場效應(yīng)管符號

MOSFET的分類

N型襯底制成的管子，其漏－源區(qū)是P型的，稱為P溝MOS場效應(yīng)管；

P型材料制成的管子，其漏－源區(qū)是N型的，稱為N溝MOS場效應(yīng)管。

場效應(yīng)管符號N溝道增強(qiáng)型MOSFET管，襯底箭頭向里。漏、襯底和源、分開，表示零柵壓時溝道不通。表示襯底在內(nèi)部沒有與源極連接。N溝道耗盡型MOSFET管。漏、襯底和源不斷開表示零柵壓時溝道已經(jīng)連通。

N溝道結(jié)型FET管。沒有絕緣層。如果是P溝道，箭頭則向外。

MOSFET的四種類型P溝耗盡型：柵壓為零時，溝道已存在，加上一個正的柵壓可以使P型溝道消失。P溝增強(qiáng)型：柵壓為零時，溝道不存在，加上一個負(fù)的柵壓才能形成P型溝道。

N溝增強(qiáng)型：柵壓為零時，溝道不存在，加上一個正的柵壓才能形成N型溝道。

N溝耗盡型：柵壓為零時，溝道已存在，加上一個負(fù)的柵壓才能使N型溝道消失。

圖4.6各類場效應(yīng)晶體管的特性曲線絕緣柵場效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型P溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管

N溝道耗盡型P

溝道耗盡型結(jié)型場效應(yīng)管

N溝道耗盡型P溝道耗盡型雙極型和場效應(yīng)型三極管的比較

雙極型三極管

場效應(yīng)三極管結(jié)構(gòu)NPN型結(jié)型耗盡型N溝道P溝道 PNP型絕緣柵增強(qiáng)型N溝道P溝道絕緣柵耗盡型N溝道P溝道

C與E一般不可倒置使用D與S有的型號可倒置使用載流子多子擴(kuò)散少子漂移多子漂移輸入量電流輸入電壓輸入控制電流控制電流源CCCS(β)電壓控制電流源VCCS(gm)

雙極型三極管

場效應(yīng)三極管噪聲較大較小溫度特性受溫度影響較大較小，可有零溫度系數(shù)點輸入電阻幾十到幾千歐姆幾兆歐姆以上靜電影響不受靜電影響易受靜電影響集成工藝不易大規(guī)模集成適宜大規(guī)模和超大規(guī)模集成

場效應(yīng)三極管的參數(shù)和型號

(1)場效應(yīng)三極管的參數(shù)

①開啟電壓VGS(th)(或VT)

開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值,場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。

②夾斷電壓VGS(off)(或VP)

夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS(off)時,漏極電流為零。

③飽和漏極電流IDSS

耗盡型場效應(yīng)三極管,當(dāng)VGS=0時所對應(yīng)的漏極電流。

④輸入電阻RGS

場效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對于結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時RGS約大于107Ω，對于絕緣柵型場效應(yīng)三極管,RGS約是109～1015Ω。

⑤低頻跨導(dǎo)gm

低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對漏極電流的控制作用，這一點與電子管的控制作用相似。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求取，單位是mS(毫西門子)。

⑥最大漏極功耗PDM

最大漏極功耗可由PDM=VDSID決定，與雙極型三極管的PCM相當(dāng)。(2)場效應(yīng)三極管的型號

場效應(yīng)三極管的型號,現(xiàn)行有兩種命名方法。其一是與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)管，O代表絕緣柵場效應(yīng)管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應(yīng)三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應(yīng)三管。

第二種命名方法是CS××#，CS代表場效應(yīng)管，××以數(shù)字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。例如CS14A、CS45G等。幾種常用的場效應(yīng)三極管的主要參數(shù)見下表。

表2場效應(yīng)三極管的參數(shù)2024/5/16國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體三極管的命名如下:3

D

G

110B

第二位：A鍺PNP管、B鍺NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管

第三位：X低頻小功率管、D低頻大功率管、

G高頻小功率管、A高頻大功率管、K開關(guān)管用字母表示材料用字母表示器件的種類用數(shù)字表示同種器件型號的序號用字母表示同一型號中的不同規(guī)格三極管2024/5/16

表02.01雙極型三極管的參數(shù)

參

數(shù)型

號

PCM

mW

ICM

mAVR

CBO

VVR

CEO

VVR

EBO

V

IC

BO

μA

f

T

MHz3AX31D1251252012≤6*≥83BX31C1251254024≤6*≥83CG101C10030450.11003DG123C50050