關于地址線尋址的個人理解總結一、地址總線由N個地址導線組成：

首先需要知道什么是地址線，所謂地址線也就是傳送地址信息的導線，傳輸地址線的所有導線的集合叫做地址總線，大家知道網線吧，一根網線里邊有8根電纜，同樣的，地址總線就是幾根地址導線組成的。

二、一個地址線能表示1和0兩個數:

這幾根電纜有一個特性，就是其中的任意一根都只可以傳送高電平（強電流？）和低電平（弱電流？），所以呢，也就只能表示0和1，也就是說，一根地址線只能表示1和0。

三、地址總線是地址線的集合：

地址總線嘛，當然傳輸的數據是地址，注意這里是地址總線傳輸的是地址信息，單一的地址線表示不了地址信息（除非你的地址總線就1根地址線），所有地址線組合成的數據是一個地址信息。

四、地址總線表示的數字的個數是能夠尋找多少個內存單元，表示的內容就是地址數據本身：

好了，現在知道了，一個地址總線由N個地址線組成，一個地址線能表示1和0兩個數，2個地址線能表示4個數（具體哪四個數先不管），3個地址線能表示8個數，SO，N個地址線能表示的數據的個數就是N個2相乘，也就是2的N次方個數。這個需要理解一下。

譬如一個地址總線由6根地址線組成，那么他的地址線的最大尋址范圍是2的6次方,也就是64個內存單元。

下面做兩個題目，一個地址總線的最大尋址范圍是64KB，那么他有______根地址線。

現在需要理解的是，這個64KB就是64K個內存單元（64KB就是64K個BYTE，一個BYTE就是一個內存單元），知道了這個，也就好理解了，2的幾次方個內存單元＝64K個內存單元，64KB＝64*1024=65536byte，答案就是16。

16根地址線所表示的地址數據的本身占據的內存是16個位，為什么是16位，因為你每個地址線占一個位置，你的表示的數據范圍就是從

0000000000000000－1111111111111111

所以，具有16根地址線的系統要在內存中尋出一個地址要用2個內存單元來表示（一個內存單元有8位）。

五：地址與內存的關系：

關于內存與地址線的設計問題，可能大家會想到這個，這兩個是不是應該有什么關系才可以，要知道的是，不管是什么系統，所有的內存的一個單元都是占據8個bit,那么，你的地址線要能在內存中儲存，是不是地址線的個數需要什么限制，我的理解是需要是8的整數倍。

CPU中的寄存器與地址線的個數應該是一致的，也就是地址線有16條，那么CPU中的寄存器也是16位的。存儲器的地址線(AddressLine)數據線(DataLine)和存儲體(Bank)upsdn首頁>嵌入式開發>電路與通信系統

1.BANK計算公式可表示為：

BANK數＝顆粒數×位寬/64bit

下面來看看INTEL各芯片組對于內存的支持（資料來自于官方文檔）

其中，芯片容量可如下計算：

芯片容量＝內存容量×8bit/顆粒數

例如：

256M的內存，雙面16顆粒，則芯片容量為256×8/16＝128bit

Intel440BX芯片組支持的SDRAM芯片類型

芯片容量|數據深度|位寬|行地址線|列地址線|邏輯BANK數|單BANK最大容量

——————————————————————————————————

|2M|8bit|12|9|2|16MB

|—————————————————————————————

|2M|8bit|13|8|2|16MB

16Mbit|—————————————————————————————

|4M|4bit|12|10|2|32MB

|—————————————————————————————

|4M|4bit|14|8|2|32MB

————|—————————————————————————————

|4M|16bit|14|8|4|32MB

|—————————————————————————————

64Mbit|8M|8bit|14|9|4|64MB

|—————————————————————————————

|16M|4bit|14|10|4|128MB

————|—————————————————————————————

Intel815（E/EP）芯片組支持的SDRAM芯片類型

——————————————————————————————————

芯片容量|數據深度|位寬|行地址線|列地址線|邏輯BANK數|單BANK最大容量片的集合，這個集合的容量不限，但這個集合的總位寬必須與CPU數據位寬相符。隨著計算機應用的發展，一個系統只有一個P-Bank已經不能滿足容量的需要。所以，芯片組開始可以支持多個P-Bank，一次選擇一個P-Bank工作，這就有了芯片組支持多少（物理）Bank的說法。而在Intel的定義中，則稱P-Bank為行（Row），比如845G芯片組支持4個行，也就是說它支持4個P-Bank。另外，在一些文檔中，也把P-Bank稱為Rank（列）。

邏輯Bank與芯片位寬

講完SDRAM的外在形式，就該深入了解SDRAM的內部結構了。這里主要的概念就是邏輯Bank。簡單地說，SDRAM的內部是一個存儲陣列。因為如果是管道式存儲（就如排隊買票），就很難做到隨機訪問了。

陣列就如同表格一樣，將數據“填”進去，你可以它想象成一張表格。和表格的檢索原理一樣，先指定一個行（Row），再指定一個列（Column），我們就可以準確地找到所需要的單元格，這就是內存芯片尋址的基本原理。對于內存，這個單元格可稱為存儲單元,那么這個表格（存儲陣列）叫什么呢？它就是邏輯Bank（LogicalBank，下文簡稱L-Bank）。

L-Bank存儲陣列示意圖

由于技術、成本等原因，不可能只做一個全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，單一的L-Bank將會造成非常嚴重的尋址沖突，大幅降低內存效率（在后文中將詳細講述）。所以人們在SDRAM內部分割成多個L-Bank，較早以前是兩個，目前基本都是4個，這也是SDRAM規范中的最高L-Bank數量。到了RDRAM則最多達到了32個，在最新DDR-Ⅱ的標準中，L-Bank的數量也提高到了8個。

這樣，在進行尋址時就要先確定是哪個L-Bank，然后再在這個選定的L-Bank中選擇相應的行與列進行尋址。可見對內存的訪問，一次只能是一個L-Bank工作，而每次與北橋交換的數據就是L-Bank存儲陣列中一個“存儲單元”的容量。在某些廠商的表述中，將L-Bank中的存儲單元稱為Word（此處代表位的集合而不是字節的集合）。

從前文可知，SDRAM內存芯片一次傳輸率的數據量就是芯片位寬，那么這個存儲單元的容量就是芯片的位寬（也是L-Bank的位寬），但要注意，這種關系也僅對SDRAM有效，原因將在下文中說明。

2、內存芯片的容量

現在我們應該清楚內存芯片的基本組織結構了。那么內存的容量怎么計算呢？顯然，內存芯片的容量就是所有L-Bank中的存儲單元的容量總合。計算有多少個存儲單元和計算表格中的單元數量的方法一樣：

存儲單元數量=行數×列數（得到一個L-Bank的存儲單元數量）×L-Bank的數量

在很多內存產品介紹文檔中，都會用M×W的方式來表示芯片的容量（或者說是芯片的規格/組織結構）。M是該芯片中存儲單元的總數，單位是兆（英文簡寫M，精確值是1048576，而不是1000000），W代表每個存儲單元的容量，也就是SDRAM芯片的位寬（Width），單位是bit。計算出來的芯片容量也是以bit為單位，但用戶可以采用除以8的方法換算為字節（Byte）。比如8M×8，這是一個8bit位寬芯片，有8M個存儲單元，總容量是64Mbit（8MB）。

不過，M×W是最簡單的表示方法。下圖則是某公司對自己內存芯片的容量表示方法，這可以說是最正規的形式之一。

業界正規的內存芯片容量表示方法

我們可以計算一下，結果可以發現這三個規格的容量都是128Mbits，只是由于位寬的變化引起了存儲單元的數量變化。從這個例子就也可以看出，在相同的總容量下，位寬可以采用多種不同的設計。

3、與芯片位寬相關的DIMM設計

為什么在相同的總容量下，位寬會有多種不同的設計呢？這主要是為了滿足不同領域的需要。現在大家已經知道P-Bank的位寬是固定的，也就是說當芯片位寬確定下來后，一個P-Bank中芯片的個數也就自然確定了，而前文講過P-Bank對芯片集合的位寬有要求，對芯片集合的容量則沒有任何限制。高位寬的芯片可以讓DIMM的設計簡單一些（因為所用的芯片少），但在芯片容量相同時，這種DIMM的容量就肯定比不上采用低位寬芯片的模組，因為后者在一個P-Bank中可以容納更多的芯片。比如上文中那個內存芯片容量標識圖，容量都是128Mbit，合16MB。如果DIMM采用雙P-Bank+16bit芯片設計，那么只能容納8顆芯片，計128MB。但如果采用4bit位寬芯片，則可容納32顆芯片，計512MB。DIMM容量前后相差出4倍，可見芯片