T/IAWBSXXX—XXXX碳化硅晶片邊緣輪廓檢驗方法本文件規定了碳化硅晶片邊緣輪廓（包含切口）的檢驗方法。本文件適用于檢驗倒角后碳化硅晶片的邊緣輪廓（包含切口），其他材料晶片邊緣輪廓的檢驗可參照本標準執行。2規范性引用文件下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T14264半導體材料術語3術語和定義GB/T14264界定的術語和定義適用于本文件。4方法提要將碳化硅晶片放置在光源下，光源照在碳化硅晶片邊緣，CCD相機將碳化硅晶片邊緣（不包括參考面）或切口的輪廓形狀的圖像導入電腦，進行二值化（即將圖像上的像素點的灰度值設置為0或255，將整個圖像呈現出明顯的黑白效果的過程）處理后，通過曲率及直線切點計算得出邊緣輪廓長度。5干擾因素5.1空間中肉眼可見的顆粒、已倒角碳化硅晶片邊緣的表面大顆粒，會掩蓋晶片的輪廓形狀，對測試結果產生誤差，因此應保證潔凈的環境。5.2碳化硅晶片的平整度會對測試結果產生誤差。5.3碳化硅晶片邊緣厚度的變化會對測試結果有影響，因此應保證晶片邊緣厚度均勻。6儀器設備輪廓儀一般由光源、CCD相機、載物臺及數據分析系統等部分組成。6.1光源：提供邊緣輪廓的光照亮度；6.2CCD相機：在2倍/4倍鏡頭下采集碳化硅晶片邊緣輪廓（切口）形貌，2倍鏡頭測晶片厚度范圍400～1400um，4倍鏡頭測量晶片厚度范圍200~500um。6.3載物臺：它是支撐測量碳化硅晶片的平臺，通過旋轉載物臺旋鈕可以測量邊緣不同位置。6.4數據分析系統：圖像二值化處理后，提取邊緣輪廓（切口）形貌，通過曲率及直線切點計算得出邊緣輪廓長度。7試樣碳化硅晶片測試前應經過倒角，且邊緣清潔、干燥。8測試程序2T/IAWBSXXX—XXXX8.1校準使用校正樣塊對設備進行校準，校正樣塊只校準厚度，所測得的校準樣塊與標準值的差在標準誤差范圍(≤1μm）。8.2測量8.2.1根據晶片尺寸調整載物臺導柱位置，并將碳化硅晶片按照Si面朝上放置在載物臺上。8.2.2根據晶片類型及測試要求，選擇CCD相機類型（Edge相機和Notch相機）及磨石樣式（T型磨石和R型磨石）；8.2.3根據CCD相機提取靜止圖像并進行二值化圖像處理，開始測量。邊緣輪廓形狀和測試結果會顯示在顯示屏上，并根據需要可以打印。該方法可以測試R型（見圖1）、T型（見圖2）、切口（見圖3）等的輪廓形狀。圖1Type-R型t——碳化硅晶片厚度；圖2Type-T型T/IAWBSXXX—XXXXVr——切口曲率半徑；AngV——P2——3mm（Pin）頂部到切口底部距離；P圖3切口8.3測試點的位置和數量由供需雙方協商確定。9精密度選取3片直徑100mm的R型邊緣輪廓碳化硅晶片，采用輪廓儀按照本文件規定的方法分別進行測試。邊緣輪廓長度（A1、A2、B1、B2）的單個實驗室標準偏差不大于15%，多個實驗室再現性標準偏不大于20%；半徑（R）的單個實驗室標準偏差不大于15%，多個實驗室再現性標準偏差不大于20%；角度（Ang1、Ang2）的單個實驗室標準偏差不大于20%，多個實驗室再現性標準偏差不大于20%。10試驗報告試驗報告應至少包括以下內容：a)測試日期；b)測試人員姓名；c)測試類型（R型、T型、V型切口）；d)碳化硅晶片邊緣檢測點的位置；e)