材料測(cè)試方法智慧樹(shù)知到課后章節(jié)答案2023年下江蘇大學(xué)江蘇大學(xué)

第一章測(cè)試

點(diǎn)陣參數(shù)精確測(cè)定時(shí)，應(yīng)盡可能選取高角度的衍射線(xiàn)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

材料的內(nèi)應(yīng)力分為三類(lèi)，X射線(xiàn)衍射方法可以測(cè)定

A:第一類(lèi)應(yīng)力（宏觀(guān)應(yīng)力）B:第二類(lèi)應(yīng)力（微觀(guān)應(yīng)力）C:第三類(lèi)應(yīng)力D:D.A+B+C

答案:第一類(lèi)應(yīng)力（宏觀(guān)應(yīng)力）

當(dāng)X射線(xiàn)將某物質(zhì)原子的K層電子打出去后，L層電子回遷K層，多余能量將另一個(gè)L層電子打出核外，這整個(gè)過(guò)程將產(chǎn)生

A:光電子B:二次熒光C:背散射電子

D:俄歇電子

答案:光電子;二次熒光;俄歇電子

在衍射儀的光學(xué)布置中，梭拉狹縫由一組平行的金屬薄片組成，其作用是限制射線(xiàn)在豎直方向的發(fā)散度

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

理論上X射線(xiàn)物相定性分析可以告訴我們被測(cè)材料中有哪些物相，而定量分析可以告訴我們這些物相的含量有多少。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第二章測(cè)試

閃爍體計(jì)數(shù)器探測(cè)信號(hào)是基于信號(hào)作用于閃爍體產(chǎn)生光、所產(chǎn)生的光作用于光敏陰極而產(chǎn)生電信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)探測(cè)的。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

對(duì)于給定原子，其Kα線(xiàn)的波長(zhǎng)比Kβ線(xiàn)波長(zhǎng)短。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

下列哪些信號(hào)可通過(guò)電子束與固體物質(zhì)作用產(chǎn)生？

A:背散射電子B:特征X射線(xiàn)C:二次電子D:俄歇電子

答案:背散射電子;特征X射線(xiàn);二次電子;俄歇電子

電磁透鏡可用于（）的聚焦。

A:電子束B(niǎo):X射線(xiàn)C:原子D:可見(jiàn)光

答案:電子束

假設(shè)電子從燈絲上逸出時(shí)的能量為0，請(qǐng)問(wèn)在加速電壓為10000V時(shí)電子最終的能量大約是多少？

A:10000JB:1.6×10-15eVC:1.6eVD:10000eV

答案:10000eV

第三章測(cè)試

X射線(xiàn)衍射法測(cè)定結(jié)晶度是通過(guò)測(cè)定樣品中晶相與非晶相的衍射方位來(lái)實(shí)現(xiàn)的

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

非晶物質(zhì)的衍射圖由少數(shù)漫散峰組成

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

脈沖高度分析器可以剔除那些對(duì)衍射分析不需要的干擾脈沖，從而達(dá)到降低背底和提高峰背比的作用

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

X射線(xiàn)衍射方法有哪些？

A:布拉格法B:勞埃法C:周轉(zhuǎn)晶體法D:粉末法

答案:勞埃法;周轉(zhuǎn)晶體法;粉末法

X射線(xiàn)衍射儀常規(guī)測(cè)量中衍射強(qiáng)度的測(cè)量方法有哪些？

A:步進(jìn)掃描B:間歇掃描C:連續(xù)掃描D:快速掃描

答案:步進(jìn)掃描;連續(xù)掃描

德拜相機(jī)底片安裝方法有哪些？

A:斜裝法B:正裝法C:反裝法D:偏裝法

答案:正裝法;反裝法;偏裝法

第四章測(cè)試

用愛(ài)瓦爾德球圖解說(shuō)明電子衍射過(guò)程中，以下錯(cuò)誤的是（

）。

A:是倒易原點(diǎn)B:O是愛(ài)瓦爾德球的球心C:k是衍射波的波矢量D:倒易陣點(diǎn)G落在愛(ài)瓦爾德球的球面上

答案:k是衍射波的波矢量

關(guān)于電子衍射與X射線(xiàn)衍射的說(shuō)法，以下正確的是（

）。

A:電子衍射的反射球半徑小B:電子衍射的散射能力高C:X射線(xiàn)的衍射角相對(duì)較大D:二者采用的光源是一致的

答案:電子衍射的散射能力高;X射線(xiàn)的衍射角相對(duì)較大

晶體正空間中的點(diǎn)陣晶面對(duì)應(yīng)倒易空間中的點(diǎn)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

調(diào)節(jié)中間鏡使中間鏡的物平面和物鏡的像平面重合，實(shí)現(xiàn)電子衍射操作。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

零層倒易面上的各倒易矢量ghkl的方向和正空間中相應(yīng)晶面的法向之間的關(guān)系是

。

A:重合B:垂直C:平行D:交叉

答案:平行

體心立方晶體的衍射條件和消光條件分別是

和

。

A:（H+K）偶數(shù)B:H、K、L同性數(shù)C:（H+K+L）偶數(shù)D:（H+K+L）奇數(shù)

答案:（H+K+L）偶數(shù);（H+K+L）奇數(shù)

零層倒易面的法線(xiàn)和正空間中的晶帶軸[uvw]是垂直的關(guān)系。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)

零層倒易面上的各倒易矢量都和晶帶軸r=[uvw]垂直（⊥r）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

當(dāng)入射束不嚴(yán)格滿(mǎn)足布拉格方程的時(shí)候，衍射情況應(yīng)該是

。

A:產(chǎn)生強(qiáng)衍射束B(niǎo):產(chǎn)生弱衍射束C:不產(chǎn)生衍射

答案:產(chǎn)生弱衍射束

薄晶體樣品應(yīng)該用

來(lái)獲得滿(mǎn)意的圖像反差。

A:衍射襯度B:振幅襯度C:相位襯度D:質(zhì)厚襯度

答案:衍射襯度

關(guān)于中心暗場(chǎng)成像，以下說(shuō)法正確的是

。

A:入射電子束方向傾斜2θB:透射束被擋掉C:利用衍射束得到圖像襯度D:用于成像的是離軸光線(xiàn)

答案:入射電子束方向傾斜2θ;透射束被擋掉;利用衍射束得到圖像襯度

入射束與試樣內(nèi)各晶面相對(duì)位向不同不會(huì)造成衍射強(qiáng)度的明顯差異。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

襯度是顯微圖像中不同區(qū)域的明暗差別

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

用以實(shí)現(xiàn)透射電鏡成像操作和電子衍射操作的轉(zhuǎn)換的是

。

A:物鏡B:投影鏡C:聚光鏡D:中間鏡

答案:中間鏡

入射電子束穿過(guò)樣品經(jīng)物鏡聚焦成像，在

上形成衍射花樣，在

上形成顯微圖像。

A:熒光屏B:像平面C:物鏡背焦面D:物鏡后焦面

答案:像平面;物鏡背焦面

場(chǎng)發(fā)射電子槍比熱發(fā)射電子槍亮度更高，束斑尺寸更小，電子束相干性更好。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

投影鏡是用來(lái)形成第一幅高分辨電子顯微圖像或電子衍射花樣。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

選區(qū)光闌應(yīng)該加在什么位置以實(shí)現(xiàn)選取電子衍射操作？

A:物鏡的后焦面B:物鏡的像平面C:樣品上D:物鏡的背焦面

答案:物鏡的像平面

關(guān)于選區(qū)電子衍射操作的說(shuō)法正確的是

。

A:可以實(shí)現(xiàn)晶體結(jié)構(gòu)分析B:可以實(shí)現(xiàn)組織形貌觀(guān)察C:選區(qū)光闌的水平位置在電鏡中是可以調(diào)整的的D:物鏡的像平面和中間鏡的物平面都必須和選區(qū)光闌的位置齊平

答案:可以實(shí)現(xiàn)晶體結(jié)構(gòu)分析;可以實(shí)現(xiàn)組織形貌觀(guān)察;物鏡的像平面和中間鏡的物平面都必須和選區(qū)光闌的位置齊平

在物鏡像平面上插入選區(qū)光闌可以實(shí)現(xiàn)選區(qū)電子衍射操作。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

選區(qū)電子衍射操作需要先把透射電鏡切換到電子衍射模式。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

實(shí)現(xiàn)入射電子束平移和傾斜的裝置是

。

A:消像散器B:物鏡光闌C:極靴D:電磁偏轉(zhuǎn)器

答案:電磁偏轉(zhuǎn)器

以下哪些可以用來(lái)搭載樣品？

A:碳支持膜B:微柵膜C:銅網(wǎng)D:載網(wǎng)支持膜

答案:碳支持膜;微柵膜;銅網(wǎng);載網(wǎng)支持膜

消像散器形成的矯正磁場(chǎng)在強(qiáng)度上可調(diào)，在方位上不可調(diào)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

物鏡光闌通常安裝在物鏡的背焦面上。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

關(guān)于化學(xué)拋光減薄法，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

A:表面沒(méi)有機(jī)械硬化層B:屬于最終減薄C:大部分控制在20~50μm的厚度D:利用化學(xué)試劑腐蝕減薄樣品

答案:屬于最終減薄

電子束對(duì)薄膜樣品的穿透能力和加速電壓無(wú)關(guān)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

透射電子顯微操作中，對(duì)于樣品的要求以下說(shuō)法正確的是（）。

A:杜絕腐蝕和氧化B:組織結(jié)構(gòu)能夠代表大塊樣品C:表面效應(yīng)可忽略D:強(qiáng)度和剛度不做要求

答案:杜絕腐蝕和氧化;組織結(jié)構(gòu)能夠代表大塊樣品;表面效應(yīng)可忽略

電火花切割法只能用于導(dǎo)電樣品。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

計(jì)算晶帶軸指數(shù)的基本原理是（

）。

A:矢量運(yùn)算B:結(jié)構(gòu)消光原理C:電子衍射基本公式D:晶帶定理

答案:晶帶定理

關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)電子衍射花樣，以下說(shuō)法正確的是（

）。

A:是經(jīng)過(guò)實(shí)際觀(guān)察、記錄得到衍射花樣B:可以利用其進(jìn)行衍射花樣標(biāo)定C:各晶體點(diǎn)陣主要晶帶的倒易截面D:可以根據(jù)晶帶定理和消光規(guī)律繪出

答案:可以利用其進(jìn)行衍射花樣標(biāo)定;各晶體點(diǎn)陣主要晶帶的倒易截面;可以根據(jù)晶帶定理和消光規(guī)律繪出

測(cè)量衍射斑點(diǎn)間距時(shí)，應(yīng)該測(cè)量靠近中心斑點(diǎn)的幾個(gè)衍射斑點(diǎn)至中心斑點(diǎn)的距離。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

未知晶體結(jié)構(gòu)衍射花樣標(biāo)定時(shí)，應(yīng)該在幾個(gè)不同的方位攝取衍射花樣，測(cè)低指數(shù)斑點(diǎn)的R值。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

關(guān)于超點(diǎn)陣斑點(diǎn)，以下說(shuō)法正確的是（

）。

A:可能會(huì)改變?cè)芯w的衍射花樣B:會(huì)給分析和標(biāo)定帶來(lái)方便C:在一定條件下才能產(chǎn)生D:可以提供更多的結(jié)構(gòu)信息

答案:可能會(huì)改變?cè)芯w的衍射花樣;在一定條件下才能產(chǎn)生;可以提供更多的結(jié)構(gòu)信息

當(dāng)晶體內(nèi)部的原子或離子產(chǎn)生有規(guī)律的位移或不同原子產(chǎn)生有序排列時(shí)，有可能使本來(lái)消光的斑點(diǎn)出現(xiàn)，衍射花樣中也將出現(xiàn)相應(yīng)的額外斑點(diǎn)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

超點(diǎn)陣斑點(diǎn)一般出現(xiàn)在無(wú)序固溶體禁止反射的位置，強(qiáng)度一般較高。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

關(guān)于高分辨透射電子顯微術(shù)，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（

）。

A:增大了樣品臺(tái)的傾轉(zhuǎn)角B:配備了高分辨物鏡極靴和光闌組合C:反映了晶體的周期性排列D:是透射束和衍射束干涉形成的襯度

答案:增大了樣品臺(tái)的傾轉(zhuǎn)角

以下哪個(gè)不屬于高分辨透射電子顯微鏡的改進(jìn)方向？

A:增加球差B:降低球差C:配備慢掃描CCD相機(jī)D:配備TV圖像增強(qiáng)器

答案:增加球差

利用高分辨透射電子顯微技術(shù)可以獲得材料的哪些信息？

A:晶體中界面及表面的原子分布B:微疇C:微觀(guān)結(jié)構(gòu)D:晶體缺陷

答案:晶體中界面及表面的原子分布;微疇;微觀(guān)結(jié)構(gòu);晶體缺陷

高分辨透射電子顯微術(shù)（HRTEM）是材料分子級(jí)別顯微組織結(jié)構(gòu)的相位襯度顯微術(shù)。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

高分辨顯微像的襯度由透射波與衍射波的相位差決定。

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第五章測(cè)試

SEM鏡筒中聚光鏡及物鏡均為（）。

A:中