙。(

)

答案:錯(cuò)表面不是面缺陷。（

）

答案:錯(cuò)隨溫度的升高，熔體粘度升高。（

）

答案:錯(cuò)當(dāng)相鄰晶粒間的取向差角小于時(shí)，該晶界叫小角度晶界。（

）

答案:錯(cuò)滑移導(dǎo)致的變形量遠(yuǎn)大于孿生。（

）

答案:對(duì)晶向[110]不垂直于晶面(110)。(

)

答案:錯(cuò)六方晶胞中（0001）晶面和面心立方晶胞中（111）晶面，原子排列是不相同的。(

)

答案:錯(cuò)是因?yàn)榉磻?yīng)物中離子濃度太少而產(chǎn)生的。（

）

答案:錯(cuò)在同一晶體中，可以存在多種配位多面體類型。(

)

答案:錯(cuò)隨著氧化硼的加入，硅酸鹽熔體的粘度先降低后升高。（

）

答案:錯(cuò)符合從熔體向玻璃轉(zhuǎn)變過程的是（

）。

答案:熱效應(yīng)小;不產(chǎn)生新相α-鱗石英和（

）之間的轉(zhuǎn)變稱為重建性轉(zhuǎn)變。

答案:α-方石英;α-石英產(chǎn)生壓電效應(yīng)的條件是（

）。

答案:晶體結(jié)構(gòu)中無對(duì)稱中心熔體中聚合陰離子團(tuán)的聚合程度低，（

）形成玻璃。

答案:不容易正負(fù)離子半徑比：

正離子的配位多面體結(jié)構(gòu)是（

）。

答案:正八面體提出由電中性判斷共用一個(gè)頂點(diǎn)的多面體數(shù)目的是鮑林（

）

答案:第二規(guī)則不對(duì)稱單體形成高分子時(shí)的鍵接方式有（

）種。

答案:3一般來說，溫度升高會(huì)使熔體的表面張力（

）。

答案:降低晶體結(jié)構(gòu)中，氧離子做面心立方堆積，鎂離子填充了（

）四面體空隙

答案:1/8滑移所需的臨界分切應(yīng)力遠(yuǎn)小于孿生。（

）

答案:對(duì)只要冷卻速度足夠快，幾乎任何物質(zhì)都能形成玻璃。（

）

答案:對(duì)兩個(gè)配位多面體連接時(shí)，隨著共用頂點(diǎn)數(shù)的增加，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性增加。(

)

答案:錯(cuò)體心立方結(jié)構(gòu)是最緊密堆積結(jié)構(gòu)。(

)

答案:錯(cuò)缺陷的產(chǎn)生，使晶體內(nèi)能升高，所以有缺陷的晶體是不穩(wěn)定的。（

）

答案:錯(cuò)熱缺陷是溫度高于絕對(duì)零度時(shí)，由于晶體組成上的不純凈性所產(chǎn)生的一種缺陷。（

）

答案:錯(cuò)剛玉硬度的莫氏硬度9級(jí)，這與結(jié)構(gòu)中Al-O鍵的結(jié)合強(qiáng)度密切相關(guān)。(

)

答案:對(duì)下列屬于<100>晶向族的晶向有（

）。

答案:[100];[010]下列屬于晶帶軸[111]的晶面有（

）。

答案:下列哪些屬于點(diǎn)缺陷（

）

答案:鋼材;;肖特基缺陷在硅酸鹽熔體中，隨著的加入，O/Si比值（

）。

答案:升高n個(gè)等徑球體最緊密堆積時(shí)可形成（

）四面體空隙

答案:2n下列關(guān)于晶面指數(shù)和晶面間距的說法，正確的是（

）

答案:高指數(shù)的晶面間距較小正負(fù)離子半徑比：

正離子的配位數(shù)是（

）

答案:4布拉菲點(diǎn)陣共有（

）種點(diǎn)陣

答案:14A2型晶體結(jié)構(gòu)是（

）

答案:體心立方

答案:面心立方晶胞中的原子數(shù)分別是（

）

答案:4為使等價(jià)晶面具有類似的指數(shù)，需要采用4指數(shù)法來表示六方晶系中的晶面。(

)

答案:對(duì)晶體中球體堆積的密度越大，系統(tǒng)的勢(shì)能越低，晶體越穩(wěn)定。(

)

答案:對(duì)晶體的組成基元數(shù)量關(guān)系相同，但大小不同，其結(jié)構(gòu)類型亦不相同。(

)

答案:對(duì)最緊密堆積原理僅適用于離子晶體。(

)

答案:錯(cuò)金紅石晶胞中，6個(gè)氧離子形成的八面體，嵌入在體心立方點(diǎn)陣中。(

)

答案:錯(cuò)功能材料是利用材料的(

)。

答案:光性能;熱性能;磁性能高分子聚合物的結(jié)晶結(jié)構(gòu)有（

）。

答案:扭曲的曲折鏈;螺旋鏈;曲折鏈下列屬于等徑球體最緊密堆積方式的有（

）。

答案:體心立方;面心立方關(guān)于晶面間距與原子排列，下列說法正確的有（

）。

答案:間距越小的晶面，原子排列越稀疏;間距越大的晶面，原子排列越緊密屬于前沿新材料的有（

）

答案:智能材料;3D打印材料

答案:[112]質(zhì)點(diǎn)由表面遷移到新表面位置，這種缺陷是（

）

答案:肖特基缺陷n個(gè)等徑球體最緊密堆積時(shí)可形成（

）八面體空隙

答案:n密排六方晶胞中的配位數(shù)分別是（

）

答案:12剛玉結(jié)構(gòu)中，為使鋁離子間距最遠(yuǎn)，鋁離子填充在八面體間隙時(shí)共有（

）形式。

答案:3晶向[111]垂直于晶面(111)。(

)

答案:對(duì)β-石英不具有壓電效應(yīng)。（

）

答案:錯(cuò)缺陷的產(chǎn)生，使晶體內(nèi)能升高，但熵變也增加，所以晶體仍然是穩(wěn)定的。（

）

答案:對(duì)玻璃形成的熱力學(xué)條件可以用來判斷玻璃能否形成。（

）

答案:錯(cuò)合金容易形成成分可變、不遵守倍比定律的金屬化合物。(

)

答案:對(duì)AX型化合物主要有（

）。

答案:氯化銫型;硫化鋅型;氯化鈉型晶體的自發(fā)極化與（

）有關(guān)。

答案:晶體結(jié)構(gòu);環(huán)境溫度已知在真空下的氧化鋁表面能約為，液態(tài)鐵的表面張力為，同樣條件下液態(tài)鐵－氧化鋁的界面能為，下面正確的是（

）。

答案:接觸角大于90度;液體不能潤濕固體體心立方晶胞中的配位數(shù)分別是（

）

答案:8A3型晶體結(jié)構(gòu)是（

）

答案:密排六方CsCl屬立方晶系的（

）

答案:簡單立方點(diǎn)陣在書寫點(diǎn)缺陷符號(hào)時(shí)，右上標(biāo)''

表示帶（

）個(gè)電荷。

答案:-2在標(biāo)定晶面指數(shù)時(shí)，坐標(biāo)原點(diǎn)一定要設(shè)在待求晶面以外。(

)

答案:對(duì)分化過程產(chǎn)生的低聚合物可以相互發(fā)生縮聚作用，形成級(jí)次較高的聚合物，同時(shí)釋放出Na2O。（

）

答案:對(duì)金屬原子按緊密方式堆積，s軌道才能最大程度重疊，使晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。(

)

答案:對(duì)若溶劑和溶質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)相同，且其離子半徑差，則它們之間可以形成連續(xù)固溶體。（

）

答案:對(duì)下列哪些屬于線缺陷（

）

答案:刃位錯(cuò);螺位錯(cuò)面心立方晶胞中的八面體空隙數(shù)為（

）

答案:4線缺陷的特征是（

）

答案:一維方向上缺陷的尺寸很長密排六方晶胞中的原子數(shù)分別是（

）

答案:6下列關(guān)于晶面間距的說法中，正確的是（

）

答案:間距越大，晶面上原子排列越緊密晶體總是具有規(guī)則的外形。(

)

答案:對(duì)熱缺陷是溫度高于絕對(duì)零度時(shí)，由于質(zhì)點(diǎn)的熱振動(dòng)所產(chǎn)生的一種缺陷。（

）

答案:對(duì)按照質(zhì)點(diǎn)間結(jié)合力性質(zhì)的不同，可分為化學(xué)鍵和物理鍵，下列屬于物理的有（

）。

答案:氫鍵;范德華鍵對(duì)于置換型固溶體僅從離子尺寸考慮，當(dāng)Δ=(r1-r2)/r1分別為<15%，>30%時(shí)，溶質(zhì)和溶劑之間（

）

答案:可以生成連續(xù)型固溶體;不生成固溶體下列可作為結(jié)構(gòu)基元的是（

）。

答案:水分子;硫酸根離子;銅原子;碘分子聚合物溶液在攪拌下結(jié)晶可以形成（

）結(jié)構(gòu)。

答案:串晶在書寫點(diǎn)缺陷符號(hào)時(shí)，空位的符號(hào)是（

）。

答案:V剛玉結(jié)構(gòu)中，氧離子近似作六方最緊密堆積，鋁離子填充了（

）八面體間隙。

答案:2/3延展性最好的金屬的晶體結(jié)構(gòu)是（

）

答案:面心立方最緊密堆積原理可適用于金屬晶體。(

)

答案:對(duì)熔體的表面張力和表面能的數(shù)值不相等。（

）

答案:錯(cuò)當(dāng)相鄰晶粒間的取向差角大于時(shí)，該晶界叫大角度晶界。（

）

答案:對(duì)銅屬于（

）

答案:金屬晶體無極化的離子晶體中，正負(fù)離子半徑比為0.414時(shí)，其配位數(shù)為（

）

答案:6離子晶體中，配位數(shù)大小與正、負(fù)離子半徑的比值無關(guān)。(

)

答案:錯(cuò)從熔體向玻璃的轉(zhuǎn)變過程是在一定的溫度范圍內(nèi)完成的。（

）

答案:對(duì)鮑林規(guī)則適用于（

）。

答案:硅酸鹽晶體;離子晶體剛玉的晶體結(jié)構(gòu)屬（

）晶系。

答案:三方氧化硼的引入使硅酸鹽熔體粘度（

）。

答案:先升高后降低對(duì)于置換型固溶體僅從離子尺寸考慮，當(dāng)Δ=(r1-r2)/r1>30%時(shí)，溶質(zhì)和溶劑之間（

）

答案:不生成固溶體A1型晶體結(jié)構(gòu)是（

）

答案:面心立方無極化的離子晶體中，正負(fù)離子半徑比為1時(shí)，其配位數(shù)為（

）

答案:12純粹共價(jià)鍵化合物不易形成玻璃。（

）

答案:對(duì)在還原性氣氛中燒結(jié)時(shí)，容易產(chǎn)生非化學(xué)計(jì)量化合物。（

）

答案:對(duì)少量溶解在KCl中，以負(fù)離子為基準(zhǔn)書寫的反應(yīng)方程式為（

）

答案:晶面族是指相互平行、原子排列完全一致的多組晶面。(

)

答案:錯(cuò)位錯(cuò)線與原子滑移方向（伯氏矢量b）平行的是（

）

答案:螺位錯(cuò)對(duì)于置換型固溶體，當(dāng)晶體結(jié)構(gòu)相同和電價(jià)相同，離子尺寸差Δ=(r1-r2)/r1<15%時(shí)，溶質(zhì)和溶劑之間（

）

答案:可以生成連續(xù)型固溶體關(guān)于晶面間距，下列說法正確的有（

）。

答案:每一種晶體都有一套特征的晶面間距;高指數(shù)的晶面間距則較小;低指數(shù)的晶面間距較大下列屬于晶帶軸[111]的晶面有：（

）。

答案:下列屬于<110>晶向族的晶向有哪些？（

）

答案:[110];[100]關(guān)于等徑球最緊密堆積，下列說法正確的是（

）。

答案:面心立方按ABCABC…層序密堆積;六方是按ABAB…層序密堆積置換剛玉晶胞中的2個(gè)3價(jià)鋁離子，便形成鈦鐵礦型結(jié)構(gòu)，置換方式有（

）。

答案:2價(jià)和4價(jià)的兩種陽離子;1價(jià)和5價(jià)的兩種陽離子符合從熔體向晶體轉(zhuǎn)變過程的是（

）。

答案:熱效應(yīng)大;性質(zhì)發(fā)生突變;產(chǎn)生新相;具有固定溫度硅酸鹽熔體中（

）可以使表面張力降低。

答案:O/Si比值變小;聚合陰離子團(tuán)變大我國新材料重點(diǎn)發(fā)展方向包括（

）。

答案:前沿新材料;先進(jìn)基礎(chǔ)材料;關(guān)鍵戰(zhàn)略材料下列具有反螢石型結(jié)構(gòu)的化合物有（

）。

答案:結(jié)構(gòu)材料是利用材料的(

)。

答案:強(qiáng)度;韌性;硬度下列屬于<123>晶向族的晶向有（

）。

答案:關(guān)于不等徑球堆積的說法正確的是（

）。

答案:稍小球體填充在四面體空隙;稍大球體填充在八面體空隙;較大球體作緊密堆積，較小球體填充在空隙中;不等徑球堆積的空間利用率可能超過74%下列屬于離子晶體的有（

）。

答案:氯化鉀;氯化鈉選項(xiàng)中屬于晶帶軸[110]的晶面有（

）。

答案:關(guān)于金紅石的晶胞結(jié)構(gòu)（如圖），下列說法下確的有（

）。

答案:陽離子配位數(shù)為6;形成體心四方點(diǎn)陣;陰離子配位數(shù)為3晶體中，

作面心立方堆積，如圖所示，下列說法正確的是（

）。

答案:配位數(shù)為8;占據(jù)所有四面體間隙;配位數(shù)為4關(guān)于不同類型晶體的滑移，下列說法正確的是（

）。

答案:離子晶體中正負(fù)離子吸引，滑移困難;金屬晶體中滑移系統(tǒng)越多，滑移越容易;金屬晶體質(zhì)點(diǎn)結(jié)合無方向性和飽和性，滑移容易;共價(jià)晶體質(zhì)點(diǎn)結(jié)合力大，滑移困難關(guān)于晶向指數(shù)說法正確的是（

）。

答案:若晶向的某坐標(biāo)值為負(fù)，則需相應(yīng)指數(shù)上加負(fù)號(hào)。;若晶向所指的方向相反，則晶向數(shù)字相同但符號(hào)相反。;晶向指數(shù)代表在空間相互平行且方向一致的所有晶向。下列屬于<112>晶向族的晶向有（

）。

答案:重建性轉(zhuǎn)變的特點(diǎn)包括（

）。

答案:轉(zhuǎn)變速度慢;有舊鍵斷裂和新鍵形成;需要的能量大在書寫點(diǎn)缺陷符號(hào)時(shí)，右上標(biāo)為?表示帶（

）個(gè)電荷。

答案:+1少量KCl溶解在中，以正離子為基準(zhǔn)書寫的反應(yīng)方程式為（

）

答案:正負(fù)離子半徑比：

正離子的配位多面體結(jié)構(gòu)為：（

）。

答案:正四面體

答案:(421)原子之間通過共用電子對(duì)或通過電子云重疊而產(chǎn)生鍵合的晶體是（

）

答案:共價(jià)晶體金剛石屬于（

）

答案:共價(jià)晶體

答案:[201]化學(xué)組成相同的物質(zhì)形成不同的晶體結(jié)構(gòu)，這種現(xiàn)象稱為（

）

答案:同質(zhì)多晶正負(fù)離子半徑比：

正離子的配位多面體結(jié)構(gòu)為：（

）

答案:立方體鮑林規(guī)則是用于判斷離子化學(xué)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的（

）條規(guī)則。

答案:5固體表面吸附膜的存在使?jié)櫇裥阅埽?/p>

）。

答案:變差三條棱邊相等、三個(gè)夾角都等于90°的晶系是（

）

答案:立方在（

）中，兩個(gè)共頂連接的硅氧四面體以共用氧離子為中心處于中心對(duì)稱狀態(tài)。

答案:α-方石英式中的硅氧鍵屬于（

）。

答案:極性共價(jià)鍵在硅酸鹽晶體中，硅氧四面體的頂點(diǎn)，即氧離子最多被（

）個(gè)硅氧四面體所共用。

答案:2

答案:(112)對(duì)鈮酸鋰晶體施加電場(chǎng)時(shí)，其折射率會(huì)發(fā)生變化，這種效應(yīng)稱為（

）

答案:電光效應(yīng)表面活性組分的加入，使熔體的表面張力（

）。

答案:降低當(dāng)負(fù)離子配位多面體為八面體時(shí)，正離子的配位數(shù)為（

）

答案:6當(dāng)負(fù)離子配位多面體為立方體時(shí)，正離子的配位數(shù)為（

）

答案:8晶核生成速率與晶體生長速率的極大值所處的溫度相差越小，熔體越容易形成玻璃。（

）

答案:錯(cuò)位移性轉(zhuǎn)變只涉及鍵長和鍵角的調(diào)整。(

)

答案:對(duì)在等徑球最緊密堆積中，八面體空隙尺寸大于四面體空隙。(

)

答案:對(duì)不管對(duì)什么液體和固體，沾濕過程總能自發(fā)進(jìn)行。（

）

答案:對(duì)晶面指數(shù)代表了一組相互平行且無限大的晶面。(

)

答案:對(duì)大多數(shù)AX化合物都屬于NaCl型結(jié)構(gòu)。(

)

答案:對(duì)在鈦酸鈣晶體中，鈣離子與鈦離子一起形成面心立方堆積。(

)

答案:錯(cuò)晶體結(jié)構(gòu)中的空間利用率最大值為0.74。(

)

答案:錯(cuò)新材料成為我國經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)調(diào)整的重要引擎和創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展的關(guān)鍵導(dǎo)向。(

)

答案:對(duì)對(duì)烴類高分子來說，扭曲的曲折鏈晶體結(jié)構(gòu)是具有最低位能的構(gòu)象。（

）

答案:錯(cuò)熱缺陷包括弗倫克爾缺陷和肖特基缺陷。（

）

答案:對(duì)在空間點(diǎn)陣中，每個(gè)陣點(diǎn)周圍的環(huán)境一定是相同的。(

)

答案:對(duì)離子晶體中，正離子的配位數(shù)越多越穩(wěn)定。(

)

答案:對(duì)鈦鐵礦和剛玉的晶體結(jié)構(gòu)是相同的。(

)

答案:對(duì)螢石的硬度、熔點(diǎn)和密度比NaCl更高。(

)

答案:對(duì)組成晶體的基元數(shù)量和大小關(guān)系都相同，其結(jié)構(gòu)類型相同。(

)

答案:錯(cuò)負(fù)離子往往不易被極化。(

)

答案:錯(cuò)晶向族包含了原子排列周期相同的所有晶向。(

)

答案:對(duì)要使鋪展過程能自發(fā)進(jìn)行，鋪展系數(shù)必須小于或者等于0。

（

）

答案:錯(cuò)六方晶系中，4指數(shù)的晶向指數(shù)在必要時(shí)可按一定的規(guī)則轉(zhuǎn)換成3指數(shù)的。(

)

答案:對(duì)珠光體組織的相組成為（）

答案:鐵素體+滲碳體二元相圖中，關(guān)于低共熔點(diǎn)的描述錯(cuò)誤的是（）

答案:兩相共存三元系統(tǒng)中的組成點(diǎn)愈靠近某個(gè)頂點(diǎn)，該頂點(diǎn)所代表的組元含量就愈高，這是（）

答案:背向線規(guī)則在單元非凝聚系統(tǒng)相圖中，固液界線上的相數(shù)和自由度分別為（）

答案:2，1關(guān)于不一致熔融化合物的描述錯(cuò)誤的是（）

答案:有固定的熔點(diǎn)菲克第一定律中的負(fù)號(hào)表示擴(kuò)散方向與濃度梯度方向（）。

答案:相反在間隙固溶體中，溶質(zhì)原子的擴(kuò)散方式一般