從光模塊產(chǎn)品演進方向映射技術(shù)前瞻布局從光模塊產(chǎn)品演進方向映射技術(shù)前瞻布局光模塊產(chǎn)品升級迭代路線：小型化、高速率、低功耗不斷升級。數(shù)據(jù)中心側(cè)：隨著數(shù)據(jù)流量爆發(fā)與下游應(yīng)用的豐富，帶動高速光模塊速率的持續(xù)升級，當(dāng)前全球主要玩家800G進入產(chǎn)品向高速率升級，驅(qū)動多種技術(shù)路線變革。心進一步向大型化、集中化轉(zhuǎn)變，將帶動高速率及中長距離光模塊的快速發(fā)展。目前全球主要的云廠商已在數(shù)據(jù)進而導(dǎo)致整體成本提升，驅(qū)動更高速率光模塊的多種技術(shù)演進。圖表1：光模塊發(fā)展趨勢圖表2：光模塊封裝形資料來源：RF技術(shù)社區(qū)、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院資料來源：CPOCPO：AI算力下高效能比方案大模型時代催生高算力需求大模型時代催生高算力需求大模型時代帶來高算力需求，降低功耗將為超算廠商帶來競爭優(yōu)勢。據(jù)openAI測算，自2012年以來，全球頭部AI模型訓(xùn)練算力需求3度高達10倍。高算力需求會帶來功耗上的提高，超算廠商的成本也會隨之上升。因此，在算力需求快速提升的背圖表3：大模型時代算力需求資料來源：《COMPUTETRENDSACROSSERASOFMACHINELEARNING》、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院圖表5：CPO交換機示意圖圖表5：CPO交換機示意圖根據(jù)AyarLabs數(shù)據(jù)，以32×100Gbps為例，現(xiàn)在所使用的交換機功耗436W，而CPO交換機通過共同封裝大幅度縮短電連接，功耗僅230W。資料來源：CNDS、易飛揚通信、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院CPO技術(shù)：光電一體封裝，大幅降低功耗CPO技術(shù)具有低功耗、高性能、高質(zhì)量、高傳輸?shù)膬?yōu)勢隨著5G時代高帶寬的計算、傳輸、存儲的要求，以及硅光技術(shù)的成熟，板上和板間也進入了光互聯(lián)時代，通道數(shù)也大圖表圖表4：CPO縮短距離后保持高質(zhì)量傳輸傳統(tǒng)的連接方式，叫做Pluggable（可插拔）。光引擎是可插拔的光模塊。光纖過來以后，插在光模塊上，然后通過SerDes通道，送到網(wǎng)絡(luò)交換芯CPO是將交換芯片和光引擎共同裝配在同一個Socketed（插槽）上，形成芯片和模組的共封裝。資料來源：銳捷官網(wǎng)、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院CPO的低功耗或?qū)⒊蔀锳I高算力下高效能比方案：2）體積/傳輸質(zhì)量：滿足超高算力后光模塊數(shù)量過載問題。同時將光引擎移至交換芯片附近，降低傳輸距離，一方面CPO出貨量從800G開始，未來市場空間廣闊CPO出貨量從800G開始，未來市場空間廣闊CPO發(fā)展目前處于起步階段，未來市場空間廣闊。LightCounting認為，CPO出貨量預(yù)計將從800G和1.6T端口開始，于2024至2025年開始商用，2026至2027年開始規(guī)模上量，主要應(yīng)用于超大型云服務(wù)商的數(shù)通短距場景。CIR預(yù)計到2027年，共封裝光學(xué)的市場收入將達到資料來源：中際旭創(chuàng)2022年年報、CIR《MarketsforCo-Packagedoptics2022-2030》、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院資料來源：中際旭創(chuàng)2022年年報、Yole、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院全球CPO端口的銷售量將從2023年的5萬增長到2027年的450萬。2027年，CPO端口在800G和1.6T出貨總數(shù)中占比接近30%。Yole報告數(shù)據(jù)顯示，2022年CPO市場產(chǎn)生的收入達到約3800萬美元，預(yù)計2033年將達到億美元，2022-2033年復(fù)合年增長率為46%。CPO應(yīng)用于超大型云服務(wù)商數(shù)通短距場景，有效解決高速率高密度互聯(lián)傳輸CPO應(yīng)用于超大型云服務(wù)商數(shù)通短距場景，有效解決高速率高密度互聯(lián)傳輸CPO將有效解決高速高密度互聯(lián)傳輸。LightCounting在2022年12月報告中稱，AI對網(wǎng)絡(luò)速率的需求是目前的10倍以上，在這一背景下，CPO有望將現(xiàn)有可插拔光模塊架構(gòu)的功耗降低50%，將有效解決高速高密度互聯(lián)傳輸場景。CIR表示，基于CPO的設(shè)備最初將用于超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心，此外，CPO預(yù)計將在一年左右的時間進入其他類型的數(shù)據(jù)中心，未來將進一步在邊緣和城域網(wǎng)絡(luò)、高性能計圖表8：國內(nèi)CPO廠商布局情況當(dāng)前技術(shù)/產(chǎn)品進展和800G硅光模塊已開發(fā)成功并進入送測階段，C器件等核心產(chǎn)品方面持續(xù)深耕模塊產(chǎn)品型號實現(xiàn)全覆蓋，50GPON光模塊、8通硅光模塊和CPO產(chǎn)品正在研發(fā)中積極開發(fā)下一代數(shù)據(jù)中心用硅光模塊以及下一代無線公司已經(jīng)加入多個國際標準組織參與NPO/CPO的技術(shù)加大硅光集成技術(shù)的研發(fā)投入力度，建立高水平的高器件、室內(nèi)光纜和線纜材料等橫向、縱向產(chǎn)業(yè)布局資料來源：中際旭創(chuàng)2022年報、天孚通信2022年報、博創(chuàng)科技2022年報、聯(lián)特科技2022年報、仕佳光子2022年報、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院發(fā)展歷程：鈮酸鋰材料已有百年研究過程發(fā)展歷程：鈮酸鋰材料已有百年研究過程鈮酸鋰材料的研究已經(jīng)接近100年，可以劃分為三個階段：第一階段（1928-1965年）：國外對鈮鋰結(jié)構(gòu)特性開展初步研究；1937年，Sue等實驗合成了鈮酸鋰，未引起廣泛關(guān)注；直至1949年，美國Bell實驗室的Matthias和Remeika發(fā)現(xiàn)其高溫鐵電特性法成功生長出厘米級鈮酸鋰晶體；1965年，Bell實驗室的Nassau和LevinstAbrahams等建立新的鐵電與順電相下鈮酸鋰晶格結(jié)構(gòu)模型，一直沿用至今。）：1964-1967年，美國Bell實驗室對鈮酸鋰的電光、倍頻、壓電、光折變等特性開第三階段（1970年至今）：我國從1970年代開始鈮酸鋰晶體生長、缺陷、性能及其應(yīng)用研究。1980年，南開大學(xué)與西南技術(shù)物理所合作發(fā)現(xiàn)高摻鎂鈮酸鋰的高抗光損傷性能，該晶體被稱為“中國之星”；同年，南京大學(xué)突破了周期極化首次對鈮酸鋰結(jié)構(gòu)特性開展初步研究實驗合成了鈮酸鋰成功生長出厘米級鈮酸鋰晶體找到制備單疇鈮酸鋰的方法，建立新的鐵電與順電相下鈮酸鋰晶格結(jié)構(gòu)模型對鈮酸鋰的電光、倍頻、壓電、光折變等特性開展一系列研究對鈮酸鋰晶體生長、缺陷、性能及其應(yīng)用研究發(fā)現(xiàn)高摻鎂鈮酸鋰的高抗光損傷性能，突破了周資料來源：康冠光電官網(wǎng)、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院資料來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院鈮酸鋰晶體性能優(yōu)異，在調(diào)制器制備方案中優(yōu)勢明顯資料來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院鈮酸鋰晶體性能優(yōu)異，在調(diào)制器制備方案中優(yōu)勢明顯鈮酸鋰晶體具有光電效應(yīng)多、性能可調(diào)控性強、物理化學(xué)性能穩(wěn)定、光透過范圍寬等特點。1）鈮酸鋰晶體光電效應(yīng)多，具有包括壓電效應(yīng)、聲光效應(yīng)等多種光電性能；2）鈮酸鋰晶體的性能可調(diào)控性強，是由鈮酸鋰的晶格結(jié)構(gòu)和豐富的缺陷結(jié)構(gòu)所造成，鈮酸鋰晶體的諸多性能可以通4）光透過范圍寬，具有較大的雙折射，而且容易制備高質(zhì)量的所以基于鈮酸鋰晶體的聲表面波濾波器、光調(diào)制器、相位調(diào)制器、光隔離器、電光調(diào)a開關(guān)等光電器件在電子技術(shù)、當(dāng)前有三種電光調(diào)制器制備方案，鈮酸鋰性能優(yōu)勢明顯，能夠充分滿足傳輸距離長、容量大的需求。工藝成熟等優(yōu)點。同時，傳輸距離長達100公里以上，容量超過100G，在10圖表10：三種主要調(diào)制器方案對比用熟薄膜鈮酸鋰技術(shù)方案新突破，體積顯著變小，利于實現(xiàn)高度集成薄膜鈮酸鋰技術(shù)方案新突破，體積顯著變小，利于實現(xiàn)高度集成鈮酸鋰方案雖有性能優(yōu)勢，但也存在不足。1）性能提升空間：受限于鈮酸鋰材料中的自由載流子效應(yīng)，傳統(tǒng)鈮酸鋰基光電調(diào)制器信號質(zhì)量、關(guān)鍵性能參數(shù)的提升逐漸遭遇瓶頸，且與CMOS工藝不兼容。3）成本及價格問題：鈮酸鋰調(diào)制器價格數(shù)倍于磷化薄膜鈮酸鋰調(diào)制器不僅繼承了鈮酸鋰材料的性能優(yōu)勢，而且在體積、成本等方面有所改善。1）薄膜鈮酸鋰調(diào)制器在性能和性價比上得到新的提升，在保留鈮酸鋰調(diào)制器原有的性能優(yōu)勢的同時使帶寬獲得2）尺寸顯著變小，解決了體材料鈮酸鋰體積較大難以集成的問題，可以實現(xiàn)高度集成；3）隨著尺寸的減小也使單位面板傳輸密度大大提高，成本方面有進一步下降的空間。圖表11：磷化銦與傳統(tǒng)鈮酸鋰調(diào)制器對比資料來源：光纖在線、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院資料來源：光纖在線、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院薄膜鈮酸鋰潛在市場空間接近百億鈮酸鋰晶體市場穩(wěn)步增長，鈮酸鋰調(diào)制器2024年潛在市場規(guī)模或近百億級。l全球鈮酸鋰晶體市場穩(wěn)步增長，2022年市場規(guī)模達1.46億美元。光學(xué)級是鈮酸鋰晶體的主要類型，260%。根據(jù)QYReseach數(shù)據(jù)，2016年全球鈮酸鋰晶體市場營收為1.24億美元（約8億元），預(yù)計2022年達到1.46億美元（約10億元），CAGR為2.26％。其中，光學(xué)級是鈮酸鋰晶體的主要類型，2016年全球光學(xué)級鈮酸鋰晶體銷售收入約0.75億美元，約占全球銷售收入的60％。l薄膜鈮酸鋰調(diào)制器2024年潛在市場規(guī)模或近百億級。隨著高速相干光傳輸技術(shù)不斷從長途/干線下沉到區(qū)域/數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，用于高速相干光通信的數(shù)字光調(diào)制器需求將持續(xù)增長，2024年全球高速相干光調(diào)制器出貨量將達到200萬端，按照每個端口平均需要1～1.5個調(diào)制器，若薄膜鈮酸鋰調(diào)制器體滲透率可達50%，對應(yīng)的市場空間約145.53124.48124.482016資料來源：QYResearch、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院全球高速相干光調(diào)制器出貨量/萬200每個端口所需調(diào)制器/個1調(diào)制器總數(shù)/萬個薄膜鈮酸鋰售價（美元/個）薄膜鈮酸鋰市場空間/億元資料來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院薄膜鈮酸鋰材料：相干下沉應(yīng)用打開薄膜鈮酸鋰的應(yīng)用空間薄膜鈮酸鋰材料：相干下沉應(yīng)用打開薄膜鈮酸鋰的應(yīng)用空間相干光傳輸技術(shù)開始從骨干網(wǎng)下沉，鈮酸鋰調(diào)制器有望迎來較大的發(fā)展機遇。磷化銦，薄膜鈮酸鋰調(diào)制器具備其它材料無法比擬的帶寬優(yōu)勢。應(yīng)用場景方面，在流量爆發(fā)式增長提升傳輸距離和容量要求的大背景下，相干光傳輸技術(shù)開始從骨干網(wǎng)相干光通信領(lǐng)域的鈮酸鋰調(diào)制器有望迎來較大的發(fā)展機遇。相干下沉應(yīng)用打開薄膜鈮酸鋰的應(yīng)用空間。電信側(cè)，相干技術(shù)從過去的骨干網(wǎng)（>1000km）下沉到城域網(wǎng)（100~1甚至邊緣接入網(wǎng)（<100km數(shù)據(jù)中心側(cè)，相干技術(shù)已定的調(diào)制方式，可以實現(xiàn)超高容量和超遠距離的信息傳圖表15：2022年及2023年Q1薄膜鈮酸鋰相關(guān)廠商布局情況當(dāng)前技術(shù)/產(chǎn)品進展發(fā)生產(chǎn)能力，積極推動LPO相關(guān)項目的進展，資料來源：光庫科技2022年報、新易盛2023投資者調(diào)研、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院硅光技術(shù)：具有集成度高、成本下降潛力大、波硅光技術(shù)：具有集成度高、成本下降潛力大、波資料來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院APD接收器硅光技術(shù)資料來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院APD接收器硅光技術(shù)硅光技術(shù)演進路線及應(yīng)用硅光子技術(shù)是基于硅和硅基襯底材料，利用現(xiàn)有CMOS工藝進行》程，》》程，》資料來源：訊石光通訊網(wǎng)、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院硅光技術(shù)憑借在功耗、成本、結(jié)構(gòu)、集成等多個方面的突出優(yōu)勢，被譽為“突破摩爾定律曙光出現(xiàn)”，但當(dāng)前世界范圍內(nèi)硅光技術(shù)在光開關(guān)、光波導(dǎo)、硅基探測器(Ge探測器)及光調(diào)制器(SiGe調(diào)制器)等已實現(xiàn)了突破情況下，卻仍處于簡化工藝流程提升效率的第二階段向第三階段的進化期。制器件及APD接收器等。不過由于產(chǎn)業(yè)尚處于起步階段，業(yè)內(nèi)并未出現(xiàn)權(quán)威的行業(yè)規(guī)范與技術(shù)標準，各主流廠商采用硅光技術(shù)設(shè)計生產(chǎn)元器件時采用的技術(shù)路線不盡相同，最終的技術(shù)方案還有待優(yōu)化完善。件資料來源：南智光電官網(wǎng)、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院列列資料來源：南智光電官網(wǎng)、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院列列列++列+++片當(dāng)下是混合集成，單片集成是未來技術(shù)發(fā)展方向。l硅光的混合集成方案主要包括激光器直接放置技術(shù)和晶圓預(yù)先制作好的III-V族材料激光器放置在硅光子芯片表面，通過焊球完成電連接，實現(xiàn)光源與硅光波導(dǎo)器件的混合集成。晶圓鍵合技術(shù)是將III-V族材料外延層集成至硅波導(dǎo)等硅光器件上方，由III-V族材料產(chǎn)生的光可通過倏逝波耦合的方式進入硅光子回路，完成片上光源與硅光子芯片的混合集成。l單片集成方案主要指硅上異質(zhì)外延III-V材料激光器。與混合集成光源相比，單片集成方案最主要的優(yōu)1、硅芯片上的光子晶體結(jié)構(gòu)可降低光速，光學(xué)數(shù)據(jù)緩沖存儲成為可能。2、全光邏輯控制器件的突破，將幫助實現(xiàn)全光網(wǎng)絡(luò)交換系統(tǒng)的到來。3、在硅基光子器件中實現(xiàn)單光子探測，將推動量子通信的發(fā)展。4、硅基光子技術(shù)在液晶顯示領(lǐng)域的應(yīng)用，有望進一步推動微投影技術(shù)的發(fā)展，催化新的信息顯示模式。+++資料來源：訊石光通訊網(wǎng)、電子說、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院資料來源：訊石光通訊網(wǎng)、電子說、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院硅光方案具有集成度高、成本下降潛力大、波導(dǎo)傳輸性能優(yōu)異三大優(yōu)勢硅光方案具有集成度高、成本下降潛力大、波導(dǎo)傳輸性能優(yōu)異三大優(yōu)勢。“以光代電”是硅光技術(shù)出現(xiàn)的關(guān)鍵思路，即利用激光束代替電子信號進行數(shù)據(jù)傳輸。硅光子技術(shù)是利用現(xiàn)有CMOS工藝進行光器件開發(fā)和集成的新一代技術(shù)，具有集成度高特點，并表現(xiàn)出成本、波導(dǎo)傳輸性能等方面的優(yōu)勢。l集成度高：硅光子技術(shù)以硅作為集成芯片的襯底，硅基材料成本低且延展性好，可以利用成熟的CMO藝制作光器件。與傳統(tǒng)方案相比，硅光子技術(shù)具有更高的集成度及更多的嵌入式功能，有利于提升芯片的l成本下降潛力大：傳統(tǒng)的GaAs/InP襯底因晶圓材料生長受限，生產(chǎn)成本較高。近年來，隨著傳輸速率的進一步提升，需要更大的三五族晶圓，芯片的成本支出將進一步提升。與三五族半導(dǎo)體相比，硅基材料成本較低且可以大尺寸制造，芯片成本得以大幅降低。l波導(dǎo)傳輸性能優(yōu)異：硅的禁帶寬度為1.12eV，對應(yīng)的光波長為1.1μm。因此，硅對于1硅光方案產(chǎn)業(yè)化面臨設(shè)計架構(gòu)、制造工藝、封裝、配套器件等難題硅光方案產(chǎn)業(yè)化面臨設(shè)計架構(gòu)、制造工藝、封裝、配套器件等難題硅光方案產(chǎn)業(yè)化面臨設(shè)計架構(gòu)、制造工藝、封裝、配套器件等難題。難度大，尤其是波導(dǎo)制備還很難完成;混合集成的成本與設(shè)計難度仍然不小。從而影響到良品率與制造成本。硅光模塊的低成本優(yōu)勢或許會使得其成為數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)向400G升級的主流產(chǎn)品。硅光模塊在高速率傳輸網(wǎng)中優(yōu)勢明顯，需求增速將高于傳統(tǒng)光模塊硅光模塊在高速率傳輸網(wǎng)中優(yōu)勢明顯，需求增速將高于傳統(tǒng)光模塊硅光模塊市場空間廣闊，未來在高速光模塊市場占有率將達到60%以上。模塊市場景氣度將迅速提升，預(yù)計到2025年市場規(guī)模將達到180億美元左右。硅光模塊在高速率傳輸網(wǎng)中優(yōu)模塊市場規(guī)模的復(fù)合增長率分別達到95.9%、37.3%。新思界產(chǎn)業(yè)研究中心認為，2020年全球硅光普及率較低，僅為15%左右，在5G與數(shù)據(jù)中心行業(yè)拉動下，預(yù)計到2025年其市場普及率將達到45%左右，其中，在高速光模塊市場中占有率更高，將達到60%以上。圖表20：2016-2025年硅光模塊市資料來源：電子發(fā)燒網(wǎng)、Yole、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院圖表21：2020-2025年硅光模塊市場份額（%）資料來源：新思界產(chǎn)業(yè)研究中心、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院資料來源：中際旭創(chuàng)2022年報、博創(chuàng)科技2022年報資料來源：中際旭創(chuàng)2022年報、博創(chuàng)科技2022年報、新易盛2022年報、華工科技2022年報、源杰科技2022年報、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院硅光技術(shù)應(yīng)用場景及相關(guān)廠商布局硅光技術(shù)應(yīng)用場景及相關(guān)廠商布局數(shù)據(jù)中心、5G承載網(wǎng)、光傳感等市場將為硅光打開增長空間。傳統(tǒng)的可插拔光模塊在性價比及功耗方面難有進步空間，而高2）在5G承載網(wǎng)市場中，5G前傳是硅光技術(shù)的又一市場增長點，Intel已針對5G前傳發(fā)布具有擴展工作溫度范圍的100G收發(fā)器，支持在-40℃~85℃的工作溫度范圍內(nèi)通過單模光纖實現(xiàn)10km鏈路。3）光傳感領(lǐng)域硅光發(fā)展?jié)摿薮螅F(xiàn)階段來看，面向自動駕駛的激光雷達硅光芯片以及面向消費者健康監(jiān)測及診斷的硅光芯片將是重要增長點。圖表22：國內(nèi)硅光廠商布局情況股票名稱代碼當(dāng)前技術(shù)/產(chǎn)品進展布局方向800G和相干系列產(chǎn)品等已實現(xiàn)批量出貨，1.6T光模塊和800G硅光模塊已開發(fā)成功并進入送測階段，CPO技術(shù)和3D封裝技術(shù)也在研發(fā)中進一步加大800G、1.6T及以上高速率光模光模塊、硅光和相干等技術(shù)研究博創(chuàng)科技10GPON光模塊系列型號持續(xù)擴充，數(shù)據(jù)中心用400G模塊產(chǎn)品型號實現(xiàn)全覆蓋，50GPON光模塊、800G數(shù)通硅光模塊和CPO產(chǎn)品正在研發(fā)中積極開發(fā)下一代數(shù)據(jù)中心用硅光模塊以及下一代無線傳輸網(wǎng)用光模塊新易盛在800G光模塊產(chǎn)品已實現(xiàn)批量出貨、成功推出基于硅光解決方案的400G光模塊產(chǎn)品、400GZR/ZR+相干光模塊產(chǎn)品進一步加強數(shù)據(jù)中心運用領(lǐng)域相關(guān)新產(chǎn)品新技術(shù)的研發(fā)生產(chǎn)能力，積極推動LPO相關(guān)項目的進展，力爭在LPO相關(guān)產(chǎn)品的競爭中占得先機華工科技100G/200G/400G全系列光模塊批量交付，800G硅光模塊已于2022年第三季度正式推出市場積極推進硅光技術(shù)應(yīng)用，布局薄膜鈮酸鋰技術(shù)及下一代光電合封技術(shù)源杰科技具備量產(chǎn)能力立足“一平臺、兩方向、三關(guān)鍵”的戰(zhàn)略部署，繼續(xù)深耕光芯片行業(yè)，著力提升高速率激光器芯片產(chǎn)品的研發(fā)能力LPOLPO：成本優(yōu)勢突出，滿足AI計算中心線短距、大LPO技術(shù)方案：大幅減少系統(tǒng)功耗與時延相較DSP方案，LPO可大幅度減少系統(tǒng)功耗和時延，但只適用于短距傳輸。lLPO(Linear-drivePluggableOpticsCDR或DSP的設(shè)計方案。延遲提升（功耗相較DSP可下降接近50%），但是系統(tǒng)誤碼率和傳輸距離有所犧牲，LPO只適用于特定短距離應(yīng)用場景，如：數(shù)據(jù)中心服務(wù)器到交換機的鏈接，但未來可能會用于500m以內(nèi)，滿足數(shù)據(jù)中心最大的l考慮到傳統(tǒng)光模塊中DSP芯片的BOM成本占比不低，LPO的低價格特性有可能在800G時圖表23：光模塊價值量構(gòu)成資料來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院圖表24：LPO技術(shù)路線資料來源：EDN電子技術(shù)設(shè)計、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院LPO具有功耗低、低延遲、低成本、可熱插拔的優(yōu)勢。LPO具有功耗低、低延遲、低成本、可熱插拔的優(yōu)勢。l功耗低：相比于可插拔光模塊，LPO的功耗下降約50%，與C的場景，例如高性能計算中心(HPC)中GPU之間的互聯(lián)。700美金，DSP芯片的成本約為50-在8%左右。l可熱插拔：相比于CPO而言，LPO仍然采用可插拔模塊的形式，其可靠性高，維護方便，可以利用成熟的光模塊供應(yīng)鏈，并未像CPO進行較大的封裝形式革新，成為LPO方案受到關(guān)注的另一大原因。資料來源：EDN電子技術(shù)設(shè)計、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院滿足AI計算中心線短距、大寬帶、低延時要求。滿足AI計算中心線短距、大寬帶、低延時要求。LPO技術(shù)適用于AI大模型預(yù)訓(xùn)練。800GLPO技術(shù)無需DSP或者CDR芯片，因此相比傳統(tǒng)的DSP解決方案大大降低了功耗和延遲。這種低延遲傳輸能力非常有利于當(dāng)前機器學(xué)習(xí)ML和高性能計算HPC等領(lǐng)域交換機之間，交換機到服務(wù)器和GPU之間的傳輸應(yīng)用，而其系統(tǒng)誤碼率和傳輸距離較短的問題，在AI計算中心短距離應(yīng)用場景下解決，較為適合AI大模型預(yù)訓(xùn)練場景，在A圖表26：LPO技術(shù)方案當(dāng)前技術(shù)/產(chǎn)品進展新易盛目前已實現(xiàn)基于LPO方案的800G光模塊產(chǎn)品以及單波200Gbps技術(shù)的800G光模塊公司在LPO技術(shù)領(lǐng)域已深入布局，在2023年3月的OFC2023期間推出了多款相關(guān)產(chǎn)品800G和相干系列產(chǎn)品等已實現(xiàn)批量出貨，1.6T光模塊和800G硅光模塊已開發(fā)成功并進入送測階段，CPO技術(shù)和3D封裝技術(shù)也在研發(fā)中公司在機構(gòu)調(diào)研中表示，高度重視LPO開發(fā)，組成了項目華工科技100G/200G/400G全系列光模塊批量交付，800G硅光模塊已于2022年第三季度正式推出市場，下一代25GPON光模塊產(chǎn)品已與客戶開展聯(lián)調(diào)，50GPON啟動產(chǎn)品布局公司擁有自主開發(fā)的硅光技術(shù)，針對CPO、LPO技術(shù)已研發(fā)立項劍橋科技塊和100GZR4光模塊的研發(fā)和認證，200G/Lambda1.6T高速光模塊和400G/800G直驅(qū)項目的預(yù)研上實現(xiàn)突破公司預(yù)計在2023年7月份推出800GLPO產(chǎn)品仕佳光子用于激光雷達光纖激光器種子源的DFB激光器芯片，多家客戶性能驗證中公司的激光器芯片等產(chǎn)品能夠配合LPO技術(shù)產(chǎn)品的相關(guān)功資料來源：新易盛2022年報及2023投資者調(diào)研、中際旭創(chuàng)2022年報及2023投資者調(diào)研、華工科技2022年報及2023投資者調(diào)研、劍橋科技2022年報及2023投資者調(diào)研、仕佳光子2022