2024年長光華芯研究報告：多材料體系布局的中國激光芯領先公司1.聚焦半導體激光行業1.1.半導體激光行業龍頭，“橫向+縱向”深度布局提升競爭力奠定技術基礎（2012-2015）：2012年，長光華芯正式成立，不斷夯實鞏固核心技術團隊，服務于國家戰略高技術產業、科研市場，建成包括芯片設計、封裝測試、光纖耦合等工藝產線。2013年，實現光纖耦合模塊、陣列模塊的全面量產。構建產業化戰略（2016-2018）：進軍工業市場；確立公司發展戰略；全面進入VCSEL芯片、高速光通信芯片、直接半導體激光器方向。2017年，率先推行976nm光纖激光器泵浦方案；推出360w200μm976nm波長鎖定光纖耦合模塊產品。2018年，建立VCSEL芯片6吋線；成立激光系統事業部，縱向延伸；推出1000w940nm巴條芯片和多款光纖耦合模塊產品。2020年，推出18W、25W高功率半導體單管芯片；推出VCSEL面發射半導體激光芯片；導入InP光通信芯片制造工藝和產線。聚力發展高地（2018-2021）：與蘇州高新區政府共建蘇州半導體激光創新研究員獲批國家級創新中心。2019年，推出15w高功率半導體單管芯片；推出600w200μm976nm光纖耦合模塊；推出各系列直接半導體激光器。2020年，開發10GAPD和L波段高功率10GEML產品。新起點新征程（2021-至今）：2021年，實現30W高功率半導體單管芯片的量產。2022年正式登錄科創板，榮獲“江蘇省科學技術一等獎”引領行業發展，10GAPD和L波段高功率10GEML兩款產品批量供貨。2023年，50GPAM4VCSEL開始出貨；推出56GBdPAM4EMLCoC產品，榮獲第十屆訊石英雄榜優秀技術獎；推出100mWCWDFB。專注半導體激光行業，秉承“一平臺、一支點、橫向擴展、縱向延伸”發展戰略。“一平臺”是以蘇州半導體激光創新研究院為平臺，打造可持續領先的研發能力和新方向拓展能力；“一支點”是指高功率半導體激光芯片的核心技術及全流程制造工藝，保持核心技術競爭力；“橫向擴展”是依托“支點”優勢，從高功率半導體激光芯片擴展至VCSEL芯片及光通信芯片，將產品應用領域拓展至消費電子、激光雷達等；縱向延伸是結合公司高功率半導體激光芯片的優勢，縱向延伸至激光器件、模塊及直接半導體激光器。公司憑借橫向、縱向產業布局形成的綜合服務能力，不斷提升在國內及國際市場的競爭力。1.2.重視匯聚專業人才，研發組織結構有機協調無控股股東和實際控制人，積極引進戰略投資。截至2024年3月23日，公司第一大股東為華豐投資，直接持股18.38%，根據公司招股說明書，華豐投資未從事私募基金募集、管理業務，不參與公司日常經營管理工作。第二大股東蘇州英鐳直接持股14.82%，蘇州英鐳為公司核心管理層持股平臺，蘇州英鐳合伙人包括王俊、廖新勝、閔大勇和潘華東，出資比例分別為50.40%、25.80%、13.38%和10.42%。第三大股東長光集團，直接持股6.54%，是中科院長光所全資的事業單位資產管理公司。公司因供應安全戰略需要，于2020年12月引入哈勃投資，哈勃投資是華為旗下的投資公司，主要從事創業投資業務，投資領域為第三代半導體（碳化硅）、EDA工具、芯片設計、激光設備、半導體核心材料等多個領域，截至2024年3月，持有公司3.74%的股份。核心技術人員擁有多年技術研發及運營管理經驗。閔大勇先生作為公司的董事長、總經理，具有多年激光行業管理經驗，主要負責公司研發成果的市場轉化及激光應用工藝開發。王俊先生作為公司的董事、常務副總經理，研發并掌握了外延、鍍膜、封裝、老化測試等核心技術，領導公司實現以芯片為主的產業化，建立國內領先、國際先進、國內規模較大的高功率半導體激光芯片生產線，以此帶動相關器件、模塊及系統的產業化升級。潘華東先生作為公司副總經理，主持了公司生產制造的自動化升級，基于其在光電領域超16年的從業經驗及對半導體激光器產品與應用的深刻理解，不斷帶動公司光纖耦合產品技術的提高。以研發中心為核心，各部門有機協調的研發組織結構。研發中心以技術中心辦公室及分析中心為輔助兩翼，以外延技術部、光學技術部、器件技術部、巴條技術部、VCSEL技術部及光通信技術部為主體。公司結合自身業務結構、行業特點及市場情況，確定研發方向，根據研發方向由相應部門成立研發項目組，研發活動由研發項目主管牽頭，項目經理、工程師等參與執行。公司研發人員結構完善合理，研發團隊經驗豐富，不存在對特定核心技術人員單一依賴的情形。1.3.打造多系列產品矩陣，高功率單管系列產品營收占比超70%專注激光行業核心元器件的研發、制造與銷售，形成多系列產品矩陣。公司不斷創新生產工藝，布局產品線，已形成由半導體激光芯片、器件、模塊及直接半導體激光器構成的四大類、多系列產品矩陣，為半導體激光行業的垂直產業鏈公司，主要產品包括高功率單管系列產品、高功率巴條系列產品、高效率VCSEL系列產品及光通信芯片系列產品等。公司產品可廣泛應用于：光纖激光器、固體激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、激光智能制造裝備、國家戰略高技術、科學研究、醫學美容、激光雷達、3D傳感、人工智能、高速光通信等領域。橫向擴展：高效率VCSEL芯片和光通信芯片產品。公司依托邊發射芯片的技術水平，向面發射芯片擴展，從GaAs（砷化鎵）材料體系擴展到InP（磷化銦）材料體系，構架了邊發射和面發射兩種結構的技術工藝平臺，以此橫向擴展了高效率VCSEL芯片產品和光通信芯片產品，基本實現對主流市場VCSEL芯片需求的覆蓋，在光通信芯片系列產品方面，公司已具備晶圓制造、芯片加工、封裝測試的全流程生產能力。縱向延伸：實現芯片→器件→模組→半導體激光器全產業鏈布局。以公司高功率單管系列產品為例，產品包括單管芯片、器件、光纖耦合模塊和直接半導體激光器系列，其中單管器件的核心部件是單管芯片，光纖耦合模塊的核心部件是單管器件，直接半導體激光器的核心部件是光纖耦合模塊，四類產品存在上下游聯系。其中，單管芯片系核心產品，單管器件、光纖耦合模塊和直接半導體激光器系通過單管芯片封裝、耦合制成，相關產品最終應用于激光加工、激光切割等工業領域。高功率單管系列產品營收占比保持70%以上。公司依托在半導體激光芯片領域的一系列核心技術，成功研發了一系列核心技術產品，主要包括半導體激光芯片及其器件、模塊、直接半導體激光器。高功率單管系列產品為公司主營業務收入最主要的組成部分，占主營業務收入的比重始終在70%以上，且總體呈上升趨勢。2018至2023年，高功率巴條產品占主營業務收入的比重分別為20.86%、24.54%、10.37%、13.07%、7.77%和9.68%。1.4.營業收入短期承壓，持續加大研發投入擴產能疊加弱需求，營業收入短期承壓。2018-2021年，長光華芯收入高速增長，從2018年的0.92億元增至2021年4.29億元，2020年扭虧為盈，2021年歸母凈利潤達到1.15億元。2022、2023年公司營業收入分別為3.86、2.9億元，同比下降10%、25%，主要系：1）宏觀經濟環境等因素的影響，市場信心不足，激光器市場需求持續疲軟；2）行業競爭加劇，公司價格策略進行調整；3）產能利用率不足，存貨水平較高，部分存貨出現減值現象等。2024年一季度營收及利潤均下滑，主要原因：1）由于春節前后人員波動，公司部分產線環節出現產能瓶頸，影響產出；2）受一季度收入下降、產出不足影響，單位攤銷成本增加，影響了利潤水平。3）科研類模塊由于生產難度大，出現產出不足、不能完全交付情況。公司已針對性調整，目前瓶頸已克服，二季度努力提升營收。毛利率總體有所下滑，持續加大研發投入。2018-2023年公司綜合毛利率分別為30.97%/36.03%/31.35%/52.82%/51.57%/33.54%。2021年公司主營業務毛利率較2020年上升21.74個百分點，主要系高功率單管系列產品和高功率巴條系列產品毛利率均出現上升。2022年綜合毛利率水平維持在50%以上，VCSEL芯片系列毛利降低較多，主要由于產品處于小批量導入階段，毛利受相應的產品結構構成影響。2023年公司毛利率有所下降，主要系年初公司價格策略調整及激光器整體市場價格變化。2022年隨著新廠區的投入使用，生產研發條件得到大幅度提升，公司也持續加大對高功率芯片和模塊方向、VCSEL產品方向、光通信產品方向的投入，2023年研發費用1.19億元，研發投入占營業收入比例40.98%。高度重視聚集和培養專業人才，積極實行股權激勵。公司已構建一批高層次的人才隊伍，包括多名國家級人才專家、省級領軍人才等。截至2023年末，公司研發人員數量為144人，占員工總數的30.50%，碩士及以上學歷研發人員占比45.14%。公司通過蘇州英鐳、蘇州芯誠、蘇州芯同對公司員工實行股權激勵。蘇州英鐳為公司核心管理團隊間接持有公司股份的持股平臺，蘇州芯誠、蘇州芯同為公司骨干員工間接持有公司股份的持股平臺。IPO募投項目重點進行產能擴張。公司IPO募投項目為“高功率激光芯片、器件、模塊產能擴充項目”、“垂直腔面發射半導體激光器（VCSEL）及光通訊激光芯片產業化項目”及“研發中心建設項目”，截至2023年底，三個項目累計投入進度分別為81%/64%/82%。高功率激光芯片、器件、模塊產能擴充項目建成后，公司每年將新增高功率半導體激光芯片的產能規模，有效解決公司產能瓶頸問題，預計項目達產年營業收入11.7億元。垂直腔面發射半導體激光器（VCSEL）及光通訊激光芯片產業化項目有助于公司產品擴展到消費電子和光通信領域，預計項目達產年營業收入2.9億元。2.產品、材料體系布局逐步完善，技術實力領先2.1.IDM全流程工藝，擴展新材料平臺常見的半導體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導體及砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物半導體材料。單元素半導體材料，即以單一元素構成的半導體材料，主要包括硅（Si）、鍺（Ge）；III-V族化合物半導體材料，即以III-V族元素的化合物構成的半導體材料，主要包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）；寬禁帶半導體，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表，具有高禁帶寬度、耐高壓和大功率等特點，在通信、新能源汽車等領域前景廣闊。產業界根據材料出現的時間先后，分別將單元素半導體材料、III-V族化合物半導體材料、寬禁帶半導體材料稱為一、二、三代半導體材料。半導體激光芯片是采用半導體芯片制造工藝，以電激勵源方式，以半導體材料為增益介質，將注入電流的電能激發，從而實現諧振放大選模輸出激光，實現電光轉換。其增益介質與襯底主要為摻雜III-V族化合物的半導體材料，如GaAs（砷化鎵），InP（磷化銦）等。IDM全流程工藝平臺，助力生產效率及技術迭代。半導體行業的經營模式主要分為IDM（IntegratedDeviceManufacture，垂直整合制造）模式與Fabless（無晶圓廠）模式。長光華芯已建成覆蓋芯片設計、外延、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺，以下游終端用戶為主要服務對象，更好地理解客戶需求，按需生產不同功能的激光芯片及其器件，從而使生產更具彈性，有效提升生產效率；同時，在下游終端客戶的引領下，快速迭代，持續開展技術和產品創新，在深度及廣度上覆蓋下游客戶日益增長的新需求。布局GaAs、InP、GaN三大材料體系，邊發射、面發射兩大產品結構。公司采用IDM模式進行半導體激光芯片的研發、生產與銷售，掌握半導體激光芯片核心制造工藝技術關鍵環節，已建成2吋、3吋及6吋半導體激光芯片量產線，構建了GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）、GaN（氮化鎵）三大材料體系，建立了邊發射和面發射兩大工藝技術和制造平臺，具備各類以GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）、GaN（氮化鎵）為襯底的半導體激光芯片的制造能力。目前2吋量產線主要用于公司新方向氮化鎵，3吋量產線為半導體激光行業內的主流產線規格，而6吋量產線為該行業內最大尺寸的產線。2.2.注重核心技術研發，打造半導體激光芯片領域的核心能力公司主要核心技術均為自主研發，包括器件設計及外延生長技術、FAB晶圓工藝技術、腔面鈍化處理技術及高亮度合束及光纖耦合技術等。公司針對行業和市場發展動態，逐步探索并明確研發方向及產品演進路線，建立健全研發體系和研發管理制度，加強對研發組織管理和研發過程管理，不斷強化芯片設計、晶圓制造、芯片加工及封裝測試等工藝積累，在核心技術方面屢獲突破，打造了自身在半導體激光芯片領域的核心能力。器件設計及外延生長技術：公司通過分析研究金屬有機化合物氣相沉積（MOCVD）外延生長條件，主要包括原材料特性、氣場與溫場均勻性、生長參數（溫度、壓力、III/V比）、界面生長條件等，提高外延晶體質量，從而提升內量子效率等半導體激光器的重要內部參數性能，達到提升輸出功率及效率的目的。公司通過研究外延晶體缺陷及界面缺陷的形成機制及對激光器性能的影響、外延層特別是有源區的界面狀態對于芯片內部參數的影響，控制外延生長條件，實現陡峭的界面分布。FAB晶圓工藝技術：公司通過FAB晶圓工藝技術，提高圖形的準確性、刻蝕溝道深度的均勻性、鈍化層的絕緣性、電極合金化的歐姆電阻等，確保半導體激光芯片性能的一致性和可靠性，對提高晶圓的良率至關重要。2.3.產品系列完整、性能國內領先產品性能達到國際先進水平，處國內領先地位。2023年2月，公司開發了更高功率芯片寬條寬半導體激光芯片，在業內首次推出最大功率超過66W的單管芯片，芯片條寬290μm，最大效率超過70%，工作效率超過63%，這是迄今已知報道的條寬在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。2023年上半年，公司推出了9XXnm50W高功率半導體激光芯片，在寬度為330μm發光區內產生50W的激光輸出，光電轉化效率高（大于等于62%），現已實現大批量生產、出貨，是目前市場上量產功率最高的半導體激光芯片。另外，公司9XXnm光纖激光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固體激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度地節約單瓦材料成本。光通信方面，公司已向市場批量供應高速光通信激光芯片、光電探測器芯片等多個產品類別，產品性能指標先進。目前長光華芯10GEML、100mWCWDFB、50GPAM4VCSEL、56GBdPAM4EMLCoC等多款產品已向市場批量供應，應用覆蓋接入網、數據中心場景下的10G、100G-800G速率的多種應用。長光華芯競爭對手主要分為兩類：一類是起步較早、綜合實力相對較強的國外企業，一類是細分領域實力較強的國內企業。從整個半導體激光行業來看，美國和歐洲起步較早，技術上具備領先優勢，半導體激光芯片及器件廠商仍以國外企業為主，主要是貳陸集團、朗美通、IPG光電等國際巨頭，上述企業同時從事下游的廣泛業務，綜合實力相對較強。國內競爭對手包括武漢銳晶、華光光電、縱慧芯光、炬光科技、凱普林、星漢激光等，其中武漢銳晶、華光光電從事半導體激光芯片業務，縱慧芯光主要從事VCSEL芯片的研發及設計業務，炬光科技、凱普林、星漢激光主要以對外采購高功率半導體激光芯片進行封裝生產模塊為主，另外，炬光科技還從事部分激光光學業務，處于長光華芯的上游環節。3.GaAs領域：打造半導體激光垂直產業鏈3.1.激光產業核心，產品實力得到客戶認可激光器居于整個激光產業鏈的核心中樞位置，其性能直接決定激光設備輸出光束的質量和功率。激光器主要由光學系統、電源系統、控制系統和機械機構四個部分組成，其中光學系統主要由泵浦源（激勵源）、增益介質（工作物質）和諧振腔等光學器件材料組成，高功率半導體激光芯片是激光器的核心器件。增益介質受激后產生光子從而生成并放大激光。諧振腔是光子特性（頻率、相位和運行方向）的調節場所，通過控制腔內光子振蕩來獲得高質量的輸出光源。半導體激光器能量轉化率高，應用廣泛。根據增益介質的不同，激光器可以分為固態（含固體、半導體、光纖、混合）、液體激光器、氣體激光器等。其中，半導體激光器在各類激光器中擁有最佳的能量轉化效率，一方面可以作為光纖激光器、固體激光器等多種光泵浦激光器的核心泵浦源使用，另一方面，隨著半導體激光技術在功率、效率、亮度、壽命、多波長、調制速率等方面的不斷突破，半導體激光器被廣泛直接應用于材料加工、醫療、光通信、傳感、國防等領域。半導體激光芯片是產業鏈中游各類激光器的核心泵浦光源。產業鏈上游是激光芯片、光電器件等，是激光產業的基石，準入門檻較高。產業鏈中游是利用上游激光芯片及光電器件、模組、光學元件等作為泵浦源進行各類激光器的制造與銷售；下游行業主要指各類激光器的應用領域。公司生產的高功率半導體激光芯片是產業鏈中游各類光泵浦激光器的核心泵浦光源，包括光纖激光器、固體激光器、液體激光器等，屬于工業激光器生產制造的核心元器件。高功率、高效率、高可靠性，產品實力得到下游知名客戶認可。在工業激光器領域，公司生產的高功率半導體激光芯片、器件及模塊等產品已作為泵浦源廣泛應用于工業激光器的量產，公司半導體激光芯片系列產品具有高功率、高效率、高可靠性特點，是工業激光器的核心器件，憑借深厚的研發實力、持續的創新能力，公司積累了如銳科激光、創鑫激光、大族激光、杰普特、飛博激光等行業龍頭及知名企業客戶。在國家戰略高技術及科研領域，公司的高功率巴條系列產品可實現連續（CW）50-250W激光輸出，準連續脈沖（QCW）500-1000W激光輸出，電光轉換效率63%以上，廣泛應用于固態激光器、堿金屬激光器的研制等，已服務于多家國家級骨干單位。3.2.受益于下游需求及國產化浪潮全球激光產業市場發展迅猛，我國激光設備市場迎發展機遇期。根據《2022中國激光產業發展報告》，2021年全球激光設備市場銷售收入約為210.1億美元，2018-2021年年均復合增長率約為15.15%，預計2023年全球激光設備市場銷售收入將達到267.2億美元。隨著新冠后國民經濟的持續復蘇、傳統制造業轉型升級的進一步推進以及激光技術不斷發展成熟，各行業對激光設備的需求將不斷增長，我國激光設備市場將迎來較長的發展機遇期。根據《2022中國激光產業發展報告》數據，2021年我國激光設備行業市場規模達到821億元，預計2023年國內激光設備行業市場規模將達到994億元。激光行業下游應用廣泛，政策出臺助力行業發展。激光裝備的下游應用領域非常廣泛，涉及電子信息、裝備制造、通訊、交通設備、醫療設備、航空航天、石油管道、增材制造等諸多重要工業領域。激光技術是我國制造業轉型升級的關鍵支撐技術之一，因此我國政府高度重視發展激光產業。近幾年，我國出臺了一系列支持激光器行業發展的相關政策。中國激光器市場規模呈增長趨勢，工業及信息領域為激光器下游主要應用領域。2020年中國激光器市場規模已達109.1億美元，同比增長7.16%，占全球激光器市場66.12%的份額。2022年中國激光器市場規模增速加快，達到147.4億美元，根據預計，2023年將繼續保持增長，市場規模將達169.5億美元。根據中國科學院武漢文獻情報中心數據顯示，2021年工業領域激光設備市場占比最大，達到62%。低功率光纖激光器基本實現國產化，高功率激光器正當時。根據中國科學院武漢文獻情報中心發布的數據，從市場滲透率來看，在1-3KW功率段光纖激光器市場，2022年國產光纖激光器市場份額達97.3%，已基本實現國產化；在3-6KW功率段光纖激光器市場，國產激光器滲透率由2018年的15.8%迅速提升至2022年的95.7%；在6-10KW功率段光纖激光器市場，2022年國產滲透率達到58.6%。在10KW以上功率段光纖激光器市場，國產激光器滲透率更是從2018年的5.7%快速增長至2022年的64.1%。激光武器裝備市場規模不斷增長，巴條系列產品空間廣闊。在國家戰略高技術及科學研究領域，公司的高功率巴條系列產品可實現連續脈沖（CW）50-250W激光輸出，準連續脈沖（QCW）500-1000W激光輸出，廣泛應用于固體激光器等激光器的研制，服務于多家國家級骨干單位。根據GII數據，中國軍用激光武器系統市場預計將從2023年的4910萬美元增長到2029年的8610萬美元，復合年增長率為9.81%。3.3.完善VCSEL產品線，有望打開3D傳感+激光雷達市場半導體激光芯片根據諧振腔制造工藝的不同分為邊發射激光芯片（EEL）和面發射激光芯片（VCSEL）兩種。EEL芯片是在芯片的兩側鍍光學膜形成諧振腔，沿平行于襯底表面發射激光，而VCSEL芯片是在芯片的上下兩面鍍光學膜，形成諧振腔，由于光學諧振腔與襯底垂直，能夠實現垂直于芯片表面發射激光。VCSEL有低閾值電流、穩定單波長工作、可高頻調制、容易二維集成、沒有腔面閾值損傷、制造成本低等優點。正是由于VCSEL特點，其可應用于3D傳感、激光雷達以及近距離光通信等領域。消費電子領域3D傳感需求不斷增長。2017年，蘋果將3D結構光技術應用于iphoneX，使得iphoneX成為率先大規模使用3D傳感功能的消費電子終端，3D傳感迎來了大規模商用的契機。隨著蘋果的示范效應，華為、三星、Oppo等手機廠商陸續在旗艦機攝像頭模塊中采用3D方案。在整個消費電子領域，除手機外，AR/VR、物聯網、自動駕駛等使用場景對3D機器視覺的需求也在不斷增長，特別是5G和AI兩大重要技術的市場發展，其應用市場規模不斷增加。根據Yole預測，2022年，全球VCSEL市場規模約9.78億美元，到2028年將增長至14.01億美元，年復合增長率6%，其中消費電子領域VCSEL規模預計從2022年的7.98億美元增至2028年的9.74億美元，復合增長率3%。國內外激光雷達市場進入快速增長期。在汽車產業轉型升級的背景下，激光雷達已成為中國智能汽車產業發展的重要引擎。隨著人工智能技術的不斷突破和升級，在自動駕駛需求擴大、激光雷達在先進輔助駕駛中的滲透率不斷提高以及機器人和智慧城市建設需求的推動下，中國激光雷達市場進入了快速增長期。根據Yole預測，2022年中國激光雷達的市場規模為3.66億美元，預計2023年中國激光雷達市場規模將達到10億美元，2024年將達到19.4億美元。全球汽車激光雷達市場預計也將從2022年的3.17億美元增長到2028年的44.77億美元。長光華芯VCSEL芯片迎合市場變化，也主要應用于三個方面：1、消費電子，主要用于手機、AR/VR等終端應用、3D傳感領域；公司將于下一階段在3D傳感領域形成規模銷售；2、光通信，短距離傳輸，應用于數據中心；3、車載激光雷達芯片：公司產品已通過車規IATF16949和AECQ認證。2023年，公司推出多款車載激光雷達新品，長光華芯VCSEL雷達產品覆蓋主雷達及補盲雷達，波長覆蓋905-940nm波段，功率覆蓋30-1000W，最高電光轉化效率達70%以上。4.擴張材料體系：InP、GaN、SiC有望成為下一個增長點4.1.InP：多年布局，CW、100GEML未來有望批量光通信芯片是光電技術產品的核心，實現電信號和光信號之間的相互轉換。光通信傳輸過程中，發射端將電信號轉換成激光信號，然后調制激光器發出的激光束，通過光纖傳遞，在接收端接收到激光信號后再將其轉化為電信號，經調制解調后變為信息。光通信芯片廣泛應用于5G前傳、光接入網絡、城域網和數據中心等場景，處于光通信領域的金字塔尖。現有材料平臺中，磷化銦平臺主要面向光通信，包括發射端和接收端，公司已經在兩端均提供了量產產品，且未來產品線有望進一步豐富。低速率光芯片已基本實現國產化，高速率光芯片仍有較大國產拓展空間。根據ICC數據，截至2022年底，2.5G及以下速率光芯片國產化率超過90%，國外光芯片廠商由于成本競爭等因素，已基本退出相關市場；10G光芯片國產化率約60%，我國光芯片企業已基本掌握10G光芯片的核心技術，但部分型號產品仍存在較高技術門檻，依賴進口。根據LightCounting并結合行業數據測算，2021全球25G及以上光芯片市場規模為107.55億元，其中25G光芯片國產化率約20%，25G以上光芯片主要應用于移動通信網絡市場和數據中心市場，國產化率僅5%，目前仍以海外光芯片廠商為主。公司100GEML、CW、50GVCSEL準備就緒，為400G/800G超算數據中心互連光模塊的核心器件。下一代數據中心應用400G/800G傳輸速率方案，傳統DFB激光器芯片短期內無法同時滿足高帶寬性能、高良率的要求，需考慮采用EML激光器芯片以實現單波長100G的高速傳輸特性。長光從2010年開始布局磷化銦激光芯片產線，憑借多年攻關以及在高功率半導體激光器領域的深厚積累，公司光通信芯片系列產品性能指標先進，10GEML、100mWCWDFB、50GPAM4VCSEL、單波100GEML(56GBdEML通過PAM4調制)等多款產品已向市場送樣驗證和部分批量供應，應用覆蓋接入網、數據中心場景下的10G、100G-800G速率的多種應用。4.2.GaN：填補國內藍綠光激光器領域產業化空白GaN半導體激光器覆蓋波普范圍廣，需求廣闊且增長態勢良好。第三代半導體材料（寬禁帶半導體）氮化鎵GaN以及其合金氮化物是直接帶隙半導體，其可調節的能帶寬度使其發光波長覆蓋從深紫外、可見光直至紅外的寬廣的波譜范圍。氮化鎵半導體激光器具有直接發光、高效率、高穩定性等優勢，藍光和綠光波段的GaN激光器產品，已經在激光加工（有色金屬加工、激光直寫）、激光顯示（激光大屏電視，XR微投影）、激