重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院認(rèn)識(shí)實(shí)習(xí)報(bào)告專業(yè)：電子科學(xué)與技術(shù)班級(jí)：學(xué)號(hào)：姓名：實(shí)習(xí)時(shí)間：06月28日一、認(rèn)識(shí)實(shí)習(xí)時(shí)間6月25日二、實(shí)習(xí)地點(diǎn)：1101三、主講老師：王振四、實(shí)習(xí)目的與內(nèi)容實(shí)習(xí)目的：培養(yǎng)應(yīng)用型人才基地，要培養(yǎng)德才兼?zhèn)涞拇髮W(xué)生，不僅需要通識(shí)教育和專業(yè)教育，更要理論和實(shí)踐相結(jié)合的正規(guī)化培訓(xùn)。實(shí)習(xí)是大學(xué)生必須參加的一項(xiàng)實(shí)踐教學(xué)環(huán)節(jié)。是學(xué)生熟悉多晶硅、單晶硅生產(chǎn)和半導(dǎo)體封裝測(cè)試等生產(chǎn)過(guò)程的一種正規(guī)化的培訓(xùn)，以充實(shí)理論教學(xué)中不能學(xué)到的知識(shí)和技能。同時(shí)，把在理論教學(xué)中學(xué)到的知識(shí)和具體實(shí)際工作貫穿起來(lái)，做到學(xué)以致用，使學(xué)生成為現(xiàn)有理論知識(shí)，又有實(shí)際動(dòng)手能力的人才。自摩爾定律提出以來(lái)，微電子領(lǐng)域始終如神話般按其所預(yù)言的規(guī)律不停發(fā)展。微電子行業(yè)的進(jìn)步使計(jì)算機(jī)的計(jì)算能力成倍增加，硬件成本大幅度減少，極大地推動(dòng)了信息產(chǎn)業(yè)和工業(yè)的發(fā)展，是當(dāng)代信息業(yè)和工業(yè)的基礎(chǔ)。微電子專業(yè)重要培養(yǎng)掌握集成電路、微電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)、制造工藝及設(shè)計(jì)軟件系統(tǒng)，能在微電子及有關(guān)領(lǐng)域從事科研、教學(xué)、工程技術(shù)及技術(shù)管理等工作的高級(jí)專門(mén)人才。本次實(shí)習(xí)旨在提高學(xué)生的綜合素質(zhì)通過(guò)本次實(shí)習(xí)，開(kāi)闊視野，增加見(jiàn)識(shí)，拓寬我們的知識(shí)面。理解本專業(yè)有關(guān)方面的知識(shí)，通過(guò)實(shí)習(xí)，啟發(fā)我們主動(dòng)向上，努力學(xué)習(xí)。實(shí)習(xí)內(nèi)容：參觀微電子工藝實(shí)驗(yàn)室，理解有關(guān)儀器。五、實(shí)習(xí)收獲與體會(huì)本次認(rèn)識(shí)實(shí)習(xí)時(shí)間為1個(gè)半小時(shí)，在此期間，通過(guò)對(duì)各實(shí)驗(yàn)室的參觀，我學(xué)到了諸多東西，也對(duì)自己將來(lái)的學(xué)習(xí)和研究方向有了一定的規(guī)劃。這次的參觀實(shí)習(xí)豐富了我的理論知識(shí)，增強(qiáng)了我的觀察能力，讓我收獲頗豐?！都呻娐吩O(shè)計(jì)與制造》課是微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)本科教學(xué)中的重要教學(xué)實(shí)踐環(huán)節(jié)。目的是協(xié)助學(xué)生理解課堂上學(xué)到的基本原理和知識(shí)，理解并掌握集成電路設(shè)計(jì)與制造的基本辦法，提供實(shí)際動(dòng)手能力，以適應(yīng)社會(huì)的需求。1、認(rèn)識(shí)到《微電子器件實(shí)驗(yàn)》課是微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)本科教學(xué)中的重要教學(xué)實(shí)踐環(huán)節(jié)。目的是協(xié)助學(xué)生理解課堂上學(xué)到的基本原理和知識(shí)，并掌握晶體管基本參數(shù)的測(cè)量辦法，提供實(shí)際動(dòng)手能力?；驹砑罢n程介紹：微電子器件課程講述了基本的半導(dǎo)體器件BJT、JFET、MOSFET的物理構(gòu)造和工作原理，它重要針對(duì)半導(dǎo)體器件的重要電參數(shù)講述其測(cè)量辦法和原理。它包含了三個(gè)實(shí)驗(yàn)：雙極晶體管擊穿特性測(cè)試、雙極晶體管直流放大特性測(cè)試、晶體管特性頻率的測(cè)量。2、理解了基本原理及實(shí)驗(yàn)課程的介紹：集成電路工藝基礎(chǔ)課程講述了集成電路制造的基本工藝：擴(kuò)散、離子注入、氧化、光刻、刻蝕、外延、化學(xué)汽象沉積、金屬化和鈍化等，介紹了這些工藝的基本原理及制造過(guò)程。的半導(dǎo)體器件BJT、JFET、MOSFET的物理構(gòu)造和工作原理，它重要針對(duì)半導(dǎo)體器件的重要電參數(shù)講述其測(cè)量辦法和原理。《集成電路設(shè)計(jì)與制造實(shí)驗(yàn)》包含了四個(gè)實(shí)驗(yàn)：氧化工藝實(shí)驗(yàn)、光刻工藝實(shí)驗(yàn)、硼擴(kuò)散工藝實(shí)驗(yàn)和磷擴(kuò)散工藝實(shí)驗(yàn)；并有一周的課程設(shè)計(jì)：將以上四個(gè)工藝實(shí)驗(yàn)按集成電路制造工藝流程結(jié)合起來(lái)，制造出一種集成電路重要的單元---雙極晶體管并進(jìn)行擊穿特性測(cè)試、雙極晶體管直流放大特性測(cè)試。3、另首先也理解硼擴(kuò)散工藝實(shí)驗(yàn)過(guò)程，其基本實(shí)驗(yàn)原理為：擴(kuò)散是微觀粒子的一種極為普遍的熱運(yùn)動(dòng)形式，多個(gè)分離器件和集成電路制造中的固態(tài)擴(kuò)散工藝簡(jiǎn)稱擴(kuò)散，硼擴(kuò)散工藝是將一定數(shù)量的硼雜質(zhì)摻入到硅片晶體中，以變化硅片原來(lái)的電學(xué)性質(zhì)。硼擴(kuò)散是屬于替位式擴(kuò)散，采用預(yù)擴(kuò)散和再擴(kuò)散兩步擴(kuò)散法，第一步，預(yù)擴(kuò)散硼雜質(zhì)濃度分布方程為：N(x,t)=Nserfc｛x/2D1t)?｝表達(dá)恒定表面濃度（雜質(zhì)在預(yù)擴(kuò)散溫度的固溶度），D1為預(yù)擴(kuò)散溫度的擴(kuò)散系數(shù)，x表達(dá)由表面算起的垂直距離（cm）,他為擴(kuò)散時(shí)間。此分布為余誤差分布。第二步，主擴(kuò)散硼再擴(kuò)散為有限表面源擴(kuò)散，雜質(zhì)濃度分布方程為：N(x,t)=Qe-x2/4D2t/(πD2t)?，其中Q為擴(kuò)散入硅片雜質(zhì)總量：雜質(zhì)分布為高斯分別。4、理解了CMOS制作環(huán)節(jié)以下：1、雙阱工藝；2、淺槽隔離工藝；3、多晶硅柵構(gòu)造工藝；4、輕摻雜漏（LDD）注入工藝；5、側(cè)墻的形成；6、源/漏（S/D）注入工藝；7、接觸孔的形成；8、局部互連工藝；9、通孔1和金屬塞1的形成；10、金屬1互連的形成；11、通孔2和金屬塞2的形成；12、金屬2互連的形成；13、制作金屬3直到制作壓點(diǎn)及合金；14、參數(shù)測(cè)試。淺槽隔離工藝：淺槽隔離（STI）是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝?？煞譃槿齻€(gè)重要環(huán)節(jié)：槽刻蝕、氧化物填充、氧化物平坦化。槽刻蝕：1、隔離氧化層；2、氮化物淀積；3、第三層掩膜，淺槽隔離；4、STI槽刻蝕。STI氧化物填充：1、溝槽襯墊氧化硅；2、溝槽CVD氧化物填充。氧化物平坦化：拋光是最有效的一種平坦化技術(shù)，STI氧化層拋光—氮化物去除的基本環(huán)節(jié)以下：1、溝槽氧化物拋光（化學(xué)機(jī)械拋光）；2、氮化物去除。多晶硅柵構(gòu)造工藝：晶體管中柵構(gòu)造的制作是流程當(dāng)中最核心的一步，由于它涉及了最薄的柵氧化層的熱生長(zhǎng)以及多晶硅柵的刻印和刻蝕，而后者是整個(gè)集成電路工藝中物理尺度最小的構(gòu)造。多晶硅柵的寬度普通是整個(gè)硅片上最核心的CD線寬。多晶硅柵構(gòu)造制作的基本環(huán)節(jié)：1、柵氧化層的生長(zhǎng)；2、多晶硅淀積；3、第四層掩膜，多晶硅柵；4、多晶硅柵刻蝕。局部互連工藝:晶體管以及其它鈦硅化物之間布金屬連接線，所用到的辦法稱為局部互聯(lián)（LI）。形成局部互聯(lián)氧化硅介質(zhì)的環(huán)節(jié)：1.氮化硅化學(xué)氣相淀積2.摻雜氧化物的化學(xué)氣相淀積3.氧化層拋光4第九層掩膜，局部互聯(lián)刻蝕。制作局部互聯(lián)金屬的環(huán)節(jié)：1金屬鈦淀積（PVD工藝）；2氮化鈦淀積；3鎢淀積（化學(xué)氣相淀積工藝平坦化）；4磨拋鎢。大馬士革：先淀積一層介質(zhì)薄膜，接下來(lái)是化學(xué)機(jī)械拋光，刻印，刻蝕和鎢金屬淀積，最后以金屬層拋光結(jié)束。最后在硅片表面得到一種類似精巧的鑲嵌首飾或藝術(shù)圖案。六、個(gè)人心得體會(huì)：老師的解說(shuō)，使我認(rèn)識(shí)和理解了微電子工藝，進(jìn)一步認(rèn)識(shí)了微電子學(xué)科的特點(diǎn)，理論基礎(chǔ)的規(guī)定，技術(shù)指標(biāo)和發(fā)展前景。同時(shí)使我更加明確了學(xué)習(xí)目的，增強(qiáng)了我們對(duì)所學(xué)專業(yè)的熱愛(ài)。即使是短短的半天時(shí)間，但我們也學(xué)到了諸多的東西，微電子學(xué)是一門(mén)發(fā)展極為快速的學(xué)科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微電子學(xué)發(fā)展的方向。信息技術(shù)發(fā)展的方向是多媒體（智能化）、網(wǎng)絡(luò)化和個(gè)體化。規(guī)定系統(tǒng)獲取和存儲(chǔ)海量的多媒體信息、以極高速度精確可靠的解決和傳輸這些信息并及時(shí)地把有用信息顯示出來(lái)或用于控制。全部這些都只能依賴于微電子技術(shù)的支撐才干成為現(xiàn)實(shí)。超高容量、超小型、超高速、超高頻、超低功耗是信息技術(shù)無(wú)止境追求的目的，是微電子技術(shù)快速發(fā)展的動(dòng)力。微電子技術(shù)是當(dāng)代發(fā)展最快的技術(shù)之一，是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和心臟。如今，微電子技術(shù)已成為衡量一種國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步和綜合國(guó)力的重要標(biāo)志，微電子科學(xué)技術(shù)的發(fā)展水平和產(chǎn)業(yè)規(guī)模是一種國(guó)家經(jīng)濟(jì)實(shí)力的重要標(biāo)志。通過(guò)實(shí)習(xí)，我們有了機(jī)會(huì)去面對(duì)著專業(yè)性人員，聽(tīng)著他們對(duì)專業(yè)性的解說(shuō)以及親自看到了許多的大型通信設(shè)備，這些都很有助于我們對(duì)知識(shí)的理解以及與實(shí)際相聯(lián)系，這些都很益于我們?cè)诤髞?lái)的工作。通過(guò)實(shí)習(xí)，讓我體會(huì)通信在國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中所處的地位和所起的作用，加深對(duì)微電子工藝在生產(chǎn)生活中的感性認(rèn)識(shí)，理解這些公司生產(chǎn)和運(yùn)行的規(guī)律，學(xué)習(xí)這些公司組織和管理知識(shí)，鞏固了所學(xué)理論，培養(yǎng)了初步的實(shí)際工作能力和專業(yè)技術(shù)能力，增強(qiáng)了我在電子信息方面的學(xué)業(yè)背景和對(duì)本專業(yè)的熱愛(ài)。我們也明白了德才兼?zhèn)涞拇髮W(xué)生不僅需要廣泛的通識(shí)教育、扎實(shí)的專業(yè)理論功底，更需要理論與實(shí)踐相結(jié)合的正規(guī)化訓(xùn)練。學(xué)校和學(xué)生個(gè)人都有義務(wù)和責(zé)任將大學(xué)生培養(yǎng)成為現(xiàn)有理論知識(shí)、又有實(shí)際動(dòng)手能力的綜合型人才。實(shí)習(xí)是絕大多數(shù)大學(xué)生必須參加的一項(xiàng)實(shí)踐教學(xué)環(huán)節(jié)，通過(guò)或長(zhǎng)或短的實(shí)習(xí)，學(xué)生能夠更進(jìn)一步地理解本行業(yè)各崗位的工作性質(zhì)，及該領(lǐng)域的發(fā)展?fàn)顩r和發(fā)展方向，方便能結(jié)合自己的能力特點(diǎn)和