[技術文章]平板電視維修人員的必備知識–MOSMOS管取代過去的大功率晶體三極管，使整機的效率、可靠性、故MOS管和大功率晶體三極管在構造、特性有著本質上的區別，在MOS管及其應用電路作簡樸介紹，以滿足維修人員需求。MOSMOS管的英文全稱叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金屬氧化物半導體型場效應管，屬于場效應管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為絕緣柵場效應管。在普通電子電路中，MOS管普通被用于放大電路或開關電路。它電極間是絕緣的。圖1-1所示A、B分別是它的構造圖和代表符號。P+P溝道（PNP型）MOS管。圖1-2A、BPMOS管道構造圖和代表符號。圖1-1- 圖1-1-圖1-2- 圖1-2-圖1-3- 圖1-3-有導電溝道（沒有電流流過ID=0。絕緣層中便產生一種柵極指向PVGS為2V）時，NID，我們把開始形成溝道時的柵-源極電壓源極-VGSVGSID的大小。這就能夠得出以下結論：NMOSPMOS管。MOS管生產的過程中襯底在出廠前就和源極連接，因此在符號的規則中；表達襯底的箭頭也必須和源極相連接，以區別漏極和源極。圖1-5-APMOS管的符號。DSG正電壓時導電溝道建立，NMOS管開始工作,如圖1-4-BPPNPDSG負電壓時，導電溝道建立，PMOS管開始工作,如圖1-5-B所示。圖1-4-AN溝道MOS管符 圖1-4-BN溝道MOS管電壓極性及襯底連圖1-5-AP溝道MOS管符號 圖1-5-BP溝道MOS管電壓極性及襯底連接5、MOS管和晶體三極管相比的重要特性；1它們的作用相似，圖1-6-ANMOSNPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所PMOSPNP型晶體三極管引腳對應圖。圖1-6-A圖1-6-流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數（β）當基極電流變化一毫安時能引發集IB決定集IC。因此場效應管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。三極管的集電極與發射極交換使用時，其特性差別很大，b值將減小諸多。（Vb×Ib、開關速度快:MOSFET的開關速度和輸入的容性特性的有很大關系，由于輸入容性特輸入采用了后述的“灌流電路”驅動，加緊了容性的充放電的時間。MOSFET只靠多子導電達100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數載流子的存儲效應，使開關總有滯后現象，影響開關速度的提高（現在采用MOS管的開關電源其工作頻率能夠容易的做到100K/S～150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的。、無二次擊穿；由于普通的功率晶體三極管含有當溫度上升就會造成集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現象，而集電極電流的上升又會造成溫度進一步的上升，溫度進一步VCEO隨管這是一種造成電視機開關電源管和行輸出管損壞率占9%MOS管含有和普通晶體三極管相反的溫度～（或環境溫度IDSIS=10AMOSETGS250CIS=3000CIDS減少到2A，ISMOSMOSMOS管替代過去的普通晶體三極管后，開關管損壞率大大減少也是一種極好的證明。普通晶體三極管在飽和導通是，幾乎是直通，有一種極低的壓降，稱為飽和壓降，既然有一種壓降，那么也就是；普通晶體三極管在飽和導通后等效是一種阻值極小的電阻，但是這個等效的電阻是一種非線性的電阻（電阻上的電壓和流過的電流不能符合歐姆定律MOS管作為開關管應用，在飽和導通后也存在一種阻值極小的電阻，但是這個電阻等效一種線性電阻，其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過的電流符合歐姆定律的關系，電流大壓降就大，電流小壓降就小，導通后既然等效是一種線性元件，線性元件就能夠并聯應用，當這樣兩個MOS能夠多管并聯應用，且不必另外增加平衡方法（非線性器件是不能直接并聯應用的。MOSVDS能做到1000V，只能作為開關電源也是近期能實現的。【郝銘原創作品請勿轉載請勿鏈接】MOS管道導通開關管，如圖所示，在圖2-1AR為激勵信號內阻，電圖2-BRMOS開關管就能快速的“開”、“關”，確保了正常工作。由于激勵信號是有內阻的，信號MOS管的輸入部分，增加一種減少內阻、增圖2-如圖2-2-A所示（圖2-2-A和圖2-2-BCMOSS的等效電容。當激勵方波信號的負半周來屆時；晶體三極管Q1（NPN）截止、Q2（PNP）導通，MOSMOSQ3的快速的“關”，如圖2-2-B所示。圖2-2- 圖2-2-MOSSQ1在飽和導通圖2-3- 圖2-3-由于充電限流電阻的增加，使在激勵方波負半周時Q2導通時放電的速度受到限制（MOSMOS管，“開”與“關”的快速動作。2MOS管往往采用了圖2-4-A的電路方式。圖2-4- 圖2-4-（PNPMOS管輸入端等效電容充電(Q截止)，在當激勵方波負半周時，D截止，Q如果在此時關閉電源，MOS管的柵極就有兩種狀態；一種狀態是；放電狀態，柵極等效電容沒有電荷存儲，一種狀態是；充電狀態，柵極等效電容正好處在電荷充滿狀態，圖2-5-A所Q1、Q2也都處在斷開狀態，電荷沒有釋放的回路，MOS管柵極MOS管的漏極電源(VDS)隨機提供,在導電溝道的作用下，MOSIDMOS管燒壞。為了避免此現象產MOSR1，如圖2-5-B所示，關機后柵極存儲的電R1快速釋放，此電阻的阻值不可太大，以確保電荷的快速釋放，普通在5K～數10K圖2-5- 圖2-5-MOS管作為其它用途；例如線性放大等應用，就沒有必要設立灌流電MOS1V2PFC圖3-圖3-圖3-1V2PFC之間的Q3、Q4是灌流激勵管，Q3、Q4的基極輸入開關激勵信號，VCC-S-R是電二極管，R16Q2Q2柵極等效電容充電的限流電阻，D7【郝銘原創作品請勿轉載2V4PFC并聯了過壓保護二極管；ZD202、ZD201ZD204、ZD203圖3-3PFC部分激勵電路分析，圖3-4海信液晶電視32寸～46寸均采用該開關電源，電源采用了復合集成電路SMA—（PCPWM共用一塊復合激勵集成電路PFC開關電源部分也是一種并聯的開關電源，圖3-4所示。是儲能電感、DE00是開關電源的整流管、E01、E02MOSPFCOUTPUT、E09E00VE00E02E11DE00E01的灌流電路。圖3-從等效電路圖來分析，集成電路的激勵輸出端（PFCOUTPUT端子，輸出方波的正半周時端為負半周時，DE002VE001PNPVE001導通，此時；QE001QE002VE001放電，MOS管完畢“開”、“關”存在和導通，已經建立了放電的回路，DE003VE001的導通，開關管關閉更圖3-4所示原理圖是PFC開關電源及PWM開關電源的電原理圖，該電路中的集成電路圖3-圖3-四、MOSMOS管大都沒有防靜電的方MOS管則有比較大的區別，首先由于功效較大輸入電容也比較大，這樣接觸到靜電就有MOS管在內DZ（圖4-1所示）,把靜電嵌位于保護穩壓二極管的穩MOS管其保護穩壓MOS管內部有了保護方法，我們操作時也應按照防靜電的圖4-MOS在修理電視機及電器設備時，會碰到多種元器件的損壞，MOS管也在其中，這就是我們的MOSMOS管是如果沒有1、MOS只要辦法對的對于確認晶體三極管的“好”與“壞”MOS管也能夠應用檢測必須采用指針式萬用表（數字表是不適宜測量半導體器件的MOSFET開NTO-220F封裝形式（指用于50—200W的場效應開關管，其三個電極排列也一致，即將三只引腳向5-R×1R×10R×100R×1KR×10K，R×1R×10K擋檢測晶體管”一文，因篇幅問題這里不再贅述。12Ω，這樣在R×1PNR×10K擋內部的9VPN結反相漏電流時比較精確，否則漏電也測不出來。5-PN結點反相漏電是夠了，萬用表的紅表筆是負電位（接內部電池的負極，萬用表的黑表筆是正電位（接內部電池的正極5-2所示。MOSSMOSD，此時表針批示應當為無5-3所示。如果有歐姆指數，闡明被測管有漏電現象，此管不能用。5-5-原創作品】5-5-2、MOS行代換的（行輸出管外觀尺寸幾乎相似MOS管代換MOS管的輸入電容是有關系的，選用功率大的盡管容量大了，但輸入電容也就大了，激勵MOSMOS42寸液晶電視的背光高壓板損壞，通過檢MOS管損壞，由于無原型號的代換，就選用了一種，電壓、電流、功率MOS