一、選擇題：1、所謂真空，是指：（）A、一定的空間內(nèi)沒有任何物質(zhì)存在；B、一定空間內(nèi)氣壓不大于1個大氣壓時，氣體所處的物理狀態(tài)；C、一定空間內(nèi)氣壓不大于1MPa時，氣體所處的物理狀態(tài)；D、以上都不對2、下列有關(guān)CVD特點的描述，不對的的是：（）A、與濺射沉積相比，CVD含有更高的沉積速率；B、與PVD相比，CVD沉積繞射性較差，不適于在深孔等不規(guī)則表面鍍膜；C、CVD的沉積溫度普通高于PVD辦法；D、CVD沉積獲得的薄膜致密、結(jié)晶完整、表面平滑、內(nèi)部殘存應(yīng)力低3、有關(guān)氣體分子的平均自由程，下列說法不對的的是：（）A、氣壓越高，氣體分子的平均自由程越小；B、真空度越高，氣體分子的平均自由程越長；C、溫度越高，氣體分子的平均自由程越長；D、氣體分子的平均自由程與溫度、壓力無關(guān)，取決于氣體種類4、下列PECVD裝置中，因含有放電電極而存在離子轟擊、弧光放電所致的電極損壞潛在風(fēng)險和電極材料濺射污染薄膜問題的是：（）A、電容耦合型；B、電感耦合型；C、微波諧振型；D、以上都不對5、按真空區(qū)域的工程劃分，P=10-4Pa時，屬于（）區(qū)域，此時氣體分子的運動以（）為主。A、粗真空；B、低真空；C、高真空；D、超高真空；

E、粘滯流；F、分子流；G、粘滯-分子流H、Poiseuille流6、下列真空計中，（）屬于絕對真空計。A、熱偶真空計；B、電離真空計；C、Pirani真空計；D、薄膜真空計7、CVD沉積薄膜時，更容易獲得微晶組織薄膜的辦法是：（）A、低溫CVD；B、中溫CVD；C、高溫CVD；D、以上都不對8、下列真空泵中，（）屬于氣體輸運泵。A、旋片式機(jī)械泵；B、油擴(kuò)散泵；C、渦輪分子泵；D、低溫泵9、低溫CVD裝置普通指沉積溫度<（）的CVD裝置。A、1000℃；B、500℃；C、90010、下列有關(guān)鎳磷鍍技術(shù)的說法中，對的的是：（）A、所獲得的鍍層含有25wt%左右的P而非純Ni，因此也稱NiP鍍；B、低P含量的鎳磷鍍鍍層致密，硬度可達(dá)成與電鍍硬Cr相稱的水平；C、高P含量的鎳磷鍍鍍層無磁性；D、可直接在不含有導(dǎo)電性的基體上鍍膜11、有關(guān)LPCVD辦法，下列說法中對的的是：（）A、低壓造成沉積界面層厚度增加，因此薄膜沉積速率比常壓CVD更低；B、低壓造成反映氣體的擴(kuò)散系數(shù)增大；C、低壓造成反映氣體的遷移運動速度增大；D、薄膜的污染幾率比常壓CVD更低12、氣相沉積固態(tài)薄膜時，根據(jù)熱力學(xué)分析下列說法中不對的的是：（）A、氣相過飽和度越大，固態(tài)新相形核能壘越低；B、氣相過飽和度越大，固態(tài)新相形核能壘越高；C、氣相過飽和度越大，固態(tài)新相臨界晶核尺寸越大；D、固態(tài)新相的形核能壘和臨界晶核尺寸只取決于沉積溫度（過冷度）13、濺射獲得的氣相沉積原子是高能離子轟擊靶材后，兩者通過級聯(lián)碰撞交換能量的成果，因此入射離子能量（）時更容易發(fā)生濺射現(xiàn)象。A、極高；B、極低；C、適中；D、固定不變14、薄膜-基片間浸潤性較差時，薄膜往往以（）模式生長。A、島狀；B、層狀；C、層狀-島狀；D、隨機(jī)15、下列有關(guān)閃爍蒸發(fā)技術(shù)的描述，對的的是：（）A、其蒸發(fā)溫度和電阻加熱蒸發(fā)相近；B、不存在沉積物成分偏離蒸發(fā)材料成分的問題；C、由于可使材料瞬間蒸發(fā)，因而能夠沉積高熔點難蒸發(fā)材料如W、Mo、石墨等；D、蒸發(fā)過程中大量釋放氣體，易造成“飛濺”16、在簡樸二極直流輝光放電系統(tǒng)中，從陰極到陽極會出現(xiàn)一系列明暗交替的輝光區(qū)和暗區(qū)，其中（）是二次電子和離子的重要加速區(qū)，該區(qū)域內(nèi)的壓降占整個放電電壓的絕大部分，而其后的（）是正離子、電子濃度最高和輝光最強(qiáng)區(qū)。A、阿斯頓暗區(qū)；B、陰極暗區(qū)；C、法拉第暗區(qū)；D、陽極暗區(qū)；E、陰極輝光區(qū)；F、負(fù)輝光區(qū)；G、正輝光區(qū)；H、陽極輝光區(qū)17、下列蒸發(fā)物質(zhì)中：（）屬于易升華材料；（）能夠在1000℃A、Ti；B、Al；C、Zn；D、W；E、石墨；F、Mo；G、Co；H、Cu18、濺射產(chǎn)額是指：（）A、單位時間內(nèi)，從單位面積靶材中濺射出的原子個數(shù)；B、平均每個正離子轟擊靶材時，可從靶材中濺射出的原子個數(shù)；C、單位體積靶材在單位時間內(nèi)發(fā)射的原子數(shù)；D、薄膜表面上單位面積上平均接受到的靶材原子個數(shù)19、下列有關(guān)薄膜內(nèi)應(yīng)力的說法中，對的的是：（）A、過高的拉應(yīng)力往往使薄膜局部開裂、脫落；B、過高的壓應(yīng)力往往使薄膜局部起皺、剝落；C、內(nèi)應(yīng)力重要源自于熱應(yīng)力和生長應(yīng)力；D、熱應(yīng)力只可能是拉應(yīng)力狀態(tài)20、薄膜的附著力與薄膜材料、基片材料的表面能及膜-基界面間的界面能有關(guān)，下列說法中對的的是：（）A、薄膜材料的表面能越高，薄膜的附著力越高；B、基片材料的表面能越高，薄膜的附著力越高；C、膜-基界面間的界面能越高，薄膜的附著力越高；D、膜-基界面間的界面能越低，薄膜的附著力越高21、沉積（）薄膜時，更容易獲得非晶薄膜。A、純金屬；B、合金；C、無機(jī)化合物；D、非金屬單質(zhì)22、Ar+的入射角=（）時，其濺射產(chǎn)額最高。A、90o（垂直于靶面）；B、45o；C、80o；D、60o23、用石墨作為待蒸發(fā)物質(zhì)沉積碳薄膜，宜采用的蒸發(fā)辦法是：（）A、電阻加熱蒸發(fā)；B、閃爍蒸發(fā)；C、電弧放電加熱蒸發(fā)；D、以上都不對24、根據(jù)新相自發(fā)形核理論，下列條件下中可提高臨界核心面密度的是：（）A、提高氣相壓力；B、減少氣相壓力；C、提高沉積溫度；D、固定氣相壓力和沉積溫度不變25、入射離子能量E滿足（）的條件時，濺射產(chǎn)額大致正比于E2。A、E<150eV；B、E=150-104eV；C、E>104eV；D、E>105eV26、PECVD普通工作溫度低于500℃A、低溫；B、中溫；C、高溫；D、常溫27、下列真空計中，更適合氣體有腐蝕性的真空系統(tǒng)壓力測量的是：（）A、電離真空計；B、熱偶真空計；C、薄膜真空計；D、皮拉尼真空計28、（）重要采用強(qiáng)非金屬性元素的氫化物和金屬烷基化合物作為原料氣體。A、MOCVD；B、LPCVD；C、PECVD；D、普通CVD29、下列有關(guān)PECVD的說法中，對的的是：（）A、PECVD沉積薄膜的質(zhì)量優(yōu)于傳統(tǒng)CVD；B、PECVD的設(shè)備成本較高；C、PECVD屬于低溫沉積，所獲薄膜內(nèi)應(yīng)力小、不易破損；D、PECVD在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用的廣泛程度已超出多個普通CVD辦法。30、氣壓P=8.0×10-7torr時，相稱于P=（）Pa、（）atm或（）bar，此時的真空狀態(tài)屬于（）區(qū)域，氣體分子運動含有（）特性。A、1.07×10-4；B、6.00×10-9；C、1.05×10-9；D、6.08×10-4；E、1.07×10-9；F、6.00×10-4；G、粗真空；H、低真空；I、高真空；J、超高真空；K、分子流；L、粘滯流；M、粘滯-分子流N、以上都不對31、（）是指在含有金屬離子的溶液或熔鹽中通直流電，使陽離子在陰極表面放電，從而在作為陰極的基片表面還原出金屬，獲得金屬或合金薄膜的沉積辦法，根據(jù)法拉第電解定律，運用CuSO4溶液作為電解質(zhì)，要在基片上析出16g重的純Cu膜理論上最少需要（）庫侖的電量（已知Cu的摩爾質(zhì)量為64g/mol）。A、陽極氧化；B、鎳磷鍍；C、電鍍；D、微弧氧化E、24125；F、48250；G、96500；H、193000二、填空題1、表征真空度的氣體壓強(qiáng)單位制重要有_________制、_________制、_________制和_________制等，這些單位可方便地進(jìn)行換算，如：0.0133torr=__________Pa=_________atm=_________PSI=_________bar。2、為了研究和工程應(yīng)用的便利，常將真空劃分為_________、_________、_________、__________、_________等幾個不同壓強(qiáng)范疇區(qū)域，例如：渦輪分子泵的啟動氣壓約為1Pa左右，按照普通工程劃分原則此時的氣壓屬于__________范疇。3、CVD沉積裝置普通由三個基本部分構(gòu)成，分別是：________________________________、________________________________和_____________________________，CVD沉積工藝控制最重要的兩個參數(shù)是：____________________和___________________。4、PECVD裝置可分為____________型、_________型和____________型三類，ECRPECVD屬于其中的____________型；按耦合方式不同，射頻耦合型又可分為________耦合式和________耦合式兩類。5、________是指在含有被鍍金屬離子的溶液或熔鹽中通直流電，使陽離子在陰極表面放電，從而在作為陰極的基片表面還原出金屬，獲得金屬或合金薄膜的沉積辦法，其過程滿足_________定律：即電流通過電解質(zhì)溶液時，流經(jīng)電極的_________與____________________的物質(zhì)的量成正比，例如：由AgNO3溶液中析出1摩爾純銀需要_________庫侖電量，而電鍍Zn時要沉積39g純Zn膜則需要_________庫侖電量（已知Zn的摩爾質(zhì)量為65g6、CVD化學(xué)氣相沉積反映重要有_______反映、_______反映、_______反映、______反映、________反映和________反映等幾個重要類型。7、PVD涉及三個分別對應(yīng)氣相物質(zhì)的產(chǎn)生、輸運和沉積過程的階段，這三個階段分別是：1）從________發(fā)射粒子（氣相原子、分子、離子）；2）激發(fā)粒子輸運到______；3）氣相粒子在基片上__________________。蒸發(fā)與濺射相比，在第1階段的重要區(qū)別在于：________是通過外加能量加熱源材料使之克服逸出功而發(fā)憤怒態(tài)熱逸出，而________是通過高能粒子轟擊靶材，通過碰撞輸入傳遞能量使含有更高動能的靶材粒子逸出。8、蒸發(fā)鍍膜裝置重要涉及_____________、__________、___________、_____________、____________和_____________等。9、實現(xiàn)蒸發(fā)沉積薄膜的基本條件是___________________不大于其________________，可通過下列三種途徑實現(xiàn)：1）提高待蒸發(fā)材料的______；2）減少系統(tǒng)的______；3）減少待蒸發(fā)材料的_________。10、濺射裝置按電極特性可分為__________、__________和___________，其中能實現(xiàn)絕緣體和半導(dǎo)體靶材濺射沉積的是___________；根據(jù)濺射沉積物質(zhì)與靶材與否同質(zhì)進(jìn)行分類，可分為常規(guī)濺射和___________。11、薄膜的早期生長重要有三種模式，分別為：__________模式、__________模式和____________模式，總體而言，______模式形核功小，形核容易；________模式生長時彈性錯配能低，生長易進(jìn)行。12、蒸發(fā)沉積早期成膜過程的實驗觀察表明：隨著名義膜厚的不停增加，其過程普通可分為____________、______________、_______________、_________________、______________五個階段。13、為表征薄膜成分，可采用的入射粒子束重要有_______束、_______束和_______束等，而攜帶薄膜成分信息的出射束能夠和入射束類型一致，也能夠不同，例如：RBS分析的入射束和出射束均為________束；XPS分析的入射束為X射線束，而出射束為_______束。14、可實時監(jiān)測薄膜厚度及沉積速率的辦法重要有_______________法、_______________法、_______________法和光學(xué)干涉法；而薄膜厚度的后效測量除光學(xué)干涉法外，還能夠采用原子力顯微鏡、___________儀和_______儀實現(xiàn)。15、采用球痕（Ball-Crater）法測量多層超硬薄膜厚度時，假設(shè)已知硬質(zhì)合金磨球的直徑為25mm，TiN、TiCN、DLC層的橫向延伸寬度分別為50m、100m和50三、簡答題1、真空如何定義（概念）？如何表征？有哪些單位制？如何換算？2、為什么要劃分真空區(qū)域？其根據(jù)是什么？核心參數(shù)如何定義？3、工程上如何劃分真空區(qū)域？各個真空區(qū)域的氣體分子的物理運動特性如何？4、什么是吸附和脫附？為什么要關(guān)注？其重要機(jī)制和影響因素有哪些？5、真空泵可分為哪兩大類？簡述各類涉及的慣用真空泵類型及其工作壓強(qiáng)范疇。6、分析闡明實用的真空抽氣系統(tǒng)為什么往往需要多個真空泵構(gòu)成復(fù)合抽氣系統(tǒng)？7、各舉一例比較氣體輸運泵和氣體捕獲泵工作原理的不同。8、真空計如何分類？圖示闡明最少2種慣用真空計的工作原理、工作范疇、合用場合

以及優(yōu)、缺點。9、化學(xué)辦法制備薄膜的重要特性是什么？基本分類如何？10、什么是化學(xué)氣相沉積？有哪些技術(shù)優(yōu)勢？各舉一例闡明其重要化學(xué)反映類型。11、填充完畢CVD設(shè)備的基本構(gòu)成示意圖，簡述CVD形成薄膜的普通過程。反映氣體反映氣體去除副產(chǎn)品12、分析對比激光輔助CVD、光化學(xué)氣相沉積和PECVD的異同點。13、圖示闡明陽極氧化生長薄膜的基本環(huán)節(jié)，分析為什么陽極氧化需要高的極間電壓且薄膜生長厚度存在極限。14、化學(xué)鍍鎳為什么又被稱為NiP鍍？根據(jù)含P量高低可分為哪三類，各自性能如何？總體而言NiP鍍有哪些優(yōu)點和局限性？15、什么是溶膠-凝膠技術(shù)？有哪些技術(shù)規(guī)定？16、什么是物理氣相沉積（PVD）？舉例闡明PVD的重要過程。17、真空蒸發(fā)裝置普通涉及哪三個構(gòu)成部分？何者為最核心的部分，重要需要完畢哪些功效？18、真空蒸發(fā)裝置重要涉及哪些類別？選擇三種典型蒸發(fā)裝置，比較其原理、特點和合用領(lǐng)域。19、畫出直流輝光放電的伏安特性曲線，解釋闡明放電區(qū)域的劃分、以及不同放電階段的放電現(xiàn)象和伏安特性變化特性，最后解釋濺射鍍膜工作區(qū)域的選擇及理由。20、選擇三種典型濺射裝置，比較其鍍膜原理、工藝特點和合用領(lǐng)域。21、與蒸發(fā)法相比，濺射鍍膜重要有哪些優(yōu)點和缺點？濺射裝置能夠按哪些特性分為哪些類別？22、簡述磁控濺射的出發(fā)點和實現(xiàn)辦法，并圖示闡明磁控濺射實現(xiàn)電子磁約束的原理。23、選擇三種典型的離化PVD技術(shù)，比較其鍍膜原理和特點。24、分析闡明離子束濺射和離子束輔助濺射沉積的區(qū)別。25、試以表格形式比較蒸發(fā)、濺射和離子鍍?nèi)NPVD技術(shù)的鍍膜原理和特點。26、圖示闡明薄膜的早期形成過程普通分為哪幾個階段、各階段的重要現(xiàn)象如何？27、簡述薄膜的重要生長模式如何分類，以及每類生長模式各自的出現(xiàn)條件和特點。28、根據(jù)新相自發(fā)形核理論，簡述薄膜臨界核心面密度n*的重要影響因素及各自的影響規(guī)律，并解釋闡明要獲得均勻平整薄膜沉積的基本條件和實現(xiàn)途徑。29、根據(jù)薄膜非自發(fā)形核理論，簡述非自發(fā)形核率(dN/dt)的重要影響因素，并解釋闡明吸附氣體原子的脫附激活能、擴(kuò)散激活能和臨界形核勢壘對其影響規(guī)律和內(nèi)在機(jī)制。30、根據(jù)薄膜非自發(fā)形核理論，分析并圖示闡明沉積速率和基片溫度如何影響所獲薄膜的組織特性（為什么高溫低速沉積往往獲得粗大或單晶構(gòu)造薄膜，而低溫高速沉積有助于多晶或非晶薄膜產(chǎn)生？）。31、圖示闡明持續(xù)薄膜形成時三種可能的核心兼并互連機(jī)制及其驅(qū)動力的異同。32、濺射薄膜重要有